CN201383498Y - 一种半导体二极管芯片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种半导体二极管芯片，包括二极管芯片本体，其特征在于：所述二极管芯片本体上依次设有氧化层与玻璃钝化保护层。所述二极管芯片本体上设有台阶。所述台阶与台面之间的高度为5～20um。所述二极管芯片台阶处PN结深大于台面处PN结深，其结深比为1.1－2。本实用新型提供的二极管芯片，从结构上为氧化层加玻璃层两层钝化保护，且增加一个台阶结构，台阶高度优先选择5－20um。此结构设计在实际生产中可以很好的解决低压浅结产品因钝化层玻璃包覆不好而造成的器件不稳定现象，提高器件的产品良品率和产品可靠性，并使生产工艺更稳定且易于控制。同时由于台阶处的PN结深大于台面处的PN结深，可大幅提升产品的可靠性。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体二极管芯片，具体地说是一种低压瞬态电压抑制二极管芯片。
背景技术
目前，玻璃钝化半导体二极管芯片的玻璃涂覆方式多为用刀刮法将玻璃浆均匀的涂敷到光刻后硅片PN结台面沟槽中，然后通过预烧、熔融的方法将玻璃浆熔融成玻璃，起到钝化保护PN结的作用。这种工艺可在2007年9月19日公开的发明专利CN101038892A中进行了描述，此工艺为沟槽蚀刻、玻璃浆配制、刮涂方法及后续玻璃预烧熔融。传统使用的二极管结构为单一凹槽的台面结构，这也是整流二极管领域玻璃钝化二极管芯片所普遍采用的芯片结构，此结构中的玻璃层按照其在器件中的作用可分为有效钝化玻璃，与无钝化效果多余玻璃。瞬态电压抑制二极管玻璃钝化芯片也多采用此芯片结构，在实际生产中存在低压二极管芯片产品良率较低，漏电流偏大及在电路应用中失效比例偏高等不良现象，其原因之一是由于芯片的PN结过浅，用刀刮法涂敷及熔融烧结后的玻璃，其有效部分在PN结表面附近处包裹并不理想，或有效包覆玻璃厚度太薄易于在后续金属化等处理过程中造成有效钝化玻璃层损伤，从而使器件存在缺陷而容易失效。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种提高产品良品率和可靠性的半导体二极管芯片。
本实用新型的目的通过以下技术方案来实现。
一种半导体二极管芯片，包括二极管芯片本体，其特征在于：所述二极管芯片本体上依次设有氧化层与玻璃钝化保护层。
所述二极管芯片本体上设有台阶。
所述台阶与台面之间的高度为5～20um。
所述二极管芯片台阶处PN结深大于台面处PN结深，其结深比为1.1-2。
本实用新型与现有技术相比具有以下优点。
本实用新型提供的二极管芯片，从结构上为氧化层加玻璃层两层钝化保护，且增加一个台阶结构，台阶高度优先选择5-20um。此结构设计在实际生产中可以很好的解决低压浅结产品因钝化层玻璃包覆不好而造成的器件不稳定现象，提高器件的产品良品率和产品可靠性，并使生产工艺更稳定且易于控制。同时由于台阶处的PN结深大于台面处的PN结深，可大幅提升产品的可靠性。
附图说明
图1为本实用新型半导体二极管芯片的结构示意图；
图2为本实用新型半导体二极管芯片中A处的局部放大结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型半导体二极管芯片作进一步详细描述。
如图1所示，本实用新型所述低压瞬态电压抑制二极管芯片包括二极管芯片本体1，二极管芯片本体上依次设有热氧化氧化层2与玻璃钝化保护层3，低压瞬态电压抑制二极管芯片由热氧化氧化层加玻璃层两层钝化保护。二极管芯片本体上设有台阶4，二极管芯片的PN结5位于近台阶台处的结深H1与位于台面处的结深H之比优先选择1.1～2，台阶高度优先选择5-20um。由于台阶处比台面低，因而在刀刮玻璃过程中，此处会留有一定厚度的玻璃浆，此部分玻璃浆会与二极管芯片本体上的沟槽中的玻璃浆连同在一起，玻璃熔融烧结后对PN结表面进行钝化保护，因此相比传统沟槽结构的有效的钝化玻璃层对近台面拐角处PN结表面包裹更厚且更完好，在后续的处理过程中不易受到酸溶液的腐蚀损伤而致使玻璃钝化失效。
Claims (4)
1、一种半导体二极管芯片，包括二极管芯片本体，其特征在于：所述二极管芯片本体上依次设有氧化层与玻璃钝化保护层。
2、根据权利要求1所述的半导体二极管芯片，其特征在于：所述二极管芯片本体上设有台阶。
3、根据权利要求1所述的半导体二极管芯片，其特征在于：所述台阶与台面之间的高度为5～20um。
4、根据权利要求1所述的半导体二极管芯片，其特征在于：所述二极管芯片台阶处PN结深大于台面处PN结深，其结深比为1.1-2。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200920135350U CN201383498Y (zh) | 2009-03-03 | 2009-03-03 | 一种半导体二极管芯片 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200920135350U CN201383498Y (zh) | 2009-03-03 | 2009-03-03 | 一种半导体二极管芯片 |
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ID=41526969
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN200920135350U Expired - Lifetime CN201383498Y (zh) | 2009-03-03 | 2009-03-03 | 一种半导体二极管芯片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN201383498Y (zh) |
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