CN1951947A - 有机金属配合物,和使用它的发光元件和发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明的目标在于提供可发磷光的有机金属配合物。在下述结构式(G1)中，X表示－O－或－N(R10)－，R1～R9各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种。另外，R10表示具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的酰基、具有6～12个碳原子的芳基、和具有4～10个碳原子的杂芳基中的任一种。此外，M表示属于第9族或第10族的元素。

Description

有机金属配合物，和使用它的发光元件和发光器件
发明背景
1.技术领域
本发明涉及一种能通过电流激发发光的物质。特别是涉及一种可从三重激发态获得发光的物质。另外，本发明涉及使用上述物质的发光元件和发光器件。
2.背景技术
使用有机化合物的发光元件具有例如形状薄、重量轻和高速响应性的特性。进而，发光元件是自发光元件。因此，使用发光元件作为像素部分的显示器件近年来得到了积极的发展。
发光元件的发光机制描述如下。在电极对之间夹持着发光层，通过施加电压，使得从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴在发光层的发光中心再结合，形成激发分子(melecular exciton)，当激发分子恢复到基态时释放能量，因而发光。单重激发态和三重激发态是已知的激发态，可以认为，通过上述任一种激发态都可能发光。
在这样的发光元件中，因为三重激发态比单重激发态产生的多，那么通过使用可以从三重激发态发光的材料(磷光性材料)就可以提高发光元件的发光效率。因此，迄今为止，将磷光性材料用于发光元件已经被尝试了多次。
一种金属配合物，其中铱为中心金属(下文称为铱配合物)，被看作发绿光的典型磷光性材料(例如，参考引用文献1：M.A.Baldo和其他4人，Applied Physics Letters，Vol.75，No.1，p.4).在引用文献1中，通过分散铱配合物到主体材料而获得绿色发光，其中，2-苯基吡啶为配位体。
然而，大部分磷光性材料发的光通常都具有比较长的波长，例如红或橙光，迄今为止只有少数材料报道了发绿或蓝光的磷光性材料。就2-苯基吡啶和它的衍生物作为配位体的铱配合物而言，发射的光具有从绿到蓝的波带。然而存在着空穴可能注入而电子不太可能被注入的性质；因此，在发光元件中应用铱配合物的情况下，其元件结构受到限制。而且，铱配合物耐热性很差也是一个问题，可以说所有的有机金属配合物都有这个问题。
因此，在发光元件中应用磷光性材料的情况下，需要开发出不同的磷光性材料，其发的光具有从绿到蓝的波带，这样磷光性材料可以对与不同外围材料，例如主体材料、空穴输送材料和电子输送材料的结合作出响应。另外，需要开发出具有高耐热性的绿光或蓝光磷光性材料。
发明内容
鉴于上述的问题，本发明的目的是提供可以发磷光的新型物质。具体而言，本发明目的是提供发的磷光具有从绿到蓝的波带的新型物质。另外，本发明的另一个目的是提供发磷光的并且具有非常好的耐热性的新型物质。
此外，本发明的另一个目的是提供通过使用此新型物质能够发出具有从绿到蓝的波带的光的高效发光元件。进而，本发明的另一个目的是提供使用发光元件的发光器件。
本发明人发现配位体为3，4-二苯基-1，2，4-三唑配合物的邻位金属化配合物发的磷光具有从绿到蓝的波带。另外，发明人还发现配位体为2，5-二苯基-1，3，4-二唑衍生物的邻位金属化配合物发的磷光具有从绿到蓝的波带。
本发明的一个方面是一种具有由通式(G1)表示的结构的有机金属配合物。
在通式(G1)中，X表示-O-或-N(R10)-。R1～R9各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种。另外，R10表示具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的酰基、具有6～12个碳原子的芳基、和具有4～10个碳原子的杂芳基中的任一种。此外，M表示属于第9族或第10族的元素。在此，烷基特别优选甲基、乙基、异丙基和叔丁基中的任一种。另外，环烷基优选环己基。此外，烷氧基特别优选甲氧基。进而，烷氧羰基优选甲氧基羰基。酰基优选乙酰基。酸基优选乙酸基。卤基优选氟基。卤代烷基优选三氟甲基。进而，芳基可以具有取代基，芳基特别优选苯基、氟基取代的苯基和三氟甲基取代的苯基中的任一种。杂芳基可以具有取代基，杂芳基特别优选吡啶基。此外，属于第9族的元素特别优选铱，属于第10族的元素特别优选铂。
应说明的是，在上述取代基中，氟基和三氟甲基都具有使发光波长成为短波长的有利效果；因此这些基团特别适合本发明。可以认为其原因为，通过引入比如氟基或三氟甲基这样的拉电子取代基，有机金属配合物的HOMO级能量被稳定。这是因为有机金属配合物的HOMO级降低，由于这种降低而引起了能隙的增加。
本发明的另一个方面是由通式(G2)表示的有机金属配合物。
在通式(G2)中，X表示-O-或-N(R20)-。R11～R19各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种。另外，R20表示具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的酰基、具有6～12个碳原子的芳基、和具有4～10个碳原子的杂芳基中的任一种。此外，M表示属于第9族或第10族的元素。当M是属于第9族的元素时，n＝2，而当M是属于第10族的元素时，n＝1。L表示单阴离子双齿配位体。在此，烷基特别优选甲基、乙基、异丙基和叔丁基中的任一种。另外，环烷基优选环己基。此外，烷氧基特别优选甲氧基。进而，烷氧羰基优选甲氧基羰基。酰基优选乙酰基。酸基优选乙酸基。卤基优选氟基。卤代烷基优选三氟甲基。进而，芳基可以具有取代基，芳基特别优选苯基、氟基取代的苯基和三氟甲基取代的苯基中的任一种。杂芳基可以具有取代基，杂芳基特别优选吡啶基。此外，属于第9族的元素特别优选铱，属于第10族的元素特别优选铂。另外，作为单阴离子双齿配位体，具有β-二酮结构的单阴离子双齿配位体、具有羧基的单阴离子双齿配位体、具有酚式羟基的单阴离子双齿配位体和其中两个配位体原子都是氮的单阴离子双齿配位体中的任一种因为易于合成而被优选。
应说明的是，在上述取代基中，氟基和三氟甲基都具有使发光波长成为短波长的有利效果；因此这些基团特别适合本发明。可以认为其原因为，通过引入象氟基或三氟甲基这样的拉电子取代基，有机金属配合物的HOMO级能量被稳定。这是因为有机金属配合物的HOMO级降低，由于这种降低而引起了能隙的增加。
本发明的另一个方面是具有由通式(G3)表示的结构的有机金属配合物。应说明的是，在通式(G3)中，从发光效率和耐热性方面看，铱作为中心金属比铂优选。
在通式(G3)中，X表示-O-或-N(R30)-。R21～R29各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种。另外，R30表示具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的酰基、具有6～12个碳原子的芳基、和具有4～10个碳原子的杂芳基中的任一种。在此，烷基特别优选甲基、乙基、异丙基和叔丁基中的任一种。另外，环烷基优选环己基。此外，烷氧基特别优选甲氧基。进而，烷氧羰基优选甲氧基羰基。酰基优选乙酰基。酸基优选乙酸基。卤基优选氟基。卤代烷基优选三氟甲基。进而，芳基可以具有取代基，芳基特别优选苯基、氟基取代的苯基和三氟甲基取代的苯基中的任一种。杂芳基可以具有取代基，杂芳基特别优选吡啶基。
应说明的是，在上述取代基中，氟基和三氟甲基都具有使发光波长成为短波长的有利效果；因此这些基团特别适合本发明。可以认为其原因为，通过引入象氟基或三氟甲基这样的拉电子取代基，有机金属配合物的HOMO级能量被稳定。这是因为有机金属配合物的HOMO级降低，由于这种降低而引起了能隙的增加。
本发明的另一个方面是一种由通式(G4)表示的有机金属配合物。应说明的是，在通式(G4)中，从发光效率和耐热性方面看，铱作为中心金属比铂优选。
在通式(G4)中，X表示-O-或-N(R40)-。R31～R39各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种。另外，R40表示具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的酰基、具有6～12个碳原子的芳基、和具有4～10个碳原子的杂芳基中的任一种。此外，L表示单阴离子双齿配位体。在此，烷基特别优选甲基、乙基、异丙基和叔丁基中的任一种。另外，环烷基优选环己基。此外，烷氧基特别优选甲氧基。进而，烷氧羰基优选甲氧基羰基。酰基优选乙酰基。酸基优选乙酸基。卤基优选氟基。卤代烷基优选三氟甲基。进而，芳基可以具有取代基，芳基特别优选苯基、氟基取代的苯基和三氟甲基取代的苯基中的任一种。杂芳基可以具有取代基，杂芳基特别优选吡啶基。另外，作为单阴离子双齿配位体，具有β-二酮结构的单阴离子双齿配位体、具有羧基的单阴离子双齿配位体、具有酚式羟基的单阴离子双齿配位体和其中两个配位体原子都是氮的单阴离子双齿配位体中的任一种因为易于合成而被优选。
应说明的是，在上述取代基中，氟基和三氟甲基都具有使发光波长成为短波长的有利效果；因此这些基团特别适合本发明。可以认为其原因为，通过引入象氟基或三氟甲基这样的拉电子取代基，有机金属配合物的HOMO级能量被稳定。这是因为有机金属配合物的HOMO级降低，由于这种降低而引起了能隙的增加。
另外，在由通式(G2)或(G4)表示的有机金属配合物中，优选L是下列结构式(1)～(5)中任一种示出的配位体。
Figure A20061013562700221
本发明的另一个方面是具有由通式(G5)表示的结构的有机金属配合物。
Figure A20061013562700222
