CN1973312A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示装置，其包括：基板；由在上述基板上邻接地排列、且在第1方向上延长的多个电极图形构成的第1电极组；由在上述基板上邻接地排列、且在与上述第1方向不同的第2方向上延长的多个电极图形构成的第2电极组；以及分别由对应于上述第1电极组中的一个电极图形和上述第2电极组中的一个电极图形的交点而形成的多个显示元件；至少上述第1电极组包括各自在一端连接到驱动电路且从上述一端到另一端的长度相互不同的多个电极图形；上述多个电极图形各具有层叠构造，该层叠构造包括具有第1薄膜电阻的第1导体和具有比上述第1薄膜电阻小的第2薄膜电阻的第2导体；在上述多个电极图形上各设有除去了上述第2导体的高电阻区域；在上述多个电极图形的每一个，上述高电阻区域的长度根据上述电极图形的长度而不同。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及一般显示装置，特别涉及使用电流驱动型发光元件的显示装置。

背景技术

以往的显示装置主要由液晶显示装置构成，但最近开始使用由等离子体显示装置构成的显示装置。而且还利用有机EL显示装置构成显示装置。

为了廉价地提供这种显示装置，优选使用无源矩阵型驱动结构。通过使用无源矩阵驱动结构，能够省略在有源矩阵驱动结构中需要的薄膜晶体管。

图1表示这种无源矩阵驱动结构的显示装置10的概略的结构。

参照图1，显示装置10包括形成了显示区域11A的显示基板11，且在上述基板11上，多条扫描线11a以及数据线11b分别在X方向以及Y方向延长。

而且，在上述基板11上，连接选择性地驱动上述扫描线11a中的一条扫描线的驱动电路12A和选择性地驱动上述数据线11b中的一条或多条数据线的驱动电路12B。

于是，通过利用上述驱动电路12A选择一条扫描线11a，以及利用驱动电路12B选择一条或多条数据线11b，与上述被选择的扫描线11a和数据线11b的交点相对应的一个或者多个象素同时发光。

一般上述驱动电路12A、12B形成为集成电路芯片的形状，与上述显示基板11之间，为了显示装置的小型化，一般是利用印刷了布线图形(pattern)的挠性基板连接。已知这种安装方式叫做薄膜上芯片(Chip On Film：COF)。特别在利用COF安装技术安装驱动电路时，使用适合挠性基板压接的ITO(In₂O₃·SnO₂)图形较多。

本发明的发明人发现特别在驱动有机EL元件或等离子体显示装置等电流驱动型显示装置时，若将驱动电路连接到扫描线或者数据线上的布线图形的长度每条线各不相同，则产生驱动不均匀的问题。

图2、3表示图1显示装置10的驱动电路12A和扫描线11a间的连接部11C的结构。

参照图2、3，可知上述连接部11C由连接到A1构成的扫描线11a上的ITO布线图形11c构成，但上述ITO布线图形11c的间距(节距：pitch)，在与上述驱动电路12A连接的一侧，与上述显示区域11A相比较，对应于驱动电路的电极间距而缩小。而且，在图2中，在上述连接部11C，上述ITO布线图形11c直线地延长，其结果，上述ITO布线图形11c的图形间隔在与驱动电路12A连接的一侧和显示区域的一侧变化，相对于此，在图3中上述图形间隔维持一定。

无论图2以及图3的任一情况，上述ITO布线图形11c在上述连接部11C中的长度，在基板中央部和在基板周边部不同，在基板周边部比基板中央部长是不可避免的。由此，在上述连接部11C中，在基板中央部和在基板周边部的ITO布线图形11c的电阻不同，随之，发光强度也存在在基板中央部和在基板周边部不同的可能性。

例如，当构成上述扫描线引出部11a的ITO布线图形11c的薄膜电阻(方块电阻：sheet-resistance)为10Ω/□时，若布线长度为5mm，布线宽度为50μm，则上述ITO布线图形11c的布线电阻为1kΩ，可知利用10mA的驱动电流，沿着ITO布线图形11c产生达到10V的压降(电压下降)。

加上这样的压降，如图2或者图3所示那样ITO布线图形11c的间距在连接部11C变化，由此构成扫描线11a的ITO布线图形11c的长度在基板中央部和周边部不同，在这种结构中，在基板中央的扫描线11a上，布线电阻最小，在上下端的扫描线11a上，ITO布线图形11c的布线电阻最大是不可避免的。于是，例如若使用薄膜电阻为10Ω/□、布线宽度为10μm作为上述ITO布线图形11c时，上述ITO布线图形11c的长度之差为10mm，则可知在基板中央部的扫描线11a和基板周边部的扫描线11a之间，驱动电压产生达到20V的差。

即，利用本发明的发明人进行调查的结果，清楚了在这种结构的显示装置上，即使施加20V的驱动电压也点不亮的象素，产生在显示基板11的周边部。

一般在ITO图形上通过层叠Cr等低电阻材料减少ITO图形的电阻值的技术是公知的。但是，在这种方法中，，不能对应于各个ITO布线图形来补偿图2、3的连接部11C那样的因显示基板上的ITO布线图形的长度之差引起的电阻变化。

作为补偿因这种各个ITO布线图形的长度引起的电阻变化的方法，也可以考虑对应于ITO布线图形的长度使图形宽度变化的方法。例如，考虑在100条扫描线11a中的中央的扫描线11a在上述连接部11C中的ITO布线图形11c的布线长度为5mm、图形宽度为20μm、且基板上端或者下端的布线长度为10mm时，若从上述中央的扫描线11a向上端或者下端的扫描线11a以0.4μm的幅度使ITO布线图形11c的宽度增加至40μm，则能够补偿因上述连接部11C的布线长度之差引起的电阻值的变化。

