JP2599813B2 - 固体撮像素子の駆動方法 - Google Patents
固体撮像素子の駆動方法Info
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- JP2599813B2 JP2599813B2 JP2138870A JP13887090A JP2599813B2 JP 2599813 B2 JP2599813 B2 JP 2599813B2 JP 2138870 A JP2138870 A JP 2138870A JP 13887090 A JP13887090 A JP 13887090A JP 2599813 B2 JP2599813 B2 JP 2599813B2
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- Japan
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- clock
- solid
- imaging device
- state imaging
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は埋め込みチャネル型電荷結合素子（以下BC
CDと呼ぶ）を用いた固体撮像素子の駆動方法の改良に関
するものである。
CDと呼ぶ）を用いた固体撮像素子の駆動方法の改良に関
するものである。
VLSI技術の進歩に従い、CCDを用いた１次元あるいは
２次元固体撮像素子が広く開発されている。
２次元固体撮像素子が広く開発されている。
CCDは構造上、表面チャネル型と埋め込みチャネル型
に分けられるが、埋め込みチャネル型が一般に用いられ
る。このBCCDは転送キャリアがSi−SiO2界面より離れて
バルク中を転送されるため、転送効率がよいという利点
があるが、Si−SiO2界面が空乏化している領域が存在
し、このため表面チャネル型のものに比べ暗電流が大き
いという欠点を持つ。
に分けられるが、埋め込みチャネル型が一般に用いられ
る。このBCCDは転送キャリアがSi−SiO2界面より離れて
バルク中を転送されるため、転送効率がよいという利点
があるが、Si−SiO2界面が空乏化している領域が存在
し、このため表面チャネル型のものに比べ暗電流が大き
いという欠点を持つ。
第２図（ａ）にBCCDを用いた４×４画素フレームトラ
ンスファ（FT）方式がイメージセンサの平面図を示す。
図において１は垂直BCCD、２は垂直BCCD1間を分離する
分離領域、３は水平CCD、４は出力アンプを示す。上記
垂直BCCD1は２つの領域A,Bに分けられ、領域Ａは撮像領
域で、領域Ｂは遮光された蓄積領域である。
ンスファ（FT）方式がイメージセンサの平面図を示す。
図において１は垂直BCCD、２は垂直BCCD1間を分離する
分離領域、３は水平CCD、４は出力アンプを示す。上記
垂直BCCD1は２つの領域A,Bに分けられ、領域Ａは撮像領
域で、領域Ｂは遮光された蓄積領域である。
本例では、この垂直BCCD1が３相駆動である場合を示
し、撮像領域（領域Ａ）にはクロックφI1,φI2,φI3が
与えられ、蓄積領域（領域Ｂ）にはクロックφS1,φS2,
φS3が与えられる。第２図（ｂ）にこれらクロックφI1
〜φI3,φS1〜φS3のタイミングチャートを示す。な
お、水平CCD3の構成及びそのクロックタイミングは本発
明とは直接関係しないのでここではその説明は省略す
る。
し、撮像領域（領域Ａ）にはクロックφI1,φI2,φI3が
与えられ、蓄積領域（領域Ｂ）にはクロックφS1,φS2,
φS3が与えられる。第２図（ｂ）にこれらクロックφI1
〜φI3,φS1〜φS3のタイミングチャートを示す。な
お、水平CCD3の構成及びそのクロックタイミングは本発
明とは直接関係しないのでここではその説明は省略す
る。
第３図（ａ）は第２図（ａ）における、Ｙ−Ｙ′部の
断面構造を示した図であり、５は垂直BCCD1の電極群を
示し、光透過性のある物質、例えばPoly Siなど用いて
形成されている。６は例えばSiO2からなる絶縁体膜、７
は埋め込みチャネルを形成するためのｎ形シリコンから
なる半導体層で、外部から印加される電圧（図示せず）
により完全空乏化している。また８はＰ形シリコンから
なる半導体基板である。
断面構造を示した図であり、５は垂直BCCD1の電極群を
示し、光透過性のある物質、例えばPoly Siなど用いて
形成されている。６は例えばSiO2からなる絶縁体膜、７
は埋め込みチャネルを形成するためのｎ形シリコンから
なる半導体層で、外部から印加される電圧（図示せず）
により完全空乏化している。また８はＰ形シリコンから
なる半導体基板である。
