CN100456097C - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种液晶显示装置及其制造方法。该液晶显示装置包括：由显示区和非显示区限定的第一基板和第二基板，它们彼此间隔开预定间隔；插设在所述第一基板和第二基板之间的液晶层；导电部分，其形成在所述第一基板的至少一侧上并与所述非显示区相对应，且具有由与所述显示区中的选通线相同的金属形成的第一伪图案；形成在所述第二基板上的公共电极；以及导电线图案，其将所述公共电极和所述导电部分电连接，并使所述第一基板和第二基板相附接。所述第一伪图案由与所述显示区中的选通线相同的金属形成。

Description

液晶显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置，更具体地涉及一种使用导电线图案(conductive thread pattern)使两个基板导通的液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
液晶显示装置(LCD)是平面显示装置的一个示例。LCD通过物理光学特性来显示数据。由于与其它显示装置相比，LCD能耗小、利用了轻且薄的特性、并且可以制造成各种尺寸，因此其广泛应用于多种领域。
LCD包括薄膜晶体管(TFT)阵列基板、滤色器阵列基板和液晶。滤色器阵列基板布置成与TFT阵列基板相对。在TFT阵列基板与滤色器阵列基板之间插设液晶。TFT阵列基板包括多条信号线以及与TFT晶体管相连的像素电极。另外，滤色器阵列基板包括用于彩色显示的滤色器层以及公共电极。
布置在滤色器阵列基板上的公共电极与布置在TFT阵列基板外侧上的导电部分电连接。向公共电极供应从外部电路通过该导电部分供应的公共电压。
公共电极通过银中心垫(silver dot)介质与导电部分电连接。以如下方式制成银中心垫：通过配送器涂覆处于膏状的银，在预定时间内使所得物干燥，并通过压力粘合两个基板。在这一点上，在当涂覆在TFT上的银膏没有完全干燥时粘合两个基板的情况下，形成低密度的银。因此，减少了与公共电极接触的面积，从而也不能供应合适的电压。
为了克服该问题，提供了这样一种LCD，其具有由高密度的导电球形成的导电部分而没有银膏。
图1A和图1B是使用现有技术的导电线图案的LCD的视图。图1A是当从LCD移除了I-I′部分的第二基板时的平面图。图1B是沿图1A的线II-II′剖取的剖视图。
参照图1A和图1B，现有技术的LCD包括由显示区A和非显示区B限定的第一基板10和第二基板20。第一基板10和第二基板20通过导电线图案相附接。在对应于显示区A的第一基板10上，多条选通线40和数据线50彼此交叉。选通线40和数据线50的各交叉处包括至少一个TFT以及与该TFT电连接的像素电极60。
在对应于非显示区B的第一基板10上形成焊盘部分，以连接至外部电路。即，在第一基板10的一侧上形成有至少两个选通焊盘部分70。选通焊盘部分70包括聚集各选通线40的端部的预定区域。另外，在第一基板10的另一侧上形成有至少两个数据焊盘部分80。数据焊盘部分80包括聚集各数据线的端部的预定区域。在这一点上，各焊盘部分通过柔性带自动连接(TAB)90与印刷电路板(PCB)(未示出)电连接。
另一方面，在数据焊盘部分80之间布置有导电部分85，并且在具有导电部分85的第一基板的外侧布置有导电线图案30。导电图案30包括密封剂30a和导电球30b。导电线图案30将第一基板10附接在第二基板20上。此外，导电线图案30将第二基板20中的公共电极22与导电部分85相连。
这样，从外部电路向导电部分85供应公共电压。通过导电线图案30将施加给导电部分85的公共电压供应给公共电极22。
导电部分85包括伪图案(dummy pattern)85a和伪图案接触部分85b。在形成TFT的源极45a/漏极45b以及数据线50的同时形成伪图案85a。在形成像素电极的同时，在伪图案85a上形成伪图案接触部分85b。
由于在形成数据线50和源极45a/漏极45b的同时形成伪图案85a，因此无法选择伪图案85a的导电材料。即，伪图案85a可以由低阻抗的金属形成，以使供应给公共电极22的公共电压的损失最小。然而，考虑到工艺的简单性，伪图案85a由用于数据线50和源极45a/漏极45b的导电金属形成。
另外，当在相同层上形成伪图案85a、数据线50和数据焊盘80时，伪图案85a的设计受到限制。
发明内容
因此，本发明意在一种LCD及其制造方法，其基本上克服了由于现有技术的局限和缺点引起的一个或更多个问题。
