CN201828747U

CN201828747U - 液晶显示基板

Info

Publication number: CN201828747U
Application number: CN2010205679961U
Authority: CN
Inventors: 孙冰; 戴天明; 黄应龙
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2010-10-13
Filing date: 2010-10-13
Publication date: 2011-05-11
Anticipated expiration: 2020-10-13

Abstract

本实用新型公开了一种液晶显示基板，包括衬底基板，衬底基板上形成有至少一个像素区域，每个像素区域中至少形成有信号线以及与信号线相连的检测线，其中，检测线包括：用于传输检测信号的基础检测部和用于释放静电信号的静电疏散部，静电疏散部至少包括与基础检测部电连接的一个或多个尖端。本实用新型提供的液晶显示基板，通过设置尖端作为静电疏散部，能够液晶显示基板制备检测过程中为像素区域和基础检测部提供静电防护，尽快释放静电信号，避免对像素区域和基础检测部的损伤，从而提高了产品的合格率。

Description

液晶显示基板

技术领域

本实用新型涉及液晶显示器制备技术，尤其涉及一种液晶显示基板。

背景技术

液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。

在TFT-LCD中，其主要部件液晶面板是由阵列基板和彩膜基板对盒形成的。阵列基板和彩膜基板上各自的像素区域中形成有相应的导电信号线，例如栅线、数据线和公共电极线等，为保证产品质量，在基板制备过程中就需要对各线路进行断路和短路的检测。

现有技术是通过检测线(PDI线)来进行检测的，即在基板上制备PDI线，与各信号线相连，用于输入检测信号进行测试。PDI线一般形成于像素区域的周边，与各信号线的端部相连，以便向各信号线输入检测信号。例如，对于一个形成有栅线和数据线的阵列基板而言，可以包括两条数据检测线，分别与整个像素区域中的奇数数据线和偶数数据线相连，还包括一条栅检测线，与各栅线相连。现有技术通常是在一块大的衬底基板上同时形成几块像素区域，而后再进行切割获取每个阵列基板或彩膜基板，所以在制备过程中使用的检测线可以在最后切割基板时被切割掉。

但是，现有技术存在的问题是：在进行基板的检测过程中，当向PDI线提供检测信号时，会有衍生的静电信号(ESD信号)随着检测信号一起输入基板。例如，由于检测时阵列基板中的TFT开关导通，ESD信号可能会通过漏电极进入像素电极。ESD信号会对像素区域的像素电极及其他导电图案造成损伤，引起阵列失效。随着现有技术中各信号线的电阻越来越低，这种ESD信号引起的不良越来越多，损伤也越来越严重。因此，如何避免ESD信号引起的不良是现有技术有待解决的问题之一。

实用新型内容

本实用新型提供一种液晶显示基板，以避免液晶显示基板制备检测过程中的静电损伤。

本实用新型提供了一种液晶显示基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有至少一个像素区域，每个像素区域中至少形成有信号线以及与信号线相连的检测线，其中，所述检测线包括：用于传输检测信号的基础检测部和用于释放静电信号的静电疏散部，所述静电疏散部至少包括与所述基础检测部电连接的一个或多个尖端。

如上所述的液晶显示基板，优选的是：所述静电疏散部与基础检测部一体成型，且连接在所述基础检测部的侧边处。

如上所述的液晶显示基板，优选的是：所述静电疏散部还包括疏散线，所述疏散线与所述基础检测部电连接，所述尖端连接在所述疏散线的侧边处，从而通过所述疏散线与所述基础检测部电连接。

如上所述的液晶显示基板，优选的是：所述疏散线与所述基础检测部之间通过薄膜晶体管连通，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源电极和漏电极，且所述栅极和源电极导通。

如上所述的液晶显示基板，优选的是：所述栅极和源电极与所述基础检测部连接，所述漏电极与所述疏散线连接。

如上所述的液晶显示基板，优选的是：所述栅极和源电极与所述疏散线连接，所述漏电极与所述基础检测部连接，且所述疏散线还包括外部接口，所述外部接口用于与检测信号供给电路相连。

