CN201576105U - 一种防反射色差补正成膜滤光片 - Google Patents

一种防反射色差补正成膜滤光片 Download PDF

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石田克则
中山恭司
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Abstract

本实用新型公开一种防反射色差补正成膜滤光片,包括玻璃基片,在玻璃基片的某一侧面或两侧面设置有成膜,特征是所述成膜由第一膜层至第五膜层依次制备形成,第一膜层作为最下层,第五膜层作为最上层,第一膜层的厚度为20nm,第二膜层的厚度为16nm,第三膜层的厚度为32nm,第四膜层的厚度为110nm,第五膜层的厚度为84nm。其中第一膜层为氟化镁膜层,第二膜层为氧化钛膜层,第三膜层为二氧化硅膜层,第四膜层为氧化钛膜层,第五膜层为二氧化硅膜层。本实用新型采取上述成膜方式,经验证波长在430~650nm范围内,反射率能够达到0.8%以下,能够更为有效地抑制光亮衰减。

Description

一种防反射色差补正成膜滤光片
技术领域
本实用新型涉及数码相机等光学仪器使用的一种滤光片,特别与其中的防反射色差补正成膜滤光片有关。
背景技术
数码相机是通过C-MOS和CCD把拍照的对象从模拟对象转化为成数字式,这种情形下作为C-MOS和CCD的盖片玻璃需要使用一种滤光片,采取滤光片的目的是为了抑制光亮衰减。为了实现上述抑制光亮衰减的需要,通常在滤光片的玻璃基片上设置有反射防止膜。但现有技术中上述滤光片的反射防止膜所采取的技术方式不尽合理,还有待于进一步改进。
实用新型内容
本实用新型的任务在于提供一种防反射色差补正成膜滤光片。
其技术解决方案是:
一种防反射色差补正成膜滤光片,包括玻璃基片,在玻璃基片的某一侧面或两侧面设置有成膜,上述成膜由第一膜层至第五膜层依次制备形成,第一膜层作为最下层,第五膜层作为最上层;上述第一膜层的厚度为20nm,第二膜层的厚度为16nm,第三膜层的厚度为32nm,第四膜层的厚度为110nm,第五膜层的厚度为84nm。
上述第一膜层为氟化镁膜层,第二膜层为氧化钛膜层,第三膜层为二氧化硅膜层,第四膜层为氧化钛膜层,第五膜层为二氧化硅膜层。
上述第五膜层的外表面向内形成深度为30微米的凹陷部。
本实用新型的有益技术效果是:
本实用新型采取上述成膜方式,经验证波长在430~650nm范围内,反射率能够达到0.8%以下,能够更为有效地抑制光亮衰减。
此外,最下层采取氟化镁膜层,可以提高成膜与玻璃基片的附着性与紧密度即密着性好。第五膜层的外表面采取凹陷部的方式,更便于接近画像元件。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步说明:
图为本实用新型的一种实施方式的剖示结构原理示意图。
具体实施方式
结合附图,一种防反射色差补正成膜滤光片,在玻璃基片1的一侧面设置有成膜。上述成膜由第一膜层2、第二膜层3、第三膜层4、第四膜层5及第五膜层6依次制备形成。第一膜层2作为最下层即与玻璃基片1的邻接层,第五膜层作为最上层即最远离玻璃基片1的一层。第一膜层为氟化镁(MgF2)膜层,膜层厚度为20nm,第二膜层为氧化钛(Ti3O5)膜层,膜层厚度为16nm,第三膜层为二氧化硅(SiO2)膜层,膜层厚度为32nm,第四膜层为氧化钛(Ti3O5)膜层,膜层厚度为110nm,第五膜层为二氧化硅(SiO2)膜层,膜层厚度为84nm。
上述成膜中各膜层的制备可采取现有技术中的有关镀膜技术方式如真空蒸镀法,或磁控管溅镀法等实施。
还可通过设定镀膜时发生飞溅的条件,使上述第五膜层的外表面向内形成深度为30微米的凹陷部,即得到满足表面凹陷要求的滤光片。
除上述实施方式外,防反射色差补正成膜滤光片也可以这样实施,即在玻璃基片的两侧面均设置有上述方式中的成膜。

Claims (3)

1.一种防反射色差补正成膜滤光片,包括玻璃基片,在玻璃基片的某一侧面或两侧面设置有成膜,其特征在于:所述成膜由第一膜层至第五膜层依次制备形成,第一膜层作为最下层,第五膜层作为最上层;所述第一膜层的厚度为20nm,第二膜层的厚度为16nm,第三膜层的厚度为32nm,第四膜层的厚度为110nm,第五膜层的厚度为84nm。
2.根据权利要求1所述的防反射色差补正成膜滤光片,其特征在于:所述第一膜层为氟化镁膜层,第二膜层为氧化钛膜层,第三膜层为二氧化硅膜层,第四膜层为氧化钛膜层,第五膜层为二氧化硅膜层。
3.根据权利要求1或2所述的防反射色差补正成膜滤光片,其特征在于:所述第五膜层的外表面向内形成深度为30微米的凹陷部。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN105338227A (zh) * 2014-08-06 2016-02-17 南昌欧菲光电技术有限公司 成像模组及移动终端
CN106707376A (zh) * 2016-12-22 2017-05-24 湖北东田光电材料科技有限公司 一种光学镜片镀膜膜层结构及其镀膜方法
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