CN1959513A - 一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构，在这种结构中，底部栅电极和栅极引线的厚度、层状结构或材料不同。该结构的制作方法是在制作薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)的薄膜晶体管(TFT)阵列(Array)时，用于形成像素驱动电极和底部栅电极的导电薄膜是通过同一工艺过程形成的由下层透明导电层和上层金属层构成的复合薄膜。制作完成后，底部栅电极保持复合薄膜的层状结构，而透明的像素驱动电极由复合膜剥离不透明的金属层后的透明导电层形成。通过上述结构和方法制造的薄膜晶体管阵列结构，使底部栅极薄膜晶体管阵列结构更加合理，制作工艺更加简单。

Description

一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构及其制造方法

技术领域

该发明属于薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)领域，尤其是与薄膜晶体管阵列(TFT Array)更具相关性。

背景技术

对大尺寸TFT LCD而言，TFT LCD阵列的引线随之增长，因此保持较低的阵列引线电阻十分关键。在材料电阻率一定的前提下，降低TFT LCD阵列引线电阻的办法是制作更宽、更厚的引线。通常更宽的引线会降低像素开口率，在此不进行详述。

目前，用于有源LCD的a-Si TFT阵列结构中，绝大部分采用底部栅极背沟道腐蚀型TFT阵列单元结构，5mask工艺技术为其实现的主流工艺技术。图1、图1A和图1B中是一种目前大量采用典型的5Masks工艺制作的底栅型TFT阵列单元结构。其中，底部栅电极和栅极引线是在同一工艺步骤中形成的，厚度结构相同。通常，为保证栅极引线的导电性，电极较厚，造成TFT结构的不平整，其典型的TFT单元结构和实现这种结构的5mask工艺流程见图1C。

这种方法对器件结构和工艺有两个限制，一是栅极和栅极引线同质、同构；二是栅极引线必须在栅绝缘层、有源层等结构形成之前制作。在此限制下，当试图通过增厚电极降低栅引线电阻时，底栅也随之增厚。这种方法会产生以下负面影响，一是栅的上层结构薄膜的台阶覆盖困难，易产生缺陷；二是整个TFT阵列基板的平整性下降，对后续的Cell工艺产生不利影响；三是制作顺序的限制不利于TFT阵列引线的整体优化。

此外，通过简化工艺步骤降低成本，也是制作是TFT器件一种典型的思路。比较典型的简化技术有利用half tone mask技术，把5mask工艺简化为4mask工艺，其中，a-Si有源层masking和源漏电极masking合并成一次。通过half tone mask技术的4mask工艺，原来的a-Si有源层masking和源漏金属masking被合并为1次masking。总体上对5mask工艺简化效果如图2。主要效果在于简化了1次mask工序。如果源漏金属采用干法刻蚀，还可能与a-Si的干法腐蚀进行合并，进一步简化。但half tone masking工艺难度大，简化效果也有限。简化工艺的基础是相邻的工艺过程类同，方法相似，顺序兼容。目前主流的底栅沟道腐蚀型TFT阵列结构，沉积和腐蚀方法差异很大的金属(或ITO)层与a-Si(或SiNx)层相间排列，在不改变这一结构的条件下，仅通过工艺方法的变化(如half tone技术)进行工艺简化的效果是有限的。

发明内容

因此，本发明目的是提供一种可较好的满足TFT LCD中对TFT结构平整性和引线导电性要求的底部栅极薄膜晶体管阵列结构。本发明的另一目的是通过简化薄膜晶体管阵列的制造工艺过程，降低制造成本。

为了实现上述目的，本发明提供一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构，包括：玻璃基板，形成于玻璃基板上的底部栅电极，形成于底部栅电极上的包含有有源沟道的CVD复合膜，沟道一端的源漏电极与源漏引线相连，另一端的源漏电极与像素驱动电极引线相连，底部栅电极与栅极引线相连，其特征在于：所述的底部栅电极和栅极引线为分别制作的两个独立的部分，其厚度、层状结构或材料不同。

