CN201207245Y - 类内存的热源装置 - Google Patents
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Abstract
一种类内存的热源装置,其包括有一基板、一设置于基板上的导电层、以及至少一模拟热源区,其中,模拟热源区具有至少一被动组件以及一仿真封装体,被动组件设置于导电层并相互电性连接,被动组件通电而产生一热能,并被模拟封装体所覆盖,构成一与实际内存热流状态极为相似的结构。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种热源装置,特别涉及一种有效仿真实际内存的热源装置。
背景技术
随着信息科技产业蓬勃发展与信息媒体应用的日益普及,各类的信息产品大量出现于生活当中,而此类信息产品的数据处理能力也大幅增加,当中内存扮演着相当重要的角色。内存依功能主要可分为两类,一类是强调高速存取的随机存取内存(Random Access Memory,RAM),另一类则为非挥发性(Non-Volatile)的只读存储器(Read Only Memory,ROM),强调永久记忆的功能。
随机存取内存在计算机里的作用为暂存数据并加快计算机运算,当使用者使用计算机的时间越久或是程序执行的越多,内存的温度即会随着上升,因此,内存的散热好坏对于计算机的运作效率影响,无疑是相当重要的一环。
目前,计算机组装厂皆以一块基板上设置传统电阻或晶体管并连接导线的方式,来仿真内存的热流状态,以为内存设计出较佳的安装位置及散热方式。然而,此种仿真用内存于结构上与实际内存不同,造成无法真实反应内存的热传与流阻状态,且碍于结构上组件的设置,经常发生无法插入内存插槽或插入后组件彼此挤在一块的情况,因此并无法真正有效仿真出内存的实际热传与流阻状态。
再者,内存规格有多种,如同步动态随机存取内存(Synchronous DynamicRandom Access Memory,SDRAM)、双倍同步动态随机存取内存(Double DataRate SDRAM,DDR SDRAM),甚至DDRII、DDRIII等,若要测试不同规格的内存,必须针对各种规格一一制造,相当不便。
发明内容
鉴于以上的问题,本实用新型的目的在于提供一种类内存的热源装置,以解决现有技术无法真实仿真出内存热传与流阻状态,且无法适用于各种内存规格插槽的问题或缺点。
本实用新型所揭露的一种类内存的热源装置,插设于一插槽并承接一电源,其包括有一基板、一导电层、至少一被动组件、一仿真封装体、一指示光源、一增纳二极管以及一限流电阻。导电层设置于基板上,被动组件、指示光源、增纳二极管以及限流电阻设置于导电层并与导电层相互电性连接,指示光源用以监测热源装置的运作情形,并以增纳二极管以及限流电阻来作为指示光源的保护电路,被动组件接收电源并产生一热能,并在被动组件上覆盖一仿真封装体,形成一模拟热源区,以仿真实际内存的热流状态。
本实用新型的功效在于建构出一适用于各种规格且外型拟真的热源装置,达到真实仿真内存热传与流阻状态的目的。
以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述,但不作为对本实用新型的限定。
附图说明
图1为本实用新型的类内存的热源装置结构分解图;以及
图2为本实用新型的类内存的热源装置立体示意图。
其中,附图标记
10 类内存的热源装置
100 基板
101 缺口
200 导电层
201 电性接点
202 电性接点
203 模拟热源区
300 被动组件
400 模拟封装体
500 指示光源
600 增纳二极管
700 限流电阻
具体实施方式
为使对本实用新型的目的、构造、特征、及其功能有进一步的了解,兹配合实施例详细说明如下。
本实用新型所揭露的一种类内存的热源装置可适用于各种不同规格的内存插槽,并以简单的组件及制造方式即可建构外型拟真且热流条件近似的仿真热源装置。
图1所示为本实用新型的一种类内存的热源装置的结构分解图。如图所示,本实用新型所揭露的类内存的热源装置10包含有一基板100、一导电层200、至少一被动组件300、一仿真封装体400、一指示光源500、一增纳二极管600以及一限流电阻700。
基板100具有至少一缺口101,缺口101匹配于各种不同规格的插槽(图中未示)。
导电层200,设置于基板100上,且导电层200具有一对电性接点201、202,以承接电源,例如由电源供应器所提供的电力。导电层200具有至少一模拟热源区203,导电层200的材质可为铜金属、铝金属或铜合金、铝合金,本领域技术人员,亦可选用不同金属材质做为导电层200,并不以此为限。
被动组件300,设置于仿真热源区203并电性连接于导电层200,被动组件300接收电源而产生一热能,被动组件300为一表面黏着设计(Surface MountDesign,SMD)的电阻组件(SMD电阻)。