在通式(G5)中，R41和R42各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种。另外，M表示属于第9族或第10族的元素。在此，烷基特别优选甲基、乙基、异丙基和叔丁基中的任一种。另外，环烷基优选环己基。此外，烷氧基特别优选甲氧基。进而，烷氧羰基优选甲氧基羰基。酰基优选乙酰基。酸基优选乙酸基。卤基优选氟基。卤代烷基优选三氟甲基。进而，芳基可以具有取代基，芳基特别优选苯基、氟基取代的苯基和三氟甲基取代的苯基中的任一种。此外，属于第9族的元素特别优选铱，属于第10族的元素特别优选铂。
应说明的是，在上述取代基中，氟基和三氟甲基都具有使发光波长成为短波长的有利效果；因此这些基团特别适合本发明。可以认为其原因为，通过引入象氟基或三氟甲基这样的拉电子取代基，有机金属配合物的HOMO级能量被稳定。这是因为有机金属配合物的HOMO级降低，由于这种降低而引起了能隙的增加。
本发明的另一个方面是由通式(G6)表示的有机金属配合物。
Figure A20061013562700231
在通式(G6)中，R43和R44各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种。另外，M表示属于第9族或第10族的元素。当M是属于第9族的元素时，n＝2，而当M是属于第10族的元素时，n＝1。L表示单阴离子双齿配位体。在此，烷基特别优选甲基、乙基、异丙基和叔丁基中的任一种。另外，环烷基优选环己基。此外，烷氧基特别优选甲氧基。进而，烷氧羰基优选甲氧基羰基。酰基优选乙酰基。酸基优选乙酸基。卤基优选氟基。卤代烷基优选三氟甲基。进而，芳基可以具有取代基，芳基特别优选苯基、氟基取代的苯基和三氟甲基取代的苯基中的任一种。此外，属于第9族的元素特别优选铱，属于第10族的元素特别优选铂。另外，作为单阴离子双齿配位体，具有β-二酮结构的单阴离子双齿配位体、具有羧基的单阴离子双齿配位体、具有酚式羟基的单阴离子双齿配位体和其中两个配位体原子都是氮的单阴离子双齿配位体中的任一种因为易于合成而被优选。
应说明的是，在上述取代基中，氟基和三氟甲基都具有使发光波长成为短波长的有利效果；因此这些基团特别适合本发明。可以认为其原因为，通过引入象氟基或三氟甲基这样的拉电子取代基，有机金属配合物的HOMO级能量被稳定。这是因为有机金属配合物的HOMO级降低，由于这种降低而引起了能隙的增加。
本发明的另一个方面是具有由通式(G7)表示的结构的有机金属配合物。应说明的是，在通式(G7)中，从发光效率和耐热性方面看，铱作为中心金属比铂优选。
Figure A20061013562700241
在通式(G7)中，R45和R46各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种。在此，烷基特别优选甲基、乙基、异丙基和叔丁基中的任一种。另外，环烷基优选环己基。此外，烷氧基特别优选甲氧基。进而，烷氧羰基优选甲氧基羰基。酰基优选乙酰基。酸基优选乙酸基。卤基优选氟基。卤代烷基优选三氟甲基。进而，芳基可以具有取代基，芳基特别优选苯基、氟基取代的苯基和三氟甲基取代的苯基中的任一种。
应说明的是，在上述取代基中，氟基和三氟甲基都具有使发光波长成为短波长的有利效果；因此这些基团特别适合本发明。可以认为其原因为，通过引入象氟基或三氟甲基这样的拉电子取代基，有机金属配合物的HOMO级能量被稳定。这是因为有机金属配合物的HOMO级降低，由于这种降低而引起了能隙的增加。
本发明的另一个方面是由通式(G8)表示的有机金属配合物。应说明的是，在通式(G8)中，从发光效率和耐热性方面看，铱作为中心金属比铂优选。
在通式(G8)中，R47和R48各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种。另外，L表示单阴离子双齿配位体。在此，烷基特别优选甲基、乙基、异丙基和叔丁基中的任一种。另外，环烷基优选环己基。此外，烷氧基特别优选甲氧基。进而，烷氧羰基优选甲氧基羰基。酰基优选乙酰基。酸基优选乙酸基。卤基优选氟基。卤代烷基优选三氟甲基。进而，芳基可以具有取代基，芳基特别优选苯基、氟基取代的苯基和三氟甲基取代的苯基中的任一种。另外，作为单阴离子双齿配位体，具有β-二酮结构的单阴离子双齿配位体、具有羧基的单阴离子双齿配位体、具有酚式羟基的单阴离子双齿配位体和其中两个配位体原子都是氮的单阴离子双齿配位体中的任一种因为易于合成而被优选。
应说明的是，在上述取代基中，氟基和三氟甲基都具有使发光波长成为短波长的有利效果；因此这些基团特别适合本发明。可以认为其原因为，通过引入象氟基或三氟甲基这样的拉电子取代基，有机金属配合物的HOMO级能量被稳定。这是因为有机金属配合物的HOMO级降低，由于这种降低而引起了能隙的增加。
另外，在由通式(G6)或(G8)表示的有机金属配合物中，优选L是下列结构式(1)～(5)中任一种示出的配位体。
Figure A20061013562700261
本发明的另一个方面是具有由通式(G9)表示的结构的有机金属配合物。
在通式(G9)中，R49和R50各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种。另外，M表示属于第9族或第10族的元素。在此，烷基特别优选甲基、乙基、异丙基和叔丁基中的任一种。另外，环烷基优选环己基。此外，烷氧基特别优选甲氧基。进而，烷氧羰基优选甲氧基羰基。酰基优选乙酰基。酸基优选乙酸基。卤基优选氟基。卤代烷基优选三氟甲基。进而，芳基可以具有取代基，芳基特别优选苯基、氟基取代的苯基和三氟甲基取代的苯基中的任一种。此外，属于第9族的元素特别优选铱，属于第10族的元素特别优选铂。
应说明的是，在上述取代基中，氟基和三氟甲基都具有使发光波长成为短波长的有利效果；因此这些基团特别适合本发明。可以认为其原因为，通过引入象氟基或三氟甲基这样的拉电子取代基，有机金属配合物的HOMO级能量被稳定。这是因为有机金属配合物的HOMO级降低，由于这种降低而引起了能隙的增加。
本发明的另一个方面是由通式(G10)表示的有机金属配合物。
Figure A20061013562700281
在通式(G10)中，R51和R52各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种。另外，M表示属于第9族或第10族的元素。当M是属于第9族的元素时，n＝2，而当M是属于第10族的元素时，n＝1。L表示单阴离子双齿配位体。在此，烷基特别优选甲基、乙基、异丙基和叔丁基中的任一种。另外，环烷基优选环己基。此外，烷氧基特别优选甲氧基。进而，烷氧羰基优选甲氧基羰基。酰基优选乙酰基。酸基优选乙酸基。卤基优选氟基。卤代烷基优选三氟甲基。进而，芳基可以具有取代基，芳基特别优选苯基、氟基取代的苯基和三氟甲基取代的苯基中的任一种。此外，属于第9族的元素特别优选铱，属于第10族的元素特别优选铂。另外，作为单阴离子双齿配位体，具有β-二酮结构的单阴离子双齿配位体、具有羧基的单阴离子双齿配位体、具有酚式羟基的单阴离子双齿配位体和其中两个配位体原子都是氮的单阴离子双齿配位体中的任一种因为易于合成而被优选。
应说明的是，在上述取代基中，氟基和三氟甲基都具有使发光波长成为短波长的有利效果；因此这些基团特别适合本发明。可以认为其原因为，通过引入象氟基或三氟甲基这样的拉电子取代基，有机金属配合物的HOMO级能量被稳定。这是因为有机金属配合物的HOMO级降低，由于这种降低而引起了能隙的增加。
本发明的另一个方面是具有由通式(G11)表示的结构的有机金属配合物。应说明的是，在通式(G11)中，从发光效率和耐热性方面看，铱作为中心金属比铂优选。
Figure A20061013562700291
在通式(G11)中，R53和R54各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种。在此，烷基特别优选甲基、乙基、异丙基和叔丁基中的任一种。另外，环烷基优选环己基。此外，烷氧基特别优选甲氧基。进而，烷氧羰基优选甲氧基羰基。酰基优选乙酰基。酸基优选乙酸基。卤基优选氟基。卤代烷基优选三氟甲基。进而，芳基可以具有取代基，芳基特别优选苯基、氟基取代的苯基和三氟甲基取代的苯基中的任一种。
应说明的是，在上述取代基中，氟基和三氟甲基都具有使发光波长成为短波长的有利效果；因此这些基团特别适合本发明。可以认为其原因为，通过引入象氟基或三氟甲基这样的拉电子取代基，有机金属配合物的HOMO级能量被稳定。这是因为有机金属配合物的HOMO级降低，由于这种降低而引起了能隙的增加。
本发明的另一个方面是由通式(G12)表示的有机金属配合物。应说明的是，在通式(G12)中，从发光效率和耐热性方面看，铱作为中心金属比铂优选。
在通式(G12)中，R55和R56各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种。另外，L表示单阴离子双齿配位体。在此，烷基特别优选甲基、乙基、异丙基和叔丁基中的任一种。另外，环烷基优选环己基。此外，烷氧基特别优选甲氧基。进而，烷氧羰基优选甲氧基羰基。酰基优选乙酰基。酸基优选乙酸基。卤基优选氟基。卤代烷基优选三氟甲基。进而，芳基可以具有取代基，芳基特别优选苯基、氟基取代的苯基和三氟甲基取代的苯基中的任一种。另外，作为单阴离子双齿配位体，具有β-二酮结构的单阴离子双齿配位体、具有羧基的单阴离子双齿配位体、具有酚式羟基的单阴离子双齿配位体和其中两个配位体原子都是氮的单阴离子双齿配位体中的任一种因为易于合成而被优选。
应说明的是，在上述取代基中，氟基和三氟甲基都具有使发光波长成为短波长的有利效果；因此这些基团特别适合本发明。可以认为其原因为，通过引入象氟基或三氟甲基这样的拉电子取代基，有机金属配合物的HOMO级能量被稳定。这是因为有机金属配合物的HOMO级降低，由于这种降低而引起了能隙的增加。
另外，在由通式(G10)或(G12)表示的有机金属配合物中，优选L是下列结构式(1)～(5)中任一种示出的配位体。
Figure A20061013562700311
本发明的另一个方面是发光元件，其含有具有由上述通式(G1)、(G3)、(G5)、(G7)、(G9)和(G11)中的任一种表示的结构的有机金属配合物，或由通式(G2)、(G4)、(G6)、(G8)、(G10)和(G12)中的任一种表示的有机金属配合物。