本发明的目的是提供这样一种LCD及其制造方法，当使用具有高密度导电球的导电线图案使第一基板和第二基板相导电并接合时，该LCD有效地向第二基板的公共电极供应公共电压。
在下面描述中部分地阐明了本发明的另外的优点、目的和特征，并且本领域技术人员在查看了后文时将部分地明白或者可以从本发明的实施中得知这些优点、目的和特征。通过在所写说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构，可以实现并获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些目的和其它优点并根据本发明的目的，如在这里所实施和广泛描述的，提供了一种LCD，包括：由显示区和非显示区限定的第一基板和第二基板，它们彼此间隔开预定间隔；插设在所述第一基板和第二基板之间的液晶层；导电部分，其形成在所述第一基板的至少一侧上并与所述非显示区相对应，该导电部分从外部接收公共电压且具有由与所述显示区中的选通线相同的金属形成的第一伪图案；形成在所述第二基板上的公共电极；以及导电线图案，其将所述公共电极和所述导电部分电连接以向所述公共电极提供所述公共电压，并使所述第一基板和第二基板相附接。
在本发明的另一方面中，提供了一种LCD，包括：由显示区和非显示区限定的第一基板；栅极，布置在与所述显示区相对应的所述第一基板上；伪图案，其布置在与所述非显示区相对应的所述第一基板上并形成在与所述栅极相同的层上；栅绝缘层，其形成在具有所述栅极和所述第一伪图案的第一基板的整个表面上；源极和漏极，它们彼此间隔开地形成在与所述栅极相对应的所述栅绝缘层上的有源层的两侧；以及与所述漏极电连接的像素电极，其中所述第一伪图案布置在与外部电路部分连接的多个焊盘部分之上和多个焊盘部分之间，所述液晶显示装置还包括导电线图案，其形成在具有所述第一伪图案的第一基板的外侧区域上；以及第二基板，其具有通过所述导电线图案与所述第一伪图案连接的公共电极。
在本发明的另一方面中，提供了一种LCD，包括：由显示区和非显示区限定的第一基板；栅极，布置在与所述显示区相对应的所述第一基板上；第一伪图案，其布置在与所述非显示区相对应的所述第一基板上；栅绝缘层，其形成在具有所述栅极和第一伪图案的第一基板的整个表面上；源极和漏极，它们彼此间隔地形成在与所述栅极相对应的所述栅绝缘层上的有源层的两侧；第二伪图案，其布置在所述栅绝缘层上并与所述非显示区相对应；以及与所述漏极电连接的像素电极，其中所述第一伪图案和所述第二伪图案形成在不同层上并交替布置，所述液晶显示装置还包括导电线图案，其形成在具有所述第一伪图案的第一基板的外侧区域上；以及第二基板，其具有通过所述导电线图案与所述第一伪图案连接的公共电极。
在本发明的又一方面中，提供了一种制造LCD的方法，包括：提供第一基板；在所述第一基板上沉积第一导电材料之后，通过构图工艺形成栅极和第一伪图案；在包括所述栅极和所述第一伪图案的第一基板的整个表面上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成有源层、以及源极和漏极；在包括所述有源层、以及所述源极和漏极的第一基板的所述整个表面上形成保护层；在所述保护层中形成第一接触孔和第二接触孔，以露出所述漏极和所述第一伪图案；以及形成像素电极，其通过所述第一接触孔与所述漏极连接，其中所述第一伪图案布置在与外部电路部分连接的多个焊盘部分之上和多个焊盘部分之间，所述方法还包括：将导电线图案形成在具有所述第一伪图案的第一基板的外侧区域上；以及提供第二基板，其具有通过所述导电线图案与所述第一伪图案连接的公共电极。
在本发明的又一方面中，提供了一种制造LCD的方法，包括：提供第一基板；在所述第一基板上沉积第一导电材料之后，通过构图工艺形成栅极和第一伪图案；在包括所述栅极和所述第一伪图案的第一基板的整个表面上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成有源层、源极和漏极、以及第二伪图案；在包括所述有源层、所述源极和漏极、以及所述第二伪图案的第一基板的所述整个表面上形成保护层；在所述保护层中形成第一接触孔和第二接触孔，以露出所述漏极和所述第一伪图案；以及形成像素电极，其通过所述第一接触孔与所述漏极连接，其中所述第一伪图案和所述第二伪图案形成在不同层上并交替布置，所述方法还包括：将导电线图案形成在具有所述第一伪图案的第一基板的外侧区域上；以及提供第二基板，其具有通过所述导电线图案与所述第一伪图案连接的公共电极。
根据本发明，由于通过具有高密度导电球的导电线图案使第一基板导电至第二基板，因此可以提高制造LCD的生产率。
另外，由于作为第一基板的导电部分的第一伪图案可以使用低阻抗的栅极金属形成，因此可以有效地向第二基板的公共电极供应从外部电路部分供应的公共电压。
