CN202226668U - 多晶硅cvd炉蜂窝底盘 - Google Patents
多晶硅cvd炉蜂窝底盘 Download PDFInfo
- Publication number
- CN202226668U CN202226668U CN2011202543841U CN201120254384U CN202226668U CN 202226668 U CN202226668 U CN 202226668U CN 2011202543841 U CN2011202543841 U CN 2011202543841U CN 201120254384 U CN201120254384 U CN 201120254384U CN 202226668 U CN202226668 U CN 202226668U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- honeycomb
- chassis
- unit
- cvd stove
- electrode bar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 52
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 45
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 12
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 13
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 241000264877 Hippospongia communis Species 0.000 description 48
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 241000209149 Zea Species 0.000 description 2
- 235000005824 Zea mays ssp. parviglumis Nutrition 0.000 description 2
- 235000002017 Zea mays subsp mays Nutrition 0.000 description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000005822 corn Nutrition 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 241000692770 Taraxia ovata Species 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种多晶硅CVD炉蜂窝底盘，底盘内设有至少一个单元蜂窝，所述单元蜂窝上设有电极棒孔和进气孔。本实用新型的多晶硅CVD炉蜂窝底盘能保证混合气在电极棒之间辐射均匀，降低多晶硅CVD炉加热功率，降低生产能耗，保证多晶硅CVD炉内流场均匀，提高生产效率和多晶硅产品质量，同时降低多晶硅生产成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种多晶硅CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)炉底盘，更具体地说是一种用于新能源太阳能光伏产业技术领域的呈蜂窝状分布的底盘。
背景技术
多晶硅是半导体、大规模集成电路和太阳能产业的重要原材料，在太阳能光伏产业市场的拉动及巨大利润诱导下，各地多晶硅项目纷纷上马，多晶硅产业前景广阔，发展迅猛，在中国已经成为投资的热点。
目前，生产多晶硅的工艺主要以“改良西门子法”(即SiHCl3还原法)为主流技术，其关键设备就是多晶硅CVD炉。SiHCl3和H2按照一定比例混合的气体通入到多晶硅CVD炉中，一定压力和温度的环境条件下，在电极棒上进行还原反应沉积多晶硅。
但是，多晶硅也是一个高能耗、高污染的产业，这对多晶硅生产企业的扩建和发展有了一定制约。如何生成高效率、高品质、低能耗的多晶硅已成为市场上的需求，所有多晶硅生产企业都要求多晶硅CVD炉能高效率、低能耗地生产更多高品质的多晶硅。此外，现有“改良西门子法”中生产的多晶硅颗粒大、生产过程中的倒棒等不良现象也非常严重。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种多晶硅CVD炉蜂窝底盘，该蜂窝底盘能明显降低多晶硅产品大颗粒玉米状的不良成品，并减少多晶硅CVD炉生产过程中倒棒等不良现象。
为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种多晶硅CVD炉蜂窝底盘，底盘内设有至少一个单元蜂窝，所述单元蜂窝上设有电极棒孔和进气孔。
进一步地，所述单元蜂窝在底盘内呈蜂窝状分布。
进一步地，每个单元蜂窝上的所述电极棒孔至少有一个。
进一步地，每个单元蜂窝上的所述电极棒孔和进气孔呈蜂窝状分布。
进一步地，所述电极棒孔、进气孔及底盘为圆形、椭圆形或多边形。
进一步地，位于底盘边缘部分的单元蜂窝为完整的单元蜂窝。
