CN1976385A - 固体摄像元件的驱动方法及摄像装置 - Google Patents

Abstract

因固体摄像元件的受光象素之间的暗电流的偏差而产生画面噪声。紧接着电子快门动作的结束时刻t2的曝光期间E中，移动势阱并进行信息电荷的蓄积。在每个各受光象素中配置了被施加传送时钟φi1～φi3的传送电极G1～G3的帧传送型CCD图像传感器中，曝光期间E的开始时，在期间α内G2下形成势阱。然后按顺序在期间2α内G1下形成势阱、在期间α内G2下形成势阱、在期间2α内G3下形成势阱。也就是说，对蓄积在各象素的信息电荷中，在各个G1～G3下混入与相同期间对应的暗电流。由此，可以实现象素内的暗电流的平均化，可以减轻象素间的暗电流的偏差。

Description

固体摄像元件的驱动方法及摄像装置

技术领域

本发明涉及通过CCD移位寄存器受光而产生信息电荷的固体摄像元件，尤其涉及因该暗电流而引起的画面噪声的减小。

背景技术

帧传送方式的CCD固体摄像元件包括：通过曝光对每个象素生成信息电荷而蓄积的摄像部；和被遮光的蓄积部，其对从摄像部高速传送到的信息电荷在被水平传送部每次读取一行之前的期间内进行保持。

摄像部和蓄积部分别由包括在垂直方向上延长而相互平行配置的多个电荷传送沟道(channel)区域、和在水平方向上延长而相互平行配置的多个传送电极而构成的多个垂直CCD寄存器构成。该CCD移位寄存器的各比特位(bit)包括相邻配置的多个传送电极，通过对这些传送电极施加的电压，在电荷传送沟道区域各形成一个蓄积信息电荷的势阱。该CCD移位寄存器的各比特位分别与摄像元件的象素相对应。

现有的驱动电路，对摄像部的CCD移位寄存器的各比特位在曝光期间内固定位置上形成势阱，在该势阱中蓄积与入射光量相应的信息电荷。也就是说，在由各比特位的相位相互偏离的多相时钟(clock)被驱动的多个传送电极之中与恒定相位的时钟对应的传送电极施加导通电压，在该传送电极下形成势阱。

图8是表示在将摄像部以三相驱动的CCD移位寄存器来构成的情况下的曝光期间内的现有的驱动方法中的势阱的示意图。在电荷传送沟道区域2上，周期性地配置有分别被施加时钟脉冲i1、i2、i3的传送电极3-1～3-3。一套连续配置的传送电极3-1～3-3与一个象素相对应。图8中表示在与一个象素对应的三个传送电极3-1～3-3之上构成微透镜阵列的各透镜4。在曝光期间内，例如，与透镜中心对应的象素中央的传送电极3-2施加导通电压，另一方面，对其他传送电极3-1、3-3施加截止(off)电压，在传送电极3-2下形成势阱5，在该势阱5中蓄积由入射光而产生的信息电荷6。

在电荷传送沟道区域中，例如，因半导体基板表面附近的界面态(interface state)等而产生暗电流。在曝光期间所形成的势阱5中，蓄积与入射光相应而所产生的信息电荷6，同时还蓄积在对应的区域中所产生的暗电流，从而可能成为S/N比的低劣的原因。暗电流的产生量，依赖于界面态等的控制困难的原因，因电荷传送沟道区域的位置不同而可能不同。对三个传送电极的每一个保留间隔而形成势阱的现有的驱动方法中，混入在各象素的信息电荷中的暗电流成分为，仅在该势阱的形成位置，即施加了导通电压的传送电极下所产生的暗电流成分。因此，容易受到位置相应的暗电流的产生量的偏差的影响。也就是说，在现有技术中，因每个该象素的暗电流成分量的偏差而引起的画面上的噪声容易增大，存在对画面上的视觉效果带来粗糙的感觉(画面粗糙感)的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种可以得到抑制了画面粗糙感的适宜的图像的固体摄像元件的驱动方法和摄像装置。