另外，由于作为第一基板的导电部分的第一伪图案可以设计成与数据线的延长线或数据焊盘电极交叠，因此可以增加第一伪图案的设计边缘面积。
另外，由于第一伪图案和第二伪图案交替布置以克服在第一伪图案与数据焊盘之间的台阶高度，因此可以防止在第一基板和第二基板之间的不规则单元间隙。
应理解的是，对本发明前面的一般描述和下面的详细描述是示例性和说明性的，并旨在提供对所要求的本发明的进一步说明。
附图说明
所包括的附图用以提供对本发明的进一步理解，附图被并入而构成了本申请的一部分，示出了本发明的实施例并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1A和图1B是使用现有技术的导电线图案的LCD的视图；
图2A到图2C是根据本发明实施例的LCD的视图；
图3是沿图2A的线III-III′剖取的剖视图；
图4A至图4E是沿图2A的线III-III′剖取的剖视图，以示出根据本发明实施例的LCD的制造方法；
图5是沿着图2A的线III-III′剖取的剖视图；以及
图6A至图6E是沿图2A的线III-III′剖取的剖视图，以示出根据本发明实施例的LCD的制造方法。
具体实施方式
下面将详细说明本发明的优选实施例，在附图中显示了其示例。在所有附图中，尽可能地用相同的附图标记表示相同或相似部件。
图2A和图2C是根据本发明实施例的LCD的视图。图2A是当从LCD移除第二基板的I-I′部分时的平面图。图2B和图2C是图2A的导电部分850的视图。
参照图2A，LCD由显示区A和非显示区B限定。LCD包括：第一基板100和第二基板200，它们布置成在其间保持预定单元间隙；以及插设在第一基板100和第二基板200之间的液晶层(未示出)。
在第一基板100中与显示区A相对应地，多条选通线400和数据线500相交叉以限定多个单位像素。各单位像素包括至少一个薄膜晶体管(TFT)以及由TFT驱动的像素电极。在第一基板100的一侧与非显示区B相对应地，在选通线400的端部上布置选通焊盘部分700，用于连接外部电路部分。在第一基板100的另一侧，在数据线500的端部上布置数据焊盘部分800，用于连接外部电路部分。这里，使用带有驱动IC的带载封装(TCP)通过柔性带自动连接(TAB)900将各焊盘部分连接至外部电路部分。另外，第二基板200包括：滤色器层，用于在对应于各单位像素的区域中显示颜色；以及在该滤色器层上的公共电极。
第一基板100和第二基板200通过在第一基板100和第二基板200外侧中的导电线图案300而彼此附接。导电线图案300将第一基板100附接在第二基板200上，并且还电连接第一基板100和第二基板200的预定部分。第一基板100包括布置在与非显示区B相对应的预定部分上的导电部分850。导电线图案300形成在该导电部分850上。这样，导电部分850接收从外部施加的公共电压，并通过导电线图案300向第二基板200的公共电极供应该公共电压。
参照图2B，导电部分850包括：数据焊盘部分800以及在数据焊盘部分800上和在它们之间的第一伪图案850a。第一伪图案850a可以由与图2A的选通线400相同的金属形成。这里，由于选通线400和栅极通常由低阻抗的金属形成，因此第一伪图案850a可以由低阻抗的金属形成。例如，第一伪图案850a可以由选自下组中的至少一种形成，该组包括：钽(Ta)、铝(Al)、钛(Ti)、镍(Ni)和铝钕合金(AlNd)。
另外，参照图2C，导电部分850还包括第二伪图案850c，其与第一伪图案850a交替布置。第二伪图案850c并不直接与导电线图案300相连，而用于补偿在伪图案850a与数据焊盘部分之间的台阶高度产生的不规则单元间隙。此外，第二伪图案850c可以由与数据线相同的金属形成。这样，可以减少因不规则单元间隙产生的图像质量劣化。
参照图2A，导电线图案300包括密封剂和导电球。导电球可以由选自下组中的至少一种形成，该组包括：银(Ag)、金(Au)、铅-银(Pb-Ag)和铅-锡(Pb-Sn)。导电线图案300中的导电球用于电连接导电部分和公共电极。
因此，当导电部分850由与选通线400和栅极相同的低阻抗金属形成时，可以没有损失地向公共电极有效地供应来自外部的公共电压。
下面将参照沿图2A的线III-III′剖取的剖视图来更详细地描述本发明的LCD及其制造方法。
图3是沿图2A的线III-III′剖取的剖视图。
参照图3，由显示区A和非显示区B限定了第一基板100。