また第３図（ｂ）は蓄積期間TST時におけるイメージ
センサのｙ方向のポテンシャル分布を示した図であり、
第３図（ｃ）はその電極φI1下の深さ方向（Ｚ方向）バ
ンドダイヤグラムを示した図である。
センサのｙ方向のポテンシャル分布を示した図であり、
第３図（ｃ）はその電極φI1下の深さ方向（Ｚ方向）バ
ンドダイヤグラムを示した図である。
次に動作について説明する。
蓄積期間TST中では、第２図（ｂ）に示すように撮像
領域（領域Ａ）の垂直BCCD1にはクロックφI1がＨレベ
ル、φI2がＬレベル、φI3がＬレベルで印加される。従
って第３図（ｂ）に示すように、クロックφI1が印加さ
れる電極下にはポテンシャルウェルが生じ、電荷が蓄積
可能な状態となる。この状態で撮像領域に光入射がある
と、その強度に応じて発生した電子がこのポテンシャル
ウェルに蓄えられる。
領域（領域Ａ）の垂直BCCD1にはクロックφI1がＨレベ
ル、φI2がＬレベル、φI3がＬレベルで印加される。従
って第３図（ｂ）に示すように、クロックφI1が印加さ
れる電極下にはポテンシャルウェルが生じ、電荷が蓄積
可能な状態となる。この状態で撮像領域に光入射がある
と、その強度に応じて発生した電子がこのポテンシャル
ウェルに蓄えられる。
蓄積期間TSTが終わると、フレームトランスファ期間T
FTに印加される３相クロック（詳細図示せず）により、
上記撮像領域に蓄えられた信号電荷は、蓄積領域の垂直
BCCDに転送される。
FTに印加される３相クロック（詳細図示せず）により、
上記撮像領域に蓄えられた信号電荷は、蓄積領域の垂直
BCCDに転送される。
蓄積領域のBCCDに移された電荷は、続く蓄積期間中の
水平帰線期間THBに印加されるクロックφS1,φS2,φS3
により、１行ずつ水平CCD3に移される。そしてこの水平
CCD3は次の行の電荷を受け取るまでにこの電荷を出力ア
ンプ４に転送し、外部に出力する。
水平帰線期間THBに印加されるクロックφS1,φS2,φS3
により、１行ずつ水平CCD3に移される。そしてこの水平
CCD3は次の行の電荷を受け取るまでにこの電荷を出力ア
ンプ４に転送し、外部に出力する。
従来の固体撮像素子の駆動方法は以上のようになされ
ており、第３図（ｃ）に示すように、蓄積期間TST中で
は、クロックφI1が印加されている電極下のSi−SiO2界
面準位NSTを介しての暗電流が大きいという欠点があっ
た。
ており、第３図（ｃ）に示すように、蓄積期間TST中で
は、クロックφI1が印加されている電極下のSi−SiO2界
面準位NSTを介しての暗電流が大きいという欠点があっ
た。
これはクロックφI1が長期間Ｈレベルで固定されてい
るため、界面準位NSTが、熱励起により価電子帯Evより
励起された電子でほとんど満たされた状態となってい
る。そしてこの電子は、さらに熱励起されることにより
伝導帯Ecに励起されて暗電流となる。
るため、界面準位NSTが、熱励起により価電子帯Evより
励起された電子でほとんど満たされた状態となってい
る。そしてこの電子は、さらに熱励起されることにより
伝導帯Ecに励起されて暗電流となる。
なお、クロックφI2,φI3が印加される電極下の界面
準位に関しては、Ｌレベルを充分負にすることにより、
Si−SiO2界面が反転し、正孔蓄積状態となるため、界面
準位中の電子存在確率は著しく低くなり、これらの電極
下での暗電流は無視できるほど小さくなる。
準位に関しては、Ｌレベルを充分負にすることにより、
Si−SiO2界面が反転し、正孔蓄積状態となるため、界面
準位中の電子存在確率は著しく低くなり、これらの電極
下での暗電流は無視できるほど小さくなる。
以上のようにして生じた暗電流は、バックグラウンド
ノイズとなるため、低照度下のS/Nを著しく劣化させる
原因となる。
ノイズとなるため、低照度下のS/Nを著しく劣化させる
原因となる。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、装置自体は従来と同様の構成のままで暗電
流を軽減することができ、これにより低照度でもS/Nの
よいイメージセンサを得ることができる固体撮像素子の
駆動方法を提供することを目的とする。
れたもので、装置自体は従来と同様の構成のままで暗電
流を軽減することができ、これにより低照度でもS/Nの
よいイメージセンサを得ることができる固体撮像素子の
駆動方法を提供することを目的とする。
この発明に係る固体撮像素子の駆動方法は、信号電荷
蓄積期間と信号電荷転送期間とを順次繰り返して電荷読
み出しを行う際に、長期間Ｈレベルに固定されているク
ロックをなくし、上記電荷蓄積期間中に蓄積ゲートを複
数回入れ換え、一定期間Si−SiO2界面が反転状態となる
ようにしたものである。