其中所述的底部栅电极为层结构不连续的结构，其被其上绝缘层和栅极引线遮住部位是由下层透明导电层和上层金属层复合薄膜形成的，未被遮住部位为透明导电层，下层透明导电层和上层金属层复合薄膜为ITO层与金属Mo层，透明导电层为ITO层。所述的源漏引线在与栅极引线交叉处是通过源漏引线跨接线进行连接的，源漏引线跨接线位于栅极引线和源漏引线的下方，且源漏引线跨接线与栅极引线之间由CVD复合膜形成的绝缘层隔开。所述源漏引线跨接线为层结构不连续的结构，其被源漏引线及源漏引线跨接线上的绝缘层遮住部位为下层透明导电层和上层金属层复合薄膜形成的，未被遮住部位为透明导电层，下层透明导电层和上层金属层复合薄膜为ITO层与金属Mo层，透明导电层为ITO层。所述的底部栅电极和栅极引线连接处为栅极引线在上、栅电极在下。所述的像素驱动电极与薄膜晶体管有源沟道一端的源漏电极是通过像素驱动电极引线连接的，且像素驱动电极引线位于像素驱动电极之上。所述的栅极引线在一侧与阵列的相邻行对应像素延伸到该栅极引线下方的像素驱动电极形成存储电容，其介质层为CVD复合膜。

为了实现上述目的，本发明提供一种制作底部栅极薄膜晶体管阵列结构方法，该方法包括：在玻璃基板上形成下层透明导电层和上层金属层复合薄膜结构的像素驱动电极、栅电极、源漏引线跨接线步骤；在栅电极上、相邻的像素驱动电极上、源漏引线跨接线上分别形成薄膜晶体管部分、存储电容介质层部分和源漏引线跨接线上的绝缘层步骤；形成栅极引线、源漏引线、像素驱动电极引线步骤；剥离复合薄膜、形成薄膜晶体管的导电沟道步骤；形成钝化层步骤。

其中所述的形成像素驱动电极、栅电极、源漏引线跨接线步骤是用磁控溅射的方法，在玻璃基板上形成下层透明导电层和上层金属层的复合薄膜，然后进行掩膜，并用对应的腐蚀液腐蚀上层金属层和下层透明导电层，形成像素驱动电极、栅电极和源漏引线跨接线图形。所述的剥离复合薄膜步骤为复合膜湿法蚀刻，其是在形成栅极引线、源漏引线、像素驱动电极引线后，通过增加腐蚀时间和/或变更腐蚀剂手段获得的。所述的下层透明导电层和上层金属层构成的复合薄膜为ITO层和金属Mo层。所述的薄膜晶体管部分，存储电容介质层部分和源漏引线跨接线上的绝缘层为SiNx/a-Si/n+a-Si复合膜。所述的步骤形成的栅电极的厚度薄于栅极引线的厚度。

通过本发明提供的底部栅极薄膜晶体管阵列结构，由于其底部栅电极和栅极引线可以采用不同的材质或结构等分别制作，厚度也可以在较大的范围内按需要分别选择，因此底部栅电极相对于栅极引线做得很薄，因此与常规5Masks工艺厚底部栅电极TFT结构相比，栅绝缘层、有源层和引线电极等各层薄膜均相对平整，容易形成良好的台阶覆盖性，减少缺陷的产生。

本发明提供的制作底部栅极薄膜晶体管阵列结构方法，通过溅射的方法形成透明导电层/金属层复合膜，1次mask工艺及对应的腐蚀工艺，同时形成像素驱动电极、底部栅电极等图形。并且，透明导电层、金属通常都采用湿法腐蚀，因此也有可能在一次湿法腐蚀工艺步骤中，通过变换腐蚀条件完成腐蚀。这样有可能在原来5mask工艺技术的基础上，减少1次mask工艺、1次溅射工艺和1次湿法腐蚀工艺，如图3所示，且降低了薄膜晶体管的制作成本。

下面结合说明书附图和具体实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为一种典型5mask工艺底栅背沟道腐蚀型TFT阵列单元俯视图；

