CN201986179U - 一种红外加热片 - Google Patents

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甘志银
胡少林
陈倩翌
严晗
王亮
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Guangdong Zhongyuan Semiconductor Technology Co., Ltd.
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GUANGDONG REALFAITH SEMICONDUCTOR EQUIPMENT CO Ltd
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Abstract

本实用新型涉及一种红外加热片，包括火线电极、地线电极以及加热片主体，所述加热片主体的形状为波浪形状。本实用新型具有对高温热冲击和热循环有良好的抵抗能力，可靠性高，寿命长的优点。

Description

一种红外加热片
技术领域
本实用新型涉及一种红外加热片。
背景技术
在半导体制造设备，尤其是需要高温加热的半导体制造设备中，例如，金属有机物化学气相沉积（MOCVD），通常使用加热片红外辐射加热或电磁感应加热。由于MOCVD工艺和生产需要，MOCVD设备加热系统经常在高温负载（1000摄氏度以上）下长时间运行。如图1所示，为现有的常规加热片，由火线电极1、地线电极2以及平滑的加热片主体3构成。常规加热片在上述这种高温热冲击和热循环环境下，加热片尤其是靠近固定电极附近的位置较容易产生热应力翘曲和断裂的问题。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足，本实用新型提供了一种红外加热片，该加热片具有对高温热冲击和热循环有良好的抵抗能力，而且其可靠性高，寿命长。
为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：
一种红外加热片，包括火线电极、地线电极以及加热片主体，所述加热片主体的形状为波浪形状。
作为优选，所述加热主体的厚度为0.2mm至5mm。
作为优选，所述波浪形状为半圈、单圈或多圈排列。
本实用新型与现有技术相比，波浪形状的加热片主体可以有效提高加热片对高温热冲击和热循环的抵抗能力，从而大幅提高其工作可靠性和寿命。
附图说明
图1为现有技术的加热片的结构示意图；
图2为本实用新型实施例的一种红外加热片的结构示意图。
具体实施方式
如图2所示，一种红外加热片，包括火线电极11、地线电极12以及加热片主体13，所述加热片主体13的形状为波浪形状。所述加热主体的厚度为0.2mm至5mm。
加热片主体13采用采用耐高温、导电性好、热膨胀系数较小的材料，如石墨、钼、钨、钨铼合金等材料制作而成。
火线电极11、地线电极12分别设置在加热片主体13的两端。根据工艺温度需要，在电极中通入特定的直流电或交流电，使加热片主体13发热，通过红外辐射方式对所需物件如石墨基座进行加热。
加热片主体13的波浪状形状可以根据需要加工成不同长度、不同排列，例如可以为半圈、单圈，多圈排列，即所述波浪形状为半圈、单圈或多圈排列。
本实施例可以广泛应用于半导体制造设备的加热系统，尤其是金属有机物化学气相沉积设备（MOCVD）的加热系统，波浪形状的加热片主体可以有效提高红外加热片对高温热冲击和热循环的抵抗能力，从而大幅提高其工作可靠性和寿命。
上述实施例只是本实用新型较优选的具体实施方式的一种，本领域技术人员在本实用新型方案范围内进行的通常变化和替换都应包含在本实用新型的保护范围内。

Claims (3)

1.一种红外加热片，包括火线电极、地线电极以及加热片主体，其特征在于，所述加热片主体的形状为波浪形状。
2.如权利要求1所述的一种红外加热片，其特征在于，所述加热主体的厚度为0.2mm至5mm。
3.如权利要求1所述的一种红外加热片，其特征在于，所述波浪形状为半圈、单圈或多圈排列。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104046965A (zh) * 2014-05-27 2014-09-17 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种辐射加热元件、辐射加热器及mocvd反应器

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CP03 Change of name, title or address

Address after: 528200 1st Floor, No. 5 Nangang Street, Pingzhou, Nanhai District, Foshan City, Guangdong Province

Patentee after: Guangdong Zhongyuan Semiconductor Technology Co., Ltd.

Address before: 528251 First Floor Workshop of Building C, Nangang Street, Pingzhou Shawei Industrial West District, Nanhai District, Foshan City, Guangdong Province

Patentee before: Guangdong RealFaith Semiconductor Equipment Co., Ltd.

CP03 Change of name, title or address
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Granted publication date: 20110921

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