蓄積期間と信号電荷転送期間とを順次繰り返して電荷読
み出しを行う際に、長期間Ｈレベルに固定されているク
ロックをなくし、上記電荷蓄積期間中に蓄積ゲートを複
数回入れ換え、一定期間Si−SiO2界面が反転状態となる
ようにしたものである。
この発明においては、蓄積期間中に、蓄積ゲートを複
数回入れ換えを行い、一定期間Si−SiO2界面が反転状態
となるようにしたので、長期間Ｈレベルが印加される電
極がなくなり、一定期間、界面準位が正孔で満たされる
期間が生じ、再び熱励起により界面準位が電子で満たさ
れるまでは、暗電流が発生することがなく、暗電流を著
しく減少させることができる。
数回入れ換えを行い、一定期間Si−SiO2界面が反転状態
となるようにしたので、長期間Ｈレベルが印加される電
極がなくなり、一定期間、界面準位が正孔で満たされる
期間が生じ、再び熱励起により界面準位が電子で満たさ
れるまでは、暗電流が発生することがなく、暗電流を著
しく減少させることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例による固体撮像素子
の駆動方法による駆動クロックのタイミングチャートを
示す図である。蓄積領域BCCDに加えれるクロックφS1,
φS2,φS3に関しては従来と同じであるので省略する。
の駆動方法による駆動クロックのタイミングチャートを
示す図である。蓄積領域BCCDに加えれるクロックφS1,
φS2,φS3に関しては従来と同じであるので省略する。
次に動作について説明する。
本発明の駆動方法では、クロックφI1が一定期間毎に
Ｌレベルとなり、この期間を含む期間でクロックφI2が
Ｈレベルになるものであり、従ってこの期間ではクロッ
クφI1が印加されている電極下に著えられていた信号電
荷は、クロックφI2が印加されている電極下に移り、そ
の後再びクロックφI1が印加されている電極下にもどる
ことになる。
Ｌレベルとなり、この期間を含む期間でクロックφI2が
Ｈレベルになるものであり、従ってこの期間ではクロッ
クφI1が印加されている電極下に著えられていた信号電
荷は、クロックφI2が印加されている電極下に移り、そ
の後再びクロックφI1が印加されている電極下にもどる
ことになる。
ここで、上記一定期間毎のクロックφI1のＬレベルを
Si−SiO2界面が反転するのに充分な負電圧とした場合
の、クロックφI1がＬレベルになっている期間での電極
下の深さ方向のバンドダイヤグラムは、第１図（ｂ）に
示すように、電子で満たされていた界面準位NSTは正孔
と再結合し、界面準位NST中には電子がほとんど存在し
なくなる。
Si−SiO2界面が反転するのに充分な負電圧とした場合
の、クロックφI1がＬレベルになっている期間での電極
下の深さ方向のバンドダイヤグラムは、第１図（ｂ）に
示すように、電子で満たされていた界面準位NSTは正孔
と再結合し、界面準位NST中には電子がほとんど存在し
なくなる。
そして、再びクロックφI1をＨレベルとなっても暗電
流が発生するためには、再び界面準位NSTを電子で満た
されなければならなくなり、伝導帯Ecに電子が励起され
るまでの時間に遅延をもたらすことにより暗電流の発生
は抑制される。
流が発生するためには、再び界面準位NSTを電子で満た
されなければならなくなり、伝導帯Ecに電子が励起され
るまでの時間に遅延をもたらすことにより暗電流の発生
は抑制される。
以上のような蓄積ゲートの入れ換えは、第１図（ａ）
に示したように水平帰線期間THBで行うのが望ましい。
というのは、信号出力期間に行うとクロックの切り換え
にともなうノイズが入るからである。
に示したように水平帰線期間THBで行うのが望ましい。
というのは、信号出力期間に行うとクロックの切り換え
にともなうノイズが入るからである。
次に本実施例の一実験結果について述べる。
この実験によれば、50msecの蓄積期間のうち、50μse
c毎にクロックφI1を200nsecの期間Ｌレベルに落とせ
ば、暗電流は1/15に減少することが確認された。なお、
この実験に用いたCCDはチャネル幅6.5μｍ、ピッチ8.1
μｍで963段の３相BCCDである。Ｐ型基板濃度は１×10
15cm-3、埋め込みチャネルはリンのイオン注入で形成さ
れて、その注入量は1.8×1012cm-2で1000℃で1hrのドラ
イブを行っている。
c毎にクロックφI1を200nsecの期間Ｌレベルに落とせ
ば、暗電流は1/15に減少することが確認された。なお、
この実験に用いたCCDはチャネル幅6.5μｍ、ピッチ8.1
μｍで963段の３相BCCDである。Ｐ型基板濃度は１×10
15cm-3、埋め込みチャネルはリンのイオン注入で形成さ
れて、その注入量は1.8×1012cm-2で1000℃で1hrのドラ