图1A为图1A-A部分截面图；

图1B为图1B-B部分截面图；

图1C为5mask工艺流程图；

图2为half tone mask技术的4mask工艺总体上对5mask工艺简化效果图；

图3为本发明复合膜淀积光刻后的状态图；

图3A为图3A-A部分截面图；

图3B为图3B-B部分截面图；

图3C为图3C-C部分截面图；

图3D为图3D-D部分截面图；

图4为本发明CVD复合膜淀积光刻后的状态图；

图4A为图4A-A部分截面图；

图4B为图4B-B部分截面图；

图4C为图4C-C部分截面图；

图4D为图4D-D部分截面图；

图5为本发明工艺步骤完成后的TFT阵列单元结构；

图5A为图5A-A部分截面图；

图5B为图5B-B部分截面图；

图5C为图5C-C部分截面图；

图5D为图5D-D部分截面图；

图6为本发明的工艺流程图；

图7为本发明的技术工艺总体上对5mask工艺简化效果图。

图中标识：

1、基板；

2-1、透明导电层/金属层复合薄膜，像素驱动电极部分；

2-2、透明导电层/金属层复合薄膜，栅电极部分；

2-3、透明导电层/金属层复合薄膜，源漏引线跨接线部分；

3-1、金属层部分剥离后的透明导电层/金属层复合薄膜，像素驱动电极部分；

3-2、金属层部分剥离后的透明导电层/金属层复合薄膜，栅电极部分；

3-3、金属层部分剥离后的透明导电层/金属层复合薄膜，源漏引线跨接线部分；

4-1、TFT部分；

4-2、源漏引线跨接线上的绝缘层部分；

4-3、存储电容介质层部分；

5-1、引线电极，栅极引线部分；

5-2、引线电极，源漏引线部分；

5-3、像素驱动电极引线；

6、钝化层。

具体实施方式

下面结合附图说明和具体实施例，对本发明进行进一步详细说明：

参见图5，图中所示是一种采用本发明的TFT阵列单元结构。其中，底部栅电极3-2和栅极引线5-1是用不同的工艺步骤分别制作的。因此，栅电极3-2和栅极引线5-1可以用不同的材料、不同电阻、不同厚度、不同机构的材料所形成。与常规5Masks工艺制作的常规底栅结构的TFT中的栅电极及栅极引线(见图1、图1A和图1B)相比，通常底部栅电极3-2比较薄，有利于形成比较平坦的TFT结构(参见图5、图5A、图5B、图5C和图5D)。栅极引线5-1在栅绝缘层和a-Si有源层形成后制作的，因此可以制作得与常规底栅结构的TFT中栅极引线厚度相当，以降低栅极引线5-1的电阻。

具体结构为，如图5、图5A、图5B、图5C和5D所示，在玻璃极板1上形成的像素驱动电极3-1和栅电极3-2和源漏引线跨接线3-3，这些部分复合膜剥落后的部位为透明导电层，材料可为500ITO层；未被剥落的部位为下层透明导电层和上层金属层复合薄膜，材料刻为ITO/Mo(500/300)复合膜。在栅电极3-2上、源漏引线跨接线3-3和相邻像素驱动电极靠近栅极引线5-1边沿处形成复合膜结构的TFT部分4-1和源漏引线跨接线上的绝缘层4-2和存储电容介质层4-3等图形，材料为SiNx/a-Si/n+a-Si(4000/1800/400)。在玻璃基板1、存储电容介质层4-3、栅电极3-2以及源漏引线跨接线上的绝缘层4-2上形成栅极引线5-1，材料为Mo/AlNd/Mo(500/3000/500)。在玻璃基板1、源漏引线跨接线3-3、TFT部分4-1上形成源漏引线5-2，材料为Mo/AlNd/Mo(500/3000/500)。在像素驱动电极3-1，玻璃基板1及TFT部分4-1上形成像素驱动电极引线5-3，材料为Mo/AlNd/Mo(500/3000/500)。TFT导电沟道形成在TFT部分4-1上的源漏之间。钝化层6形成在上述部分上，材料为SiNx(3000)。

本发明的制作底部栅极薄膜晶体管阵列结构方法，是以5mask工艺为基准，可以实现对工艺流程的简化，从而降低成本。对比同样目的的典型的4mask工艺，本发明的工艺简化效率更高，并且不必采用较难掌握的half tone mask技术，工艺控制相对容易。

