CN201232028Y - 进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉 - Google Patents

进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉 Download PDF

Info

Publication number
CN201232028Y
CN201232028Y CNU2008201055923U CN200820105592U CN201232028Y CN 201232028 Y CN201232028 Y CN 201232028Y CN U2008201055923 U CNU2008201055923 U CN U2008201055923U CN 200820105592 U CN200820105592 U CN 200820105592U CN 201232028 Y CN201232028 Y CN 201232028Y
Authority
CN
China
Prior art keywords
chassis
inlet pipe
cooling water
nozzle
air inlet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNU2008201055923U
Other languages
English (en)
Inventor
朱青松
蒋文武
王存惠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing PV Power Technology Co. Ltd.
Original Assignee
Xuzhou Dongnan Polysilicon Material Development Coltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xuzhou Dongnan Polysilicon Material Development Coltd filed Critical Xuzhou Dongnan Polysilicon Material Development Coltd
Priority to CNU2008201055923U priority Critical patent/CN201232028Y/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN201232028Y publication Critical patent/CN201232028Y/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气进气管喷嘴、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成,炉体主体采用不锈钢材质制成,以减少设备材质对产品的污染,每对电极分正、负极均匀的设置在底盘上,混和气进气管分为数个喷嘴均匀设置在底盘上,其特征是混和气进气管喷嘴为有外丝的喷气装置,通过螺丝连接在底盘有内丝的底盘进气口上,据生产需要调节混和气进气管喷嘴的高度或者更换内口径不同的喷嘴,优化混和气气体流场分布,以有利于多晶硅棒的生长。

Description

进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉
技术领域
本发明涉及一种进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉。
背景技术
目前,国内外生产多晶硅的主要工艺技术是“改良西门子法”:用氯气和氢气合成氯化氢,氯化氢和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅,然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯,提纯后的高纯三氯氢硅与氢气按比例混合后通入多晶硅还原炉内,在一定的温度和压力下,在通电高温硅芯上进行沉积反应生成多晶硅,反应温度控制在1080摄氏度左右,最终生成棒状多晶硅产品,同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、氯化氢等副产物。
多晶硅还原炉是“改良西门子法”生产多晶硅的主要设备,由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气进气管喷嘴、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成,每对电极分正、负极均匀的设置在底盘上,还原炉体主体多采用不锈钢材质制成,以减少设备材质对产品的污染。
现有技术的多晶硅还原炉存在的缺陷是:无法根据实际生产需要对混和气进气管喷嘴进行适当的调节。
发明内容
本发明进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气进气管喷嘴、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成,炉体主体采用不锈钢材质制成,以减少设备材质对产品的污染,每对电极分正、负极均匀的设置在底盘上,混和气进气管分为数个喷嘴均匀设置在底盘上,其特征是混和气进气管喷嘴为有外丝的喷气装置,通过螺丝连接在底盘上有内丝的进气口上,根据实际生产需要调节混和气进气管喷嘴的高度或者更换口径不同的喷嘴,解决了现有还原炉喷嘴无法调节的缺陷,优化了混和气气体流场分布,以有利于三氯氢硅与氢气混合气在通电高温硅芯上进行沉积反应生成多晶硅。
附图说明
以下附图结合说明书具体的说明本发明,但本发明不限定于这些附图中所展示出的形态。
图1为进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉主视图。
图2为可调节的进气管喷嘴的局部放大图。
具体实施方式
本发明涉及的进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉结构示意图如图1所示,1为含夹套冷却水的钟罩式双层炉体,2为视镜孔,3为底盘,4为底盘冷却水进水管,5为底盘冷却水出水管,6为混和气进气管,7为可调节的进气管喷嘴,8为混和气尾气出气管,9为炉体冷却水进水管,10为炉体冷却水出水管,11为连接硅芯与电极的石墨夹头,12为电极,13为硅芯,14为夹套冷却水导流板,可调节的进气管喷嘴7喷出的三氯氢硅和氢气的混合气在高温通电硅芯13上进行化学气相沉积反应,最终生成棒状多晶硅产品。
可调节的进气管喷嘴的局部放大图如图2所示,有外丝的混和气进气管喷嘴7,通过螺丝连接在底盘3有内丝的进气口上,根据实际生产需要调节混和气进气管喷嘴7的高度或者更换口径不同的喷嘴,来优化混和气气体流场分布,以有利于三氯氢硅与氢气混合气在通电高温硅芯上进行沉积反应生成棒状多晶硅产品。

Claims (1)

  1. 进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气进气管喷嘴、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成,炉体主体采用不锈钢材质制成,每对电极分正、负极均匀的设置在底盘上,混和气进气管分为数个喷嘴均匀设置在底盘上,其特征是混和气进气管喷嘴为有外丝的喷气装置,通过螺丝连接在底盘有内丝的进气口上。
CNU2008201055923U 2008-04-20 2008-04-20 进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉 Expired - Fee Related CN201232028Y (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNU2008201055923U CN201232028Y (zh) 2008-04-20 2008-04-20 进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNU2008201055923U CN201232028Y (zh) 2008-04-20 2008-04-20 进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN201232028Y true CN201232028Y (zh) 2009-05-06