进一步地，每个单元蜂窝上的所述电极棒孔至少有三个，以进气孔为中心均匀分布和/或对称分布。
进一步地，每个单元蜂窝上的所述电极棒孔至少有三个，以进气孔为中心呈多边形分布。
进一步地，每个单元蜂窝上的所述进气孔与周围的电极棒孔之间的距离相等。
进一步地，位于底盘边缘部分的单元蜂窝中有不完整的单元蜂窝。
本实用新型的多晶硅CVD炉蜂窝底盘能保证混合气在电极棒之间辐射均匀，降低多晶硅CVD炉加热功率，降低生产能耗；保证多晶硅CVD炉内流场均匀，提高多晶硅产品质量、提高生产效率，同时降低多晶硅生产成本。
附图说明
图1是本实用新型的一种单元蜂窝示意图。
图2是本实用新型的另一种单元蜂窝示意图。
图3是本实用新型的第三种单元蜂窝示意图。
图4是本实用新型的一种实施方式示意图。
图5是本实用新型的另一种实施方式示意图。
图6是本实用新型的第三种实施方式示意图。
其中：1电极棒孔；2进气孔；3单元蜂窝。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好的理解本实用新型并能予以实施，但所举实施例不作为对本实用新型的限定。
图1至图3所示本实用新型的三种单元蜂窝示意图，其电极棒孔1的数量分别为3个、6个和n个；图4至图6所示为本实用新型的三种实施方式示意图，其中，图4所示实施方式中，每个单元蜂窝3上的电极棒孔1的数量为3个，底盘呈圆形，底盘边缘的单元蜂窝3既有完整的单元蜂窝，也有不完整的单元蜂窝；图5所示实施方式中，每个单元蜂窝3上的电极棒孔1的数量为6个，底盘呈圆形，底盘边缘的单元蜂窝3均为不完整的单元蜂窝；图6所示实施方式中，每个单元蜂窝3上的电极棒孔1的数量为6个，底盘呈多边形，底盘边缘的单元蜂窝3均为完整的单元蜂窝。综上，多晶硅CVD炉蜂窝底盘上设有n(n≥1)个单元蜂窝3，其中底盘边缘部分的单元蜂窝3为整个和/或部分单元蜂窝3，单元蜂窝3在底盘内呈蜂窝状分布，每个单元蜂窝3上都设有电极棒孔1和进气孔2。每个单元蜂窝3在底盘内可以自成一体，但优选采用单元蜂窝3间共用电极棒孔1的形式，这样能最大限度的保证多晶硅CVD炉的效率和产品质量。
每个单元蜂窝3上设有n(n≥1)个电极棒孔1和一个进气孔2，电极棒孔1与进气孔2在单元蜂窝3上也呈蜂窝状分布。当底盘边缘部分的单元蜂窝3都是完整的单元蜂窝时，所有单元蜂窝3的电极棒孔1以进气孔2为中心，均匀分布在进气孔2周围；当n≥3时，电极棒孔1以进气孔2为中心均匀分布和/或对称分布；但并不以此为限，电极棒孔1还可以进气孔2为中心呈n边形结构，该n边形可为正n边形或其它n边形。毫无疑问地，电极棒孔1中心到进气孔2中心的直线距离最好相等；单元蜂窝3上的电极棒孔1、进气孔2及底盘可以为圆形、椭圆形、多边形或其它本领域内一般技术人员根据其知识和经验能采用的形状。
利用本实用新型的多晶硅CVD炉蜂窝底盘结构形式，多晶硅CVD炉电极棒孔1呈n(n≥3)边形均布于进气孔2周围，电极棒孔1的中心到进气孔2的中心距离相等，保证了电极棒与混合气体之间的辐射均匀，降低电极棒加热功率，减少多晶硅CVD炉热能耗损失，提高多晶硅CVD炉生产效率，达到节能的目的。
利用本实用新型的多晶硅CVD炉蜂窝底盘结构形式，混合气体通过进气孔2上的喷嘴喷射到电极棒孔1之间的距离相等，保证了混合气体在多晶硅CVD炉内混合均匀。流场的稳定有利于提高多晶硅产品品质，降低多晶硅产品大颗粒玉米状的不良成品，减少多晶硅CVD炉生产过程中倒棒等不良现象，提高多晶硅CVD炉产品质量和生产效率。
以上所述实施例仅是为充分说明本实用新型而所举的较佳的实施例，本实用新型的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本实用新型基础上所作的等同替代或变换，均在本实用新型的保护范围之内。本实用新型的保护范围以权利要求书为准。
Claims (10)
1.一种多晶硅CVD炉蜂窝底盘，其特征在于，底盘内设有至少一个单元蜂窝，所述单元蜂窝上设有电极棒孔和进气孔。
2.根据权利要求1所述的多晶硅CVD炉蜂窝底盘，其特征在于，所述单元蜂窝在底盘内呈蜂窝状分布。
3.根据权利要求1所述的多晶硅CVD炉蜂窝底盘，其特征在于，每个单元蜂窝上的所述电极棒孔至少有一个。
4.根据权利要求3所述的多晶硅CVD炉蜂窝底盘，其特征在于，每个单元蜂窝上的所述电极棒孔和进气孔呈蜂窝状分布。
5.根据权利要求1所述的多晶硅CVD炉蜂窝底盘，其特征在于，所述电极棒孔、进气孔及底盘为圆形、椭圆形或多边形。
6.根据权利要求1所述的多晶硅CVD炉蜂窝底盘，其特征在于，位于底盘边缘部分的单元蜂窝为完整的单元蜂窝。
7.根据权利要求6所述的多晶硅CVD炉蜂窝底盘，其特征在于，每个单元蜂窝上的所述电极棒孔至少有三个，以进气孔为中心均匀分布和/或对称分布。
8.根据权利要求6所述的多晶硅CVD炉蜂窝底盘，其特征在于，每个单元蜂窝上的所述电极棒孔至少有三个，以进气孔为中心呈多边形分布。
9.根据权利要求7或8所述的多晶硅CVD炉蜂窝底盘，其特征在于，每个单元蜂窝上的所述进气孔与周围的电极棒孔之间的距离相等。