其具体制作方法为，参见图3、图3A、图3B、图3C和图3D，用磁控溅射的方法，依次溅射沉积ITO层和金属Mo层，形成ITO/Mo(500/300)复合薄膜。然后进行masking，并用对应的腐蚀液腐蚀Mo层和ITO层，形成像素驱动电极2-1、栅电极2-2和源漏引线跨接线2-3等图形；

参见图4、图4A、图4B、图4C和图4D，用PECVD方法，依次淀积SiNx/a-Si/n+a-Si(4000/1800/400)复合膜。然后进行masking，并用RIE干法腐蚀的方法形成SiNx/a-Si/n+a-Si(4000/1800/400)复合膜的TFT部分4-1和源漏引线跨线上的绝缘层4-2和存储电容介质层4-3图形；

参见图5、图5A、图5B、图5C和5D，采用磁控溅射工艺，依次沉积金属AlNd/Mo(3000/500)。并光刻形成栅引线5-1、源漏引线5-2和透明像素电极引线5-3和外围部分引线等的图形；

此时，通过增加腐蚀时间和/或变更腐蚀剂手段，剥离下层透明导电层和上层金属层复合薄膜像素驱动电极部分2-1，使之成为透明的像素驱动电极3-1，同时栅电极2-2和源漏引线跨接线2-3上的透明导电层/金属层复合膜未被绝缘层和引线光刻胶遮盖部分也被蚀刻掉，形成复合薄膜部分剥离后的栅电极3-2和源漏引线跨接线3-3。

引线腐蚀去胶前，用RIE干法腐蚀TFT-LCD源漏之间沟道上方的N+层，形成TFT导电沟道；

采用PECVD工艺，淀积SiNx(3000)，然后光刻暴露外引线电极Pad，形成TFT钝化层6。

其具体工艺流程见图6。通过以上步骤，可以实现图5所示的TFT阵列单元结构。相对于典型的5mask工艺技术，其工艺流程减少了1次Sputter工艺、1次masking工艺和1次etch工艺，参见图7。

以上说明及附图图示了本发明的特定实施方式，但不言自明，本发明可以由本领域的技术人员进行各种变形来实施，如将栅电极及栅极引线的材料采取不同的厚度、宽度、材料、结构和形状等，或变更制造工艺条件或将制造工艺复杂化等。诸如此类变形了的实施方式等不能脱离本发明的技术思想或展望来个别地理解，必须看作本发明所附的权利要求书内包含的结构及制作方法。

Claims (21)

1、一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构，包括：玻璃基板，形成于玻璃基板上的底部栅电极，形成于底部栅电极上的包含有有源沟道的CVD复合膜，沟道一端的源漏电极与源漏引线相连，另一端的源漏电极与像素驱动电极引线相连，底部栅电极与栅极引线相连，其特征在于：所述的底部栅电极和栅极引线为分别制作的两个独立的部分，其厚度、层状结构或材料不同。

2、根据权利要求1所述的一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构，其特征在于：所述的底部栅电极为层结构不连续的结构，其被其上绝缘层和栅极引线遮住部位是由下层透明导电层和上层金属层复合薄膜形成的，未被遮住部位为透明导电层。

3、根据权利要求2所述的一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构，其特征在于：所述的下层透明导电层和上层金属层复合薄膜为ITO层与金属Mo层，透明导电层为ITO层。

4、根据权利要求1或2或3所述的一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构，其特征在于：所述的源漏引线在与栅极引线交叉处是通过源漏引线跨接线进行连接的，源漏引线跨接线位于栅极引线和源漏引线的下方，且源漏引线跨接线与栅极引线之间由CVD复合膜形成的绝缘层隔开。

5、根据权利要求4所述的一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构，其特征在于：所述源漏引线跨接线为层结构不连续的结构，其被源漏引线及源漏引线跨接线上的绝缘层遮住部位为下层透明导电层和上层金属层复合薄膜形成的，未被遮住部位为透明导电层。