イブを行っている。
なお、上記実施例では３相駆動BCCDを用いた２次元フ
レームトランスファイメージセンサについて説明した
が、本発明の固体撮像素子の駆動方法は以下に示すよう
な種々の変形例においても同様の効果を示す。
レームトランスファイメージセンサについて説明した
が、本発明の固体撮像素子の駆動方法は以下に示すよう
な種々の変形例においても同様の効果を示す。
基板をｎ形に、埋め込みチャネル層をＰ形にして正
孔をキャリアとして扱う場合。
孔をキャリアとして扱う場合。
駆動相数が３相以外、例えば４相駆動の場合。
垂直BCCDが１本からなり、水平CCDが存在しないリ
ニアイメージセンサの場合。
ニアイメージセンサの場合。
蓄積領域CCDが存在しない、いわゆるフルーフレー
ム方式のイメージセンサの場合。
ム方式のイメージセンサの場合。
蓄積ゲートの入れ換えを３つのゲート間あるいはそ
れ以上のゲート間で行う場合。
れ以上のゲート間で行う場合。
ここで第２図（ａ）に示した構成のイメージセンサを
用いて、３つのゲート間で入れ換えを行う場合の水平帰
線期間THBに印加されるクロックφI1〜φI3の例を第４
図に示す。
用いて、３つのゲート間で入れ換えを行う場合の水平帰
線期間THBに印加されるクロックφI1〜φI3の例を第４
図に示す。
図において、時刻t1においてクロックφI1が印加され
ているゲート間の信号電荷は、クロックφI2が印加され
ているゲート下に移り、時刻t2になるとクロックφI3が
印加されているゲート下に移り、時刻t3になると再びク
ロックφI2が印加されているゲート下に移り、時刻t4に
なると再びクロックφI1が印加されているゲート下にも
どる。
ているゲート間の信号電荷は、クロックφI2が印加され
ているゲート下に移り、時刻t2になるとクロックφI3が
印加されているゲート下に移り、時刻t3になると再びク
ロックφI2が印加されているゲート下に移り、時刻t4に
なると再びクロックφI1が印加されているゲート下にも
どる。
また蓄積ゲートの入れ換えサイクルを１つの水平帰
線期間THB内で完了するのではなく、複数の水平走査期
間にまたがってに入れ換えを行う場合、例えば第５図に
示すように２水平走査期間周期毎で入れ換えを行なって
もよく、要は電子が伝導帯へ励起するのに時間的な遅延
を与え、界面準位が電子で満たされることがないように
すればよい。
線期間THB内で完了するのではなく、複数の水平走査期
間にまたがってに入れ換えを行う場合、例えば第５図に
示すように２水平走査期間周期毎で入れ換えを行なって
もよく、要は電子が伝導帯へ励起するのに時間的な遅延
を与え、界面準位が電子で満たされることがないように
すればよい。
以上のように、この発明に係る固体撮像素子の駆動方
法によれば、信号電荷蓄積期間と信号電荷転送期間とを
順次繰り返して電荷読み出しを行う際に、長期間Ｈレベ
ルに固定されているクロックをなくし、上記電荷蓄積期
間中に蓄積ゲートを複数回入れ換え、一定期間Si−SiO2
界面が反転状態となるような駆動クロックを印加するよ
うにしたので、暗電流の発生を効果的に低減することが
でき、低照度でもS/Nのよいイメージセンサを得ること
ができるという効果がある。
法によれば、信号電荷蓄積期間と信号電荷転送期間とを
順次繰り返して電荷読み出しを行う際に、長期間Ｈレベ
ルに固定されているクロックをなくし、上記電荷蓄積期
間中に蓄積ゲートを複数回入れ換え、一定期間Si−SiO2
界面が反転状態となるような駆動クロックを印加するよ
うにしたので、暗電流の発生を効果的に低減することが
でき、低照度でもS/Nのよいイメージセンサを得ること
ができるという効果がある。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例による固体撮像素子
の駆動方法によるクロックタイミング図、第１図（ｂ）
はこの発明の一実施例による固体撮像素子の駆動方法に
よる暗電流低減効果を説明するためのバンドダイヤグラ
ムを示す図、第２図（ａ）は従来のBCCDを用いた４×４
画素フレームトランスファイメージセンサの平面図、第
２図（ｂ）は従来の固体撮像素子の駆動方法におけるク
ロックタイミング図、第３図（ａ）は第２図（ａ）のＹ
−Ｙ′部の断面構造を示す図、第３図（ｂ）は従来の固
体撮像素子の駆動方法のクロックタイミングにおける撮
像領域BCCD内のポテンシャル分布を示す図、第３図
（ｃ）は従来の固体撮像素子の駆動方法のクロックタイ
ミングにおいて暗電流が発生するメカニズムを説明する
ための図、第４図および第５図は本発明の他の実施例に
おけるクロックタイミング図である。 １は垂直BCCD、２は分離領域、５はBCCDの電極、６は絶
縁体膜、８は半導体基板、７は埋め込みチャネルを形成
する半導体層を示す。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
の駆動方法によるクロックタイミング図、第１図（ｂ）
はこの発明の一実施例による固体撮像素子の駆動方法に
よる暗電流低減効果を説明するためのバンドダイヤグラ
ムを示す図、第２図（ａ）は従来のBCCDを用いた４×４
画素フレームトランスファイメージセンサの平面図、第
２図（ｂ）は従来の固体撮像素子の駆動方法におけるク
ロックタイミング図、第３図（ａ）は第２図（ａ）のＹ
−Ｙ′部の断面構造を示す図、第３図（ｂ）は従来の固
体撮像素子の駆動方法のクロックタイミングにおける撮
像領域BCCD内のポテンシャル分布を示す図、第３図
（ｃ）は従来の固体撮像素子の駆動方法のクロックタイ
ミングにおいて暗電流が発生するメカニズムを説明する
ための図、第４図および第５図は本発明の他の実施例に
おけるクロックタイミング図である。 １は垂直BCCD、２は分離領域、５はBCCDの電極、６は絶
縁体膜、８は半導体基板、７は埋め込みチャネルを形成
する半導体層を示す。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】第１導電型の半導体基板上に第２導電型の
半導体層を設け、その上に絶縁体膜及び導電性の電極が
設けられた埋め込み型チャネル電荷結合素子を用い、信
号電荷蓄積期間と信号電荷転送期間とを順次繰り返すこ
とにより電荷の読み出しを行う固体撮像素子の駆動方法
において、 信号電荷蓄積期間中に一定期間、蓄積電極の入れ換えを
行い、蓄積を行っていない電極下の上記絶縁体膜と上記
第２の半導体層の界面が反転状態となるようなクロック
を印加するようにしたことを特徴とする固体撮像素子の
駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2138870A JP2599813B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 固体撮像素子の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2138870A JP2599813B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 固体撮像素子の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0435372A JPH0435372A (ja) | 1992-02-06 |
| JP2599813B2 true JP2599813B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=15232042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2138870A Expired - Lifetime JP2599813B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 固体撮像素子の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2599813B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3596702B2 (ja) | 1996-04-08 | 2004-12-02 | 矢崎総業株式会社 | コネクタ嵌合検知構造 |
| JP4959181B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2012-06-20 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 固体撮像素子の駆動方法及び撮像装置 |
| JP4330607B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2009-09-16 | 三洋電機株式会社 | 固体撮像装置 |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP2138870A patent/JP2599813B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0435372A (ja) | 1992-02-06 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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