CN201162066Y - 节能型多晶硅还原炉 - Google Patents

节能型多晶硅还原炉 Download PDF

Info

Publication number
CN201162066Y
CN201162066Y CNU2008200069172U CN200820006917U CN201162066Y CN 201162066 Y CN201162066 Y CN 201162066Y CN U2008200069172 U CNU2008200069172 U CN U2008200069172U CN 200820006917 U CN200820006917 U CN 200820006917U CN 201162066 Y CN201162066 Y CN 201162066Y
Authority
CN
China
Prior art keywords
chassis
cooling water
inlet pipe
furnace
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNU2008200069172U
Other languages
English (en)
Inventor
朱青松
严钧
王存惠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Zhongneng Polysilicon Technology Development Co Ltd
Original Assignee
Jiangsu Zhongneng Polysilicon Technology Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Zhongneng Polysilicon Technology Development Co Ltd filed Critical Jiangsu Zhongneng Polysilicon Technology Development Co Ltd
Priority to CNU2008200069172U priority Critical patent/CN201162066Y/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN201162066Y publication Critical patent/CN201162066Y/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/10Process efficiency

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

节能型多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成,炉体主体采用不锈钢材质,以减少设备材质对产品的污染,每对电极分正、负极均匀的设置在底盘上,混和气进气管分为数个喷口均匀设置在底盘上,其特征是在还原炉底盘上分两个圆周均匀布置13对电极,外周布置8对电极,内周布置5对电极,该种设计使还原炉内部结构紧凑合理,内外圈耗电功率接近,相比现有的十二对电极的还原炉,生产多晶硅时在耗电相当的情况下,每炉每次产量提高约10%左右。

Description

节能型多晶硅还原炉
技术领域
本发明涉及一种多晶硅还原炉,主要是用三氯氢硅和氢气在加热的硅芯上进行化学气相沉积生产多晶硅的还原炉。
背景技术
目前,国内外生产多晶硅的主要工艺技术是“改良西门子法”:用氯气和氢气合成氯化氢,氯化氢和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅,然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯,提纯后的高纯三氯氢硅与氢气按比例混合后,在一定的温度和压力下通入多晶硅还原炉内,在通电高温硅芯上进行沉积反应生成多晶硅,反应温度控制在1080摄氏度左右,最终生成棒状多晶硅产品,同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、氯化氢等副产物。
多晶硅还原炉是“改良西门子法”生产多晶硅的主要设备,由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成,炉体主体采用不锈钢材质,以减少设备材质对产品的污染。
发明内容
本发明是一种节能型多晶硅还原炉,主要通过在还原炉底盘上设置十三对电极来降低能量消耗,提高单台还原炉产品产量。
节能型多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成,炉体主体采用不锈钢材质,以减少设备材质对产品的污染,每对电极分正、负极均匀的设置在底盘上,混和气进气管分为数个喷口设置在底盘上,其特征是在还原炉底盘上分两个圆周均匀布置13对电极,外周布置8对电极,内周布置5对电极。
该种设计使还原炉内部结构紧凑合理,内外圈耗电功率接近,相比现有的十二对电极的还原炉,生产多晶硅时在耗电相当的情况下,每炉每次产量提高约10%左右。
附图说明
图1为该节能型多晶硅还原炉主视图
图2为该节能型多晶硅还原炉底盘俯视图
具体实施方式
本发明涉及的节能型多晶硅还原炉主视图如图1所示,1为含夹套冷却水的钟罩式双层炉体,2为视镜孔,3为底盘,4为底盘冷却水进水管,5为底盘冷却水出水管,6为混和气进气管,7为进气管喷口,8为混和气尾气出气管,9为炉体冷却水进水管,10为炉体冷却水出水管,11为连接硅芯与电极的石墨夹头,12为电极,13为硅芯,14为夹套冷却水导流板,进气管喷口7喷出的三氯氢硅和氢气的混合气在高温通电硅芯13上进行化学气相沉积反应,生成棒状多晶硅产品。
本发明涉及的节能型多晶硅还原炉底盘俯视图如图2所示,7为进气管喷口,8为混和气尾气出气管,12为电极,在还原炉底盘上分两个圆周均匀布置13对电极,外周布置8对电极,内周布置5对电极。

Claims (1)

1、节能型多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成,炉体主体采用不锈钢材质,以减少设备材质对产品的污染,每对电极分正、负极均匀的设置在底盘上,混和气进气管分为数个喷口设置在底盘上,其特征是在还原炉底盘上分两个圆周均匀布置13对电极,外周布置8对电极,内周布置5对电极。
CNU2008200069172U 2008-02-02 2008-02-02 节能型多晶硅还原炉 Expired - Fee Related CN201162066Y (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNU2008200069172U CN201162066Y (zh) 2008-02-02 2008-02-02 节能型多晶硅还原炉

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNU2008200069172U CN201162066Y (zh) 2008-02-02 2008-02-02 节能型多晶硅还原炉

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN201162066Y true CN201162066Y (zh) 2008-12-10

Family

ID=40183007

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNU2008200069172U Expired - Fee Related CN201162066Y (zh) 2008-02-02 2008-02-02 节能型多晶硅还原炉

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN201162066Y (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011123998A1 (zh) * 2010-04-08 2011-10-13 江苏中能硅业科技发展有限公司 用于生产多晶硅的反应器及系统
CN107758671A (zh) * 2016-08-15 2018-03-06 内蒙古盾安光伏科技有限公司 还原炉及使用该还原炉的多晶硅生产工艺

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011123998A1 (zh) * 2010-04-08 2011-10-13 江苏中能硅业科技发展有限公司 用于生产多晶硅的反应器及系统
CN107758671A (zh) * 2016-08-15 2018-03-06 内蒙古盾安光伏科技有限公司 还原炉及使用该还原炉的多晶硅生产工艺

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN201105995Y (zh) 改进型多晶硅还原炉
CN201512418U (zh) 多晶硅还原炉
CN102001660A (zh) 底盘设置多出气口的多晶硅还原炉
CN201162065Y (zh) 新型多晶硅还原炉
CN201473329U (zh) 多晶硅还原炉
CN201746331U (zh) 多晶硅还原炉
CN201232028Y (zh) 进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉
CN201125165Y (zh) 有双重冷却系统的多晶硅还原炉
CN201214631Y (zh) 多晶硅还原炉
CN103011154B (zh) 一种内热式连续生产高纯天然石墨的方法及其装置
CN201162066Y (zh) 节能型多晶硅还原炉
CN201326030Y (zh) 一种多晶硅还原炉
CN203319708U (zh) 一种多晶硅制造装置
CN101973551A (zh) 一种多晶硅还原炉
CN205687570U (zh) 一种45对棒紧凑型多晶硅还原炉
CN203333311U (zh) 一种用来制备纳米硅粉的等离子体装置
CN102515167B (zh) 一种装有保温内桶的周期交替操作的多晶硅还原炉及操作方法
CN201525754U (zh) 多晶硅实验还原炉
CN102259862B (zh) 一种42对棒的多晶硅还原炉及连接方式
CN201834768U (zh) 多晶硅生产装置
CN207243476U (zh) 电子级多晶硅还原炉
CN202246090U (zh) 均匀取热式多晶硅还原炉底盘冷却结构
CN102060298B (zh) 一种多晶硅生产装置及多晶硅生产方法
CN201180089Y (zh) 新型多晶硅还原炉之水冷双层玻璃视镜
CN102351193B (zh) 均匀取热式多晶硅还原炉底盘冷却结构

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20081210

Termination date: 20130202