6、根据权利要求5所述的一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构，其特征在于：所述的下层透明导电层和上层金属层复合薄膜为ITO层与金属Mo层，透明导电层为ITO层。

7、根据权利要求1或2或3所述的一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构，其特征在于：所述的底部栅电极和栅极引线连接处为栅极引线在上、栅电极在下。

8、根据权利要求6所述的一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构，其特征在于：所述的底部栅电极和栅极引线连接处为栅极引线在上、栅电极在下。

9、根据权利要求1或2或3所述的一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构，其特征在于：所述的像素驱动电极与薄膜晶体管有源沟道一端的源漏电极是通过像素驱动电极引线连接的，且像素驱动电极引线位于像素驱动电极之上。

10、根据权利要求8所述的一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构，其特征在于：所述的像素驱动电极与薄膜晶体管有源沟道一端的源漏电极是通过像素驱动电极引线连接的，且像素驱动电极引线位于像素驱动电极之上。

11、根据权利要求1或2或3所述的一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构，其特征在于：所述的栅极引线在一侧与阵列的相邻行对应像素延伸到该栅极引线下方的像素驱动电极形成存储电容，其介质层为CVD复合膜。

12、根据权利要求10所述的一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构，其特征在于：所述的栅极引线在一侧与阵列的相邻行对应像素延伸到该栅极引线下方的像素驱动电极形成存储电容，其介质层为CVD复合膜。

13、一种制作底部栅极薄膜晶体管阵列结构方法，该方法包括：

在玻璃基板上形成下层透明导电层和上层金属层复合薄膜结构的像素驱动电极、栅电极、源漏引线跨接线步骤；

在栅电极上、相邻的像素驱动电极上、源漏引线跨接线上分别形成薄膜晶体管部分、存储电容介质层部分和源漏引线跨接线上的绝缘层步骤；

形成栅极引线、源漏引线、像素驱动电极引线步骤；

剥离复合薄膜、形成薄膜晶体管导电沟道步骤；

形成钝化层步骤。

14、根据权利要求13所述的一种制作底部栅极薄膜晶体管阵列结构的方法，其特征在于：所述的形成像素驱动电极、栅电极、源漏引线跨接线步骤是用磁控溅射的方法，在玻璃基板上形成下层透明导电层和上层金属层的复合薄膜，然后进行掩膜，并用对应的腐蚀液腐蚀上层金属层和下层透明导电层，形成像素驱动电极、栅电极和源漏引线跨接线图形。

15、根据权利要求13或14所述的一种制作底部栅极薄膜晶体管阵列结构的方法，其特征在于：所述的剥离复合薄膜步骤为复合膜湿法蚀刻，其是在形成栅极引线、源漏引线、像素驱动电极引线后，通过增加腐蚀时间和/或变更腐蚀剂手段获得的。

16、根据权利要求13或14所述的一种制作底部栅极薄膜晶体管阵列结构的方法，其特征在于：所述的下层透明导电层和上层金属层构成的复合薄膜为ITO层和金属Mo层。

17、根据权利要求15所述的一种制作底部栅极薄膜晶体管阵列结构的方法，其特征在于：所述的下层透明导电层和上层金属层构成的复合薄膜为ITO层和金属Mo层。

18、根据权利要求13或14所述的一种制作底部栅极薄膜晶体管阵列结构的方法，其特征在于：所述的薄膜晶体管部分、存储电容介质层部分和源漏引线跨接线上的绝缘层为SiNx/a-Si/n+a-Si复合膜。

19、根据权利要求17所述的一种制作底部栅极薄膜晶体管阵列结构的方法，其特征在于：所述的薄膜晶体管部分、存储电容介质层部分和源漏引线跨接线上的绝缘层为SiNx/a-Si/n+a-Si复合膜。

20、根据权利要求13或14所述的一种制作底部栅极薄膜晶体管阵列结构的方法，其特征在于：所述的栅电极的厚度薄于栅极引线的厚度。

21、根据权利要求19所述的一种制作底部栅极薄膜晶体管阵列结构的方法，其特征在于：所述的栅电极的厚度薄于栅极引线的厚度。

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