如上所述的液晶显示基板，优选的是：所述疏散线与所述基础检测部之间通过多点进行电连接。

如上所述的液晶显示基板，优选的是：所述像素区域的数量为多个，相邻像素区域的检测线邻近设置，且两检测线各自的尖端相对设置。

本实用新型提供的液晶显示基板，通过设置尖端作为静电疏散部，能够液晶显示基板制备检测过程中为像素区域和基础检测部提供静电防护，尽快释放静电信号，避免对像素区域和基础检测部的损伤，从而提高了产品的合格率。

附图说明

图1为本实用新型实施例一提供的液晶显示基板的俯视结构示意图；

图2为本实用新型实施例二提供的液晶显示基板的局部俯视结构示意图；

图3为本实用新型实施例三提供的液晶显示基板的局部俯视结构示意图；

图4为本实用新型实施例四提供的液晶显示基板的局部俯视结构示意图。

附图标记：

1-衬底基板； 2-像素区域； 3-信号线；

41-基础检测部； 42-静电疏散部； 421-疏散线；

5-跨接线； 6-接口过孔； 7-栅极；

8-有源层； 9-源电极； 10-漏电极；

11-接触过孔； 12-外部接口。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例一

图1为本实用新型实施例一提供的液晶显示基板的俯视结构示意图，该液晶显示基板包括衬底基板1，衬底基板1上形成有至少一个像素区域2，图1中以六块像素区域2为例进行说明，实际产品并不限于此，单独的一个像素区域2也可以采用本实施例的技术方案。

每个像素区域2中至少形成有信号线3(图1中仅以部分信号线为例进行说明)以及与信号线3相连的检测线。该像素区域2可以对应的是阵列基板，也可以是彩膜基板，信号线3可以是栅线、数据线或公共电极线等，只要是形成有待检测的信号线3的像素区域2即可。

每条检测线包括基础检测部41和静电疏散部42。基础检测部41用于传输检测信号，相当于是常规的PDI线。静电疏散部42用于释放静电信号，是额外增加的部分。静电疏散部42至少包括与基础检测部41电连接的一个或多个尖端。本实施例中，静电疏散部42与基础检测部41一体成型，且连接在基础检测部41的侧边处，具体可以是一排尖角结构。

本实施例的技术方案，利用尖端放电的原理，在检测线中增设了作为静电疏散部的尖端，在通入检测信号进行检测的过程中，ESD信号可以经由尖端进行释放，减少甚至避免对像素区域中各导电图案以及检测线本身的损伤。

在本实施例中，优选的是相邻像素区域2的检测线邻近设置，且两检测线各自的尖端相对设置。这样，整个液晶显示基板上可以形成N组成对的检测线(N为自然数)，相邻的两条检测线的尖端结构对应设置。

实施例二

图2为本实用新型实施例二提供的液晶显示基板的局部俯视结构示意图，本实施例以实施例一为基础，具体示出了两条相邻检测线的结构。本实施例中，静电疏散部42不仅包括尖端还包括疏散线421，该疏散线421的图案为独立于线形基础检测部41的结构，例如平行于基础检测部41的线形结构。疏散线421与基础检测部41电连接，电连接可以为一处，且优选为疏散线421和基础检测部41之间通过多点进行电连接。尖端连接在疏散线421的侧边处，从而通过疏散线421与基础检测部41电连接，实现释放ESD信号。

疏散线421与基础检测部41的电连接可以通过跨接线5相连，通常，在检测线基础检测部41的端部形成有接口过孔6，接口过孔6中填充有导电材料，该跨接线5可利用此工艺的导电材料制备。

本实施例的技术方案通过设置独立于基础检测部的疏散线，能够更好的释放静电信号。

实施例三

图3为本实用新型实施例三提供的液晶显示基板的局部俯视结构示意图，本实施例以实施例二为基础，且改进了疏散线421与基础检测部41之间的连接关系。本实施例中，疏散线421与基础检测部41之间通过薄膜晶体管(TFT)连通，TFT通常包括栅极7、有源层8、源电极9和漏电极10，是TFT-LCD阵列基板中的常用结构，有源层8位于栅极7的上方，源电极9和漏电极10形成在有源层8上方，在栅极7输入开启电压时源电极9和漏电极10能够导通，在栅极7输入断开电压时源电极9和漏电极10断开。本实施例采用TFT连接疏散线421和基础检测部41，且该TFT中的栅极7和源电极9导通，即能够用同一个信号实现既驱动TFT导通又将该信号从源电极9传导而出，该信号通常就是ESD信号。

