CN201214631Y - 多晶硅还原炉 - Google Patents

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CN201214631Y CNU2008201055919U CN200820105591U CN201214631Y CN 201214631 Y CN201214631 Y CN 201214631Y CN U2008201055919 U CNU2008201055919 U CN U2008201055919U CN 200820105591 U CN200820105591 U CN 200820105591U CN 201214631 Y CN201214631 Y CN 201214631Y
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朱青松
王存惠
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Nanjing PV Power Technology Co. Ltd.
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Xuzhou Dongnan Polysilicon Material Development Coltd
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Abstract

多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管、及其他附属部件组成，炉体主体采用不锈钢材质，以减少设备材质对产品的污染，混和气进气管分为数个喷口均匀的设置在底盘上，其特征是在还原炉底盘上分别均匀布置24对电极，该种多晶硅还原炉单台炉每批次产量较现有的还原炉产量有大幅度的提升。

Description

多晶硅还原炉
技术领域
本发明涉及一种多晶硅还原炉，主要是用三氯氢硅和氢气在加热的硅芯上进行化学气相沉积生产多晶硅的还原炉。
背景技术
目前，国内外生产多晶硅的主要工艺技术是“改良西门子法”：用氯气和氢气合成氯化氢，氯化氢和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的高纯三氯氢硅与氢气按比例混合后通入多晶硅还原炉内，在一定的温度和压力下，在通电高温硅芯上进行沉积反应生成多晶硅，反应温度控制在1080摄氏度左右，最终生成棒状多晶硅产品，同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、氯化氢等副产物。
多晶硅还原炉是“改良西门子法”生产多晶硅的主要设备，由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成，炉体主体采用不锈钢材质，以减少设备材质对产品的污染。
发明内容
本发明的目的是提供一种多晶硅还原炉，该多晶硅还原炉单炉产量比现有的多晶硅还原炉单炉产量有大幅度提升。
本发明多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管、连接硅芯与电极的石墨夹头及其他附属部件组成，炉体主体采用不锈钢材质，以减少设备材质对产品的污染，每对电极分正、负极均匀的设置在底盘上，混和气进气管分为数个喷口均匀的设置在底盘上，其特征是在还原炉底盘上均匀布置24对电极。
该种还原炉每批次产量较现有的还原炉有大幅度的提升，每公斤多晶硅的电耗相应降低，多晶硅的综合生产成本和能耗也相应降低。
附图说明
以下附图结合说明书具体的说明本发明，但本发明不限定于这些附图中所展示出的具体形态。
图1为该多晶硅还原炉主视图。
图2为24对电极多晶硅还原炉底盘俯视图。
具体实施方式
本发明涉及的多晶硅还原炉主视图如图1所示，1为含夹套冷却水的钟罩式双层炉体，2为视镜孔，3为底盘，4为底盘冷却水进水管，5为底盘冷却水出水管，6为混和气进气管，7为进气管喷口，8为混和气尾气出气管，9为炉体冷却水进水管，10为炉体冷却水出水管，11为连接硅芯与电极的石墨夹头，12为电极，13为硅芯，14为夹套冷却水导流板，准备生产时，在底盘3上的各对电极12上安装好连接硅芯与电极的石墨夹头11并安装好硅芯13，再把含夹套冷却水的钟罩式双层炉体1吊装安装在底盘3上，进行气密性试验，确认不漏气后，通过电极12对硅芯13通电加热，控制温度至1080摄氏度，通过进气管喷口7喷出的三氯氢硅和氢气的混合气在高温通电硅芯13上进行化学气相沉积反应，最终生成棒状多晶硅产品。
本发明涉及的多晶硅还原炉底盘俯视图如图2所示，7为进气管喷口，8为混和气尾气出气管，12为电极，在还原炉底盘上分别均匀布置24对电极。

Claims (1)

  1. 多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成，炉体主体采用不锈钢材质，以减少设备材质对产品的污染，每对电极分正、负极均匀的设置在底盘上，混和气进气管分为数个喷口分布设置在底盘上，其特征是在还原炉底盘上均匀布置24对电极。
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Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Assignee: Jiangsu Zhongneng Polysilicon Technology Development Co., Ltd.

Assignor: Xuzhou Dongnan polysilicon Material Development Co.Ltd

Contract fulfillment period: 2009.5.16 to 2018.4.19

Contract record no.: 2009320000990

Denomination of utility model: Polysilicon reduction furnace

Granted publication date: 20090401

License type: Exclusive license

Record date: 20090610

LIC Patent licence contract for exploitation submitted for record

Free format text: EXCLUSIVE LICENSE; TIME LIMIT OF IMPLEMENTING CONTACT: 2009.5.16 TO 2018.4.19; CHANGE OF CONTRACT

Name of requester: JIANGSU ZHONGNENG SILICON INDUSTRY SCIENCE AND TEC

Effective date: 20090610

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: NANJING XIEXIN PHOTOVOLTAIC ELECTRIC POWER TECHNOL

Free format text: FORMER OWNER: XUZHOU DONGNAN POLYSILICON MATERIAL DEVELOPMENT CO.LTD;HUALU ENGINEERING TECHNOLOGY CO.LTD

Effective date: 20110927

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 221131 XUZHOU, JIANGSU PROVINCE TO: 211106 NANJING, JIANGSU PROVINCE

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20110927

Address after: 211106 Jiangning Province Economic and Technological Development Zone, Jiangsu City, No. Sheng Tai Road, No. 68

Patentee after: Nanjing PV Power Technology Co. Ltd.

Address before: 221131 No. 8 Yang Shan Road, Xuzhou Economic Development Zone, Xuzhou, Jiangsu

Patentee before: Xuzhou Dongnan polysilicon Material Development Co.Ltd

C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090401

Termination date: 20140420