发光元件优选具有这样的结构，其中含有由通式(G1)、(G3)、(G5)、(G7)、(G9)和(G11)中的任一种表示的结构的有机金属配合物或由通式(G2)、(G4)、(G6)、(G8)、(G10)和(G12)中的任一种表示的有机金属配合物的层设置在电极之间，当电流流过电极时有机金属配合物发光。在这种方式中，因为使用了本发明的有机金属配合物作为发光物质的发光元件能获得磷光，所以可以高效率地发光。另外，可以获得具有从绿到蓝的波带的发光。因此，本发明的另一个方面是发光元件，其中，具有由通式(G1)、(G3)、(G5)、(G7)、(G9)和(G11)中的任一种表示的结构的有机金属配合物或由通式(G2)、(G4)、(G6)、(G8)、(G10)和(G12)中的任一种表示的有机金属配合物被用作发光物质。
应说明的是，本发明的有机金属配合物可与荧光材料结合使用，也可用于增加荧光材料的发光效率。换言之，在发光元件中，有机金属配合物也可用作荧光材料的敏化剂。
另外，本发明的另一个方面是发光器件，其中设置了大量上述发光元件。
此外，本发明的另一个方面是发光器件，其中上述发光器件被用作像素或光源。
进而，本发明的另一个方面是电子器件，其中上述发光元件被用于显示部分。
根据本发明，能获得可以发磷光的有机金属配合物。特别是能获得发出具有从绿到蓝的波带的磷光的有机金属配合物。另外，能获得发磷光的并且具有非常好的耐热性的有机金属配合物。此外，根据本发明，能获得可用作敏化剂的有机金属配合物。
通过使用本发明的有机金属配合物作为发光物质，能获得可发出基于绿、蓝绿或蓝色的光的高效率发光元件。另外，通过使用本发明的有机金属配合物作为敏化剂，能获得可高效率发光的发光元件。
附图说明
在附图中：
图1为根据本发明的发光器件一种模式的示意图；
图2为应用了本发明的发光器件的示意图；
图3为应用了本发明的发光器件包含的电路的示意图；
图4为应用了本发明的发光器件的顶视图；
图5为应用了本发明的发光器件的帧操作图；
图6A-6C为应用了本发明的发光器件的横截面图；
图7为应用了本发明的发光器件的示意图；
图8A-8C为应用了本发明的电子器件的图；
图9为通过1H-NMR分析根据本发明的有机金属配合物而得到的图表，所述有机金属配合物在合成实施例1中合成；
图10表示根据本发明的有机金属配合物的吸收光谱和发光光谱的曲线图；
图11为通过1H-NMR分析根据本发明的有机金属配合物而得到的图表，所述有机金属配合物在合成实施例2中合成；
图12表示根据本发明的有机金属配合物的吸收光谱和发光光谱的曲线图；和
图13表示根据本发明的有机金属配合物的吸收光谱和发光光谱的曲线图；
具体实施方式
下文将参照附图来说明本发明的实施方案模式。当然，可以理解各种改变和修正对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，应当认为这些改变和修正包括在本发明中，除非这些改变和修正背离本发明的主旨和范围。
应说明的是，根据本发明，在发光元件的电极对中，用作阳极的电极是指在其上施加较高电压能获得发光的电极，用作阴极的电极是指在其上施加较低电压能获得发光的电极。
(实施方案1)
本实施方案将对本发明的有机金属配合物进行说明。
由结构式(6)到(84)表示的有机金属配合物可作为本发明的一个模式。当然，本发明不限于本实施方案所记载的内容。
Figure A20061013562700341
Figure A20061013562700351
Figure A20061013562700361
Figure A20061013562700371
Figure A20061013562700381
Figure A20061013562700391
Figure A20061013562700401
Figure A20061013562700411
Figure A20061013562700421
Figure A20061013562700441
Figure A20061013562700451
Figure A20061013562700461
Figure A20061013562700471
Figure A20061013562700491
Figure A20061013562700501
Figure A20061013562700511
Figure A20061013562700521
Figure A20061013562700531
Figure A20061013562700541
本发明前述的每一种有机金属配合物发磷光。因此，通过使用本发明的有机金属配合物作为发光物质，能制造具有高的内量子效率和发光效率的发光元件。
另外，有机金属配合物通常具有差的耐热性。当然，本发明的有机金属配合物发磷光并且具有非常好的耐热性。
(实施方案2)
参照图1说明使用本发明的有机金属配合物作为发光物质的发光元件的模式。
图1所示为一种发光元件，其在第一电极101和第二电极102之间具有发光层113。随后发光层113包括具有由通式(G1)、(G3)、(G5)、(G7)、(G9)和(G11)中的任一种表示的结构的根据本发明的有机金属配合物，或包括由通式(G2)、(G4)、(G6)、(G8)、(G10)和(G12)中的任一种表示的根据本发明的有机金属配合物。
除了发光层113之外，还在第一电极101和第二电极102之间设置了空穴注入层111、空穴输送层112、电子输送层114、电子注入层115、或空穴阻挡层121等。这些层堆叠起来，这样当施加电压时，空穴从第一电极101一侧注入，而电子从第二电极102一侧注入，这使得第一电极101获得的电势比第二电极102的高。
在此，空穴阻挡层是具有以下功能的层：当空穴输送到发光层时，防止从第一电极101一侧注入的空穴穿透发光层113到达另一电极侧，还防止在发光层产生的激发能从发光层迁移到其他层。如图1所示，空穴阻挡层设置在发光层113和电子输出层114之间，可防止空穴穿透。
在这样的发光元件中，从第一电极101一侧注入的空穴和从第二电极102一侧注入的电子在发光层113再结合，有机金属配合物进入激发态。位于激发态的有机金属配合物在恢复到基态的同时发光。这样，根据本发明的有机金属配合物充当了发光物质。
通过使用根据本发明的有机金属配合物作为发光物质，能制造一种具有高的内量子效率和发光效率的发光元件。另外，因为根据本发明的有机金属配合物具有非常好的耐热性，使用这样的有机金属配合物作为发光物质的发光元件在热稳定性方面非常好。从而可获得一种高可靠性的发光元件。
在此，发光层113是包含根据本发明的有机金属配合物的层。发光层113可以是仅由根据本发明的有机金属配合物形成的层。但是，当浓度猝灭发生时，优选形成一种层，其中有机金属配合物(客体)混合分散入由具有比有机金属配合物能隙大的物质形成的层(主体)。通过分散方式，使根据本发明的有机金属配合物包含在发光层113中，可防止发光由于浓度而猝灭。在此，能隙是指在LUMO级和HOMO级之间的能隙。通过在发光层113中使用根据本发明的有机金属配合物，能获得具有从绿到蓝的波带的高效发光元件。
用于分散根据本发明的有机金属配合物的物质没有特别限定，优选例如4，4′-双(N-咔唑基)联苯(缩写：CBP)或4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺(缩写：TCTA)等咔唑衍生物；例如双[2-(2-羟苯基)吡啶]锌(缩写：Znpp2)、双[2-(2-羟苯基)苯并唑酸(benzoxazolate)]锌(缩写：ZnBOX)等金属配合物；例如1，1-双[4-(N，N-二苯氨基)苯基]环己烷(缩写：TPAC)等芳胺衍生物；等等。优选与这些物质中的一种或多种混合，这样根据本发明的有机金属配合物就被分散了。可以采用共蒸镀法来形成如此混合了多种化合物的层。在此，共蒸镀法是指一种蒸镀方法，其中原料从设置在一个处理室中的多个蒸发源分别蒸发，蒸发材料在气相状态下混合，沉积到目标上。
应说明的是，可以采用液滴排放(droplet-discharging)法来代替蒸镀法以形成发光层113。通过使用液滴排放法，预定量的原料可流到预定位置，从而减少了原料成本。
另外，第一电极101和第二电极102没有特别限定，可以使用下列物质来形成：金(Au)，铂(Pt)，镍(Ni)，钨(W)，铬(Cr)，钼(Mo)，铁(Fe)，钴(Co)，铜(Cu)，或钯(Pd)等，以及氧化铟锡(ITO)、含有氧化硅的氧化铟锡、或通过使用混合了2wt.％-20wt.％氧化锌的靶而形成的氧化铟等。此外，除了铝，镁银合金、铝锂合金、或类似物也可用于形成第一电极101。应说明的是，形成第一电极101和第二电极102的方法没有特别限定，例如，可以使用溅射法或蒸镀法等。应说明的是，优选通过使用氧化铟锡等，或通过沉积银或铝等来形成第一电极101或第二电极102中之一或两者，以具有几纳米到几十纳米的厚度，这样发的光可以提取到外部。
此外，如图1所示，空穴输送层112可位于第一电极101和发光层113之间。在此，空穴输送层112是具有将从第一电极101一侧注入的空穴输送到发光层113的作用。通过以这种方式设置空穴输送层112，第一电极101和发光层113之间的距离可以更大。从而可以防止发光由于包含在第一电极101中的金属而猝灭。空穴输送层112优选用具有高的空穴输送性的物质来形成，特别优选用具有1×10-6cm2/Vs或更高的空穴迁移率的物质来形成。应说明的是，具有高的空穴输送性的物质表示其空穴的迁移率比电子的迁移率高的物质，其中空穴和电子的迁移率比(＝空穴迁移率/电子迁移率)大于100。