本实施例以TFT连接代替直接的电连接，这种TFT的半导体连接方式更适应于ESD信号的导通性能，便于ESD信号的快速疏散。

本实施例中是栅极7和源电极9与基础检测部41连接，漏电极10与疏散线421连接。具体的，源电极9和栅极7可以通过接触过孔11导通，漏电极10也可以通过接触过孔11与其下方的疏散线421连通，在接触过孔11和基础检测部41的接口过孔6中通常都填充有制备像素电极的透明导电材料，以实现可靠导通。上述方案即采用基础检测部41作为栅极7，有源层8和源电极9形成在栅极7上，且源电极9与栅极7之间直接导通。采用该技术方案，当从基础检测部41的端部接头输入检测信号时，即相当于向栅极7输入了开启电压，该TFT导通，源电极9同时从基础检测部41将ESD信号经TFT的沟道传输给漏电极10，漏电极10形成在疏散线421上与疏散线421连接，将ESD信号从尖端释放而出。

实施例四

图4为本实用新型实施例四提供的液晶显示基板的局部俯视结构示意图，本实施例以实施例二为基础，与实施例三的区别在于，栅极7和源电极9与疏散线421连接，漏电极10与基础检测部41连接。具体是采用疏散线421作为栅极7，有源层8和源电极9形成在疏散线421上，且源电极9与疏散线421连接，漏电极10形成在基础检测部41上与基础检测部41连接。该疏散线421还包括外部接口12，外部接口12用于与检测信号供给电路相连。

本实施例电路结构的工作方式为，当检测信号供给电路输出检测信号时，能够分别输入至基础检测部41的端部接头和疏散线421的外部接口12中；当疏散线421有检测信号时即开启了TFT，使得基础检测部41中的ESD信号能够经漏电极10、沟道和源电极9输入至疏散线421中，再经尖端释放。

本实用新型上述各实施例的技术方案，均能够通过设置尖端来实现静电释放，避免对像素区域的损伤。另外，若像素区域产生静电，本实用新型的方案也能有效保护检测线不受损伤。并且本实用新型的方案还进一步通过TFT来导通疏散线和基础检测部，更利于ESD信号的导出。本实用新型的技术方案为制备液晶显示基板的整个工序提供了ESD保护，能避免ESD导致的阵列失效等损伤，提高了液晶显示基板的产品质量。

基础检测部和静电疏散部以及TFT都可以在制备液晶显示基板的过程中，与已有导电图案一起制成，无需增加额外的工艺。以阵列基板为例，阵列基板的常见制备工艺是：

在诸如透明玻璃基板或者石英这样的衬底基板上制备栅极和栅线，具体可以通过溅射或热蒸发的方式依次沉积厚度约为1000～5000

的Al、Ta、Cr或Mo等金属或合金，或由多层金属组成的叠层，经第一次光刻形成栅极和栅线；

在形成上述图案的衬底基板上覆盖栅极绝缘层，具体可通过等离子体增强化学汽相沉积(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称PECVD)方法沉积厚度为1000～4000

的栅绝缘层，栅绝缘层可以选用氮化物，如SiNx，或者采用氧氮化合物，如SiOxNx，或者是氮化物和氧氮化合物的复合物，对应的反应气体可以为SiH4，NH3，N2或SiH2Cl2，NH3，N2；

在栅极绝缘层上制备有源层、源电极、漏电极和数据线，具体可以是采用PECVD方法连续沉积厚度为1000～3000的半导体层和厚度500～1000

欧姆接触层作为有源层薄膜，再通过溅射或热蒸发形成厚度约为2000～3000的数据线金属薄膜。半导体层的反应气体可以为SiH4、H2或SiH2Cl2、H2，欧姆接触层对应的反应气体可为SiH4、PH3、H2或SiH2Cl2、PH3、H2。采用双色调掩膜板进行曝光显影，经过多步刻蚀之后形成有源层、源电极、漏电极和数据线的图案；

在形成上述图案的衬底基板上覆盖钝化层，在钝化层中刻蚀形成接口区域的过孔。具体可以采用PECVD方法沉积厚度为700～2000的钝化层，钝化层可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，对应的反应气体可以为SiH4、NH3、N2或SiH2Cl2、NH3、N2；

