CN1945760A - 一种玻封二极管型ntc热敏电阻器及其制备方法 - Google Patents

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本发明公开一种玻封二极管型NTC热敏电阻器及其制备方法,本NTC热敏电阻器主要由芯片、覆盖在芯片周围的玻壳和引线组成,芯片的两面涂覆有金属电极,引线的一端固定在金属电极上。其特征是芯片材料的主要组成为:六水合硝酸钴19%~23%;50%硝酸锰溶液25%~29%;硝酸铁11%~12%;碳酸氢铵29%~31%;氨水10%~13%。本NTC热敏电阻器根据芯片材料组成的最佳配比,同时结合高精度切片设备和划片设备,提高了精度互换性,阻值精度±1%达到了80%,B值精度为±0.2%。

Description

一种玻封二极管型NTC热敏电阻器及其制备方法
技术领域
本发明涉及以分析纯的金属硝酸盐为主要原料的电子元器件及其制造方法,具体是一种玻封二极管型NTC热敏电阻器及其制备方法。
背景技术
NTC是Negative Temperature Coefficient的缩写,意思是负的温度系数,泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件,所谓NTC热敏电阻器就是负温度系数热敏电阻器。NTC热敏电阻器是一种以高纯度过渡金属氧化物为主要材料制造的半导体陶瓷元件,它是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料,采用陶瓷工艺制造而成的。这些金属氧化物材料都具有半导体性质,因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料。温度低时,这些氧化物材料的载流子(电子和孔穴)数目少,所以其电阻值较高;随着温度的升高,载流子数目增加,所以电阻值降低。因此它具有电阻值随温度的变化而相应变化的特性,即在一定测量功率下,电阻值随温度的上升而下降的特性。NTC热敏电阻器在室温下的变化范围在100~1000000欧姆,温度系数-2%~-6.5%。利用这一特性,NTC热敏电阻器可广泛应用于温度测量、温度补偿、抑制浪涌电流等场合。
但是目前国内的同类产品阻值精度±1%为50%,B值精度为±2%。为了更好的利用本产品,其精度需要进一步提高。
发明内容
本发明提出一种玻封二极管型NTC热敏电阻器及其制备方法,提高了产品的精度互换性(由低精度提升为高精度),从而提高了产品的利用率。
为实现上述发明目的,本发明所采用的技术方案如下:一种玻封二极管型NTC热敏电阻器,它主要由芯片、覆盖在芯片周围的玻壳和引线组成,芯片的两面涂覆有金属电极,引线的一端固定在金属电极上,其特征在于所述芯片材料的主要成分组成为:
六水合硝酸钴        19%~23%;
硝酸锰溶液          25%~29%;
硝酸铁              11%~12%;
碳酸氢铵            29%~31%;
氨水                10%~13%。
所述芯片的两面涂覆的金属电极为银电极。
所述芯片成分中使用的硝酸锰溶液浓度为50%,氨水的浓度为25%~28%。
一种玻封二极管型NTC热敏电阻器的制备方法,制备方法步骤如下:
a.分别将几种原材料配制成水溶液,加热至45℃混合搅拌,让其充分反应,再用去离子水不断漂洗,直至去除多余的OH-离子;
b.将反应生成物在100℃条件下烘干后,置于马弗炉中进行850℃的煅烧;
c.用等静压机压制成一定形状的圆柱体,在1240℃的高温炉中烧结成致密的陶瓷体;
d.用高精度切片机切割成0.25mm的薄片,再在其两面涂覆银电极,用高精度划片机划成0.5×0.5小芯片;
e.将芯片装入玻壳中,再安好引线,用玻封炉经600℃封装成热敏电阻器。
本发明经过多年实验,摸索出最佳配比,同时结合高精度切片设备和划片设备,提高了精度互换性,阻值精度±1%达到了80%,B值精度为±0.2%。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明。
下面是一个型号为HX-MF58GT103F360F的玻封二极管NTC热敏电阻器,其芯片材料的原材料组成为:
六水合硝酸钴          200克;
50%硝酸锰溶液        260克;
硝酸铁                111.5克;
碳酸氢铵              190克;
26.5%氨水            110毫升。
其制备方法为:
第一步:分别将几种原材料配制成水溶液,加热至45℃混合搅拌,让其充分反应,再用去离子水不断漂洗,直至去除多余的OH-离子。
第二步:将反应生成物在100℃条件下烘干后,置于马弗炉中进行850℃的煅烧。
第三步:用等静压机压制成一定形状的圆柱体,在1240℃的高温炉中烧结成致密的陶瓷体。
第四步:用高精度切片机切割成0.25mm的薄片,再在其两面涂覆银电极,用高精度划片机划成0.5×0.5小芯片。
第五步:将芯片装入玻壳中,再安好引线,用玻封炉经600℃封装成热敏电阻器。
本热敏电阻器的特点是:
1、玻璃封装、结构坚固、耐热性好、可靠性高、工作稳定;
2、体积小、质量轻,适用于自动插件机安装;
3、性价比高,经济实用。
本热敏电阻器的适用范围是:
1.家用电器中电饭煲、电烤箱、空调机、微波炉、电风扇、电取暖炉等的温度控制与温度检测;
2.办公自动化设备,如复印机、打印机的温度检测或温度补偿;
3.工业、医疗、环保、气象、食品加工设备的温度控制与检验;
4.液面指示和流量测量;
5.电讯领域的手机电池及充电器;
6.仪表线圈、集成电路、石英晶体振荡器和热电偶的温度补偿。

Claims (4)

1、一种玻封二极管型NTC热敏电阻器,它主要由芯片、覆盖在芯片周围的玻壳和引线组成,芯片的两面涂覆有金属电极,引线的一端固定在金属电极上,其特征在于所述芯片材料的主要成分组成为:
六水合硝酸钴          19%~23%;
硝酸锰溶液            25%~29%;
硝酸铁                11%~12%;
碳酸氢铵              29%~31%;
氨水                  10%~13%。
2、根据权利要求1所述的NTC热敏电阻器,其特征是所述芯片的两面涂覆的金属电极为银电极。
3、根据权利要求1或2所述的NTC热敏电阻器,其特征是所述芯片成分中使用的硝酸锰溶液浓度为50%,氨水的浓度为25%~28%。
4、一种玻封二极管型NTC热敏电阻器的制备方法,其特征是该制备方法步骤如下:
a.分别将几种原材料配制成水溶液,加热至45℃混合搅拌,让其充分反应,再用去离子水不断漂洗,直至去除多余的OH-离子;
b.将反应生成物在100℃条件下烘干后,置于马弗炉中进行850℃的煅烧;
c.用等静压机压制成一定形状的圆柱体,在1240℃的高温炉中烧结成致密的陶瓷体;
d.用高精度切片机切割成0.25mm的薄片,再在其两面涂覆银电极,用高精度划片机划成0.5×0.5小芯片;
e.将芯片装入玻壳中,再安好引线,用玻封炉经600℃封装成热敏电阻器。
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Cited By (4)

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CN102789857B (zh) * 2012-08-01 2015-03-18 孝感华工高理电子有限公司 一种小型玻封二极管结构ntc热敏电阻及其制备方法
CN108147790A (zh) * 2017-12-26 2018-06-12 珠海爱晟医疗科技有限公司 医用含金高精度高稳定ntc热敏芯片及其制作方法
CN108147790B (zh) * 2017-12-26 2021-04-30 珠海爱晟医疗科技有限公司 医用含金高精度高稳定ntc热敏芯片及其制作方法
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication