CN202332956U - 一种集成封装的大功率led装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型的一种集成封装的大功率LED装置，包括支架和LED芯片，所述支架包括陶瓷座和铜基板，所述LED芯片通过贵金属导热粘结材料粘结在铜基板上，LED芯片以相邻两行相交错的矩阵方式排列，相邻LED芯片触点之间以及LED芯片触点与连接正负极的铜基板之间通过有弧度的金线相焊接。本实用新型的有益效果是：这种封装结构对于取光效率、散热性能和电流密度的设计都是最佳的。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体照明装置，特别涉及一种集成封装的大功率LED装置。
背景技术
目前，在LED封装方面主要存在两大技术：传统的单颗粒灯珠封装技术和大功率集成封装技术。
传统的单颗粒灯珠封装技术缺点：
(1)不便于二次配光，较大一部分光被损失掉，光的利用率较低，节能效果不显著；
(2)每盏灯具上LED灯珠较多，生产组装复杂，人工效率不高，产品不良率较高，增加成本；
(3)灯具的色温一致性不好，易出现黄斑；
(4)每盏灯具故障率较高，易出现黑斑、黑带；
(5)产品样式单一，缺乏变化，没办法突出城市亮化特点。
大功率集成封装技术缺点：
(1)灯具发光集中，眩光较大，不易解决；
(2)热量集中，散热处理不好易影响灯具使用寿命；
(3)目前，相对单颗粒灯珠封装方式而言，应用实例较少，不利于用户接受。
发明内容
为解决以上技术上的不足，本实用新型提供了一种散热性能好和眩光较小的集成封装的大功率LED装置。
本实用新型是通过以下措施实现的：
本实用新型的一种集成封装的大功率LED装置，包括支架和LED芯片，所
述支架包括陶瓷座和铜基板，所述LED芯片通过贵金属导热粘结材料粘结在铜基板上，LED芯片以相邻两行相交错的矩阵方式排列，相邻LED芯片触点之间以及LED芯片触点与连接正负极的铜基板之间通过有弧度的金线相焊接。
上述铜基板表面为镜面结构。
上述LED芯片上涂有荧光粉和封胶的混合层，荧光粉和封胶的混合层上涂有封胶层。
本实用新型的有益效果是：
这种封装结构对于取光效率、散热性能和电流密度的设计都是最佳的。1.热阻低，这种新型封装结构的热阻一般仅为14℃/W，可比常规LED减小约20倍；2.可靠性高，所使用的专用封胶，在40-120℃的范围内，不会因温度骤变产生的内应力使金属丝和框架引线断开，用这种硅橡胶作为光耦合的密封材料，不会出现普通光学环氧树脂那样的变黄现象；金属引线框架也不会因氧化而沾污。3.反射镜面的最佳设计使辐射可控和光学效率最高，这样不仅可获得较高的光通量，而且还具有较高的光电转换效率。
附图说明
图1为本实用新型的支架结构示意图。
图2为本实用新型的LED芯片排列布局结构示意图。
图3为本实用新型的LED芯片连接结构示意图。
图中：1陶瓷座，2铜基板，3LED芯片，4金线。
具体实施方式
如图1、2、3所示，本实用新型的一种集成封装的大功率LED装置，包括支架和LED芯片3，支架包括陶瓷座1和铜基板2，铜基板2采用特殊处理导热性能更好的铜做材料，降低结温。LED芯片3通过贵金属导热粘结材料粘结在铜基板2上，使用贵金属导热粘结材料，使热量快速导出，结温控制在65℃以下，散热效果好。LED芯片3以相邻两行相交错的矩阵方式排列，优化组合，空间利用更合理。相邻LED芯片3触点之间以及LED芯片3触点与连接正负极的铜基板2之间通过有弧度的金线4相焊接，更大限度的提高出光率，同时保证了焊接的可靠性。
铜基板2表面为镜面结构，使出光率更高。LED芯片3上涂有荧光粉和封胶的混合层，荧光粉和封胶的混合层上涂有封胶层。荧光粉，采用科学配方，色温一致性好；选择投光强度、粘结抗震性能好的封胶，提高出光率及光源使用寿命。
上述实施例所述是用以具体说明本专利，文中虽通过特定的术语进行说明，但不能以此限定本专利的保护范围，熟悉此技术领域的人士可在了解本专利的精神与原则后对其进行变更或修改而达到等效目的，而此等效变更和修改，皆应涵盖于权利要求范围所界定范畴内。
Claims (3)
1.一种集成封装的大功率LED装置，包括支架和LED芯片，其特征在于：所
述支架包括陶瓷座和铜基板，所述LED芯片通过贵金属导热粘结材料粘结在铜基板上，LED芯片以相邻两行相交错的矩阵方式排列，相邻LED芯片触点之间以及LED芯片触点与连接正负极的铜基板之间通过有弧度的金线相焊接。
2.根据权利要求1所述的集成封装的大功率LED装置，其特征在于：所述铜基板表面为镜面结构。
3.根据权利要求1所述的集成封装的大功率LED装置，其特征在于：所述LED芯片上涂有荧光粉和封胶的混合层，荧光粉和封胶的混合层上涂有封胶层。
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| CN104659186A (zh) * | 2015-02-12 | 2015-05-27 | 矽照光电（厦门）有限公司 | 一种led集成模块 |
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2011
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