下文给出了可用于形成空穴输送层112的物质的具体例子：4，4′-双[N-(1-萘基(naphtyl))-N-苯基氨基]联苯(缩写：NPB)；4，4′-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯(缩写：TPD)；4，4′，4″-三(N，N-二苯基氨基)三苯胺(缩写：TDATA)；4，4′，4″-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(缩写：MTDATA)；4，4′-双{N-[4-(N，N-二-间-甲苯基氨基)苯基]-N-苯基氨基}联苯(缩写：DNTPD)；1，3，5-三[N，N-二(间-甲苯基)氨基]苯(缩写：m-MTDAB)；4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺(缩写：TCTA)；酞菁(缩写：H2Pc)；铜酞菁(缩写：CuPc)；氧钒酞菁(缩写：VOPc)等。另外，空穴输送层112也可为多层，其中由前述物质形成的两层或多层结合在一起形成。
进而，如图1所示，电子输送层114可位于第二电极102和发光层113之间。在此，电子输送层114是具有将从第二电极102一侧注入的电子输送到发光层113的作用的层。通过以这种方式设置电子输送层114，第二电极102和发光层113之间的距离可以更大。从而可以防止发光由于包含在第二电极102中的金属而猝灭。电子输送层114优选用具有高的电子输送性的物质来形成，特别优选用具有1×10-6cm2/Vs或更高的电子迁移率的物质来形成。应说明的是，具有高的空穴输送性的物质表示其电子的迁移率比空穴的迁移率高的物质，其中，优选电子和空穴的迁移率比(＝电子迁移率/空穴迁移率)大于100。
下文给出了可用于形成电子输送层114的物质的具体例子：2-(4-联苯基基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑(缩写：PBD)；1，3-双[5-(对-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑-2-基]苯(缩写：OXD-7)；3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基基)-1，2，4-三唑(缩写：TAZ)；3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基基)-1，2，4-三唑(缩写：p-EtTAZ)；红菲绕啉(缩写：BPhen)；浴铜灵(缩写：BCP)；4，4-双(5-甲基苯并唑-2-基)茋(缩写：BzOs)；等等，和例如三(8-羟基喹啉)铝(缩写Alq3)；三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(缩写：Almq3)；双(10-羟基苯并[h]-喹啉)铍(缩写：BeBq2)；双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基酚铝(缩写：BAlq)；双[2-(2-羟苯基)-苯并唑合]锌(缩写：Zn(BOX)2)；双[2-(2-羟苯基)-苯并噻唑合]锌(缩写：Zn(BTZ)2)等金属配合物。另外，电子输送层114也可为多层，其中由前述物质形成的两层或多层结合在一起形成。
应说明的是，除了上述物质外，空穴输送层112和电子输送层114各自可使用双极性物质形成。双极性物质是指下列物质：当电子或空穴载流子中的一种与另一种的迁移率相比，比值为100或更小，优选10或更小。作为双极性物质，可以给出2，3-双(4-二苯氨基苯基)喹喔啉(缩写：TPAQn)；2，3-双{4-[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]苯基}-二苯并[f，h]喹喔啉(缩写：NPADiBzQn)等例子。特别优选使用空穴和电子的迁移率都为1×10-6cm2/Vs或更高的双极性物质。另外，空穴输送层112和电子输送层114可以用同种双极性物质来形成。
另外，如图1所示，空穴注入层111可位于第一电极101和空穴输入层112之间。空穴注入层111是具有帮助空穴从第一电极101注入到空穴输送层112的作用的层。通过设置空穴注入层111，第一电极101和空穴输送层112之间的电离电位差减小；因而空穴很容易注入。空穴注入层111优选用电离电位低于形成空穴输送层112的物质的电离电位并高于形成第一电极101的物质的电离电位的物质来形成，或使用通过以1nm-2nm厚的薄膜形式设置在空穴输送层112和第一电极101之间而引起能带弯曲的物质来形成。
换言之，空穴注入层111可以选择这样的物质来形成，其电离电位相对地低于空穴输送层112的电离电位。作为可用于形成空穴注入层111的物质的具体例子，可给出酞菁基化合物，例如酞菁(H2Pc)或铜酞菁(CuPc)，高分子材料例如聚(乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)溶液(PEDOT/PSS)等。应说明的是，在用这些物质形成空穴注入层111的情况下，优选用例如氧化锢锡等具有高功函的物质来形成第一电极101。
另外，如图1所示，电子注入层115可位于第二电极102和电子输入层114之间。在此，电子注入层115是具有帮助电子从第二电极102注入到电子输送层114的作用的层。通过设置电子注入层115，第二电极102和电子输送层114之间的电子亲合势差减小；因而电子很容易注入。电子注入层115优选用电子亲合势高于形成电子输送层114的物质的电子亲合势并低于形成第二电极102的物质的电子亲合势的物质来形成，或使用通过以1nm-2nm厚的薄膜形式设置在电子输送层114和第二电极102之间而引起能带弯曲的物质来形成。
换言之，电子注入层115可以选择这样的物质来形成，其电子亲合势相对地高于电子输入层114的电子亲合势。下文给出了可用于形成电子注入层115的物质的具体例子：无机材料例如碱金属，碱土金属，碱金属的氟化物，碱土金属的氟化物，碱金属的氧化物，或碱土金属的氧化物。除了无机材料，对于可用于形成电子输送层114的物质例如Bphen、BCP、p-EtTAZ、TAZ、或BzOs，通过从这些物质中选择其中电子亲合势高于形成电子输送层114的电子亲合势的物质，它们也可用作形成电子注入层115的物质。应说明的是，在用这些物质形成电子注入层115的情况下，优选用例如铝等具有低功函的物质来形成第一电极101。
在上述的根据本发明的发光元件中，空穴注入层111、空穴输送层112、发光层113、电子输送层114、和电子注入层115都可用蒸镀法、喷墨打印法、涂层法等方法中的任一种来形成。另外，第一电极101或第二电极102可用溅射法、蒸镀法等方法中的任一种来形成。
另外，可设置空穴产生层替代空穴注入层111，或设置电子产生层替代电子注入层115。通过设置空穴产生层或电子产生层，可以制造一种发光元件，其中取决于层厚度电压有极少的增加。
在此，空穴产生层是用于产生空穴的层。空穴产生层可通过混合从空穴迁移率比电子迁移率高的物质和双极性物质中选择的至少一种物质与显示了对这些物质具有电子可接受性的物质来形成。在此，关于空穴迁移率比电子迁移率高的物质，可使用与可用于形成空穴输送层112的物质相同的物质。另外，关于双极性物质，可使用前述的双极性物质，例如TPAQn。在空穴迁移率比电子迁移率高的物质和双极性物质中，特别优选使用在骨架中具有三苯胺结构的物质。使用在骨架中具有三苯胺结构的物质更容易产生空穴。进而，关于显示了电子可接受性的物质，优选使用金属氧化物，例如氧化钼、氧化钒、氧化钌、或氧化铼。
另外，电子产生层是用于产生电子的层。电子产生层可通过混合从电子迁移率比空穴迁移率高的物质和双极性物质中选择的至少一种物质与显示了对这些物质具有给电子性的物质来形成。在此，关于电子迁移率比空穴迁移率高的物质，可使用与可用于形成电子输送层114的物质相同的物质。另外，关于双极性物质，可使用前述的双极性物质，例如TPAQn。进而，关于显示了给电子性的物质，可以使用从碱金属和碱土金属中选择的物质，具体如锂(Li)、钙(Ga)、钠(Na)、钾(K)、或镁(Mg)等。另外，碱金属氧化物、碱土金属氧化物、碱金属氮化物、碱土金属氮化物等中的至少一种，具体如氧化锂(Li2O)、氧化钙(CaO)、氧化钠(Na2O)、氧化钾(K2O)、和氧化镁(MgO)也可用作显示了给电子性的物质。此外，，碱金属氟化物或碱土金属氟化物，具体如氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)或氟化钙(CaF2)，也可用作显示了给电子性的物质。
应说明的是，在上述的根据本发明的发光元件中，是否提供不同于发光层的其他层，具体如空穴注入层、空穴输送层、电子输送层、或电子注入层等，是不受限制的，可供本发明的实践者优选选用。但是，当设置空穴输送层或电子输送层时，可获得减少由于包含在电极、空穴注入层、或电子注入层等中的金属而产生的猝灭的有利效果。另外，通过设置电子注入层、或空穴注入层等，可获得从电极高效率注入电子或空穴的有利效果。
(实施方案3)
使用根据本发明的有机金属配合物作为发光物质的根据本发明的发光元件可以高效率发光；因此，光可以在少量电流下发出。所以，使用根据本发明的发光元件作为像素的根据本发明的发光器件在操作时具有低的能耗。本实施方案将参照图2-5解释具有显示功能的发光器件的电路结构和驱动方式。
图2是根据本实施方案的发光器件的俯视图。在图2中，在基板200上设置有像素部分211、信号线驱动电路212、写入扫描线驱动电路213、和消去扫描线驱动电路214。信号线驱动电路212、写入扫描线驱动电路213和消去扫描线驱动电路214每个都通过布线组连接到外部输入端子FPC(挠性印刷电路)203。另外，信号线驱动电路212、写入扫描线驱动电路213和消去扫描线驱动电路214每个都接收来自FPC6503例如视频信号、时钟信号、启动信号和复位信号等信号。此外，在FPC203上安装有印刷线路板(PWB)204。应说明的是，驱动电路部未必一定如上述那样设置在其上设置有像素部分211的一个基板上。例如，可通过使用具有设置在其上形成布线图案的FPC上的IC芯片的TCP，而使驱动电路部分位于基板外面。
在像素部分211中，在行方向上排列着多个沿列方向延伸的信号线，电流供给线在行方向上排列成线，多个沿行方向延伸的扫描线在列方向上排列成线。进而，在像素部分211中，排列着多个每个都包含发光元件的电路。
图3为显示操作一个像素的电路图。图3所示的电路包括第一晶体管301、第二晶体管302、和发光元件303。
第一晶体管301和第二晶体管302每个都为包括栅电极、漏区和源区的三端子元件，并在漏区和源区之间包括沟道区。在此，源区和漏区依据晶体管的结构或操纵条件等而相互转换；因此很难确定哪一方为源区或是漏区。所以，在本实施方案中，充当源或漏的区分别指作为晶体管的第一电极和晶体管的第二电极。
设置扫描线311和写入扫描线驱动电路313，以使其通过开关318电连接或不连接，设置扫描线311和消去扫描线驱动电路314，以使其通过开关319电连接或不连接，设置信号线312，以使其通过开关320与信号线驱动电路315或电源316的任何一方电连接。进而，第一晶体管301具有电连接到扫描线311的栅极，电连接到信号线312的第一电极，和电连接到第二晶体管302的栅电极的第二电极。第二晶体管302具有电连接到电源供给线317的第一电极，和电连接到发光元件303包含的一个电极的第二电极。应说明的是，开关318可包含在写入扫描线驱动电路313中，开关319可包含在消去扫描线驱动电路314中，开关320可包含在信号线驱动电路315中。应说明的是，可在第二晶体管302栅极和电源供给线之间设置电容器元件。
另外，像素中的晶体管和发光元件等的排列无特别限制。例如，可以采用如图4所示的顶视图中的排列。在图4中，第一晶体管401具有连接到信号线404的第一电极，和连接到第二晶体管402栅电极的第二电极。此外。第二晶体管402具有连接到电源供给线405的第一电极，和连接到发光元件电极406的第二电极。扫描线403的一部分充当了第一晶体管401的栅电极。第二晶体管402的栅极布线与电源供给线405重叠的区域407充当了电容器元件。
下面对驱动方式进行说明。图5显示了每一帧随时间的操作。在图5中，水平方向表示经过的时间，垂直方向表示扫描线序号。
当使用根据本发明的发光器件来显示图像时，屏幕的重写操作和显示操作在显示周期内重复进行。虽然重写的次数无特别限制，优选重写次数每秒钟约60次，以使观看图像的人不感到闪烁。在此，完成一屏幕(一帧)的重写操作和显示操作的周期被称作一帧周期。
如图5所示，一帧被分成四子帧501、502、503和504，它们分别包括写入周期501a、502a、503a和504a，和维持周期501b、502b、503b和504b。在维持周期，给予发光信号的发光元件进入发光态。各子帧的维持周期长度比是第一子帧501比第二子帧502比第三子帧503比第四子帧504为23∶22∶21∶20＝8∶4∶2∶1。由此，可表现4位灰度。但是，位数或灰度数并不限于此。例如，可设置8子帧来表现8位灰度。
下面对一帧中的工作进行说明。首先，在子帧501中，依次从第一行到最后一行进行写入操作。这样，行不同，写入周期501a的开始时间不同。当写入周期501a结束后，行按顺序移入维持周期501b。在维持周期501b中，给予发光信号的发光元件进入发光态。另外，当维持周期501b结束后，行按顺序移入下一子帧502，同样地依次从第一行到最后一行进行写入操作，与子帧501的情况相同。重复上述操作，以完成子帧504的维持周期504b。当子帧504的操作结束后，行移入下一帧。这样，在各子帧中发光的累计时间是一帧中各发光元件的发光时间。改变各发光元件的发光时间以在一个像素中具有不同的结合，可以形成亮度和色度不同的多种显示色。
如子帧504那样，当在最后一行的写入结束前希望强制性终止已经结束写入并进入维持时间的行的维持周期时，优选在维持周期504b之后设置消去周期504c，从而强制性控制行进入不发光状态。另外，被强制性调整为不发光状态的行在一定周期内保持不发光状态(将该周期称为不发光周期504d)。然后，最后一行的写入周期504a结束后，立即由第一行开始使这些行按顺序移入下一写入周期(或下一帧)。由此，可防止子帧504的写入周期504a与下一子帧的写入周期重叠。
尽管在本实施方案中，子帧501到504按照维持周期由长到短的顺序依次排列，但并不一定总按照本实施方案排列。例如，子帧501到504也可按照维持周期由短到长的顺序排列，或无规则排列。另外，子帧也可进一步分为多个帧。换句话说，当给出相同的图像信号的时候，可进行不止一次栅极信号线的扫描。
现在来解释图3所示的电路在写入周期和消去周期中的操作。
首先对于写入周期的操作进行说明。在写入周期中，第n(n为自然数)扫描线311通过开关318与写入扫描线驱动电路313电连接，而不与消去扫描线驱动电路314连接。另外，信号线312通过开关320与信号线驱动电路315电连接。在这种情况下，信号输入到与第n(n为自然数)扫描线311连接的第一晶体管301的栅极，以启动第一晶体管301。然后，图像信号此刻同时输入第一到最后的信号线312中。应说明的是，从各个信号线312输入的图像信号相互之间是独立的。从各信号线312输入的图像信号通过与信号线312连接的第一晶体管301输入第二晶体管302的栅电极中。此时，发光元件302是否发光取决于输入第二晶体管302的信号。例如，当第二晶体管302为P沟道型时，通过输入低电平(Low Level)信号到第二晶体管302的栅电极可使发光元件303发光。另一方面，当第二晶体管302为N沟道型时，通过输入高电平信号到第二晶体管302的栅电极可使发光元件303发光。
下面将对消去周期的操作进行说明。在消去周期中，第n(n为自然数)扫描线311通过开关319与消去扫描线驱动电路314电连接，而不与写入扫描线驱动电路313连接。另外，信号线312通过开关320与电源316电连接。在此情况下，信号输入到与第n(n为自然数)扫描线311连接的第一晶体管301的栅极以启动第一晶体管301。然后，消去信号此刻同时输入到第一到最后的信号线312中。从各信号线312输入的消去信号通过与信号线312连接的第一晶体管301输入第二晶体管302的栅电极中。此时，由于输入第二晶体管302中的信号，使从电源供给线317供给发光元件303的电流中断。然后，发光元件303强制性处于不发光状态。例如，当第二晶体管302为P沟道型时，通过输入高电平信号到第二晶体管302的栅电极中，可使发光元件303不发光。另一方面，当第二晶体管302为N沟道型时，通过输入低电平信号到第二晶体管302的栅电极中，可使发光元件303不发光。
应说明的是，在消去周期中，对第n行(n为自然数)，利用上述的操作输入消去信号。但是，如前所述，在第n行处于消去周期的同时，其他行(指第m行(m为自然数))可能正处于写入周期。在这种情况下，有必要利用相同的源信号线，输入消去信号到第n行和输入写入信号到第m行。因此，优选下面说明的操作。
通过前面说明的消去周期中的操作，第n发光元件303变成不发光，之后立即使扫描线311和消去扫描线驱动电路314处于相互不连接状态，同时切换开关320，使信号线312和信号线驱动电路315相连接。然后，除了使信号线312和信号线驱动电路315相连接之外，还使扫描线311和写入扫描线驱动电路313相连接。然后，来自写入扫描线驱动电路313的信号被选择性输入第m信号线中以启动第一晶体管301，来自信号线驱动电路315的写入信号被输入第一至最后的信号线312中。该信号使得第m发光元件303进入发光或不发光状态。
如上文所述，在结束第m行的写入周期后，立即进入第n+1行的消去周期。为此，使扫描线311和写入扫描线驱动电路313相互不连接，切换开关320使信号线312与电源316相连。进而，使不与写入扫描线驱动电路313相连接的扫描线311与消去扫描线驱动电路314相连。然后，来自消去信号线驱动电路314的信号被选择性输入第(n+1)扫描线311中，以启动第一晶体管301，并由电源316输入消去信号。由此，第(n+1)行的消去周期结束之后，立即进入第m行的写入周期。下面，同样方式重复消去周期和写入周期，直到最后一行的消去周期结束。
尽管在本实施方案中，对于在第n行的消去周期与第(n+1)行的消去周期之间设置第m行的写入周期的方式进行了说明，但本发明并不限于此。也可在第(n-1)行的消去周期与第n行的消去周期之间设置第m行的写入周期。
另外，在本实施方案中，当在子帧504中设置不发光周期504d时，重复下述操作：使消去扫描线驱动电路314与某一扫描线311相互之间处于非连接状态，同时使写入扫描线驱动电路313与另一栅极扫描线311相互之间处于连接状态。没有特别设置不发光周期的帧中也可进行这种操作。
(实施方案4)
参照图6A-6C对包含根据本发明的发光元件的发光器件的横截面图进行说明。
在从图6A-6C的各图中，用虚线围住的矩形部分是为了驱动根据本发明的发光元件12而设置的晶体管11。发光元件12为在第一电极13和第二电极14之间具有层15的根据本发明的发光元件，所述层15是由产生空穴的层、产生电子的层和含有发光物质的层叠层而成的。晶体管11的漏区与第一电极13通过贯通第一层间绝缘膜16(16a、16b和16c)的布线17互相电连接。另外，发光元件12通过隔离层18与相邻设置的另一发光元件分开。在本实施方案中，在基板10上设有具有这种结构的根据本发明的发光器件。
应说明的是，分别在图6A-6C中示出的晶体管11为顶部栅极TFT，其中在基板的相反一侧设有栅电极作为半导体层的中心。但是，晶体管11的结构无特别限定。例如，也可以采用底部栅极型。在底部栅极TFT的情况下，可以采用在形成沟道的半导体层上形成保护膜(沟道保护型)的TFT，也可以采用一部分形成沟道的半导体层凹陷(沟道蚀刻型)的TFT。
另外，构成晶体管11的半导体层可以为晶体或非晶体，也可以为微晶等。