本发明涉及的固体摄像元件的驱动方法是具备CCD移位寄存器作为摄像部的固体摄像元件的驱动方法，上述CCD移位寄存器通过在电荷传送沟道区域上所排列的多个传送电极形成与多个象素的每一个对应的势阱，将通过曝光产生的信息电荷蓄积在上述势阱中，上述固体摄像元件的驱动方法中具有：在每个上述各象素的多个上述传送电极之中在曝光期间内对形成上述势阱的导通电极进行切换，而在上述各象素内与该势阱一起使上述信息电荷的蓄积位置移动的移动蓄积过程。

在上述驱动方法中，在上述曝光期间为规定的基准值以下时，执行在曝光期间中固定作为上述导通电极的上述传送电极的固定蓄积过程，在上述曝光期间超过上述基准值时，执行上述移动蓄积过程。由此，在混入在信息电荷中的暗电流成分可能增加的曝光期间长的情况下，可以得到每个象素的暗电流的偏差抑制的效果。

在上述移动蓄积过程中，将每个上述各象素的各个上述多个传送电极下的上述各曝光期间的上述信息电荷的蓄积时间设定为彼此相等。由此，可能适宜地抑制暗电流的偏差。

此外，在上述移动蓄积过程中，随着上述曝光期间的长度来增减上述信息电荷的蓄积位置的移动次数。由此，对于势阱的形成后在产生暗电流量的上升上需要时间的暗电流生成机械装置(mechanism)，可以减小混入在信息电荷中的暗电流量。从该观点出发，与任意的上述曝光时间对应的上述移动次数设定为，使上述各传送电极下的上述信息电荷的蓄积的持续时间在规定的上限值以下。进一步，上述上限值，将对上述传送电极施加的电压从截止电压切换为导通电压后，可以根据该传送电极下的暗电流的产生量到达稳定状态为止所经过的过渡时间来决定。

此外，在上述CCD移位寄存器具有嵌入沟道结构的电荷传送沟道的上述驱动方法中，通过在每个上述各象素的多个上述传送电极之中，向对上述势阱形成势垒的截止电极施加锁定电压，由此可以适宜地减小蓄积在各象素中的信息电荷中所包括的暗电流成分，其中上述锁定电压使该截止电极下的上述电荷传送沟道区域的半导体基板表面处于锁定状态。

本发明涉及的摄像装置，其中包括：固体摄像元件，其作为摄像部具备CCD移位寄存器，上述CCD移位寄存器通过在电荷传送沟道区域上所排列的多个传送电极形成与多个象素的每一个对应的势阱，将通过曝光产生的信息电荷蓄积在上述势阱中；和驱动电路，其对该固体摄像元件进行驱动，上述驱动电路进行：在每个上述各象素的多个上述传送电极之中在曝光期间内对施加导通电压的导通电极进行切换后，在上述各象素内与通过上述导通电压的施加而所形成的上述势阱一起使上述信息电荷的蓄积位置移动的移动蓄积动作。

在上述驱动电路中，在上述曝光期间为规定的基准值以下时，也可进行在曝光期间中将每一个上述各象素的多个上述传送电极中形成上述势阱的传送电极固定的固定蓄积动作，在上述曝光期间超过上述基准值时，也可进行上述移动蓄积动作。

在上述移动蓄积动作中，也可将每个上述各象素的各个上述多个传送电极下的上述各曝光期间的上述信息电荷的蓄积时间设定为彼此相等。

根据本发明，通过在曝光期间势阱在象素内移动，由此在象素内的不同的位置的暗电流成分被蓄积。从而，由于实现了在各象素的范围内对于暗电流的位置的平均化，且抑制了象素间的暗电流成分的偏差，所以减小了画面粗糙感。