10.根据权利要求1所述的多晶硅CVD炉蜂窝底盘，其特征在于，位于底盘边缘部分的单元蜂窝中有不完整的单元蜂窝。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011202543841U CN202226668U (zh) | 2011-07-19 | 2011-07-19 | 多晶硅cvd炉蜂窝底盘 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011202543841U CN202226668U (zh) | 2011-07-19 | 2011-07-19 | 多晶硅cvd炉蜂窝底盘 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202226668U true CN202226668U (zh) | 2012-05-23 |
Family
ID=46077267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011202543841U Expired - Fee Related CN202226668U (zh) | 2011-07-19 | 2011-07-19 | 多晶硅cvd炉蜂窝底盘 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN202226668U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102311118A (zh) * | 2011-07-19 | 2012-01-11 | 上海森松新能源设备有限公司 | 多晶硅cvd炉蜂窝底盘 |
| US10458019B2 (en) | 2012-11-02 | 2019-10-29 | Industrial Technology Research Institute | Film deposition apparatus having a peripheral spiral gas curtain |
-
2011
- 2011-07-19 CN CN2011202543841U patent/CN202226668U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102311118A (zh) * | 2011-07-19 | 2012-01-11 | 上海森松新能源设备有限公司 | 多晶硅cvd炉蜂窝底盘 |
| US10458019B2 (en) | 2012-11-02 | 2019-10-29 | Industrial Technology Research Institute | Film deposition apparatus having a peripheral spiral gas curtain |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101707226B (zh) | 晶体硅太阳能电池的扩散工艺 | |
| CN101982889A (zh) | 一种太阳能电池片的制作方法 | |
| CN202226668U (zh) | 多晶硅cvd炉蜂窝底盘 | |
| CN203904000U (zh) | 一种新型进、出气结构的多晶硅还原炉 | |
| CN201966217U (zh) | 晶体硅太阳电池背电极 | |
| CN107845702A (zh) | 一种晶硅硅片的钝化层处理方法及晶硅太阳能电池 | |
| CN105551948A (zh) | 一种提高太阳电池扩散均匀性的装置及其方法 | |
| CN101414646A (zh) | 一种薄膜太阳能电池制造新工艺 | |
| CN101609862A (zh) | 一种降低绒面单晶硅片表面反射率的方法 | |
| CN102311118A (zh) | 多晶硅cvd炉蜂窝底盘 | |
| CN202540939U (zh) | 一种太阳能电池丝网印刷前硅片清理装置 | |
| CN203866406U (zh) | 一种硼扩散炉均匀扩散反应气的挡板结构 | |
| CN209242690U (zh) | 一种电子级多晶硅还原炉底盘及还原炉 | |
| CN202030864U (zh) | 用于扩散炉的碳化硅桨 | |
| CN101830467B (zh) | 一种多晶硅分解炉 | |
| CN103436967B (zh) | 一种优化太阳能电池片管式扩散炉气流分布的方法 | |
| CN204434771U (zh) | 一种多晶硅铸锭炉坩埚护板装置 | |
| CN202610321U (zh) | 一种垂直喷淋式mocvd反应器的出口系统 | |
| CN102154629B (zh) | 多晶硅cvd炉混合气进出量调节装置及其调节方法 | |
| CN202208641U (zh) | 一种42对棒的新型多晶硅还原炉 | |
| CN203550541U (zh) | 输送网带及运用该输送网带的烧结炉 | |
| CN202131103U (zh) | 多晶硅cvd炉三层底盘结构 | |
| CN101777592B (zh) | 基于重掺umg硅外延生成高低结的太阳电池及制备方法 | |
| CN201785197U (zh) | 24对棒多晶硅还原炉 | |
| CN209512499U (zh) | 一种太阳能电池烧结装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120523 Termination date: 20180719 |