在第一基板100上与显示区A对应地布置有多条图2A的选通线400和栅极410。在第一基板100上与非显示区B对应地布置数据线的延长线520。伪图案850a布置在数据部分之间的非显示区B处，并且伪图案850a、选通线、数据焊盘电极通过使用相同的材料形成在相同的层中。
第一伪图案850a可以由低阻抗的金属形成。例如，第一伪图案850a可以由选自下组中的至少一种形成，该组包括：Ta、Al、Ti、Ni和AlNd。
由于栅极410通常由低阻抗的金属形成，因此第一伪图案850a可以由与栅极410相同的导电材料形成。这样，无需另外的工艺来形成第一伪图案850a。
在具有栅极410和第一伪图案850a的第一基板100上布置有栅绝缘层110。
在栅绝缘层110上与栅极410相对应地形成有源层430，并且源极450a/漏极450b在有源层430的两侧上彼此间隔开。另外，在栅绝缘层110上与非显示区B相对应地布置有数据线的延长线520。在数据线的延长线520的端部上布置有数据焊盘电极(未示出)。
在具有源极450a/漏极450b的栅绝缘层110上布置有保护层120。保护层120包括使漏极450b的一部分露出的第一接触孔P1、和使第一伪图案850a的一部分露出的第二接触孔P2。
像素电极600通过第一接触孔P1与漏极450b电连接，并且第一伪图案接触部分850b通过第二接触孔P2与第一伪图案850a电连接。
像素电极600可以由与第一伪图案接触部分850b相同的导电材料形成。另外，第一伪图案接触部分850b可以由铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成。这里，第一伪图案接触部分850b可用于防止第一伪图案850a的腐蚀。
在具有像素电极600的显示区A的保护层120上布置有用于液晶的初始配向的第一配向层(未示出)。
另一方面，第二基板200与第一基板100间隔开预定间隔。第二基板200包括：在与第一基板100的各单位像素相对应的区域中的滤色器层210；以及在具有滤色器层210的第一基板100上的公共电极220。公共电极220可以由例如ITO和IZO的透明导电材料形成。
另外，在第一基板100和第二基板200的外侧上布置有导电线图案300。导电线图案300布置在第一基板100的第一伪图案850a上。第一伪图案850a通过导电线图案300与公共电极220电连接。导电线图案300可以包括密封剂300a和导电球300b。导电球300b可以由选自下组中的至少一种形成，该组包括：Ag、Au、Pb-Ag和Pb-Sn。这样，第一伪图案850a通过导电线图案300中的导电球300b与公共电极220电连接。
另外，第一伪图案850a形成在数据焊盘部分上和在数据焊盘部分之间。由于第一伪图案850a形成在保护层120上，因此其并不接触数据焊盘部分或数据线的延长线。第一伪图案850a可以形成为与数据线的延长线520或数据焊盘部分交叠。这样，当形成第一伪图案850a时，可以不考虑数据焊盘部分或数据线的延长线520进行设计。
保护层120可以由低介电常数的绝缘层形成。这样可以防止因第一伪图案850a与数据焊盘部分或数据线的延长线520交叠而产生寄生电容。
当通过导电球300b使第一基板100和第二基板200导电时，可以通过在与栅极410和选通线相同的层上形成第一伪图案850a，而使得第一伪图案850a形成有比现有技术更大的尺寸。第一伪图案850a向第二基板200供应公共电压。另外，第一伪图案850a可以由低阻抗的金属形成，从而更有效地向公共电极220供应公共电压。
图4A至图4E是沿图2A的线III-III′剖取的剖视图，以示出根据本发明实施例的LCD的制造方法。
参照图4A，第一基板100由显示区A和非显示区B限定。这里，第一基板100可以由玻璃或塑料形成。
在第一基板100上沉积第一导电材料。第一导电材料可以是低阻抗的金属。第一导电材料可以由选自下组中的至少一种形成，该组包括：Ta、Al、Ti、Ni和AlNd。
接下来，通过对第一导电材料构图而形成多条选通线和向与选通线的方向不同的方向伸出的栅极410。另外，在对应于非显示区B的区域上形成选通线的延长线以及布置在选通线的延长线的端部上的选通焊盘电极和第一伪图案850a。
接着，在具有栅极410和第一伪图案850a的第一基板100的整个表面上形成栅绝缘层110。可以通过化学气相沉积(CVD)工艺沉积氮化硅或氧化硅而形成栅绝缘层110。
参照图4B，在栅绝缘层110上顺序沉积非晶硅和掺有杂质的非晶硅。然后，通过对非晶硅层和掺有杂质的非晶硅层进行构图，而在对应于栅极410的区域上形成有源层430。
接着，在具有有源层430的栅绝缘层110上沉积第二导电材料，然后对其进行构图。然后，在有源层430的两侧上彼此间隔开地形成源极450a/漏极450b。各数据线形成为与选通线交叉。这样，在显示区A中通过选通线和数据线限定了单位像素。另一方面，在栅绝缘层110上与非显示区B相对应地形成数据线的延长线520以及在数据线的延长线520的端部上的数据焊盘电极。
使用另一掩模工艺形成有源层430以及源极450a/漏极450b，但本发明并不限于此。因而，可以使用相同的掩模工艺形成有源层430以及源极450a/漏极450b。可以在数据线的底部和数据焊盘电极上布置非晶硅层和掺有杂质的非晶硅层。
接着，在具有源极450a/漏极450b的栅绝缘层110上形成保护层120。可以使用CVD工艺由氧化硅或氮化硅形成保护层120。保护层120可以由低介电常数的苯并环丁烯BCB形成。这样允许将保护层120插设在第一伪图案850a与数据线的延长线520或数据焊盘部分之间。当第一伪图案850a设计有更大尺寸时，第一伪图案850a可以形成为与数据线的延长线520或数据焊盘部分交叠。然而，由于在其中第一伪图案850a与数据线的延长线520或数据焊盘部分交叠的区域中可以产生寄生电容，因此保护层120可以由低介电常数的绝缘层形成。
参照图4C，在保护层120上形成第一接触孔P1以使漏极450b的一部分露出。此时，可以同时形成第二接触孔P2以使第一伪图案850a的一部分露出。可以通过集中地蚀刻保护层120和栅绝缘层100而形成第二接触孔P2。
参照图4D，在保护层120上沉积透明的导电材料，然后对其进行构图。这样，通过第一接触孔P1形成与漏极450b电连接的像素电极600。透明的导电材料可以是ITO或IZO。另一方面，同时形成第一伪图案接触部分850b，其与通过第二接触孔P2露出的第一伪图案850a电连接。由于可以防止第一伪图案850a的外部被腐蚀，因此可以实现LCD的可靠性。还可以在像素电极600上形成第一配向层(未示出)。
参照图4E，在具有第一伪图案850a的第一基板100上形成具有密封剂300a和导电球300b的导电线图案300。导电球可以由选自下组中的至少一种形成，该组包括：Ag、Au、Pb-Ag和Pb-Sn。另外，导电线图案300可以形成在第二基板上。
接下来，在第一基板100上布置第二基板200。通过压力将第一基板100和第二基板200接合。这里，第二基板200在与第一基板100的单位像素相对应的区域上包括滤色器层210和公共电极220。另外，还可以在公共电极220上形成配向层(未示出)。
可以通过导电线图案300将第一基板100和第二基板200接合在一起。第一基板100的第一伪图案850a与第二基板200的公共电极220电连接。
因此，通过导电线图案300的导电球300b将供应给第一伪图案850a的公共电压向公共电极220供应。
图5是沿着图2A的线III-III′剖取的剖视图。
这里，除了添加了第二伪图案850c之外，附图中相同的附图标记表示相同的元件。
参照图5，由显示区A和非显示区B限定第一基板100。在第一基板100上与显示区A相对应地布置有多条选通线和栅极410。在第一基板100上与非显示区B相对应地布置有选通线的延长线520。伪图案850a布置在数据部分之间的非显示区B处，并且伪图案850a、选通线、数据焊盘电极通过使用相同的材料形成在相同的层中。第一伪图案850a可以由低阻抗的金属形成。例如，第一伪图案850a可以由选自下组中的至少一种形成，该组包括：Ta、Al、Ti，Ni和AlNd。
由于栅极410由低阻抗的金属形成，因此第一伪图案850a可以由与栅极410相同的导电材料形成。这样，无需附加处理来形成第一伪图案850a。
在具有栅极410和第一伪图案850a的第一基板100上布置有栅绝缘层110。
在栅绝缘层110上与栅极410相对应地形成有源层430，并且源极450a/漏极450b在有源层430的两侧上彼此间隔开。另外，在栅绝缘层110上与非显示区B相对应地布置第二伪图案850c。
第二伪图案850c与第一伪图案850a交替布置。由于可以克服第一伪图案850a与数据线的延长线或数据焊盘部分之间的台阶高度，因此可以减少因不规则单元间隙产生的图像质量劣化。
在具有源极450a/漏极450b的栅绝缘层110上布置保护层120。保护层120包括使漏极450b的一部分露出的第一接触孔P1、和使第一伪图案850a的一部分暴露的第二接触孔P2。
像素电极600布置成通过第一接触孔P1与漏极450b电连接。第一伪图案接触部分850b布置成通过第二接触孔P2与第一伪图案850a电连接。这里，通过第二伪图案850c增加了第一伪图案接触部分850b与导电线图案300接触的面积。这样，可以容易地向第二基板200中的公共电极供应公共电压。另外，由于增加了与导电线图案的接触面积，因此可以提高第一基板100与第二基板200之间的粘合强度。