附图说明

图1是本发明的实施方式涉及的摄像装置的概略结构的框图。

图2是摄像部的一部分的示意平面图。

图3是沿着摄像部的CCD移位寄存器的电荷传送方向的示意剖面图。

图4是表示图3中表示了剖面图的CCD移位寄存器的基板深度方向的电位分布的示意图。

图5是表示时钟产生电路提供给图像传感器的各种电压信号的基本变化的示意时间图。

图6是表示在曝光期间E中形成在摄像部中的势阱的示意图。

图7是说明势阱的移动位置的传送时钟i的示意时间图。

图8是表示由三相驱动的CCD移位寄存器来构成摄像部的情况下的曝光期间内的现有的驱动方法中的势阱的示意图。

图中：10-图像传感器；10i-摄像部；10s-蓄积部；10h-水平传送部；10d-输出部；12-时钟产生电路；14-定时控制电路；16-模拟信号处理电路；18-A/D转换电路；20-数字信号处理电路；30c-沟道区域；30s-元件分离区域；32-传送电极；34-受光象素；40-n型半导体基板；42-p阱；44-n阱；46-栅极氧化膜；48-微透镜阵列。

具体实施方式

以下，根据附图对于本发明的实施方式(以下称作实施方式)进行说明。

图1是表示本摄像装置的概略结构的框图。该摄像装置具备图像传感器10、时钟产生电路12、定时控制电路14、模拟信号处理电路16、A/D转换电路18和数字信号处理电路20。

图像传感器10是帧转送方式的CCD图像传感器，具备在半导体基板表面上所形成的摄像部10i、蓄积部10s、水平传送部10h和输出部10d。摄像部10i和蓄积部10s双方由在列方向彼此的沟道相互连续的垂直CCD移位寄存器构成，在摄像部10i和蓄积部10s中这些垂直CCD移位寄存器在行方向(图像上的水平方向)上排列多个。这些垂直CCD移位寄存器作为传送电极，具备在行方向上横跨在基板上、且在列方向上多个并列配置的栅极电极，通过对这些传送电极施加相位错开的时钟，由此在垂直CCD移位寄存器内垂直传送每象素的信息电荷。本图像传感器10中，摄像部10i和蓄积部10s的CCD移位寄存器是三相驱动的，对摄像部10i供给三相时钟i、对蓄积部10s供给三相时钟s，从而对摄像部10i和蓄积部10s中的信息电荷的蓄积、传送进行控制。

由摄像部10i的垂直CCD移位寄存器的各比特位构成的受光象素，根据入射光产生信号电荷并蓄积。对于该摄像部10i中的信息电荷的蓄积动作将以后详细叙述。所设定的曝光期间经过之后，通过三相时钟i、s驱动摄像部10i和蓄积部10s的每一个的垂直CCD移位寄存器，从而进行从摄像部10i向蓄积部10s的帧传送。蓄积部10s由遮光膜被覆盖，防止因光入射而产生的电荷产生，所以可以将被帧传送的来自摄像部10i的信号电荷照原样保持。水平传送部10h由CCD移位寄存器构成，其各比特位与蓄积部10s的多个垂直CCD移位寄存器的各输出连接。保持在蓄积部10s中的一个画面对应的信号电荷，通过行(line)传送动作，以一行为单位传送到水平传送部10h。传送到水平传送部10h的信号电荷，通过水平传送部10h的水平传送驱动传送到输出部10d。输出部10d，由电独立的电容和提取该电容的电位变化的放大器构成，以一比特位为单位在电容中接收从水平传送部10h输出的信号电荷而转换为电压值后，作为时间序列的图像信号Y0(t)输出。

时钟产生电路12，生成对摄像部10i的垂直移位寄存器进行驱动的时钟i、对蓄积部10s的垂直移位寄存器进行驱动的时钟s、对水平传送部10h进行驱动的时钟h、对输出部10d的复位(reset)栅极进行驱动的时钟r、生成对n型半导体基板施加的基板电压Vsub而驱动图像传感器10。此外，时钟产生电路12，基于从定时控制电路14所供给的定时信号进行生成动作。