在钝化层上形成像素电极，具体可以通过溅射或热蒸发的方法沉积一层厚度约为300～600的透明导电薄膜，透明导电薄膜一般为ITO或者IZO，也可以是其它的金属及金属氧化物，通过一次光刻形成像素电极6，可利用像素电极的材料填充在接口区域过孔中以利于后续与驱动电路导通。

本实用新型实施例中的基础检测部、静电疏散部和TFT可利用上述工序来制备，实现方式有多种，例如：

与栅线连接的检测线，采用栅金属薄膜与栅线同步形成，检测线上的TFT的有源层、源电极和漏电极采用有源层薄膜和数据线金属薄膜，与像素区域的有源层、源电极和漏电极同步形成，源电极与栅极连接的过孔和外部过孔可以在刻蚀钝化层中的接口区域过孔时形成，而后采用透明导电材料连接源电极与栅极；

与栅线连接的检测线，采用栅金属薄膜与栅线同步形成，检测线上的TFT的有源层采用有源层与像素区域的有源层同步形成，检测线上的源电极和漏电极采用透明导电薄膜，与像素区域的像素电极同步形成，过孔刻蚀在钝化层中；

与栅线连接的检测线，采用数据线金属薄膜与数据线同步形成，且通过钝化层和栅极绝缘层中的过孔由透明导电薄膜的材料相连，检测线上的源电极和漏电极采用透明导电薄膜，与像素区域的像素电极同步形成，过孔刻蚀在钝化层中，有源层可以单独工艺来形成；

与数据线连接的检测线，采用栅金属薄膜与栅线同步形成，可通过栅极绝缘层中的过孔与数据线相连，检测线上的TFT与像素区域的TFT同步形成；

与数据线连接的检测线，采用栅金属薄膜与栅线同步形成，可通过栅极绝缘层中的过孔与数据线相连，检测线上TFT的有源层与像素区域TFT的有源层同步形成，检测线上TFT的源电极和漏电极采用制备像素电极的透明导电薄膜制成；

与数据线连接的检测线，采用数据线金属薄膜与数据线同步形成，检测线上TFT的源电极和漏电极采用制备像素电极的透明导电薄膜制成，有源层可以采用独立工艺形成；

上述制备过程中，检测线的基础检测部和疏散线可以在同层中同步形成，也可以分层形成，如通过栅金属薄膜制备基础检测部，通过数据线金属薄膜制备疏散线，而后通过过孔等形式相连。或者，还可以均采用透明导电薄膜制备检测线，检测线上的TFT可以用额外的工艺制备。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

Claims

1.一种液晶显示基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有至少一个像素区域，每个像素区域中至少形成有信号线以及与信号线相连的检测线，其特征在于，所述检测线包括：用于传输检测信号的基础检测部和用于释放静电信号的静电疏散部，所述静电疏散部至少包括与所述基础检测部电连接的一个或多个尖端。

2.根据权利要求1所述的液晶显示基板，其特征在于：所述静电疏散部与基础检测部一体成型，且连接在所述基础检测部的侧边处。

3.根据权利要求1所述的液晶显示基板，其特征在于：所述静电疏散部还包括疏散线，所述疏散线与所述基础检测部电连接，所述尖端连接在所述疏散线的侧边处，从而通过所述疏散线与所述基础检测部电连接。

4.根据权利要求3所述的液晶显示基板，其特征在于：所述疏散线与所述基础检测部之间通过薄膜晶体管连通，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源电极和漏电极，且所述栅极和源电极导通。

5.根据权利要求4所述的液晶显示基板，其特征在于：所述栅极和源电极与所述基础检测部连接，所述漏电极与所述疏散线连接。

6.根据权利要求4所述的液晶显示基板，其特征在于：所述栅极和源电极与所述疏散线连接，所述漏电极与所述基础检测部连接，且所述疏散线还包括外部接口，所述外部接口用于与检测信号供给电路相连。

7.根据权利要求3所述的液晶显示基板，其特征在于：所述疏散线与所述基础检测部之间通过多点进行电连接。

8.根据权利要求1所述的液晶显示基板，其特征在于：所述像素区域的数量为多个，相邻像素区域的检测线邻近设置，且两检测线各自的尖端相对设置。