但是，实际ITO图形的图形宽度的精度在±1μm左右，电阻值的偏差在图形宽度是20μm时为±5％，在是40μm时为±2.5％，实际实施这种工序是困难的。另外这种调整图形宽度的方法需要巨大的设计人工数。

专利文献1：美国专利公开第2001-050799号公报

专利文献2：日本特开2002-162647号公报

专利文献3：日本特开2002-221536号公报

专利文献4：日本特开昭62-124529号公报

发明内容

若采用本发明的一个观点，提供一种显示装置，其特征在于包括：

基板；

由在上述基板上邻接地排列、且在第1方向上延长的多个电极图形构成的第1电极组；

由在上述基板上邻接地排列、且在与上述第1方向不同的第2方向上延长的多个电极图形构成的第2电极组；以及

分别由对应于上述第1电极组中的一个电极图形和上述第2电极组中的一个电极图形的交点而形成的多个显示元件；

至少上述第1电极组包括各自在一端连接到驱动电路且从上述一端到另一端的长度相互不同的多个电极图形；

上述多个电极图形各具有层叠构造，该层叠构造包括具有第1薄膜电阻的第1导体和具有比上述第1薄膜电阻小的第2薄膜电阻的第2导体；

在上述多个电极图形上各设有除去了上述第2导体的高电阻区域；

在上述多个电极图形的每一个，上述高电阻区域的长度根据上述电极图形的长度而不同。

发明效果如下：

若采用本发明，上述区间长度因构成上述第1电极组的各个电极图形而不同，其结果，即使跨越构成上述第1电极组的电极图形的全长的电阻值随每个电极图形变化，但通过使上述第2导体的长度根据上述区间长度而变化，也能够补偿这种电阻值的变化，从而在显示装置上，能够实现更加一样的显示。

本发明的其他问题以及特征，通过参照以下附图的同时进行的本发明的详细说明会更加清楚。

附图说明

图1是表示以往的无源矩阵驱动型显示装置的概略结构的图。

图2是表示本发明解决问题的图。

图3是表示本发明解决问题的图。

图4是表示利用本发明的第1实施例的无源矩阵驱动型有机EL显示装置的概略结构的图。

图5是表示图4的有机EL显示装置的一部分的剖面图。

图6是表示图4的有机EL显示装置的连接部的详细结构的图。

图7A是表示图4的有机EL显示装置的连接部的剖面构造的图。

图7B是表示图4的有机EL显示装置的连接部的剖面构造的图。

图8是表示利用本发明的第2实施例的无源矩阵驱动型有机EL显示装置的概略结构的图。

图9是表示图8的有机EL显示装置的连接部的详细结构的图。

图10A是表示图8的有机EL显示装置的连接部的剖面构造的图。

图10B是表示图8的有机EL显示装置的连接部的剖面构造的图。

图11是表示利用本发明的有机EL显示装置的特性的图。

图12是表示图6的有机EL显示装置的一个变形例的图。

图13是表示利用本发明的第3实施例的无源矩阵驱动型有机EL显示装置的一部分的图。

图14是表示利用本发明的第4实施例的无源矩阵驱动型有机EL显示装置的一部分的图。

图15是表示利用本发明的第4实施例的无源矩阵驱动型有机EL显示装置的一部分的图。

图16是表示利用本发明的第5实施例的无源矩阵驱动型有机EL显示装置的一部分的图。

符号说明

10，20，40有机EL显示装置

11，21基板

11A，21A  显示区域

11C，21C，41C  连接部

11a，21a  扫描线

11b，21b  数据线

11c布线图形

12A，12B，22A，22B驱动电路

20A空穴传输层

20B发光层

20C电子传输层

20D阴极

20E有机EL元件

21T，41T     端子部

21a₁，41a₁   ITO图形

21a₂，41a₂   Cr图形

21c   布线图形

具体实施方式

第1实施例

图4表示利用本发明的第1实施例的无源矩阵驱动型有机EL显示装置20的结构。

参照图4，显示装置20作为整体具有和图1的显示装置10相同的结构，包括形成了显示区域21A的显示基板21，在上述基板21上，多条扫描线21a以及数据线21b在X方向以及Y方向上延长。

而且，在上述基板21上，连接选择性地驱动上述扫描线21a中的一条扫描线的驱动电路22A和选择性地驱动上述数据线21b中的一条或多条数据线的驱动电路22B。

于是，通过利用上述驱动电路22A选择一条扫描线21a，以及利用驱动电路22B选择一条或多条数据线21b，与上述被选择的扫描线21a和数据线21b的交点相对应的一个或者多个象素同时发光。

图5表示沿着图4显示装置20的数据线21b的剖面图。

参照图5，上述数据线21b被平行地构图在玻璃基板21上，构成阳极。在各数据线21b上层叠了空穴传输层20A、发光层20B和电子传输层20C的有机EL元件20E，通过典型的使用掩模的蒸镀法反复形成，这样形成的有机EL元件20E在上述玻璃基板21上矩阵状地排列。

这种矩阵状地排列的有机EL元件20E之间的空间被绝缘膜(未图示)填充，而且形成A1等构成的阴极20D，以便连结上述有机EL元件20E之中沿X方向排列的一群有机EL元件。上述阴极20D构成在图4结构中的扫描线21a。

图6详细表示与图1、2的连接部11C相对应的上述扫描线21a和驱动电路22A的连接部21C的结构。

参照图6，在上述连接部21C中在上述显示区域21A延长的扫描线21a的反复间隔，配合构成上述驱动电路22A的集成电路芯片的端子间隔而缩小，随之，从在上述显示区域21A中平行地延长的扫描线21a的端部开始延长的布线图形21c在上述连接部21C中被弯曲。而且，如以下说明，上述布线图形21c由层叠ITO图形21a1和形成在上述ITO图形21a₁上的低电阻的Cr图形21a₂构成。

更具体地说明，上述连接部21C由区间A和区间B构成，上述区间A是从上述扫描线21a的端部延长的布线图形21c相对于上述显示区域21A的延长方向(X方向)倾斜地延长的区间，上述区间B是上述布线图形21c在上述区间A的前端重新沿上述X方向延长，且与用于与上述驱动电路22A连接的端子部21T连续的区间，在区间A、B任一区间中，对应于不同的扫描线21a的布线图形21c相互平行地延长。

图6中，上述区间A被定义为，上述多个布线图形21c之中中央部的布线长度短的图形的长度为零，且布线长度最长的图形在最外侧的长度为最大(La_max)，另外上述区间B被定义为，上述多个ITO布线图形21c之中中央部的布线长度最短的图形的长度为最大(Lb_max)，布线长度最长的布线图形的长度在最外侧为零。

这样构成的结果，上述区间A的布线长度从最外侧的ITO布线图形21c向中央部的最短布线图形21c直线减少，另外区间B的布线长度从最外侧的布线图形21c向中央部的最短布线图形21c直线增加。

在本实施例中，进一步将上述区间B分割为第1区间B₁以及第2区间B₂，如图7A、图7B所示，通过在上述第2区间B₂选择性地除去上述低电阻Cr膜21a₂，对区间B1的布线图形21c中的Cr图形21a₂的长度进行微调(trimming)，使布线图形21c的电阻值调整为固定值。其中，图7A表示上述区间B₁的布线图形21c的剖面，图7B表示上述区间B₂的布线图形21c的剖面。

这样，本发明中通过在上述区间B₂中选择性地除去低电阻Cr膜21a₂，在上述区间B₂中插入等价的电阻元件。这时，在本实施例中不仅如图7A、图7B所示调整图形21a的宽度Wa，而且调整上述区间B₂的长度，从而能够精度高地设定上述电阻元件的电阻值。

以下，对这样微调的具体步骤进行说明。

重新参照图6，如前所述，在构成上述扫描线21a的电极组的中央部，区间A的长度La(mm)为零。于是，若设上述布线群在最外侧的上述布线图形的长度La为La_max(mm)，在布线群的中央部和最外部之间，布线图形的长度La(La_k)直线变化，则第k个布线长度La_k被赋值为数学式1和数学式2。

【数学式1】

${\mathrm{La}}_k=-\frac{{2\mathrm{La}}_{\max }}{n}k+{\mathrm{La}}_{\max },(0\≤k\≤\frac{n}{2})$

【数学式2】

${\mathrm{La}}_k=\frac{{2\mathrm{La}}_{\max }}{n}k-{\mathrm{La}}_{\max },(\frac{n}{2}<k\&le;n)$

另一方面，区间B的长度Lb(mm)也同样直线变化，在布线群中央为最大，在布线群的最外端部为零。于是，若设在布线群中央的Lb为Lb_max，则第k个布线长度Lb_k被赋值为数学式3和数学式4。

【数学式3】

${\mathrm{Lb}}_k=\frac{{2\mathrm{Lb}}_{\max }}{n}k,(0\&le;k\&le;\frac{n}{2})$

【数学式4】

${\mathrm{Lb}}_k=\frac{2\mathrm{La}\max }{n}k-{\mathrm{La}}_{\max ,}(\frac{n}{2}<k\&le;n)$

而且，在图6的结构中，优选为了避免由于在端子部21T设置Cr膜等低电阻辅助布线而产生的机械性强度下降，将设置上述Cr膜21b的部分作为上述区间B₁，上述Cr膜21b从上述区间A开始连续地延长而形成。

如前面所说明的那样，区间B由对应于图7A的层叠了ITO膜21a₁和Cr膜21a₂的区间B₁和对应于图7B的只有ITO膜21a₁的区间B₂构成，设上述扫描线21a的各延长部的长度，在上述区间B₁为Lb_1k(mm)，在上述区间B₂为Lb_2k(mm)。

若设上述ITO膜21a₁的薄膜电阻为Rito(Ω/□)，Cr膜21a₂的薄膜电阻为Raux(Ω/□)，且设上述区间A的线宽为Wa(mm)，区间B的线宽为Wb(mm)，则上述区间A以及B的布线电阻Ra_k、Rb_k被赋值为数学式5。

【数学式5】

${\mathrm{Ra}}_k=\frac{\mathrm{Rito}\&CenterDot;\mathrm{Raux}}{\mathrm{Rito}+\mathrm{Raux}}\&CenterDot;\frac{{\mathrm{La}}_k}{\mathrm{Wa}}$

${\mathrm{Rb}}_k=\frac{\mathrm{Rito}}{\mathrm{Wb}}(\frac{\mathrm{Raux}}{\mathrm{Rito}+\mathrm{Raux}}{\mathrm{Lb}1}_k+{\mathrm{Lb}2}_k)$

于是，对应于第k条扫描线21a的连接部21C的布线电阻R_k被赋值为R_k＝Ra_k+Rb_k。

接着，基于上述说明，研究使用Cr膜21a₂作为辅助布线图形的布线电阻的均匀化(微调)。

这样的布线的电阻均匀化归结为求出在上式中当无论K值如何R_k始终为定值的Lb1_k、Lb2_k的问题。

在此，若为了简化而考虑在0≤k≤n/2的范围，则k＝n/2，即布线群中央部的图形的Lb2_k，即Lb2_(n/2)，通过Lb1_k+Lb2_k＝Lb_max的关系被表示为

