CN201430164Y - 一种大功率led的封装底座 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种大功率LED的封装底座，该封装底座为一铝基板，包括自下而上设置的一铝层、一绝缘层以及一铜层；该铝基板上设有一凹陷且穿透所述铜层以及绝缘层，但不完全穿透铝层的锥体形的反光杯；所述铜层沿该反光杯的任一直径方向断开为正极和负极两部分。其优点在于通过在铝基板上直接浇铸杯座和电极，使LED芯片可以置于铝基板上，所产生的热量无需通过注塑的绝缘体，而是通过铝基板直接散发出去，并且铝基板上无需再注塑其他材料，大大降低了成本。
Description
【技术领域】
本实用新型涉及一种照明设备，尤其涉及一种大功率LED的封装底座。
【背景技术】
LED的封装目前最大问题就是要解决LED的散热和光提取问题，目前大功率LED的封装一般是通过在铝基板上注塑或将注塑好的材料再连接在铝基板上的结构，从总体上来看，这些结构在散热和光提取上都有一定的成效，但加工过程麻烦，成本过高。
【实用新型内容】
本实用新型要解决的技术问题，在于提供一种大功率LED的封装底座，通过在铝基板上直接浇铸杯座和电极，使LED芯片可以置于铝基板上，所产生的热量无需通过注塑的绝缘体，而是通过铝基板直接散发出去，并且铝基板上无需再注塑其他材料，大大降低了成本。
本实用新型是这样实现的：一种大功率LED的封装底座，该封装底座为一铝基板，铝基板包括自下而上设置的一铝层、一绝缘层以及一铜层；该铝基板上设有一凹陷且穿透所述铜层以及绝缘层，但不完全穿透铝层的锥体形的反光杯；所述铜层沿该反光杯的任一直径方向断开为正极和负极两部分。
所述铜层的表面还覆盖一镀银层。
所述反光杯在绝缘层处的侧壁径向向外设一圆形的平台。
所述铜层的正极和负极两部分均分别向该平台径向延伸一电极段，且该电极段的表面也覆盖一镀银层。
本实用新型的优点在于：通过在铝基板上直接浇铸杯座和电极，使LED芯片可以置于铝基板上，所产生的热量无需通过注塑的绝缘体，而是通过铝基板直接散发出去，可以最大限度避免LED芯片因为温度升高而导致光效下降的问题；此结构的铝基板上无需再注塑其他材料，且反光杯口所设置的平台可以使透镜在铝基板上固定得更牢固，降低了LED封装的成本。
【附图说明】
下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的说明。
图1是本实用新型大功率LED的封装底座的俯视结构示意图。
图2是图1的A-A剖视图。
【具体实施方式】
请参阅图1和图2所示，本实用新型的封装底座为一铝基板1，铝基板1包括自下而上设置的一铝层11、一绝缘层12以及一铜层13；该铝基板1上设有一凹陷且穿透所述铜层13以及绝缘层12，但不完全穿透铝层11的锥体形的反光杯15；所述铜层13沿该反光杯15的任一直径10方向腐蚀后断开为正极131和负极132两部分，在所述铜层13的表面再覆盖一镀银层14。
所述反光杯15在绝缘层12处的侧壁径向向外设一圆形的平台16。所述铜层13的正极和负极两部分均分别向该平台16径向延伸一电极段17，且该电极段17的表面也覆盖一镀银层14，用于反光。
大功率的LED芯片(图未示)可放置在所述反光杯15的杯底的铝层11上，即可通过所述铝层11散热，其散热效果显著。所述铜层13充当LED芯片的正负两个电极，其表面覆盖的镀银层14主要是起到反光的作用。所述反光杯15的侧壁可将置放后的LED芯片所产生的光能反射至杯口，而所述平台16的设置一方面便于将电极段17引入，另一方面是用于安放LED封装的透镜(图未示)，给透镜一个稳固的支撑和固定。
本实用新型通过在铝基板上直接浇铸杯座和电极，使LED芯片可以置于铝基板上，所产生的热量无需通过注塑的绝缘体，而是通过铝基板直接散发出去，可以最大限度避免LED芯片因为温度升高而导致光效下降的问题；此结构的铝基板上无需再注塑其他材料，且反光杯口所设置的平台可以使透镜在铝基板上固定得更牢固，降低了LED封装的成本。
Claims (4)
1、一种大功率LED的封装底座，其特征在于：该封装底座为一铝基板，铝基板包括自下而上设置的一铝层、一绝缘层以及一铜层；该铝基板上设有一凹陷且穿透所述铜层以及绝缘层，但不完全穿透铝层的锥体形的反光杯；所述铜层沿该反光杯的任一直径方向断开为正极和负极两部分。
2、根据权利要求1所述的一种大功率LED的封装底座，其特征在于：所述铜层的表面还覆盖一镀银层。
3、根据权利要求2所述的一种大功率LED的封装底座，其特征在于：所述反光杯在绝缘层处的侧壁径向向外设一圆形的平台。
4、根据权利要求3所述的一种大功率LED的封装底座，其特征在于：所述铜层的正极和负极两部分均分别向该平台径向延伸一电极段，且该电极段的表面也覆盖一镀银层。
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| CN2009201390589U CN201430164Y (zh) | 2009-06-25 | 2009-06-25 | 一种大功率led的封装底座 |
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| CN2009201390589U CN201430164Y (zh) | 2009-06-25 | 2009-06-25 | 一种大功率led的封装底座 |
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| CN201430164Y true CN201430164Y (zh) | 2010-03-24 |
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN201430164Y (zh) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN103107275A (zh) * | 2011-11-10 | 2013-05-15 | 江苏日月照明电器有限公司 | 一种led兼顾导热散热和绝缘耐压的装置 |
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2009
- 2009-06-25 CN CN2009201390589U patent/CN201430164Y/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN103107275A (zh) * | 2011-11-10 | 2013-05-15 | 江苏日月照明电器有限公司 | 一种led兼顾导热散热和绝缘耐压的装置 |
| CN103107275B (zh) * | 2011-11-10 | 2015-07-15 | 江苏日月照明电器有限公司 | 一种led兼顾导热散热和绝缘耐压的装置 |
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Owner name: FUJIAN WANBAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: FUJIAN ZHONGKE WANBAN OPTRONICS CO., LTD. Effective date: 20110322 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20110322 Address after: Gao Village of Huating town of Putian city in 351100 in Fujian Province, Chengxiang District Patentee after: Fujian Wanban optoelectronic Technology Co., Ltd. Address before: Gao Village of Huating town of Putian city in 351100 in Fujian Province, Chengxiang District Patentee before: Fujian Zhongkewanbang Photoelectric Shares Co., Ltd. |
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