下文将描述微晶半导体。微晶半导体为下述物质：具有介于非晶和晶体(例如单晶或多晶)结构之间的中间性结构，并且是具有自由能稳定的第3状态的半导体，其包括具有短程有序和晶格畸变的晶体区域。进而，膜中至少一个区域中包含0.5-20nm的晶粒。微晶半导体的拉曼光谱移至波数低于520cm-1一侧。通过X射线衍射，可在微晶半导体中观察到被视为来自Si晶格的(111)、(220)的衍射峰。为了终止悬空键，微晶半导体含有至少1原子％或更多的氢和卤素。采用例如SiH4、Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4或SiF4等气体进行辉光放电分解(采用等离子CVD)，形成微晶半导体。也可用H2、或H2和选自He、Ar、Kr和Ne中的一种或多种稀有气体元素的混合物来稀释上述各气体。稀释率设置在1∶2～1∶1000的范围。压力设置在大约0.1Pa～133Pa的范围。电源频率为1MHz～120MHz，优选13MHz～60MHz。基板加热温度为300℃或以下，优选100～250℃。作为膜中的杂质元素，氧、氮、碳等大气成分的每种杂质浓度优选1×1020/cm3或更小。特别是氧浓度为5×1019/cm3或更小，优选1×1019/cm3或更小。
另外，用于半导体层的晶体半导体的具体例子，包括单晶或多晶硅和硅锗，它们可以是由激光结晶化形成的，或可以是通过使用镍等元素的固相生长法进行的结晶化形成的。
在半导体层由非晶物质例如非晶硅形成的情况下，发光器件优选具有这样的电路，其中晶体管11及其他晶体管(构成用于驱动发光元件的电路的晶体管)都是N沟道型晶体管。在其它情况下，发光器件可具有包含N沟道型晶体管和P沟道型晶体管之一晶体管的电路，或可具有包含N沟道型晶体管和P沟道型晶体管两者的电路。
进而，如图6A、6B、6C所示，第一层间绝缘膜16可以为多层，也可以为单层。应说明的是，第一层间绝缘膜16a含有例如氧化硅或氮化硅等的无机物，第一层间绝缘膜16b含有丙烯酸、硅氧烷(应说明的是，硅氧烷树脂是指包含Si-O-Si键的树脂。硅氧烷具有由硅(Si)和氧(O)之间的键构成的构架结构。作为取代基，使用至少包含氢的有机基团(例如，烷基或芳烃基)。作为取代基，也可使用氟基，或也可使用至少包含氢和氟基的有机基团。)或可涂布形成的氧化硅等具有自平坦性的物质。另外，第一层间绝缘膜16c具有包含氩(Ar)的氮化硅膜。应说明的是，对于包含在各层中的物质无特别限定；因此也可使用此处未提到的其他物质。另外，也可组合包含此处未提到的其他物质的层。由此，可以使用无机材料和有机材料之一或两者来形成第一层间绝缘膜16。
隔离层18优选边缘部分是曲率半径连续变化的形状。另外，使用丙烯酸、硅氧烷、抗蚀剂、或氧化硅等来形成隔离层18。隔离层18可以由无机材料或有机材料中的任一种或两者来形成。
在图6A和6C每一中，在晶体管11和发光元件12之间仅设有第一层间绝缘膜16。但如图6B所示，除第一层间绝缘膜16(16a和16b)之外，也可设置第二层间绝缘膜19(19a和19b)。在图6B所示的发光器件中，第一电极13贯通第二层间绝缘膜19，与布线17相连。
第二层间绝缘膜19与第一层间绝缘膜16一样，可以为多层，也可以为单层。第二层间绝缘膜19a含有丙烯酸、硅氧烷或可涂布形成的氧化硅等具有自平坦性的物质。另外，第二层间绝缘膜19b具有包含氩(Ar)的氮化硅膜。对于包含在各层中的物质无特别限定，因此也可使用此处未提到的其他物质。另外，也可组合包含此处未提到的其他物质的层。由此，可以使用无机材料和有机材料之一或两者来形成第二层间绝缘膜19。
在发光元件12中，在第一电极13与第二电极14均由透光性物质构成的情况下，如图6A的空白箭头所示，由第一电极13一侧和第二电极14一侧均可提取发光。在仅第二电极14由透光性物质构成的情况下，如图6B的空白箭头所示，可仅由第二电极14一侧提取发光。在这种情况下，优选第一电极13包含高反射性材料，或在第一电极13的下方设置由高反射性材料组成的膜(反射膜)。在仅第一电极13由透光性物质构成的情况下，如图6C的空白箭头所示，可仅由第一电极13一侧提取发光。在这种情况下，优选第二电极14包含高反射性材料，或在第二电极14的上方设置反射膜。
另外，可以这样堆叠层15，当施加电压以便使第二电极14的电位高于第一电极13的电位时，发光元件12工作，或可以这样堆叠层15，当施加电压以便使第二电极14的电位低于第一电极13的电位时，发光元件12工作。在前者的情况下，晶体管11为N沟道型晶体管，在后者的情况下，晶体管11为P沟道型晶体管。
如上，在本实施方案中，对利用晶体管控制发光元件的驱动的有源型发光器件进行了说明。当然，并不限于有源发光器件，本发明也可应用于无源发光器件。
图7显示了应用本发明的无源发光器件的透视图。在图7中，层705设置在位于基板701上上的电极702和电极706之间，层705由包含发光物质的层、产生电子的层和产生空穴的层按顺序堆叠而成。绝缘层703覆盖了电极702的末端。在绝缘层703上设置隔离层704。隔离层704的侧面离基板表面越近，其一侧面与另一侧面之间的距离越窄，以形成斜坡。换句话说，隔离层704的横截面在短轴方向上为梯形，其下部基底(与绝缘层703的正面方向同向并与绝缘层703相接触的基底)比上部基底(与绝缘层703的正面方向同向且不与绝缘层703相接触的基底)短。因此，通过设置隔离层704能避免由于静电等引起的发光元件的缺陷。另外，通过包含根据本发明的在低驱动电压下工作的发光元件，无源发光器件也可在低能耗下驱动。
因为应用了根据本发明的有机金属配合物作为发光物质的根据本发明的发光元件能高效率发光，所以分别使用了根据本发明的发光元件作为像素的根据本发明的有源和无源发光器件在低能耗下工作。应说明的是，在有源发光器件的情况下，通过使用根据本发明发G(绿)或B(蓝)光的有机金属配合物，和使用已知的在R(红)、G(绿)和B(蓝)像素中发R(红)光的磷光性材料，能获得具有高发光效率的发光元件。因此，使用所述发光元件作为像素的根据本发明的有源发光器件可在低能耗下工作。
(实施方案5)
因为包含根据本发明的发光元件的发光器件能在低能耗下工作，则应用本发明能获得具有低能耗的电子器件。
图8A-8C每个中示出了装配了应用本发明的发光器件的电子器件的一个实施方案。
图8A为应用了本发明而制造的计算机，其包括主体5521、壳体5522、显示部分5523、和键盘5524等。在显示部分5523中装入发光器件，在该发光器件中，如实施方案1、2所述的，使用了根据本发明的有机金属配合物作为发光物质的发光元件排列在基体中。在这种方式中，通过将具有包含根据本发明的有机金属配合物的发光元件的发光器件作为显示部分装入，可制成个人电脑。因为这样的个人电脑的显示部分可高效率发光，所以能减少能耗。
图8B为应用了本发明而制造的手机，其中主体5552包括显示部分5551、声音输出部分5554、声音输入部分5555、操作开关5556和5557、和天线5553等。在显示部分5551中装入发光器件，在该发光器件中，如实施方案1、2所述的，使用了根据本发明的有机金属配合物作为发光物质的发光元件排列在基体中。在这种方式中，通过将具有包含根据本发明的有机金属配合物的发光元件的发光器件作为显示部分装入，可制成手机。因为这样的手机的显示部分可高效率发光，所以能减少能耗。
图8C为应用了本发明而制造的电视接收器，其包括显示部分5531、壳体5532、和扬声器5533等。在显示部分5531中装入发光器件，在该发光器件中，如实施方案1、2所述的，使用了根据本发明的有机金属配合物作为发光物质的发光元件排列在基体中。在这种方式中，通过将具有包含根据本发明的有机金属配合物的发光元件的发光器件作为显示部分装入，可制成电视接收器。因为这样的电视接收器的显示部分可高效率发光，所以能减少能耗。
如上所述，根据本发明的发光器件非常适合用作各种电子器件的显示部分。应说明的是，尽管本实施方案描述了个人电脑、和手机等，但是具有根据本发明的发光元件的发光器件也可装配在导航器件、或照相机等上。
实施方案1
合成实施例1
对由结构式(13)所示的根据本发明的有机金属配合物(名称：双[3，5-双(4-叔丁基苯基)-4-苯基-1，2，4-三唑(triazolato)](甲基吡啶)铱(III)，缩写：[Ir(t-Butaz)2(pic)])的合成方法进行说明。
[步骤1：双核配合物([Ir(t-Butaz)2Cl]2)的合成]
首先，将30ml 2-乙氧基乙醇和10ml水的混合液作为溶剂，混合2.59g配体H(t-t-Butaz)(3，5-双(4-叔丁基苯基)-4-苯基-[1，2，4]三唑)(H.W.SANDS.CORP制造)和0.76g氯化铱(IrCl3·H2O)，在氮气氛下回流14小时，由此得到双核配合物[Ir(t-Butaz)2Cl]2(黄色粉末，产率：53％)。合成步骤1的合成方案(a-1)如下文所示：
Figure A20061013562700701
[步骤2：根据本发明的有机金属配合物(缩写：[Ir(t-Butaz)2(pic)])的合成]
进一步，将20ml二氯甲烷作为溶剂，混合0.60g上述得到的[Ir(t-Butaz)2Cl]2、0.28g吡啶甲酸(Hpic)，在氮气氛下回流18小时。浓缩并干燥反应溶液，用氯仿使之再结晶以获得根据本发明的有机金属配合物Ir(t-Butaz)2(pic)(黄色晶体，产率：72％)。合成步骤2的合成方案(a-2)如下文所示：
Figure A20061013562700711
得到的化合物的质谱分析结果如下所示：
MS：m/z 1133([M+H]+)，1155([M+Na]+)
下文示出了得到的化合物的核磁共振光谱(1H-NMR)分析结果。另外，图9所示为1H-NMR图。
1H-NMR.δ(CDCl3)：8.32(d，1H)，7.96(d，1H)，7.81(td，1H)，7.59(m，9H)，7.44(m，2H)，7.35-7.17(m，8H)，6.82(d，1H)，6.67(m，2H)，6.57(dd，1H)，6.27-6.20(m，2H)，1.26(s，9H)，1.24(s，9H)，1.16(s，9H)，1.12(s，9H).
另外，采用热重/差热分析同步测量系统(Seiko Instruments有限责任公司制造，TG/DTA-320)测量了获得的根据本发明的有机金属配合物Ir(t-Butaz)2(pic)的热分解温度Td，结果Td＝410℃；因此，可发现根据本发明的有机金属配合物Ir(t-Butaz)2(pic)显示了良好的耐热性。
另外，图10中示出了室温下Ir(t-Butaz)2(pic)在二氯甲烷中的(a)吸收光谱和(b)发光光谱(PL)的测量结果。在图10中，横轴代表波长(nm)，纵轴代表吸光度和发光强度(任意单位)。从图10中可明显看出，根据本发明的有机金属配合物Ir(t-Butaz)2(pic)在318nm(肩峰)、348nm(肩峰)、382nm和450nm(肩峰)处有吸收峰，在509nm处有发光峰，并发绿光。