像素电极600可以由与第一伪图案接触部分850b相同的导电材料形成。另外，第一伪图案接触部分850b可以由ITO或IZO形成。这里，第一伪图案接触部分850b可用于减少第一伪图案850a的腐蚀。
在具有像素电极600的显示区A的保护层120上布置有用于液晶的初始配向的第一配向层(未示出)。
另一方面，第二基板200与第一基板100间隔开预定间隔。第二基板200包括：在与第一基板100的各单位像素相对应的区域中的滤色器层210；以及在具有滤色器层210的第一基板100上的公共电极220。公共电极220可以由例如ITO和IZO的透明导电材料形成。
另外，在第一基板100和第二基板200的外侧上布置有导电线图案300。导电线图案300布置在第一基板100的第一伪图案850a和第二伪图案接触部分850b上。第一伪图案850a通过导电线图案300与公共电极220电连接。导电线图案300可以包括密封剂300a和导电球300b。导电球300b可以由选自下组中的至少一种形成，该组包括：Ag、Au、Pb-Ag和Pb-Sn。这样，第一伪图案850a通过导电线图案300中的导电球300b与公共电极220电连接。另外，第二伪图案850c用于克服数据线的延长线520或数据焊盘部分之间的台阶高度，并且还增加了与导电线图案300的接触面积。这样，可以提高粘合强度和电压灵活性(voltage mobility)。
如上所述，第一伪图案850a形成在数据焊盘部分上以及数据焊盘部分之间，并且其形成在数据焊盘部分或数据线的延长线520上的保护层120上。这样，当形成第一伪图案850a时，可以不考虑数据焊盘部分或数据线的延长线520地进行设计。另外，当通过导电球300b使第一基板100和第二基板200导电时，第一伪图案850a形成在与栅极410相同的层上。第一伪图案850a是用于向第二基板200供应公共电压的导电部分。这样，第一伪图案850a可以形成有比现有技术更大的尺寸。另外，由于第一伪图案850a可以由低阻抗的金属形成，因此可以更有效地向公共电极220供应公共电压。
图6A至图6E是沿图2A的线III-III′剖取的剖视图，以示出根据本发明实施例的LCD的制造方法。除了附加的第二伪图案850c之外，附图中相同的附图标记表示相同的元件。
参照图6A，第一基板100由显示区A和非显示区B限定。这里，第一基板100可以由玻璃或塑料形成。
在第一基板100上沉积第一导电材料。第一导电材料可以是低阻抗的金属。第一导电材料可以由选自下组中的至少一种形成，该组包括：Ta、Al、Ti、Ni和AlNd。
接下来，通过对第一导电材料构图而形成多条选通线和以与选通线的方向不同的方向伸出的栅极410。另外，在对应于非显示区B的区域上形成选通线的延长线以及布置在选通线的延长线的端部上的选通焊盘电极和第一伪图案850a。
接着，在具有栅极410和第一伪图案850a的第一基板的整个表面上形成栅绝缘层110。可以通过CVD工艺沉积氮化硅或氧化硅而形成栅绝缘层110。
参照图6B，在栅绝缘层110上顺序沉积非晶硅和掺有杂质的非晶硅。然后，通过对非晶硅层和掺有杂质的非晶硅层进行构图，而在对应于栅极410的区域上形成有源层430。
接着，在具有有源层430的栅绝缘层110上沉积第二导电材料，然后对其进行构图。然后，在有源层430的两侧上彼此间隔开地形成源极450a/漏极450b。各数据线形成为与选通线交叉。此时，在显示区A中由选通线和数据线限定了多个单位像素。另一方面，在栅绝缘层110上与非显示区B相对应地形成数据线的延长线520、以及在数据线的延长线520的端部上的数据焊盘电极和第二伪图案850c。此时，可以将第二伪图案850c和第一伪图案850a形成为交替布置。
这里，使用另一掩模工艺形成有源层430以及源极450a/漏极450b，但本发明并不限于此。这样，可以使用相同的掩模工艺形成有源层430以及源极450a/漏极450b。可以在数据线的底部和数据焊盘电极上布置非晶硅层和掺有杂质的非晶硅层。
接着，在具有源极450a/漏极450b的栅绝缘层110上形成有保护层120。可以使用CVD工艺由氧化硅或氮化硅形成保护层120。保护层120可以由低介电常数的苯并环丁烯BCB形成。在其中第一伪图案850a与数据线的延长线520或数据焊盘部分交叠的区域中可以产生寄生电容。
参照图6C，在保护层120上形成第一接触孔P1以使漏极450b的一部分露出。此时，可以同时形成第二接触孔P2以使第一伪图案850a的一部分露出。可以通过集中地蚀刻保护层120和栅绝缘层100而形成第二接触孔P2。