Family

ID=40618403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNU2008201055923U Expired - Fee Related CN201232028Y (zh) 2008-04-20 2008-04-20 进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN201232028Y (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102140678A (zh) * 2009-12-17 2011-08-03 维塞尔·雷万卡 生产均匀多晶硅棒的方法、装置和cvd-西门子系统
CN102154629A (zh) * 2011-05-30 2011-08-17 上海森松化工成套装备有限公司 多晶硅cvd炉混合气进出量调节装置及其调节方法
CN102345165A (zh) * 2011-08-14 2012-02-08 上海合晶硅材料有限公司 降低多晶硅片翘曲度的装置
CN101993080B (zh) * 2009-08-21 2012-12-19 张家港市华凌化工机械有限公司 多晶硅还原炉
CN104876222A (zh) * 2015-04-10 2015-09-02 上海交通大学 硅烷热解的多晶硅生产方法与装置
CN111076280A (zh) * 2019-11-25 2020-04-28 珠海格力电器股份有限公司 冷梁末端、冷梁系统

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101993080B (zh) * 2009-08-21 2012-12-19 张家港市华凌化工机械有限公司 多晶硅还原炉
CN102140678A (zh) * 2009-12-17 2011-08-03 维塞尔·雷万卡 生产均匀多晶硅棒的方法、装置和cvd-西门子系统
CN102140678B (zh) * 2009-12-17 2015-12-09 维塞尔·雷万卡 生产均匀多晶硅棒的方法、装置和cvd-西门子系统
CN102154629A (zh) * 2011-05-30 2011-08-17 上海森松化工成套装备有限公司 多晶硅cvd炉混合气进出量调节装置及其调节方法
CN102154629B (zh) * 2011-05-30 2013-03-13 上海森松化工成套装备有限公司 多晶硅cvd炉混合气进出量调节装置及其调节方法
CN102345165A (zh) * 2011-08-14 2012-02-08 上海合晶硅材料有限公司 降低多晶硅片翘曲度的装置
CN102345165B (zh) * 2011-08-14 2014-03-19 上海合晶硅材料有限公司 降低多晶硅片翘曲度的装置
CN104876222A (zh) * 2015-04-10 2015-09-02 上海交通大学 硅烷热解的多晶硅生产方法与装置
CN104876222B (zh) * 2015-04-10 2017-05-24 上海交通大学 硅烷热解的多晶硅生产方法与装置
CN111076280A (zh) * 2019-11-25 2020-04-28 珠海格力电器股份有限公司 冷梁末端、冷梁系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN201105995Y (zh) 改进型多晶硅还原炉
CN201232028Y (zh) 进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉
CN102001660A (zh) 底盘设置多出气口的多晶硅还原炉
CN201512418U (zh) 多晶硅还原炉
CN107500298B (zh) 电子级多晶硅还原炉及多晶硅的生产方法
EP3278872B1 (en) Method for preparing granular polysilicon using a fluidised-bed reactor system
CN102249241B (zh) 多晶硅还原炉
JP2867306B2 (ja) 半導体級多結晶シリコンの製造方法とその装置
CN201746331U (zh) 多晶硅还原炉
CN201473329U (zh) 多晶硅还原炉
CN102134745B (zh) 用于生产多晶硅的反应器及系统
CN201162065Y (zh) 新型多晶硅还原炉
CN201125165Y (zh) 有双重冷却系统的多晶硅还原炉
CN201722157U (zh) 一种四氯化硅氢化炉
CN201214631Y (zh) 多晶硅还原炉
CN101759183A (zh) 一种多晶硅还原炉
CN102030330A (zh) 带有出口气体收集器的多晶硅还原炉
CN109133066B (zh) 一种电子级多晶硅还原炉底盘及还原炉
CN207108505U (zh) 一种泡罩式可调节多晶硅还原炉喷嘴
CN207243476U (zh) 电子级多晶硅还原炉
CN201162066Y (zh) 节能型多晶硅还原炉
CN204607590U (zh) 多晶硅沉积炉
CN101973551A (zh) 一种多晶硅还原炉
CN201525755U (zh) 一种多晶硅氢还原炉上的视镜
CN201785198U (zh) 30对棒多晶硅还原炉

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Assignee: Jiangsu Zhongneng Polysilicon Technology Development Co., Ltd.

Assignor: Xuzhou Dongnan polysilicon Material Development Co.Ltd

Contract fulfillment period: 2009.5.16 to 2018.4.19

Contract record no.: 2009320000989

Denomination of utility model: Polycrystalline silicon reducing furnace with adjustable air inlet pipe nozzle

Granted publication date: 20090506

License type: Exclusive license

Record date: 20090610

LIC Patent licence contract for exploitation submitted for record

Free format text: EXCLUSIVE LICENSE; TIME LIMIT OF IMPLEMENTING CONTACT: 2009.5.16 TO 2018.4.19; CHANGE OF CONTRACT

Name of requester: JIANGSU ZHONGNENG SILICON INDUSTRY SCIENCE AND TEC

Effective date: 20090610

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: NANJING XIEXIN PHOTOVOLTAIC ELECTRIC POWER TECHNOL

Free format text: FORMER OWNER: XUZHOU DONGNAN POLYSILICON MATERIAL DEVELOPMENT CO.LTD;HUALU ENGINEERING TECHNOLOGY CO.LTD

Effective date: 20110927

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 221004 XUZHOU, JIANGSU PROVINCE TO: 211106 NANJING, JIANGSU PROVINCE

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20110927

Address after: 211106 Jiangning Province Economic and Technological Development Zone, Jiangsu City, No. Sheng Tai Road, No. 68

Patentee after: Nanjing PV Power Technology Co. Ltd.

Address before: 221004 No. 8 Yang Shan Road, Xuzhou Economic Development Zone, Xuzhou, Jiangsu

Patentee before: Xuzhou Dongnan polysilicon Material Development Co.Ltd

C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090506

Termination date: 20130420