定时控制电路14包括对恒定周期的基准时钟CK进行计数的多个计数器而构成，将基准时钟CK分频而生成定时信号，例如水平同步信号HD和垂直同步信号VD。

模拟信号处理电路16，对图像信号Y0(t)实施抽样保持(sample hold)、自动增益控制(AGC：Auto Gain Control)等处理，而按照规定格式的图像信号Y1(t)。

A/D变换电路18将从模拟信号处理电路16输出的图像信号Y1(t)转换为数字数据而输出图像数据D1(n)。

数字信号处理电路20从A/D转换电路18取入图像数据D1(n)后进行各种处理。例如，数字信号处理电路20，从图像数据D1(n)生成亮度数据或颜色数据后，对所生成的数据实施轮廓校正或γ校正等处理。此外，数字信号处理电路20包括自动曝光控制电路，以一个画面为单位对图像数据进行积分后，根据该积分值进行对曝光期间E进行伸缩控制的自动曝光控制。例如，自动曝光控制电路通过一次计数表示一个水平扫描期间(1H)的曝光控制值Io来指定曝光时间E。

图2是摄像部10i的一部分的示意平面图。受光象素与垂直移位寄存器的比特位对应而可以蓄积一个象素的信息电荷。垂直移位寄存器的沟道区域30c以沟道分离区域30s被相互分离。在各个列方向上延伸的沟道区域30c上传送电极G1～G3(传送电极32-1～32-3)在列方向上周期性地配置。在每个受光元件34上配置一组传送电极32-1～32-3。在此，传送电极32-2配置在象素的中央部。传送电极32-1～32-3构成为从时钟产生电路12分别被施加时钟i1～i3。

图3是沿着摄像部10i的CCD移位寄存器的电荷传送方向的示意剖面图，表示沿着图2的直线A-A’的垂直剖面。在n型半导体基板40上形成有扩散P型杂质而所形成的P阱42、和扩散n型杂质而所形成的比p阱42浅的n阱44。由此，CCD移位寄存器的电荷传送沟道形成为嵌入沟道，另外在基板的深度方向上形成有npn型结构。在基板表面之间介入栅极氧化膜46，在列方向上周期性地排列传送电极32-1～32-3。如上所述，对传送电极32-1～32-3分别施加三相时钟i1～i3，根据该时钟电压，来控制栅极氧化膜46下的半导体基板内的沟道电位。此外，在图3中还表示微透镜阵列48。构成微透镜阵列48的各透镜48’分别与受光象素对应而配置，将对各透镜48’入射的光向着受光象素集光。

图4是表示在图3中表示了剖面图的CCD移位寄存器的基板深度方向的电位分布(potential profile)的示意图。在图中横轴表示从基板表面的深度。此外，纵轴表示电位，下为正电位侧、上为负电位侧。曲线50(ABC)表示对传送电极32施加传送时钟的导通电压(规定正电压)时的电位分布，曲线52(A’BC)表示对传送电极32施加传送时钟的截止电压(规定负电压)时的电位分布。在施加了导通电压的传送电极下的基板表面附近的区域54中形成有势阱，在这里可以蓄积电子。另一方面，在施加了截止电压的传送电极下的基板表面附近的区域54中形成势垒而分离势阱之间。

此外，截止电压设定为对施加了该截止电压的传送电极下的基板表面的电位进行锁定(pinning)的电压。在锁定状态下的基板表面上形成有反转层，该反转层蓄积了从沟道分离区域30s所供给的空穴。这样在因空穴而被反转后的状态下，抑制与栅极氧化膜的界面上的热激发(excitation)电子的产生。例如，在反转状态下由于界面的价电子带的自由空穴的浓度大，因此在基板和栅极氧化膜之间的界面所产生的表面态(surface states)捕获空穴的比例变高，从价电子带向表面态激发的电子容易捕获空穴而再次容易返回价电子带。因此，施加了截止电压的传送电极下，电子难以向传导带激发，可以抑制经过了表面态的暗电流。