参照图6D，在保护层120上沉积透明的导电材料，然后对其进行构图。这样，通过第一接触孔P1形成与漏极450b电连接的像素电极600。透明的导电材料可以是ITO或IZO。另一方面，同时形成第一伪图案接触部分850b，其与通过第二接触孔P2露出的第一伪图案850a电连接。由于可以防止第一伪图案850a的外部被腐蚀，因此可以实现LCD的可靠性。还可以在像素电极600上形成第一配向层(未示出)。
参照图6E，在具有第一伪图案850a的第一基板100上形成具有密封剂300a和导电球300b的导电线图案300。导电球可以由选自下组中的至少一种形成，该组包括：Ag、Au、Pb-Ag和Pb-Sn。
接下来，在第一基板100上布置第二基板200。通过压力将第一基板100和第二基板200接合。这里，第二基板在与第一基板100的单位像素相对应的区域上包括滤色器层210和公共电极220。另外，还可以在公共电极220上形成第二配向层(未示出)。
可以通过导电线图案300将第一基板100和第二基板200接合在一起。第一基板100的第一伪图案850a与第二基板200的公共电极220电连接。
因此，通过导电线图案300的导电球300b向公共电极220供应供应给第一伪图案850a的公共电压。
根据本发明，由于第一基板通过具有高密度导电球的导电线图案向第二基板导电，因此可以提高制造LCD的生产率。
另外，由于作为第一基板的导电部分的第一伪图案可以使用低阻抗的栅极金属形成，因此可以有效地向第二基板的公共电极供应从外部电路部分供应的公共电压。
另外，由于作为第一基板的导电部分的第一伪图案可以设计成与数据线的延长线或数据焊盘电极交叠，因此可以增加第一伪图案的设计边缘面积。
另外，由于第一伪图案和第二伪图案交替布置以克服在第一伪图案与数据焊盘之间的台阶高度，因此可以防止在第一基板和第二基板之间的不规则单元间隙。
对于本领域技术人员显而易见的是，可以对本发明作出各种修改和变型。因而，本发明旨在覆盖落在所附权利要求及其等价物范围内的本发明的这些修改和变型。

Claims (27)

1、一种液晶显示装置，包括：
由显示区和非显示区限定的第一基板和第二基板，它们彼此间隔开预定间隔；
插设在所述第一基板和第二基板之间的液晶层；
导电部分，其形成在所述第一基板的至少一侧上并与所述非显示区相对应，该导电部分从外部接收公共电压且具有由与所述显示区中的选通线相同的金属形成的第一伪图案；
形成在所述第二基板上的公共电极；以及
导电线图案，其将所述公共电极和所述导电部分电连接以向所述公共电极提供所述公共电压，并将所述第一基板和第二基板相附接。
2、根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述导电部分还包括第二伪图案。
3、根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述第二伪图案和所述第一伪图案交替布置。
4、根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述第二伪图案由与所述选通线交叉的数据线相同的金属形成。
5、根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述导电部分布置在用于连接至外部电路部分的焊盘部分之间。
6、根据权利要求5所述的液晶显示装置，其中，所述焊盘部分是数据焊盘部分。
7、根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述导电线图案包括密封剂和导电球。
8、根据权利要求7所述的液晶显示装置，其中，所述导电球由选自下组中的至少一种形成，该组包括Ag、Au、Pb-Ag和Pb-Sn。
9、一种液晶显示装置，包括：
由显示区和非显示区限定的第一基板；
栅极，布置在所述第一基板上并与所述显示区相对应；
第一伪图案，其布置在所述第一基板上并与所述非显示区相对应，且形成在与所述栅极相同的层上；
栅绝缘层，其形成在包括所述栅极和所述第一伪图案的第一基板的整个表面上；
源极和漏极，它们彼此间隔开地形成在与所述栅极相对应的所述栅绝缘层上的有源层的两侧；以及
与所述漏极电连接的像素电极，
其中所述第一伪图案布置在与外部电路部分连接的多个焊盘部分之上和多个焊盘部分之间，
所述液晶显示装置还包括导电线图案，其形成在具有所述第一伪图案的第一基板的外侧区域上；以及第二基板，其具有通过所述导电线图案与所述第一伪图案连接的公共电极。
10、根据权利要求9所述的液晶显示装置，还包括：
保护层，形成在包括所述源极和漏极的所述栅绝缘层上；
第一接触孔和第二接触孔，它们形成在所述保护层中以使所述漏极和所述第一伪图案露出；以及
第一伪图案接触部分，其通过所述第二接触孔与所述第一伪图案电连接。