另外，当用光照射根据本发明的有机金属配合物Ir(t-Butaz)2(pic)的二氯甲烷溶液使其溶解氧时，很难发现来自化合物的发光，而在溶解氩的情况下观察到发光，因此显示了与产生磷光的物质相同的倾向。从而，可以确定来自Ir(t-Butaz)2(pic)的发光为磷光。
合成实施例2
合成实施例2将对由结构式(15)所示的根据本发明的有机金属配合物(名称：双[3，5-双(4-叔丁基苯基)-4-苯基-1，2，4-三唑(triazolato)][四(1-吡唑基)硼酸(borato)]铱(III)，缩写：[Ir(t-Butaz)2(bpz4)])的合成方法进行说明。
[步骤1：根据本发明的有机金属配合物(缩写：[Ir(t-Butaz)2(bpz4)])的合成]
首先，将1.14g合成实施例1步骤1中得到的双核配合物[Ir(t-Butaz)2Cl]2悬浮在40ml二氯甲烷中。然后，0.36g三氟甲基磺酸银溶于40ml甲醇溶剂中，得到的溶液滴入悬浮液中。然后，在室温下搅拌悬浮液2小时，进一步离心分离。经过离心得到的上清液通过倾析分开，以便进行浓缩和干燥。接下来，使用30ml乙腈为溶剂，将经过浓缩和干燥得到的固体与0.61g四(1-吡唑基)硼酸钾盐(AcrosOrganics制造)混合。然后，混合溶液在氮气氛下回流20小时，由此得到黄色粉末(产率：47％)。本合成实施例的合成方案(a-2′)如下文所示：
Figure A20061013562700731
采用核磁共振光谱(1H-NMR)分析获得的黄色粉末，产品经鉴定为由结构式(15)表示的[Ir(t-Butaz)2(bpz4)]，其是本发明的有机金属配合物中的一种。分析结果如下文所示。另外，图11所示为1H-NMR图。
1H-NMR.δ(CDCl3)；7.86(m，1H)，7.74(m，4H)，7.67-7.58(m，14H)，7.46(d，4H)，7.37(d，2H)，6.66(m，3H)，6.57(dd，2H)，6.35(m，1H)，6.22-6.19(m，5H)，1.34(s，18H)，1.08(s，18H)。
另外，图12中示出了室温下Ir(t-Butaz)2(bpz4)在二氯甲烷中的(a)吸收光谱和(b)发光光谱(PL)的测量结果。在图12中，横轴代表波长(nm)，纵轴代表吸光度和发光强度(任意单位)。从图12中可明显看出，根据本发明的有机金属配合物Ir(t-Butaz)2(bpz4)在366nm、325nm(肩峰)和450nm处有吸收峰，在458nm和489nm处有发光峰，并发蓝光。
合成实施例3
合成实施例3将对由结构式(55)所示的根据本发明的有机金属配合物(名称：双(2，5-二苯基-1，3，4-二唑(oxadiazolato))(甲基吡啶)铱(III)，缩写：[Ir(poda)2(pic)])的合成方法进行说明。
[步骤1：双核配合物([Ir(poda)2Cl]2)的合成]
首先，将1.37g(6.15mmol)2，5-二苯基-1，3，4-二唑和0.5g(1.67mmol)氯化铱-单水合物放入100ml三颈烧瓶中，然后加入30ml2-乙氧基乙醇和10ml水。然后，在100℃下加热15小时。反应结束后，采用薄膜滤器过滤，得到0.45g(产率：40％)黄色固体的预期产物。合成步骤1的合成方案(b-1)如下文所示：
Figure A20061013562700751
[步骤2：根据本发明的有机金属配合物(缩写：[Ir(poda)2(pic)])的合成]
将0.45g(0.336mmol)在步骤1中得到的[Ir(poda)2Cl]2、0.10g(0.839mmol)吡啶甲酸和0.36g(3.36mmol)碳酸钠放入100ml三颈烧瓶中，然后加入30ml 2-乙氧基乙醇。然后，在140℃下加热15小时。反应结束后，用水清洗溶液，用氯仿萃取水层，用饱和盐水清洗获得的氯仿溶液和有机层，然后用硫酸镁干燥。用硅胶柱层析法(乙酸乙酯)提纯经过滤和浓缩得到的物质，用氯仿和己烷使之再结晶。然后，获得了0.27g(产率：54％)黄色固体的预期产物。合成步骤2的合成方案(b-2)如下文所示：
Figure A20061013562700761
另外，采用热重/差热分析同步测量系统(Seiko Instruments有限责任公司制造，TG/DTA-320)测量了获得的根据本发明的有机金属配合物Ir(poda)2(pic)的热分解温度Td，发现有机金属配合物在440℃完全分解。从而，可发现根据本发明的有机金属配合物Ir(poda)2(pic)显示了良好的耐热性。
另外，图13中示出了室温下Ir(poda)2(pic)在二氯甲烷中的(a)吸收光谱和(b)发光光谱(PL)的测量结果。在图13中，横轴代表波长(nm)，纵轴代表吸光度和发光强度(任意单位)。从图13中可明显看出，根据本发明的有机金属配合物Ir(poda)2(pic)在330nm(肩峰)、360nm(肩峰)、400nm(肩峰)和420nm(肩峰)处有吸收峰，在506nm处有发光峰，并发绿光。
另外，当用光照射根据本发明的有机金属配合物Ir(poda)2(pic)的二氯甲烷溶液，使其氧取代时(氧取代)，很难发现来自化合物的发光，而在氩取代的情况下(氢取代)，观察到发光，因此显示了与产生磷光的物质相同的倾向。从而，可以确定来自Ir(poda)2(pic)的发光为磷光。
本申请以2005年10月18日在日本专利局提交的申请号为2005-303730的日本专利为基础，在此引入所述专利的全文作为参考。

Claims (66)

1.一种具有由通式(G1)表示的结构的有机金属配合物，
Figure A2006101356270002C1
其中X表示-O-或-N(R10)-，
其中R1～R9各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种，
其中R10表示具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的酰基、具有6～12个碳原子的芳基、和具有4～10个碳原子的杂芳基中的任一种，和
其中M表示属于第9族或第10族的元素。
2.一种由通式(G2)表示的有机金属配合物，
Figure A2006101356270002C2
其中X表示-O-或-N(R20)-，
其中R11～R19各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种，
其中R20表示具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的酰基、具有6～12个碳原子的芳基、和具有4～10个碳原子的杂芳基中的任一种，
其中M表示属于第9族或第10族的元素，
其中，当M是属于第9族的元素时，n＝2，而当M是属于第10族的元素时，n＝1，和
其中L表示单阴离子双齿配位体。
3.一种具有由通式(G3)表示的结构的有机金属配合物，
Figure A2006101356270003C1
其中X表示-O-或-N(R30)-，
其中R21～R29各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种，和
其中R30表示具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的酰基、具有6～12个碳原子的芳基、和具有4～10个碳原子的杂芳基中的任一种。
4.一种由通式(G4)表示的有机金属配合物，
Figure A2006101356270004C1
其中X表示-O-或-N(R40)-，
其中R31～R39各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种，
其中R40表示具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的酰基、具有6～12个碳原子的芳基、和具有4～10个碳原子的杂芳基中的任一种，和
其中L表示单阴离子双齿配位体。
5.一种具有由通式(G5)表示的结构的有机金属配合物，
Figure A2006101356270004C2
其中R41和R42各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种，和
其中M表示属于第9族或第10族的元素。
6.一种由通式(G6)表示的有机金属配合物，
其中R43和R44各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种，
其中M表示属于第9族或第10族的元素，
其中，当M是属于第9族的元素时，n＝2，而当M是属于第10族的元素时，n＝1，和
其中L表示单阴离子双齿配位体。
7.一种具有由通式(G7)表示的结构的有机金属配合物，
Figure A2006101356270005C2
其中R45和R46各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种。
8.一种由通式(G8)表示的有机金属配合物，
其中R47和R48各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种，和
其中L表示单阴离子双齿配位体。
9.一种具有由通式(G9)表示的结构的有机金属配合物，
Figure A2006101356270006C2
其中R49和R50各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种，和
其中M表示属于第9族或第10族的元素。
10.一种由通式(G10)表示的有机金属配合物，
Figure A2006101356270007C1
其中R51和R52各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种，
其中M表示属于第9族或第10族的元素，