此外，在图4中，以虚线表示的曲线56(A’B’C’)表示电子快门(shutter)动作中的电位分布。电子快门动作中，对传送电极施加截止电压，将基板电压Vsub设为比通常高的正电压。通过提高Vsub，通常在B点的P阱42的电位深到B’点，可以消除因P阱42的基板深度方向的势垒。由此，可以使基板表面侧的信息电荷超越P阱42而排出到基板背面。

接着，对于本摄像装置中的图像传感器的驱动方法进行说明。图5是表示时钟产生电路12对图像传感器10所供给的各种电压信号的基本变化的示意时间图。图5中表示施加到摄像部10i的传送电极的传送时钟信号i1～i3以及基板电压信号Vsub各自的示意波形、和施加到蓄积部10s的传送电极的传送时钟s的产生定时。此外，在图5中时间沿横轴的右方向经过。另外，图6是在曝光期间E内形成在摄像部10i的势阱的示意图。

在一个画面的摄影中首先摄像部10i被曝光。曝光期间E通过电子快门动作被控制。电子快门动作中将配置在摄像部10i中的传送电极G1～G3所施加的时钟电压i1～i3在规定期间均作为截止电压(期间t1～t2)，进一步，在该期间将基板电压Vsub设为比通常高的电压。由此，摄像部10i的沟道区域中所蓄积的信息电荷暂且向基板背面排出。

另外，在电子快门动作结束的时刻t2上，i的规定相位的时钟信号，例如i2成为截止状态，在与摄像部10i的所对应的传送电极下形成势阱60(图6(a))。从该时刻开始曝光期间E。另一方面，曝光期间E结束时刻是由帧传送的开始时刻t6被规定。

本摄像装置，在曝光期间E内在象素内移动势阱位置。在各曝光期间内，势阱以彼此相同的时间形成在各象素中所配置的三个传送电极G1～G3各自的下面。具体而言，时钟产生电路12将传送时钟i2从时刻t2开始所经过的期间α内保持为导通电压。由此，在G2下形成势阱60，蓄积了与期间α相应的信息电荷(图6(a))。接着，将传送时钟i1从对i2的导通电压的结束超前规定期间β的时刻t3开始所经过的期间2α内设为导通电压。由此，蓄积在G2下的信息电荷向在G1下新形成的势阱62移动，该势阱中在G1下所产生的信息电荷经过期间2α进一步被蓄积(图6(b)(c))。紧接着，将传送时钟i2从对i1的导通电压的结束超前规定期间β的时刻t4开始所经过的期间α内作为导通电压。由此，蓄积在G1下的信息电荷向在G2下新形成的势阱64移动，该势阱中在G2下所产生的信息电荷经过期间α被蓄积(图6(d)(e))。进一步，将传送时钟i3从对i2的导通电压的结束超前规定期间β的时刻t5开始所经过的帧传送的开始时刻t6之前的期间2α内作为导通电压。由此，蓄积在G2下的信息电荷向在G3下新形成的势阱66移动，该势阱中在G3下所产生的信息电荷经过期间2α被蓄积(图6(f)(g))。蓄积在G3下的势阱66中的信息电荷，通过从时刻t6开始的帧传送，向蓄积部10s高速移动。

通过以上的动作，在曝光期间E中在各传送电极G1～G3下形成势阱的期间分别成为2α。从而，传送到蓄积部10s的各象素的信息电荷中，每个包括与在该象素的各传送电极G1～G3下所产生的暗电流彼此相等的期间对应的量，由此实现按照象素内位置的暗电流的平均化，抑制了象素之间的暗电流成分的偏差。

