CN109768120A - 一种mwt无掩膜太阳能电池的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种MWT无掩膜太阳能电池的制备方法，属于硅太阳能电池工艺技术领域，去除了常规MWT电池技术路线的掩膜工序，大大简化了MWT电池的制程，降低了MWT电池技术的设备投入和制程成本。本发明包括以下步骤：激光打孔、制绒、扩散、刻蚀、退火、背面钝化层制备、背面保护膜、正面减反膜、激光开槽、MWT背面正极制备、MWT背面负极制备、铝背场制备、正面栅线电极、烧结。
Description
技术领域
本发明属于硅太阳能电池工艺技术领域，尤其涉及一种MWT无掩膜太阳能电池的制备方法。
背景技术
金属穿孔卷绕硅太阳能电池（MWT）因其效率高，遮光面积小以及更好的外观特点受到越来越多的关注。MWT硅太阳能电池是通过激光钻孔将正面收集的能量穿过电池转移至电池背面，以减少遮光面积来达到提高转换效率的目的。专利CN201410016190.6提供了一种MWT的低成本制备方法，该方法在传统晶硅电池的制作流程上仅增加两道工序，即：在制绒工序前增加一道激光打孔工序和在扩散后或镀膜后增加一道孔洞处绝缘的工序。由于该方法工艺简单，增加设备少，成为目前业内MWT电池生产唯一量产的工艺。
局部接触背钝化（PERC）太阳能电池是最近两年新开发出来的一种高效太阳能电池技术，得到了业内的广泛关注。如专利CN201410484916.9提供了一种丝网印刷纳米氧化铝或氧化硅制备钝化层的技术；专利CN201710054179.2提供了一种低复合率的单晶PERC电池工艺方案；专利CN201710125141.X提供了一种P型PERC双面太阳能电池的工艺方案。PERC电池工艺技术的核心是在硅片的背光面用氧化铝或氧化硅薄膜覆盖，起到钝化表面提高长波响应，从而提高电池的转换效率。
由于MWT电池制程与常规电池制程除激光打孔和绝缘隔离两方面的要求外再无其他差异，使得MWT电池可以兼容黑硅、PERC、HIT、IBC等技术。其中，专利CN201410016190.6同时提供了一种MWT结合PERC技术的制备流程。专利CN201510612566.4提供了一种背钝化膜制备工艺解决MWT孔洞漏电问题。
目前的MWT电池技术结合PERC电池技术都是通过增加一道掩膜工序实现MWT电池正负极区的绝缘。此路线相对常规电池技术增了一道工序，为MWT电池技术的推广增加了限制，而且增加了生产成本。
发明内容
本发明提供了一种MWT无掩膜太阳能电池的制备方法，去除了常规MWT电池技术路线的掩膜工序，大大简化了MWT电池的制程，降低了MWT电池技术的设备投入和制程成本。
为实现以上目的，本发明采用以下技术方案：
一种MWT无掩膜太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
(1)激光打孔：将硅片按MWT图形要求，使用激光器在硅片上开孔；
(2)制绒：去除硅片表面的损伤层，降低光生载流子的复合速率；同时在硅片表面制成绒面降低反射率；
(3)扩散：在步骤(2)制绒后的硅片衬底沉积掺杂源并进行扩散制备PN结，硅片采用背靠背的方式在扩散炉里进行单面扩散，扩散方阻控制在30Ω-150Ω；
(4)刻蚀：采用湿化学方式去除扩散后硅片周边及背面的PN结；去除磷硅玻璃，并进行背面抛光；
(5)退火：采用常规常压扩散炉，600℃-750℃温度下对刻蚀后硅片进行20-50min退火处理；
(6)背面钝化层制备：采用化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）或丝网印刷方式在硅片背面或双面制备一层氧化铝层，氧化铝层厚度为2-30nm；
(7)背面保护膜：采用化学气相沉积（PECVD)制备背面氮化硅保护膜，氮化硅保护膜的折射率为1.9-2.3，厚度为80-160nm；
(8)正面减反膜：采用化学气相沉积（PECVD)制备正面氮化硅减反膜，氮化硅减反膜的折射率为1.9-2.2，厚度为60-100nm；
(9)激光开槽：采用激光将背面的氧化铝钝化层和氮化硅保护层进行开槽，以便铝背场浆料和硅基体形成欧姆接触；
(10)MWT背面正极制备：采用丝网印刷方式，常规PERC背银浆料，在硅片背面制备MWT背面电极的正极；
(11)MWT背面负极制备：采用丝网印刷方式，MWT堵孔银浆，在硅片背面制备MWT背面电极的负极，并进行堵孔，负极为圆形或多边形，直径为1-2mm；
(12)铝背场制备：采用丝网印刷方式，在硅片背面制备铝背场；
(13)正面栅线电极：采用丝网印刷方式在MWT电池片正面制备正面栅线电极；
(14)烧结：将印刷后浆料的电池片共烧形成欧姆接触。
