CN102154629A - 多晶硅cvd炉混合气进出量调节装置及其调节方法 - Google Patents

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Abstract

本发明多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置包括多晶硅CVD炉进气量调节装置与多晶硅CVD炉出气量调节装置，所述的多晶硅CVD炉出气量调节装置包括多晶硅CVD炉中心出气口出气调节装置和非中心出气口出气量调节装置。当多晶硅CVD炉内出现类似雾化等不良现象时，可通过调节多晶硅CVD炉进气量调节阀来降低类似雾化等不良现象；多晶硅生产前期与后期，通过调节中心出气口与非中心出气口，来控制混合气的出气量，保证混合气在多晶硅CVD炉内均匀、充分的化学反应。本发明实施和操作简单，并能有效地提高多晶硅CVD炉的生产效率、提高多晶硅品质和降低多晶硅生产能耗。

Description

多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置及其调节方法
技术领域
本发明涉及一种气体进出量的调节装置，特别是一种可以调节多晶硅CVD炉混合气进出量的调节装置，属于新能源太阳能光伏产业技术领域。
背景技术
多晶硅是半导体、大规模集成电路和太阳能产业的重要原材料，在太阳能光伏产业市场的拉动及巨大利润诱导下，各地多晶硅项目纷纷上马，多晶硅产业前景广阔，发展迅猛，在中国已经成为投资的热点。
目前，生产多晶硅的工艺主要以“改良西门子法”（即SiHCl3还原法）为主流技术， 其关键设备就是多晶硅CVD炉。SiHCl3和H2按照一定比例通入到多晶硅CVD炉中，一定压力和温度的环境条件下，在导电硅芯上进行还原反应沉积多晶硅。
同时，多晶硅也是一个高能耗、高污染的产业，这对多晶硅生产企业的扩建和发展有了一定制约。如何生成高效率、高品质、低能耗的多晶硅已成为多晶硅市场的需求，所有多晶硅生产企业要求多晶硅CVD炉能高效率、低能耗地生产更多高品质的多晶硅。
发明内容
为了提高多晶硅的生产质量和生产效率，降低多晶硅生产成本，本发明提供一种多晶硅CVD炉混合气进出气量调节装置与调节方法，能有效提高多晶硅产品质量，提高多晶硅生产效率，同时降低多晶硅生产成本。
为了实现上述目的，本发明多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置，包括进气量调节装置与/或者出气量调节装置。
作为本发明的一种优选方案，所述进气量调节装置包括进气口与进气量调节阀。
作为本发明的一种优选方案，所述进气口分为若干个进气孔。
作为本发明的一种优选方案，出气量调节装置进一步包括中心口出气量调节装置和非中心出口出气量调节装置。
作为本发明的一种优选方案，所述中心口出气调节装置包括中心口出气量调节阀与中心出气口，所述非中心口出气调节装置包括非中心口出气量调节阀与非中心出气口。
作为本发明的一种优选方案，所述中心出气口与非中心出气口分为若干个出气孔。
作为本发明的一种优选方案，所述进气量调节装置与多晶硅CVD炉的混合气进气装置连接，所述出气量调节装置与多晶硅CVD炉的混合气出气装置连接。
利用本发明提供的多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置进行的调节方法，多晶硅CVD炉混合气进气时，通过进气量调节阀调整进气口上的进气孔的大小，以调整混合气进气量，进而调节多晶硅CVD炉内的温度，使得多晶硅CVD炉内温度下降，减小雾化等不良现象，以减小多晶硅生产过程产生的玉米状颗粒，提高多晶硅生产效率和多晶硅的产品质量。
作为本发明的一种优选方案，多晶硅生产前期，调节中心口出气量调节阀，打开多晶硅CVD炉的中心出气口，调节非中心口出气量调节阀，关闭非中心出气口。确保混合气体能在多晶硅CVD炉内停留足够的时间，以得到充分利用，使多晶硅还原反应沉积更加充分，让多晶硅生产效率达到最高。
作为本发明的一种优选方案，多晶硅生产后期，调节中心口出气量调节阀与非中心出气口调节阀，打开多晶硅CVD炉的中心出气口和非中心出气口，确保多晶硅CVD炉内混合气的流场更加稳定，使多晶硅产品更加均匀，保证多晶硅品质和生长速率。
本发明提供的多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置及其调节方法，操作简单，能使混合气在多晶硅CVD炉内得到充分、均匀的还原沉积反应，降低生产过程中的雾化等不良现象，可以有效提高多晶硅CVD炉生产出的多晶硅品质和生产效率，大大降低多晶硅生产成本。
附图说明
图1为本发明多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置的示意图。
附图标记：1进气量调节阀，2中心口出气量调节阀，3非中心口出气量调节阀，4进气口，5中心出气口，6非中心出气口。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明：
如图1所示，多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置包括进气量调节装置与出气量调节装置，进气量调节装置包括进气口4与进气量调节阀1，进气口4分为若干个进气孔。
出气量调节装置包括中心口出气调节装置与非中心口出气调节装置，中心口出气调节装置包括中心口出气量调节阀2与中心出气口5，非中心口出气调节装置包括非中心口出气量调节阀3与非中心出气口6，中心出气口5与非中心出气口6分为若干个出气孔。
进气量调节装置与多晶硅CVD炉的混合气进气装置连接，出气量调节装置与多晶硅CVD炉的混合气出气装置连接。
利用上述多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置的调节方法：
多晶硅CVD炉混合气进气时，当炉内出现类似于雾化等不良现象时，适当调节进气量调节阀1调整进气口4上的进气孔的大小，以调整混合气进气量来稳定炉内温度以降低雾化等不良现象，达到提高多晶硅CVD炉的生产效率、提高多晶硅品质和降低多晶硅生产成本等目的。多晶硅生产前期，调节中心口出气量调节阀2，打开多晶硅CVD炉的中心出气口5，调节非中心口出气量调节阀3，关闭非中心出气口6。保证混合气体能在多晶硅CVD炉内停留足够的时间，使得混合气在多晶硅CVD炉内经过更充分的化学反应沉积多晶硅。多晶硅生产后期，同时调节中心口出气量调节阀2与非中心出气口调节阀3，打开多晶硅CVD炉的中心出气口5和非中心出气口6，确保多晶硅CVD炉内混合气的流场更加稳定，使多晶硅产品更加均匀，保证多晶硅品质和生长速率。