【数学式6】

${\mathrm{Lb}2}_{(n/2)}=\frac{\mathrm{Raux}}{\mathrm{Rito}+\mathrm{Raux}}\&CenterDot;\frac{\mathrm{Wb}}{\mathrm{Wa}}\&CenterDot;(1+\frac{\mathrm{Raux}}{\mathrm{Rito}})\&CenterDot;{\mathrm{La}}_{\max }-\frac{\mathrm{Raux}}{\mathrm{Rito}}\&CenterDot;{\mathrm{Lb}}_{\max }$

。不过，在此进行以下推导。

当k＝n/2时，如下关系成立。

【数学式7】

${\mathrm{Rb}}_k=\frac{\mathrm{Rito}}{\mathrm{Wb}}\left(\frac{\mathrm{Raux}}{\mathrm{Rito}+\mathrm{Raux}}\right){\mathrm{Lbl}}_k+{\mathrm{Lb}2}_k$

其中，若

【数学式8】

$\frac{\mathrm{Rito}}{\mathrm{Wb}},C2=\frac{\mathrm{Raux}}{\mathrm{Rito}+\mathrm{Raux}}$

，则能得到如下关系式。

【数学式9】

Rb_k＝C1(C2·Lb1_k+Lb2_k)、

${\mathrm{Lb}2}_k=\frac{\mathrm{Rbk}}{\mathrm{Cl}}-C2\&CenterDot;{\mathrm{Lbl}}_k={\mathrm{Lb}}_{\max }-{\mathrm{Lbl}}_k,$

${\mathrm{Lbl}}_k=\frac{1}{C2-1}(\frac{{\mathrm{Rb}}_{(n/2)}}{C1}-{\mathrm{Lb}}_{\max }),$

${\mathrm{Lb}2}_k=\frac{{\mathrm{Rb}}_{(n/2)}}{C1}-C2\&CenterDot;{\mathrm{Lbl}}_k=\frac{{\mathrm{Rb}}_{(n/2)}}{C1}-\frac{C2}{C2-1}(\frac{{\mathrm{Rb}}_{(n/2)}}{C1}-{\mathrm{Lb}}_{\max })$

由于负有全部的图形中电阻相等的条件，所以在微调后，第0个Ra_k、即Ra_(O))和第n/2个Rb_k、即Rb_(n/2)必须相等。即，关系式

【数学式10】

${\mathrm{Rb}}_{(n/2)}={\mathrm{Ra}}_{\left(O\right)}=C1\frac{{\mathrm{La}}_{\max }}{\mathrm{Wa}}\&CenterDot;\mathrm{Rito}$

成立，由此，能得到关系式

【数学式11】

$\mathrm{Lb}2k=\frac{C2\&CenterDot;\mathrm{Rito}}{\mathrm{Cl}}\&CenterDot;\frac{\mathrm{La}\max }{\mathrm{Wa}}-\frac{C2}{C2-1}(\frac{C2\&CenterDot;\mathrm{Rito}}{C1}\&CenterDot;\frac{{\mathrm{La}}_{\max }}{\mathrm{Wa}})-{\mathrm{Lb}}_{\max }$

$=\frac{\mathrm{Raux}}{\mathrm{Rito}+\mathrm{Raux}}\&CenterDot;\frac{\mathrm{Wb}}{\mathrm{Wa}}\&CenterDot;(1+\frac{\mathrm{Raux}}{\mathrm{Rito}})\&CenterDot;{\mathrm{La}}_{\max }-\frac{\mathrm{Raux}}{\mathrm{Rito}}\&CenterDot;{\mathrm{Lb}}_{\max }$

其中，k＝0时，布线群最外端部的Lb2_k，即Lb2₍₁₎为0，Lb2_k从0到Lb2_(n/2)直线变化。因此，求得微调后的第k个布线长度Lb2_k为数学式12和数学式13。

【数学式12】

${\mathrm{Lb}2}_k=\frac{{2\mathrm{Lb}2}_{(n/2)}}{n}k,(0\&le;k\&le;\frac{n}{2})$

【数学式13】

${\mathrm{Lb}2}_k=\frac{{2\mathrm{Lb}2}_{(n/2)}}{n}k+{2\mathrm{Lb}2}_{(n/2)},(\frac{n}{2}<k\&le;n)$

这样，在本实施例中，通过求出上述连接部21C中从扫描线21a延长的布线群之中的、在中央部的布线图形的布线长度，能够容易地进行电阻值的微调。

当进行这种电阻值微调时，遵从利用上式求得的布线图形数据来制作上述区间B₂的上述布线图形的光掩模即可，不需要特别的人工数。

例如，当上述参数La_max＝10mm，Lb_max＝5mm，Wa＝20μm，Wb＝20μm，Rito＝10Ω/□，R_aux＝2Ω/□，n＝100时，利用上式，区间B的中央部(第n/2个)的布线长度Lb1_(n/2)、Lb2_(n/2)为Lb1_(n/2)＝4mm、Lb2_(n/2)＝1mm，另外Rito和Raux的合成薄膜电阻为1.67Ω/□，因此上述区间B的布线电阻Rb1_(n/2)＝1.67×4000/20＝334Ω、Rb2_(n/2)＝10×1000/20＝500Ω。

接着，对在本实施例中产生±1μm的构图误差时电阻的偏差进行评价。

对于上面所求的Lb1_(n/a)、Lb2_(n/2)的值，若上述区间B₁中Cr膜21a₂被构图短了1μm图形，Lb1_(n/2)＝3.999mm，Lb2_(n/2)＝1.001mm时，Rb1_(n/2)＝1.67×3999/20＝333.92Ω，Rb2_(n/2)＝10×1001/20＝500.5Ω，电阻值的变化为-0.05％。同样地，上述区间B₁中由上述Cr膜21a₂构成的辅助布线被构图长了1μm，Lb1_(n/2)＝4001mm，Lb2_(n/2)＝0.999mm时，则电阻值的变化为+0.05％。

这样，若采用本发明，通过调整布线宽度，与电阻调整相比，能够达到提高2个数量级(2位数)的精度。

第2实施例

图8表示利用本发明的第2实施例的有机EL显示装置40的概略结构，图9表示沿着上述显示装置40的扫描电极的剖面图。在图中，对与前面说明的部分相对应的部分上赋予相同的参照符号，且省略说明。

参照图8，显示装置40也和图4的显示装置20一样是无源矩阵驱动型的显示装置，但为了连接上述驱动电路22A和上述扫描线21a，使用图9所示的连接部41C来替代图6的连接部21C。

参照图9，上述连接部41C在平面图上具有和图6的连接部21C大致相同的结构，但包括了连接到上述扫描线21a的端部、且在对应于上述驱动电路22A的端子而形成的端子部41T收敛的布线图形41c，来替代由上述扫描线21c的延长部构成的布线图21c。

上述布线图形41c与上述布线图形21c一样，沿着该延长方向被分成区间A和区间B，区间A的区间长度La_k在对应于最外部的扫描线41a的布线图形41c为最长，在对应于中央部的扫描线41a的布线图形41c为0。

另外，上述区间B被分为区间B₁和B₂，在区间B₁中，布线图形41c如图10A所示具有与扫描线41a相同的ITO膜41a₁和银合金膜41a₂的层叠构造，相对于此，在上述区间B₂中，布线图形41c如图10B所示只由ITO膜41a₁构成。该区间B₂的ITO图形41a₁进一步延长，构成与驱动电路22A的电极压接的上述端子部41T。

本实施例也与前面的实施例相同，通过微调上述布线图形41c的上述区间B₁中的区间长度Lb_k，除去在上述连接部41C中扫描线41a相互产生的电阻值之差。

作为上述银合金使用银和钯或铜的合金，由此能够实现比Cr更低的薄膜电阻。另一方面，银合金比Cr更容易因电迁移或氧化而发生特性的劣化，所以如图10A所示，在上述区间B1中，上述银合金膜41a₂被形成在上述ITO膜41a₁的下层，以便更加保护上述玻璃基板21和ITO膜41a₁。

以下，详细地说明图11的连接部11C的微调。

如前所述，在对应于中央部的扫描线41a的布线图形41c中，相对于上述区间A的布线长度La为零，该布线长度La在外侧的扫描线41a中距离上述中央部的距离按比例地直线增大。

于是，若设最外端的布线图形41c的长度为La_max(mm)，则从中央(k＝0)开始第k个布线图形41c的上述区间A中的布线长度La_k表示为数学式14和数学式15。

【数学式14】

${\mathrm{La}}_k=-\frac{{2\mathrm{La}}_{\max }}{n}k+{\mathrm{La}}_{\max },(0\&le;k\&le;\frac{n}{2})$

【数学式15】

${\mathrm{La}}_k=\frac{{2\mathrm{La}}_{\max }}{n}k-{\mathrm{La}}_{\max },(\frac{n}{2}<k\&le;n)$

另一方面，上述区间B中的上述布线图形41c的长度Lb(mm)也同样从基板中央部开始向外侧直线变化，在对应于中央的扫描线41a的布线图形41c为最大，在最外端为零。于是，若设上述中央部的区间长度Lb为Lb_max，则从中央部开始第k个布线长度Lb_k表示为数学式16和数学式17。

【数学式16】

${\mathrm{Lb}}_k=\frac{{2\mathrm{Kb}}_{\max }}{n}k,(0\&le;k\&le;\frac{n}{2})$

【数学式17】

$\mathrm{Lbk}=-\frac{{2\mathrm{Lb}}_{\max }}{n}k+{2\mathrm{Lb}}_{\max ,}(\frac{n}{2}<k\&le;n)$

在此，若设上述ITO膜41a₁的薄膜电阻为Rito(Ω/□)，银合金膜41a₂的薄膜电阻为Raux(Ω/□)，且设区间A的上述ITO膜41a₁的宽度，随之布线图形41c的宽度为Wa，另外区间A的银合金膜41a₂的宽度为Wa’，区间B的上述ITO膜41a₁的宽度，随之布线图形41c的宽度为Wb，另外区间B的银合金膜41a₂的宽度为Wb’，则区间A以及B的布线电阻Ra_k，Rb_k分别表示为

【数学式18】

${\mathrm{Ra}}_k=\frac{R_{\mathrm{ito}}\&CenterDot;R_{\mathrm{aux}}}{R_{\mathrm{ito}}\frac{{\mathrm{Wa}}^{\&prime;}}{\mathrm{Wa}}+R_{\mathrm{aux}}}\&CenterDot;\frac{{\mathrm{La}}_k}{\mathrm{wa}}$

${\mathrm{Rb}}_k=\frac{R_{\mathrm{ito}}}{\mathrm{Wb}}(\frac{R_{\mathrm{aux}}}{R_{\mathrm{ito}}\&CenterDot;\frac{{\mathrm{Wb}}^{\&prime;}}{\mathrm{Wb}}+R_{\mathrm{aux}}}{\mathrm{Lbl}}_k+{\mathrm{Lb}2}_k)$

