CN201525754U - 多晶硅实验还原炉 - Google Patents
多晶硅实验还原炉 Download PDFInfo
- Publication number
- CN201525754U CN201525754U CN2009201774451U CN200920177445U CN201525754U CN 201525754 U CN201525754 U CN 201525754U CN 2009201774451 U CN2009201774451 U CN 2009201774451U CN 200920177445 U CN200920177445 U CN 200920177445U CN 201525754 U CN201525754 U CN 201525754U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cooling water
- polysilicon
- chassis
- base plate
- inlet pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
多晶硅实验还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉桶组成，底盘上安装有电极、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成，炉桶和底盘主体采用不锈钢材质，以减少设备材质对产品的污染，在还原炉底盘上布置一对电极，该多晶硅还原实验炉结构简单，主要用于实验生产多晶硅时所用。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种多晶硅实验还原炉，主要是用三氯氢硅和氢气在加热的硅芯上进行化学气相沉积生产多晶硅的实验还原炉。
背景技术
多晶硅是硅产品产业链中的一个极为重要的中间产品，是制造单晶硅、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，因而成为信息产业和新能源产业最基础的原材料。根据纯度的不同，多晶硅通常分为冶金级多晶硅(工业硅)、太阳能级多晶硅(简称“太阳能级硅”)与电子级多晶硅(简称“电子级硅”)，太阳能级硅的纯度要求是99.9999％(6个9)以上，电子级硅的纯度要求是99.999999999％(11个9)。
目前，国内外生产多晶硅的主要工艺技术是“改良西门子法”：用氯气和氢气合成氯化氢，氯化氢和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的高纯三氯氢硅与氢气按比例混合后，在一定的温度和压力下通入多晶硅还原炉内，在通电高温硅芯上进行沉积反应生成多晶硅，反应温度控制在1080摄氏度左右，最终生成棒状多晶硅产品，同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、氯化氢等副产物。
多晶硅还原炉是“改良西门子法”生产多晶硅的主要设备，由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉桶、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成，炉体主体采用不锈钢材质，以减少设备材质对产品的污染。
实用新型内容
本实用新型是一种多晶硅实验还原炉，主要通过在还原炉底盘上设置1对电极来实验生产多晶硅。
多晶硅实验还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉桶组成，底盘上安装有电极、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成，炉桶和底盘主体采用不锈钢材质，以减少设备材质对产品的污染，其特征是在还原炉底盘上布置一对电极。
该多晶硅还原实验炉结构简单，主要用于实验生产多晶硅时使用。
附图说明
图一为该多晶硅实验还原炉钟罩式双层炉桶主视图
图二为该多晶硅实验还原炉底盘主视图
图三为该多晶硅实验还原炉底盘俯视图
图四为该多晶硅实验还原炉底盘上安装好硅芯的主视图
图五为该多晶硅实验还原炉底盘上安装好钟罩式双层炉桶的主视图
具体实施方式
本实用新型涉及的多晶硅还原实验炉主视图如图五所示，由图一安装在图四上组成，1为含夹套冷却水的钟罩式双层炉桶，2为视镜孔，3为底盘，4为底盘冷却水进水管，5为底盘冷却水出水管，6为混和气进气管，7为进气管喷口，8为混和气尾气出气管，9为炉体冷却水进水管，10为炉体冷却水出水管，11为连接硅芯与电极的石墨夹头，12为电极，13为硅芯，准备生产时，在底盘3上的一对电极12上安装好连接硅芯与电极的石墨夹头11并安装好硅芯13，再把含夹套冷却水的钟罩式双层炉体1安装在底盘3上，进行气密性试验，确认不漏气后，通过电极12对硅芯13通电进行加热，控制温度至1080摄氏度左右，通过进气管喷口7喷出的三氯氢硅和氢气的混合气在高温通电硅芯13上进行化学气相沉积反应，最终生成棒状多晶硅产品。
本实用新型涉及的多晶硅还原实验炉底盘俯视图如图三所示，7为进气管喷口，8为混和气尾气出气管，12为电极，在还原炉底盘上布置一对电极。
Claims (1)
- 0.多晶硅实验还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉桶组成，底盘上安装有电极、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成，炉桶和底盘主体采用不锈钢材质，其特征是在还原炉底盘上布置一对电极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009201774451U CN201525754U (zh) | 2009-09-04 | 2009-09-04 | 多晶硅实验还原炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009201774451U CN201525754U (zh) | 2009-09-04 | 2009-09-04 | 多晶硅实验还原炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN201525754U true CN201525754U (zh) | 2010-07-14 |