Claims (10)

1.多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置，其特征在于：包括进气量调节装置、或者出气量调节装置。
2.根据权利要求1所述的多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置，其特征在于：所述进气量调节装置包括进气口与进气量调节阀。
3.根据权利要求2所述的多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置，其特征在于：所述进气口分为若干个进气孔。
4.根据权利要求1所述的多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置，其特征在于：所述出气量调节装置包括中心口出气调节装置与非中心口出气调节装置。
5.根据权利要求4所述的多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置，其特征在于：所述中心口出气调节装置包括中心口出气量调节阀与中心出气口，所述非中心口出气调节装置包括非中心口出气量调节阀与非中心出气口。
6.根据权利要求5所述的多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置，其特征在于：所述中心出气口与非中心出气口上设有若干个出气孔。
7.根据权利要求1所述的多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置，其特征在于：所述进气量调节装置与多晶硅CVD炉的混合气进气装置连接，所述出气量调节装置与多晶硅CVD炉的混合气出气装置连接。
8.利用权利要求1-7中之一所述的多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置进行的调节方法，其特征在于：多晶硅CVD炉混合气进气时，通过进气量调节阀调整进气口上的进气孔的大小，以调整混合气进气量。
9.根据权利要求书8所述的调节方法，其特征在于：多晶硅生产前期，调节中心口出气量调节阀，打开中心出气口，调节非中心口出气量调节阀，关闭非中心出气口。
10.根据权利要求书8所述的调节方法，其特征在于：多晶硅生产后期，调节中心口出气量调节阀，打开中心出气口，调节非中心口出气量调节阀，打开非中心出气口。
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