，上述连接部41T的第k个布线图形41c的电阻R_k表示为R_k＝Ra_k+Rb_k

其中，Lb1_k、Lb2_k表示上述布线图形41c的上述区间B₁以及B₂中的布线长度。

接着，对上述布线长度Lb1_k、Lb2_k的微调进行说明。

与前面的实施例的情况相同，微调的目的是在全部的图形中将上述电阻R_k设定为相同值。以下，为了简化而处理0≤k≤n/2的情况。

k＝n/2时，即考虑中央部的布线图形41c时，该长度Lb2_k，即Lb2_(n/2)利用关系Lb1_k+Lb2_k＝Lb_max，表示为数学式19。

【数学式19】

${\mathrm{Lb}2}_{(n/2)}=\frac{R_{\mathrm{aux}}\&CenterDot;\mathrm{Wb}}{R_{\mathrm{ito}}\&CenterDot;{\mathrm{Wb}}^{\&prime;}+R_{\mathrm{aux}}\&CenterDot;\mathrm{Wa}}\&CenterDot;(1+\frac{R_{\mathrm{aux}}}{R_{\mathrm{ito}}}\&CenterDot;\frac{\mathrm{Wb}}{{\mathrm{Wb}}^{\&prime;}})\&CenterDot;{\mathrm{La}}_{\max }-\frac{R_{\mathrm{aux}}}{R_{\mathrm{ito}}}\&CenterDot;\frac{\mathrm{Wb}}{{\mathrm{Wb}}^{\&prime;}}\&CenterDot;{\mathrm{Lb}}_{\max }$

k＝n/2时，上述关系

【数学式20】

${\mathrm{Rb}}_k=\frac{R_{\mathrm{ito}}}{\mathrm{Wb}}(\frac{R_{\mathrm{aux}}}{R_{\mathrm{ito}}\&CenterDot;\frac{{\mathrm{Wb}}^{\&prime;}}{\mathrm{Wb}}+R_{\mathrm{aux}}}{\mathrm{Lb}1}_k+{\mathrm{Lb}2}_k)$

中，若

【数学式21】

$C1=\frac{R_{\mathrm{ito}}}{\mathrm{Wb}}$

$C2=\frac{\mathrm{Raux}}{\mathrm{Rito}\&CenterDot;\frac{{\mathrm{Wb}}^{\&prime;}}{\mathrm{Wb}}\&CenterDot;R_{\mathrm{aux}}}$

，则能得到以下表达式：

Rb_k＝C1(C2·Lb1_k+LB2_k)

【数学式22】

${\mathrm{Lb}2}_k=\frac{{\mathrm{Rb}}_k}{C1}-C2\&CenterDot;{\mathrm{Lb}1}_k={\mathrm{Lb}}_{\max }-{\mathrm{Lb}1}_k$

${\mathrm{Lb}1}_k=\frac{1}{C2-i}(\frac{{\mathrm{Rb}}_{(n/2)}}{C1}-{\mathrm{Lb}}_{\max })$

${\mathrm{Lb}2}_k=\frac{{\mathrm{Rb}}_{(n/2)}}{C1}-C2\&CenterDot;{\mathrm{Lb}1}_k=\frac{{\mathrm{Rb}}_{(n/2)}}{C1}-\frac{C2}{C2-1}(\frac{{\mathrm{Rb}}_{(n/2)}}{C1}-{\mathrm{Lb}}_{\max })$

其中，若

【数学式23】

$C3=\frac{R_{\mathrm{aux}}}{R_{\mathrm{ito}}\&CenterDot;\frac{{\mathrm{Wa}}^{\&prime;}}{\mathrm{Wa}}+R_{\mathrm{aux}}}$

，则电阻Ra_k表示为

【数学式24】

${\mathrm{Ra}}_k=C3\&CenterDot;R_{\mathrm{ito}}\&CenterDot;\frac{{\mathrm{La}}_k}{\mathrm{Wa}}$

，但在微调后，因为在全部的布线图形41c中电阻相等这样的条件，所以第0个Ra_k、即Rb₍₀₎)和第n/2个Rb_k、即Rb_(n/2)必须相等。

也就是说，

【数学式25】

${\mathrm{Rb}}_{(n/2)}={\mathrm{Ra}}_{\left(0\right)}=C3\frac{{\mathrm{La}}_{\max }}{\mathrm{Wa}}\&CenterDot;R_{\mathrm{ito}}$

成立，因此成为

【数学式26】

${\mathrm{Lb}2}_k=\frac{C3\&CenterDot;R_{\mathrm{ito}}}{C1}\&CenterDot;\frac{{\mathrm{La}}_{\max }}{\mathrm{Wa}}-\frac{C2}{C2-1}(\frac{C3\&CenterDot;R_{\mathrm{ito}}}{C1}\&CenterDot;\frac{{\mathrm{La}}_{\max }}{\mathrm{Wa}}-{\mathrm{Lb}}_{\max })$

$=-\frac{R_{\mathrm{aux}}}{R_{\mathrm{ito}}\&CenterDot;\frac{{\mathrm{Wa}}^{\&prime;}}{\mathrm{Wa}}+R_{\mathrm{aux}}}\&CenterDot;\frac{\mathrm{Wb}}{\mathrm{Wa}}\&CenterDot;(1+\frac{R_{\mathrm{aux}}}{R_{\mathrm{ito}}}\&CenterDot;\frac{\mathrm{Wb}}{{\mathrm{Wb}}^{\&prime;}})\&CenterDot;{\mathrm{La}}_{\max }-\frac{R_{\mathrm{aux}}}{R_{\mathrm{ito}}}\&CenterDot;\frac{\mathrm{Wb}}{{\mathrm{Wb}\&prime;}^{}}\&CenterDot;{\mathrm{Lb}}_{\mathrm{aux}}$

，得到上述关系。

另一方面，k＝0时，即考虑到最外端的布线图形41c时，长度Lb2_k(＝Lb2₍₀₎)为0，Lb2_k从0到Lb2_(n/2)直线变化。

因此，求出微调后的第k个布线长度为

【数学式27】

${\mathrm{Lb}2}_k=\frac{{2\mathrm{Lb}2}_{(n/2)}}{n}k,(0\&le;k\&le;\frac{n}{2})$

以及

【数学式28】

${\mathrm{Lb}2}_k=\frac{{2\mathrm{Lb}2}_{(n/2)}}{n}k+{2\mathrm{Lb}2}_{(n/2)},(\frac{n}{2}<k\&le;n)$

。其中，上式的参数，Lamax＝10mm，Lbmax＝5mm，Wa＝20μm，Wb＝20μm，Wa’＝15μm，Wb’＝15μm，Rito＝10Ω/□，Rmax＝0.2Ω/□，n＝100，求得上述布线长度为Lb1_(n/2)＝4.867(mm)、Lb2_(n/2)＝0.133(mm)。

进一步，因为R_ito和R_aux的合成薄膜电阻为0.196Ω/□，因此求出上述区间B的布线图形41c的布线电阻为

Rb1_(n/2)＝0.260×4897/20＝63.21Ω、

Rb2_(n/2)＝10×133/20＝66.5Ω。

接着，评价本实施例中构图误差对微调的影响。

若考虑在上述最佳布线长度Lb1_(n/a)、Lb2_(n/2)上产生-1μm的构图误差的情况，则Lb1_(n/2)＝3.999(mm)，Lb1_(n/2)＝1.001(mm)，这时，

Rb1_(n/2)＝0.260×4866/20＝63.26Ω，

Rb2_(n/2)＝10×134/20＝67Ω，

预想产生-0.5％的电阻变化。

同样，若考虑上述最佳布线长度Lb1_(n/a)、Lb1_(n/2)上产生+1μm的构图误差，则Lb1_(n/2)＝4.001(mm)，Lb1_(n/2)＝0.999(mm)，这时，预想产生+0.5％的电阻变化。

这样，利用本实施例的微调，与调节图形宽度进行微调的情况相比，能够确保10倍以上的微调精度。

图11中与比较例1及比较例2一起示出了实施利用上述实施例1及实施例2的微调时，扫描线21a或者41a整体的布线电阻以及由此引起的压降，进一步示出了上述布线电阻的最大值和最小值之差ΔR、以及伴随上述ΔR产生的压降的最大值和最小值之差ΔV。其中，在比较例1中，不预先设置Cr膜或者银合金等辅助布线，电阻值的微调是通过调整布线图形11c的宽度进行的。另外，在比较例2中，设置Cr膜作为辅助布线，电阻值的微调是通过调整布线图形21c的宽度进行的。相对于此，实验例1对应于前面说明的实施例1，通过图6的区间B₁中的辅助布线，即Cr图形21a₂的布线长度的调整进行微调。另外，实验例2对应于前面说明的实施例2，通过图11的区间B₁中的辅助布线，即Ag合金图形41a₂的布线长度的调整进行微调。

参照图11，比较例时，电阻值的变化ΔR达到750Ω或者125.1Ω，相对于此，压降之差ΔVdrop也在10mA的驱动电流流过时，达到7.5V或者1.25V。相对与此，我们知道在本发明中，因连接部21C或者41C的布线长度之差引起的布线图形21c或者41c的电阻值的变化ΔR降低到实验例1时的83.4Ω，另外实验例2时降低到15.1Ω，由此，压降之差ΔVdrop也在实施例1时减少到0.83V，在实施例2时减少到0.15V。

而且，在以上说明中，考察了在上述区间B₁和B₂中，布线长度Lb1_k和布线长度Lb2_k随序号k一起直线变化的情况，但如本发明那样通过布线长度进行微调时，从图11就可知道即使产生稍微的构图误差，对电阻值的变化也几乎没有影响，因此例如图12所示，可以使区间B₁中的布线长度Lb1_k以及区间B₂中的布线长度Lb2_k阶梯状或者圆弧状地变化。其中，图12中，对前面说明的部分赋予相同的参照符号，且省略说明。

而且，图6或者图11的连接部11C或者21C，能够根据需要设置在数据电极21b和驱动电路22B的连接部上。

第3实施例

图13表示利用本发明的第3实施例的无源矩阵驱动型有机EL显示装置的结构的一部分。其中，图13中，对前面说明的部分赋予对应的参照符号，且省略说明。

图13是与前面说明的图7A相同的区间B₁的剖面图，但利用本实施例的无源矩阵驱动有机EL显示装置，是在前面图6说明的有机EL显示装置20的一个变形例，具有和这些大致相同的构成，但上述ITO图形21a₁和低电阻图形21a₂的位置相对地错位，这一点不同。

即使这种情况，在上述端子部21T中，除去上述低电阻Cr膜21a₂，从而只露出ITO图形21a₁，可得到和图7B一样的剖面构造。因此，本实施例也实现通过ITO图形对挠性基板的良好的压接。

第4实施例

图14表示利用本发明的第4实施例的无源矩阵驱动型有机EL显示装置的结构的一部分。其中，图14中，对前面说明的部分赋予对应的参照符号，且省略说明。

图14是与前面说明的图7A相同的区间B₁的剖面图，但利用本实施例的无源矩阵驱动有机EL显示装置，是在前面图6说明的有机EL显示装置20的一个变形例，具有和这些大致相同的结构，但上述ITO图形21a₁和低电阻图形21a₂的位置上下交替这一点不同。即，上述Cr图形21a₂为下侧图形，ITO图形21a₁为上侧图形。

即使这种情况，在上述端子部21T中，除去上述低电阻Cr膜21a₂，从而只露出ITO图形21a₁，可得到和图7B一样的剖面构造。因此，本实施例也实现通过ITO图形对挠性基板的良好的压接。

图15是图14进一步的变形例，表示图14的上侧ITO图形21a₁和下侧Cr图形21a₂的关系相对地错位的情况。

即使这种情况，在上述端子部21T中，除去上述低电阻Cr膜21a₂，从而只露出ITO图形21a₁，可得到和图7B一样的剖面构造。因此，本实施例也实现通过ITO图形对挠性基板的良好的压接。

第5实施例

图16表示利用本发明的第5实施例的无源矩阵驱动型有机EL显示装置的结构的一部分。其中，图16中，对前面说明的部分赋予相同的参照符号，且省略说明。

参照图16，在本实施例中，在一个或多个部位除去在上述区间B₁形成在上述ITO图形21a₁上的低电阻Cr图形21a₂，由此在该部分上产生电阻。

于是，通过根据对应的扫描线21a的位置在各布线图形21c上设置这种电阻形成部位，即通过调整其个数或者长度，可以根据对应的扫描线21a调整上述布线图形21c的电阻值。

进一步，本发明不仅可以适用于有机EL显示装置，也可以适用于被无源矩阵驱动的其他电流驱动型显示装置，例如等离子体显示装置(PDP)、LED阵列显示装置或者光源等。

进一步，本发明不仅可以适用于电流驱动型显示装置，也可以适用于无源矩阵驱动型或者有源矩阵驱动型的液晶显示装置。

工业上利用的可能性

若采用本发明，在使在显示装置的显示区域延长的驱动电极收敛而与驱动电路连接的连接部上，根据这种连接部上的布线图形的长度使补助电极的长度变化，可以使在连接部上不同的布线图形之间产生的电阻差、即而压降之差，无论布线图形的位置如何都设定为固定，可以实现显示装置的均匀驱动。

Claims (18)

1.一种显示装置，其特征在于包括：

基板；

由在上述基板上邻接地排列、且在第1方向上延长的多个电极图形构成的第1电极组；

由在上述基板上邻接地排列、且在与上述第1方向不同的第2方向上延长的多个电极图形构成的第2电极组；以及

分别由对应于上述第1电极组中的一个电极图形和上述第2电极组中的一个电极图形的交点而形成的多个显示元件；

其中，至少上述第1电极组包括各自在一端连接到驱动电路且从上述一端到另一端的长度相互不同的多个电极图形；

上述多个电极图形各具有层叠构造，该层叠构造包括具有第1薄膜电阻的第1导体和具有比上述第1薄膜电阻小的第2薄膜电阻的第2导体；

在上述多个电极图形上各设有除去了上述第2导体的高电阻区域；

在上述多个电极图形的每一个，上述高电阻区域的长度根据上述电极图形的长度而不同。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述多个电极图形中，上述高电阻区域的长度与电极图形的长度一起减少。

3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述多个电极图形从上述一端到另一端具有基本相同的电阻值。

4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在上述基板上包括上述多个电极图形以第1间隔平行延长的显示区域、上述显示区域中的上述多个电极图形的上述一端以更小的第2间隔排列的端子区域、以及上述显示区域中的上述多个电极图形分别连接到上述端子区域中对应的上述一端的连接部，在上述端子区域中，在上述电极图形上各被除去了上述第2导体，上述高电阻区域被形成为与上述连接区域连续。

5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，在上述显示区域中构成上述第1电极组的上述多个电极图形在上述第2方向上反复形成，且上述多个电极图形之中，中央的电极图形的长度最短，上述电极的长度从上述中央的电极图形向两外侧方向，对称地增大。

6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，在上述连接区域，上述多个电极图形在维持平行关系的同时延长。

7.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，上述高电阻区域在上述中央的电极图形上具有最大的长度，上述高电阻区域的长度从上述中央的电极图形向两外侧方向，对称地减少。

8.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，上述高电阻区域的长度从上述中央的电极图形向两外侧方向，根据距离上述中央的电极图形的距离直线减小。

9.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，上述高电阻区域的长度从上述中央的电极图形向两外侧方向，根据距离上述中央的电极图形的距离阶梯状减小。

10.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述第1导体由透明氧化物电极材料构成，上述第2导体由金属材料构成。

11.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述第2导体层叠在上述第1导体上。

12.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述第2导体埋设在上述第1导体中。

13.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述第2电极组中的电极图形连接到其他驱动电路上，且上述第1电极组中的电极图形和上述第2电极组中的电极图形一起形成驱动电流的电流路，该驱动电流在形成在上述交点的显示元件中流动。

14.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述显示元件是有机EL显示装置。

15.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，上述第2导体被形成为相对于上述第1导体，在上述电极图形的宽度方向上部分地重叠。

16.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，上述第1导体层叠在上述第2导体上。

17.如权利要求16所述的显示装置，其特征在于，上述第2导体被形成为相对于上述第1导体，在上述电极图形的宽度方向上部分地重叠。

18.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在上述基板上包括上述多个电极图形以第1间隔平行地延长的显示区域、上述显示区域中的上述多个电极图形的上述一端以更小的第2间隔排列的端子区域、以及上述显示区域中的上述多个电极图形分别连接到上述端子区域中对应的上述一端的连接部，在上述连接区域中，在上述电极图形上各被除去了多处上述第2导体。

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