有益效果：本发明提供了一种MWT无掩膜太阳能电池的制备方法，通过MWT堵孔浆料的开发，去除了常规MWT电池技术路线的掩膜工序，由此MWT电池与常规电池技术路线仅相差一个激光打孔的工序，大大简化了MWT电池的制程。不仅降低了MWT电池技术的设备投入和制程成本，更大大提高了MWT电池与常规电池技术路线的兼容度，为MWT电池的推广打下坚实基础。
附图说明
图1为MWT电池的激光打孔图案；
图2为MWT背面电极的负极；
图中1为激光打孔点，2为MWT电池负极点，3为标识硅片。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明：
实施例1
一种MWT无掩膜太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
(1)硅片：采用太阳能级P型单晶作为衬底；
(2)激光打孔：将硅片按如图1所示的6×6阵列图案，使用激光器在电池片上相应的激光孔洞；
(3)制绒：采用常规化学清洗和织构化方法进行清洗和织构化，去除硅片表面的损伤层，降低光生载流子的复合速率；同时在硅片表面制成绒面降低反射率；
(4)扩散：使用POCl3扩散源进行高温背靠背单面扩散，扩散方阻控制在30-150Ω；
(5)刻蚀：采用常规化学溶液进行化学后清洗，去除周边及背面PN结，去除扩散后硅衬底表面形成的磷硅玻璃，并进行背面抛光；
(6)退火：采用常规常压扩散炉，600℃温度下对刻蚀后硅片进行20min退火处理；
(7)背面钝化层制备：采用化学气相沉积（CVD）在电池片背面镀一层2nm厚度的AlOx钝化膜；
(8)背面保护膜：采用PECVD设备制备折射率为1.9，膜厚为80nm的氮化硅保护膜；
(9)正面减反膜：采用PECVD设备制备折射率为1.9，膜厚在60nm的氮化硅减反膜；
(10)激光开槽：用激光将背面的氧化铝和氮化硅保护膜开槽，以便铝背场浆料和硅基体形成欧姆接触；
(11)MWT背面正极制备：采用丝网印刷方式，常规PERC背银浆料，在硅片背面制备MWT背面电极的正极；
(12)MWT背面负极制备：采用丝网印刷方式，MWT专用堵孔浆料，在硅片背面制备如图2所示的MWT背面电极的负极，同时进行堵孔；负极为圆形，直径为1mm。
(13)铝背场印刷：采用丝网印刷方式，在硅片背面制备铝背场；
(14)正面栅线电极：采用丝网印刷方式，在MWT电池正面，印刷MWT电池正面栅线电极结构；
(15)烧结：将印刷后浆料的电池片共烧形成欧姆接触。
实施例2
一种MWT无掩膜太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
(1)硅片：采用太阳能级多晶硅片作为衬底；
(2)激光打孔：将硅片按如图1所示的6×6阵列图案，使用激光器在电池片上相应的激光孔洞；
(3)制绒：采用常规化学清洗和织构化方法进行清洗和织构化，去除硅片表面的损伤层，降低光生载流子的复合速率；同时在硅片表面制成绒面降低反射率；
(4)扩散：使用POCl3扩散源进行高温背靠背单面扩散，扩散方阻控制在30-150Ω；
(5)刻蚀：采用常规化学溶液进行化学后清洗，去除周边及背面PN结，去除扩散后硅衬底表面形成的磷硅玻璃，并进行背面抛光；
(6)退火：采用常规常压扩散炉， 750℃温度下对刻蚀后硅片进行50min退火处理；
(7)背面钝化层制备：采用原子层沉积（ALD）在电池片双面镀一层30nm厚度的AlOx钝化膜；
(8)背面保护膜：采用PECVD设备制备折射率为2.3，膜厚为160nm的氮化硅保护膜；
(9)正面减反膜：采用PECVD设备制备折射率为2.2，膜厚在100nm的氮化硅减反膜；
(10)激光开槽：用激光将背面的氧化铝和氮化硅保护膜开槽，以便铝背场浆料和硅基体形成欧姆接触；
(11)MWT背面正极制备：采用丝网印刷方式，常规PERC背银浆料，在硅片背面制备MWT背面电极的正极；
(12)MWT背面负极制备：采用丝网印刷方式，MWT专用堵孔浆料，在硅片背面制备如图2所示的MWT背面电极的负极和同时进行堵孔；负极为圆形，直径为2mm；
(13)铝背场印刷：采用丝网印刷方式，在硅片背面制备铝背场；
(14)正面栅线电极：采用丝网印刷方式，在MWT电池正面，印刷MWT电池正面栅线电极结构；
(15)烧结：将印刷后浆料的电池片共烧形成欧姆接触。
实施例3
一种MWT无掩膜太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
(1)硅片：采用太阳能级多晶硅片作为衬底；
(2)激光打孔：将硅片按如图1所示的6×6阵列图案，使用激光器在电池片上相应的激光孔洞；
(3)制绒：采用常规化学清洗和织构化方法进行清洗和织构化，去除硅片表面的损伤层，降低光生载流子的复合速率；同时在硅片表面制成绒面降低反射率；
(4)扩散：使用POCl3扩散源进行高温背靠背单面扩散，扩散方阻控制在30-150Ω；
(5)刻蚀：采用常规化学溶液进行化学后清洗，去除周边及背面PN结，去除扩散后硅衬底表面形成的磷硅玻璃，并进行背面抛光；
(6)退火：采用常规常压扩散炉， 700℃温度下对刻蚀后硅片进行30min退火处理；
(7)背面钝化层制备：采用丝网印刷在电池片背面镀一层15nm厚度的AlOx钝化膜；
(8)背面保护膜：采用PECVD设备制备折射率为2，膜厚为100nm的氮化硅保护膜；
(9)正面减反膜：采用PECVD设备制备折射率为2，膜厚在80nm的氮化硅减反膜；
(10)激光开槽：用激光将背面的氧化铝和氮化硅保护膜开槽；
(11)MWT背面正极制备：采用丝网印刷方式，常规PERC背银浆料，在硅片背面制备MWT背面电极的正极；
(12)MWT背面负极制备：采用丝网印刷方式，MWT专用堵孔浆料，在硅片背面制备如图2所示的MWT背面电极的负极和同时进行堵孔；负极为圆形，直径为1.5mm；
(13)铝背场印刷：采用丝网印刷方式，在硅片背面制备铝背场；
(14)正面栅线电极：采用丝网印刷方式，在MWT电池正面，印刷MWT电池正面栅线电极结构；
(15)烧结：将印刷后浆料的电池片共烧形成欧姆接触。
以上实施例仅是本发明优选实施方式，而非对本发明的限制，有关技术领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，所作出各种变换或变型，均属于本发明的范畴。
Claims (6)
1.一种MWT无掩膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)激光打孔：将硅片按MWT图形要求，使用激光器在硅片上开孔；
(2)制绒：去除硅片表面的损伤层，同时在硅片表面制成绒面；
(3)扩散：在步骤(2)制绒后的硅片衬底沉积掺杂源并进行扩散制备PN结；
(4)刻蚀：采用湿化学方式去除扩散后硅片周边及背面的PN结；去除磷硅玻璃，并进行背面抛光；
(5)退火：采用常规常压扩散炉，600℃-750℃温度下对刻蚀后硅片进行20-50min退火处理；
(6)背面钝化层制备：采用化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）或丝网印刷方式在硅片背面或双面制备一层氧化铝层；
(7)背面保护膜：采用化学气相沉积（PECVD)制备背面氮化硅保护膜；
(8)正面减反膜：采用化学气相沉积（PECVD)制备正面氮化硅减反膜；
(9)激光开槽：采用激光将背面的氧化铝钝化层和氮化硅保护层进行开槽，使铝背场浆料和硅基体形成欧姆接触；
(10)MWT背面正极制备：使用常规PERC背银浆料在硅片背面制备MWT背面电极的正极；
(11)MWT背面负极制备：使用MWT专用堵孔浆料在硅片背面制备MWT背面电极的负极，并进行堵孔，负极为圆形或多边形，直径为1-2mm；
(12)铝背场制备：采用丝网印刷方式，在硅片背面制备铝背场；
(13)正面栅线电极：采用丝网印刷方式在MWT电池片正面制备正面栅线电极；
(14)烧结：将印刷后浆料的电池片共烧形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的MWT无掩膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)中硅片采用背靠背的方式在扩散炉里进行单面扩散，扩散方阻为30Ω-150Ω。
3.根据权利要求1所述的MWT无掩膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(6)中氧化铝层厚度为2-30nm。
4.根据权利要求1所述的MWT无掩膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(7)中氮化硅保护膜的折射率为1.9-2.3，厚度为80-160nm。
5.根据权利要求1所述的MWT无掩膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(8)中氮化硅减反膜的折射率为1.9-2.2，厚度为60-100nm。
6.根据权利要求1所述的MWT无掩膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(10)和步骤(11)采用丝网印刷法制备正极和负极。
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