CN103255390A - 金属有机化合物化学气相沉积加热器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种金属有机化合物化学气相沉积加热器,包括支座,所述支座上设有绝缘层,所述绝缘层上设置有若干支架,所述支架上连接有加热体。电阻丝布置更均匀,温度均匀性高;承载电流的截面积增加,功率高,可以实现快速的升温和降温;矩形截面的加热丝排布好后,加热平面的高低一致性非常好;制造工艺简单,成本比板材加工的加热体大幅降低;单相阻值便于调整,保温时的单相加热加热功率的自动化控制更容易,提高温度均匀性;当需要增大加热面积实现更多芯片沉积,加热面积可以用增加圈数N来增加加热面积,成本相对较低,而且容易实现。
Description
技术领域
本发明涉及LED发光芯片的核心生产设备里的一种加热器,具体涉及一种金属有机化合物化学气相沉积加热器。
背景技术
金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD设备是LED发光芯片的核心生产设备。MOCVD技术的关键之一是,加热器能够提供一个均匀、稳定的温度场。另外,为了降低LED芯片的生产成本,提高生产效率的最便捷的方式是增加反应室的容积,增加单炉芯片的数量和容纳更大尺寸的蓝宝石衬底,例如目前蓝宝石衬底的尺寸正从4英寸向6英寸甚至8英寸转变,这需要加热器提供更大的与之匹配的加热面积。目前的加热器结构设计使得这种增加加热面积的成本非常高昂,而且难度更大。
另一方面,加热器有一定的使用寿命,届时昂贵的MOCVD加热器成本增加了产品的成本。
现有的电阻加热体形式:
第一种,加热体为螺旋状钨丝,螺旋状钨丝在一个平面上按照一定的形状均匀排布,螺旋状钨丝下面有难熔金属支撑片。优点是,成本低,可以很方便的通过增加加热丝的数量来增加加热面积。缺点是(1)螺旋状丝的加热面的平面度不高,影响加热均匀性;(2)加热丝截面积小,承载电流低,升降温需要时间长(3)而且钨丝非常容易断。
第二种,采用难熔金属板材,如钨、钨合金或者铼板,采用加工手段加工成一定的图形。优点是加热体截面积大,可通过电流高,平面度好。缺点是,这种加热器均采用整体的稀有金属板材加工而成,而钨或者铼都是昂贵的稀有金属,而且这些金属在采用轧制方法形成板材时,加工难度大,材料利用率低,非常难以获得大尺寸的平板,导致这种加热体的价格昂贵。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的以上问题,提供一种金属有机化合物化学气相沉积加热器。
为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本发明通过以下技术方案实现:
金属有机化合物化学气相沉积加热器,其特征在于:包括支座,所述支座上设有绝缘层,所述绝缘层上设置有若干支架,所述支架上连接有加热体。
进一步的,所述加热体由若干根加热丝并排组成。
优选的,所述加热体弯曲成螺旋线或渐开线状。
优选的,所述加热体弯曲成三相加热所需的形状。
优选的,所述加热体弯曲成单相加热所需的形状。
进一步的,所述加热丝截面为矩形,每边长度为1-3mm。
进一步的,所述支座为难熔金属。
进一步的,所述加热丝材质为钨。
进一步的,所述加热丝材质为钨铼合金。
本发明的有益效果是:
(1)电阻丝布置更均匀,温度均匀性高;
(2)承载电流的截面积增加,功率高,可以实现快速的升温和降温;
(3)矩形界面的加热丝排布好后,加热平面的高低一致性非常好;
(4)制造工艺简单,成本比板材加工的加热体大幅降低;
(5)单相阻值便于调整,保温时的单相加热加热功率的自动化控制更容易,提高温度均匀性;
(6)当需要增大加热面积实现更多芯片沉积,加热面积可以用过增加圈数N来增加加热面积,成本相对较低,而且容易实现。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1本发明剖视图;
图2加热体剖视图;
图3加热体螺旋线实施例示意图;
图4加热体三相加热实施例示意图;
图5加热体单相加热实施例示意图;
图中标号说明:1、加热体,2、支架,3、绝缘层,4、支座,101、加热丝。
具体实施方式
下面将参考附图并结合实施例,来详细说明本发明。
参照图1所示,金属有机化合物化学气相沉积加热器,其特征在于:包括支座4,所述支座4上设有绝缘层3,所述绝缘层3上设置有若干支架2,所述支架2上连接有加热体1。
参照图2所示,进一步的,所述加热体1由若干根加热丝101并排组成。
参照图3所示,优选的,所述加热体1弯曲成螺旋线或渐开线状。
参照图4所示,优选的,所述加热体1弯曲成三相加热所需的形状。
参照图5所示,优选的,所述加热体1弯曲成单相加热所需的形状。
进一步的,所述加热丝101截面为矩形,每边长度为1-3mm。
进一步的,所述支座4为难熔金属。
进一步的,所述加热丝101材质为钨。
进一步的,所述加热丝101材质为钨铼合金。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.金属有机化合物化学气相沉积加热器,其特征在于:包括支座(4),所述支座(4)上设有绝缘层(3),所述绝缘层(3)上设置有若干支架(2),所述支架(2)上连接有加热体(1)。