仿真封装体400,覆盖于被动组件300上,仿真封装体的材质为玻璃材质,但并不以本实施例所揭露的材质为限。
指示光源500、增纳二极管600以及限流电阻700设置于导电层200,指示光源500设置于导电层200并相互电性连接,且指示光源500为一发光二极管;增纳二极管600以及限流电阻700电性连接于指示光源500,增纳二极管600用以稳定指示光源500的端电压,限流电阻700用以防止当来源电压过高时造成指示光源500烧毁。
图2所示为本实用新型的一种类内存的热源装置的立体示意图。如图所示,本实用新型所揭露的一种类内存的热源装置10在基板100上设置导电层200,被动组件300(SMD电阻)设置于导电层200并相互电性连接,以接收电源而产生一热能,并加以覆盖一玻璃材质的模拟封装体400,形成仿真芯片封装后的外型及热传性质的多个模拟热源区203,且各模拟热源区203之间具有一间距,并设置一指示光源500随时监测类内存的热源装置10的运作情形。
当然,本实用新型还可有其它多种实施例,在不背离本实用新型精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。
Claims (8)
1、一种类内存的热源装置,插设于一插槽并承接一电源,其特征在于,包括有:
一基板;
一导电层,设置于该基板上,且该导电层具有一对以承接该电源的电性接点,该导电层具有至少一模拟热源区;
至少一被动组件,设置于该仿真热源区并电性连接于该导电层,该被动组件接收该电源而产生一热能;以及
一仿真封装体,覆盖于该被动组件上。
2、根据权利要求1所述的类内存的热源装置,其特征在于,还包含有一指示光源,设置于该导电层并相互电性连接,且该指示光源为一发光二极管。
3、根据权利要求2所述的类内存的热源装置,其特征在于,还包含有一限流电阻及一增纳二极管,电性连接于该指示光源。
4、根据权利要求1所述的类内存的热源装置,其特征在于,该导电层为铜或铝材质件。
5、根据权利要求1所述的类内存的热源装置,其特征在于,该被动组件为一表面黏着设计的电阻组件。
6、根据权利要求1所述的类内存的热源装置,其特征在于,该仿真封装体为玻璃材质件。
7、根据权利要求1所述的类内存的热源装置,其特征在于,该基板具有至少一缺口,且该缺口匹配于该插槽。
8、根据权利要求1所述的类内存的热源装置,其特征在于,该导电层具有多个模拟热源区,且各该模拟热源区之间具有一间距。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
CNU2008201140131U CN201207245Y (zh) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 类内存的热源装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CNU2008201140131U CN201207245Y (zh) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 类内存的热源装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN201207245Y true CN201207245Y (zh) | 2009-03-11 |
Family
ID=40466305
Family Applications (1)
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CNU2008201140131U Expired - Fee Related CN201207245Y (zh) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 类内存的热源装置 |
Country Status (1)
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CN (1) | CN201207245Y (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102244048A (zh) * | 2010-05-14 | 2011-11-16 | 英业达股份有限公司 | 双芯片模拟装置及双芯片模拟散热系统 |
-
2008
- 2008-04-30 CN CNU2008201140131U patent/CN201207245Y/zh not_active Expired - Fee Related
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