顺便，时钟产生电路12，在帧传送中以按照摄像部10i的列方向的象素数的周期来相互同步的高速时钟作为传送时钟i(i1～i3)和s(s1～s3)。由此，摄像部10i的全部象素的信息电荷在短时间内均向具备了遮光膜的蓄积部10s传送。传送到蓄积部10s的信息电荷通过行传送和由水平传送部10h的水平传送向输出部10d传送，通过输出部10d被转换为图像信号Y0(t)而依次被输出。时钟产生电路12，通过定时控制电路14所生成的与水平同步信号HD同步的各定时ξ，来生成1周期的传送时钟s而执行线传送。

如上所述，曝光期间E通过自动曝光控制电路基于超前的帧的图像数据的积分值被伸缩控制。定时控制电路14，按照来自自动曝光控制电路的曝光控制值Io，使决定各传送电极G1～G3中的势阱的存在时间的上述α伸缩。

此外，定时控制电路14将势阱的移动次数设定为，使在一个传送电极下所形成的势阱继续存在的时间成为规定上限值τmax以下。图7是说明势阱移动位置的传送时钟i的示意时间图。在图7中横轴为时间轴且时间经过的方向是右方向。传送时钟i1～i3的导通期间分别与存在着势阱的传送电极对应。定时控制电路14，在增加势阱的移动次数的情况下，以图7所示的周期为单位增加i1～i3的变化次数。该动作中，传送电极G1和G3下所形成的势阱的持续时间分别为2α，比传送电极G2下所形成的势阱的持续时间α长。因此，定时控制电路14例如选择G1和G3下的势阱的持续时间分别不超过上限值τmax这样的最小的周期数。进一步，定时控制电路14伸缩控制α，以使所选择的周期数的i的时钟动作期间与曝光期间E一致。例如，定时控制电路14能够以上述的基准时钟CK的计数值来定义α。另外，由于曝光期间E如上所述那样基于曝光控制值Io被控制，所以定时控制电路14可构成为根据Io决定周期数。这些周期数的决定或α的决定，既可以由定时控制电路14通过运算处理来进行，也可以在表格中预先存储Io与周期数和表示α的基准时钟CK的计数值之间的对应关系，而检索该表格来决定。

参考图7，可以容易理解周期数为k次的情况下的曝光期间E为，

E＝6kα-(4k-1)β              ……(1)

此外，对于势阱的持续时间的限制表示为，

2α≤τmax                    ……(2)

由此，k所切换的E的阈值E’(k)为

E’(k)＝3kτmax-(4k-1)β      ……(3)

对于满足下式的E周期数被决定为n次。

E’(n-1)＜E≤E’(n)           ……(4)

另外，如果周期数被决定为n次，则α由下式被决定。

α＝{E+(4n-1)β}/6n           ……(5)

这样，通过对各传送电极下的势阱的持续时间α设定上限，由此表面态保持着以截止电压施加时的反转层的空穴来被满足的状态的期间，进行信息电荷的蓄积而可能抑制暗电流。这里，随着势阱的持续时间变长，不满足表面态的空穴被捕获的概率比电子高，与此同时经由表面态电子向传导带激发的概率增加。由此，暗电流递增直到没有基于截止电压施加的效果的稳定状态为止。因此，将上限值τmax按照基于截止电压施加的效果残留的过渡期间来设定适合于抑制暗电流的这一点。

此外，在上述结构中，势阱贯穿在象素中所配置的三个传送电极G1～G3的全部而移动，但是即使构成为使势阱来回在相邻的两个传送电极、例如G1和G2、或G2和G3之间，也可以得到画面粗糙感的减小效果、和暗电流减小的效果。