2.根据权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积加热器,其特征在于:所述加热体(1)由若干根加热丝(101)并排组成。
3.根据权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积加热器,其特征在于:所述加热体(1)弯曲成螺旋线或渐开线状。
4.根据权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积加热器,其特征在于:所述加热体(1)弯曲成三相加热所需的形状。
5.根据权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积加热器,其特征在于:所述加热体(1)弯曲成单相加热所需的形状。
6.根据权利要求2所述的金属有机化合物化学气相沉积加热器,其特征在于:所述加热丝(101)截面为矩形,每边长度为1-3mm。
7.根据权利要求1所述的金属有机化合物化学气相沉积加热器,其特征在于:所述支座(4)为难熔金属。
8.根据权利要求2所述的金属有机化合物化学气相沉积加热器,其特征在于:所述加热丝(101)材质为钨。
9.根据权利要求2所述的金属有机化合物化学气相沉积加热器,其特征在于:所述加热丝(101)材质为钨铼合金。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109990321A (zh) * | 2019-03-20 | 2019-07-09 | 安徽建筑大学 | 一种大功率三相y型接线的平底灶及其温度控制电路 |
CN110644045A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-01-03 | 江苏实为半导体科技有限公司 | 一种具有升降功能的mocvd加热器源 |
CN112930710A (zh) * | 2019-01-23 | 2021-06-08 | 美科陶瓷科技有限公司 | 陶瓷加热器 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1742361A (zh) * | 2003-02-06 | 2006-03-01 | 株式会社Eugene科技 | 用于制造薄膜的化学汽相淀积设备的加热器 |
CN101736311A (zh) * | 2010-01-07 | 2010-06-16 | 中国科学院半导体研究所 | 用于金属有机物化学沉积设备的加热装置 |
TWM410057U (en) * | 2011-04-13 | 2011-08-21 | Zhou Ye Invest Co Ltd | Heater for film coating equipment |
CN202688445U (zh) * | 2012-02-17 | 2013-01-23 | 苏州艾默特材料技术有限公司 | 金属有机化合物化学气相沉积加热器 |
-
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- 2012-02-17 CN CN2012100354933A patent/CN103255390A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1742361A (zh) * | 2003-02-06 | 2006-03-01 | 株式会社Eugene科技 | 用于制造薄膜的化学汽相淀积设备的加热器 |
CN101736311A (zh) * | 2010-01-07 | 2010-06-16 | 中国科学院半导体研究所 | 用于金属有机物化学沉积设备的加热装置 |
TWM410057U (en) * | 2011-04-13 | 2011-08-21 | Zhou Ye Invest Co Ltd | Heater for film coating equipment |
CN202688445U (zh) * | 2012-02-17 | 2013-01-23 | 苏州艾默特材料技术有限公司 | 金属有机化合物化学气相沉积加热器 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112930710A (zh) * | 2019-01-23 | 2021-06-08 | 美科陶瓷科技有限公司 | 陶瓷加热器 |
CN112930710B (zh) * | 2019-01-23 | 2023-08-15 | 美科陶瓷科技有限公司 | 陶瓷加热器 |
US12089296B2 (en) | 2019-01-23 | 2024-09-10 | Mico Ceramics Ltd. | Ceramic heater |
CN109990321A (zh) * | 2019-03-20 | 2019-07-09 | 安徽建筑大学 | 一种大功率三相y型接线的平底灶及其温度控制电路 |
CN110644045A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-01-03 | 江苏实为半导体科技有限公司 | 一种具有升降功能的mocvd加热器源 |
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