11、根据权利要求10所述的液晶显示装置，其中，所述第一伪图案接触部分由与所述像素电极相同的导电材料形成。
12、根据权利要求10所述的液晶显示装置，其中，所述第一伪图案接触部分由铟锡氧化物或铟锌氧化物中的一种形成。
13、根据权利要求9所述的液晶显示装置，其中，所述第一伪图案由选自下组中的至少一种形成，该组包括：Ta，Al，Ti，Ni和AlNd。
14、根据权利要求9所述的液晶显示装置，其中，所述第一伪图案由与所述栅极相同的金属形成。
15、一种液晶显示装置，包括：
由显示区和非显示区限定的第一基板；
栅极，布置在所述第一基板上并与所述显示区相对应；
第一伪图案，其布置在所述第一基板上并与所述非显示区相对应；
栅绝缘层，其形成在包括所述栅极和所述第一伪图案的第一基板的整个表面上；
源极和漏极，它们彼此间隔开地形成在与所述栅极相对应的所述栅绝缘层上的有源层的两侧；
第二伪图案，其布置在所述栅绝缘层上并与所述非显示区相对应；以及
与所述漏极电连接的像素电极，其中所述第一伪图案和所述第二伪图案形成在不同层上并交替布置，
所述液晶显示装置还包括导电线图案，其形成在具有所述第一伪图案的第一基板的外侧区域上；以及第二基板，其具有通过所述导电线图案与所述第一伪图案连接的公共电极。
16、根据权利要求15所述的液晶显示装置，还包括：
保护层，形成在具有所述源极和漏极的所述栅绝缘层上；
第一接触孔和第二接触孔，它们形成在所述保护层中以使所述漏极和所述第一伪图案露出；以及
第一伪图案接触部分，其通过所述第二接触孔与所述第一伪图案电连接。
17、根据权利要求16所述的液晶显示装置，其中，所述第一伪图案接触部分由与所述像素电极相同的导电材料形成。
18、根据权利要求15所述的液晶显示装置，其中，所述第一伪图案由与所述栅极相同的金属形成。
19、根据权利要求15所述的液晶显示装置，其中，所述第二伪图案由与所述源极和漏极相同的金属形成。
20、一种制造液晶显示装置的方法，包括：
提供第一基板；
在所述第一基板上沉积第一导电材料之后，通过构图工艺形成栅极和第一伪图案；
在包括所述栅极和所述第一伪图案的第一基板的整个表面上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成有源层、以及源极和漏极；
在包括所述有源层、以及所述源极和漏极的第一基板的所述整个表面上形成保护层；
在所述保护层中形成第一接触孔和第二接触孔，以使所述漏极和所述第一伪图案暴出；以及
形成像素电极，其通过所述第一接触孔与所述漏极连接，
其中所述第一伪图案布置在与外部电路部分连接的多个焊盘部分之上和多个焊盘部分之间，
所述方法还包括：将导电线图案形成在具有所述第一伪图案的第一基板的外侧区域上；以及提供第二基板，其具有通过所述导电线图案与所述第一伪图案连接的公共电极。
21、根据权利要求20所述的方法，还包括：在形成所述像素电极期间形成第一伪图案接触部分，其通过所述第二接触孔与所述第一伪图案电连接。
22、根据权利要求20所述的方法，还包括：将所述第一基板和第二基板相附接，该第二基板与所述第一基板间隔开预定间隔。
23、根据权利要求22所述的方法，其中，所述导电线图案包括密封剂和导电球。
24、一种制造液晶显示装置的方法，包括：
提供第一基板；
在所述第一基板上沉积第一导电材料之后，通过构图工艺形成栅极和第一伪图案；
在包括所述栅极和所述第一伪图案的第一基板的整个表面上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成有源层、源极和漏极、以及第二伪图案；
在包括所述有源层、所述源极和漏极、以及所述第二伪图案的第一基板的所述整个表面上形成保护层；
在所述保护层中形成第一接触孔和第二接触孔，以使所述漏极和所述第一伪图案露出；以及
形成像素电极，其通过所述第一接触孔与所述漏极连接，其中所述第一伪图案和所述第二伪图案形成在不同层上并交替布置，
所述方法还包括：将导电线图案形成在具有所述第一伪图案的第一基板的外侧区域上；以及提供第二基板，其具有通过所述导电线图案与所述第一伪图案连接的公共电极。
25、根据权利要求24所述的方法，还包括：在形成所述像素电极期间形成第一伪图案接触部分，所述第一伪图案接触部分通过所述第二接触孔与所述第一伪图案电连接。
26、根据权利要求24所述的方法，还包括：将所述第一基板和第二基板相附接，该第二基板与所述第一基板间隔开预定间隔。
27、根据权利要求26所述的方法，其中，所述导电线图案包括密封剂和导电球。
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