另外，上述结构，与曝光期间E的长短无关地移动势阱而进行蓄积信息电荷的移动蓄积动作。但是，可以对是否进行势阱的移动采用根据曝光期间E来进行切换的结构。例如，处于高照度环境下等曝光期间E在规定的基准值以下的情况下，在曝光期间E中不移动势阱而将势阱固定于规定的传送电极下而蓄积信息电荷(固定蓄积动作)。另一方面，照度下降、曝光期间变长而超过基准值的情况下，进行上述的移动蓄积动作。例如，固定蓄积动作，在上述的三相驱动的摄像部10i中透镜48’的中央附近的传送电极G2下固定势阱。在曝光期间E短的情况下，由于在信息电荷中混入的暗电流成分较少，所以因象素之间的暗电流偏差而引起的画面粗糙感等难以成为问题。从而，在这种情况下，作为固定蓄积动作可以实现摄像动作的简化。

Claims (10)

1、一种驱动方法，是具备CCD移位寄存器作为摄像部的固体摄像元件的驱动方法，所述CCD移位寄存器通过在电荷传送沟道区域上所排列的多个传送电极形成与多个象素的每一个对应的势阱，将通过曝光产生的信息电荷蓄积在所述势阱中，

所述驱动方法具有：在每个所述各象素的多个所述传送电极之中在曝光期间内对形成所述势阱的导通电极进行切换，而在所述各象素内与该势阱一起使所述信息电荷的蓄积位置移动的移动蓄积过程。

2、根据权利要求1所述的驱动方法，其特征在于，

在所述曝光期间为规定的基准值以下时，执行在曝光期间中固定作为所述导通电极的所述传送电极的固定蓄积过程，

在所述曝光期间超过所述基准值时，执行所述移动蓄积过程。

3、根据权利要求1或2所述的驱动方法，其特征在于，

所述移动蓄积过程，将每个所述各象素的各个所述多个传送电极下的所述各曝光期间的所述信息电荷的蓄积时间设定为彼此相等。

4、根据权利要求1至3中任一项所述的驱动方法，其特征在于，

所述移动蓄积过程，随着所述曝光期间的长度来增减所述信息电荷的蓄积位置的移动次数。

5、根据权利要求4所述的驱动方法，其特征在于，

与任意的所述曝光时间对应的所述移动次数设定为，使所述各传送电极下的所述信息电荷的蓄积的持续时间在规定的上限值以下。

6、根据权利要求5所述的驱动方法，其特征在于，

所述上限值，将对所述传送电极施加的电压从截止电压切换为导通电压后，根据该传送电极下的暗电流的产生量到达稳定状态为止所经过的过渡时间来决定。

7、根据权利要求1至6中任一项所述的驱动方法，是所述CCD移位寄存器具有嵌入沟道结构的电荷传送沟道的固体摄像元件的驱动方法，其特征在于，

每个所述各象素的多个所述传送电极之中，向对所述势阱形成势垒的截止电极施加锁定电压，所述锁定电压使该截止电极下的所述电荷传送沟道区域的半导体基板表面处于锁定状态。

8、一种摄像装置，其中包括：固体摄像元件，其作为摄像部具备CCD移位寄存器，所述CCD移位寄存器通过在电荷传送沟道区域上所排列的多个传送电极形成与多个象素的每一个对应的势阱，将通过曝光产生的信息电荷蓄积在所述势阱中；和驱动电路，其对该固体摄像元件进行驱动，

所述驱动电路进行：在每个所述各象素的多个所述传送电极之中在曝光期间内对施加导通电压的导通电极进行切换后，在所述各象素内与通过所述导通电压的施加而所形成的所述势阱一起使所述信息电荷的蓄积位置移动的移动蓄积动作。

9、根据权利要求8所述的摄像装置，其特征在于，

所述驱动电路，

在所述曝光期间为规定的基准值以下时，进行在曝光期间中将作为所述导通电极的所述传送电极固定的固定蓄积动作，

在所述曝光期间超过所述基准值时，进行所述移动蓄积动作。

10、根据权利要求8或9所述的摄像装置，其特征在于，

所述移动蓄积动作，将每个所述各象素的各个所述多个传送电极下的所述各曝光期间的所述信息电荷的蓄积时间设定为彼此相等。

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