其中，当M是属于第9族的元素时，n＝2，而当M是属于第10族的元素时，n＝1，和
其中L表示单阴离子双齿配位体。
11.一种具有由通式(G11)表示的结构的有机金属配合物，
Figure A2006101356270007C2
其中R53和R54各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种。
12.一种由通式(G12)表示的有机金属配合物，
Figure A2006101356270008C1
其中R55和R56各自表示氢、具有1～6个碳原子的烷基或环烷基、具有1～6个碳原子的烷氧基、具有1～6个碳原子的烷氧羰基、具有1～6个碳原子的酰基、具有1～6个碳原子的酸基、卤基、卤代烷基、和具有6～12个碳原子的芳基中的任一种，和
其中L表示单阴离子双齿配位体。
13.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件具有位于电极对之间的如权利要求1所述的有机金属配合物。
14.电子器件，其在显示部分包含如权利要求13所述的发光器件。
15.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件使用如权利要求1所述的有机金属配合物作为发光物质。
16.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求15所述的发光器件。
17.如权利要求2所述的有机金属配合物，其中L是在结构式(1)至(5)中的任一种示出的配位体。
Figure A2006101356270009C1
18.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件具有位于电极对之间的如权利要求2所述的有机金属配合物。
19.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求18所述的发光器件。
20.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件使用如权利要求2所述的有机金属配合物作为发光物质。
21.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求20所述的发光器件。
22.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件具有位于电极对之间的如权利要求3所述的有机金属配合物。
23.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求22所述的发光器件。
24.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件使用如权利要求3所述的有机金属配合物作为发光物质。
25.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求24所述的发光器件。
26.如权利要求4所述的有机金属配合物，其中L是在结构式(1)至(5)中的任一种示出的配位体。
27.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件具有位于电极对之间的如权利要求4所述的有机金属配合物。
28.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求27所述的发光器件。
29.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件使用如权利要求4所述的有机金属配合物作为发光物质。
30.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求29所述的发光器件。
31.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件具有位于电极对之间的如权利要求5所述的有机金属配合物。
32.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求31所述的发光器件。
33.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件使用如权利要求5所述的有机金属配合物作为发光物质。
34.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求33所述的发光器件。
35.如权利要求6所述的有机金属配合物，其中L是在结构式(1)至(5)中的任一种示出的配位体。
Figure A2006101356270011C1
36.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件具有位于电极对之间的如权利要求6所述的有机金属配合物。
37.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求36所述的发光器件。
38.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件使用如权利要求6所述的有机金属配合物作为发光物质。
39.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求38所述的发光器件。
40.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件具有位于电极对之间的如权利要求7所述的有机金属配合物。
41.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求40所述的发光器件。
42.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件使用如权利要求7所述的有机金属配合物作为发光物质。
43.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求42所述的发光器件。
44.如权利要求8所述的有机金属配合物，其中L是在结构式(1)至(5)中的任一种示出的配位体。
45.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件具有位于电极对之间的如权利要求8所述的有机金属配合物。
46.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求45所述的发光器件。
47.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件使用如权利要求8所述的有机金属配合物作为发光物质。
48.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求47所述的发光器件。
49.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件具有位于电极对之间的如权利要求9所述的有机金属配合物。
50.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求49所述的发光器件。
51.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件使用如权利要求9所述的有机金属配合物作为发光物质。
52.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求51所述的发光器件。
53.如权利要求10所述的有机金属配合物，其中L是在结构式(1)至(5)中的任一种示出的配位体。
Figure A2006101356270013C1
54.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件具有位于电极对之间的如权利要求10所述的有机金属配合物。
55.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求54所述的发光器件。
56.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件使用如权利要求10所述的有机金属配合物作为发光物质。
57.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求26所述的发光器件。
58.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件具有位于电极对之间的如权利要求11所述的有机金属配合物。
59.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求58所述的发光器件。
60.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件使用如权利要求11所述的有机金属配合物作为发光物质。
61.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求60所述的发光器件。
62.如权利要求12所述的有机金属配合物，其中L是在结构式(1)至(5)中的任一种示出的配位体。
63.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件具有位于电极对之间的如权利要求12所述的有机金属配合物。
64.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求63所述的发光器件。
65.使用发光元件作为像素或光源的发光器件，其中发光元件使用如权利要求12所述的有机金属配合物作为发光物质。
66.电子器件，其在显示部分中包含如权利要求65所述的发光器件。
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