Family
ID=42517047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009201774451U Expired - Fee Related CN201525754U (zh) | 2009-09-04 | 2009-09-04 | 多晶硅实验还原炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN201525754U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103454377A (zh) * | 2012-05-30 | 2013-12-18 | 青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司 | 一种电子级三氯氢硅纯度评价装置 |
| CN103954128A (zh) * | 2013-12-12 | 2014-07-30 | 清华大学 | 加热炉 |
| CN107515274A (zh) * | 2016-06-15 | 2017-12-26 | 上海韵申新能源科技有限公司 | 一种多晶硅生产系统质量评价方法及装置 |
-
2009
- 2009-09-04 CN CN2009201774451U patent/CN201525754U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103454377A (zh) * | 2012-05-30 | 2013-12-18 | 青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司 | 一种电子级三氯氢硅纯度评价装置 |
| CN103454377B (zh) * | 2012-05-30 | 2015-12-09 | 青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司 | 一种电子级三氯氢硅纯度评价方法 |
| CN103954128A (zh) * | 2013-12-12 | 2014-07-30 | 清华大学 | 加热炉 |
| CN103954128B (zh) * | 2013-12-12 | 2015-10-28 | 清华大学 | 加热炉 |
| CN107515274A (zh) * | 2016-06-15 | 2017-12-26 | 上海韵申新能源科技有限公司 | 一种多晶硅生产系统质量评价方法及装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN201473329U (zh) | 多晶硅还原炉 | |
| CN203295205U (zh) | 流化床反应器 | |
| CN201746331U (zh) | 多晶硅还原炉 | |
| CN201793375U (zh) | 一种用于生产多晶硅的还原炉 | |
| CN203006955U (zh) | 72对棒多晶硅还原炉 | |
| CN201525754U (zh) | 多晶硅实验还原炉 | |
| CN201722157U (zh) | 一种四氯化硅氢化炉 | |
| CN201125165Y (zh) | 有双重冷却系统的多晶硅还原炉 | |
| CN106283180A (zh) | 多晶硅的制造方法以及单晶硅的制造方法 | |
| CN201214631Y (zh) | 多晶硅还原炉 | |
| CN103172381B (zh) | 冷壁流化床的制备方法及其应用 | |
| CN101531367B (zh) | 一种硅烷生产工艺 | |
| CN102674358A (zh) | 多晶硅生产方法和系统 | |
| CN201326030Y (zh) | 一种多晶硅还原炉 | |
| CN102515167B (zh) | 一种装有保温内桶的周期交替操作的多晶硅还原炉及操作方法 | |
| CN201834768U (zh) | 多晶硅生产装置 | |
| CN102060298B (zh) | 一种多晶硅生产装置及多晶硅生产方法 | |
| CN103172067B (zh) | 冷壁流化床及其应用 | |
| CN101830467B (zh) | 一种多晶硅分解炉 | |
| CN101700886B (zh) | 由四氯化硅制取三氯氢硅的方法 | |
| CN201162066Y (zh) | 节能型多晶硅还原炉 | |
| CN102674360B (zh) | 带有多晶硅片的节能型多晶硅还原炉的保温内胆及实施方法 | |
| CN201678457U (zh) | 一种用于多晶硅分解炉的导热油硅芯夹套装置 | |
| CN201180089Y (zh) | 新型多晶硅还原炉之水冷双层玻璃视镜 | |
| CN202272744U (zh) | 硅烷分解法多晶硅制备设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100714 Termination date: 20140904 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |