CN1941451A - 有机电致发光装置及电子设备 - Google Patents

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Abstract

有机EL装置(1)在基板(10)上层叠有:像素电极(11)、功能层(13)、阴极(14)、阴极遮盖层(15)及树脂层(16)。像素电极(11)的侧面相对于基板面所成的锥角(α)设定在20°以下。因此,像素电极(11)的侧面形成的阶梯即使反映在功能层(13)、阴极(14)、阴极遮盖层(15)及树脂层(16)中,阶梯形状也缓和。因此,即使对有机EL装置(1)进行耐湿试验,也不会有过大的应力施加到阴极(14),因此阴极(14)中不会产生裂纹。由此提供能够防止在形成于功能层的上层的对置电极中产生裂纹、从而能够防止功能层因水分而劣化的有机EL装置及使用了该装置的电子设备。

Description

有机电致发光装置及电子设备
技术领域
本发明涉及有机电致发光装置(以下,称有机EL装置)、及电子设备。
背景技术
在有机EL装置中,如图6所示,在基板10上具有:形成为岛状的、作为阳极的像素电极11;覆盖该像素电极11的表面侧的功能层13;和层叠在该功能层13上的、作为阴极14的对置电极。此处,功能层13作为担负着发光功能的发光层而形成。该功能层13容易因水分而劣化,因此在阴极14的上层大多层叠阴极遮盖层15及树脂层16。在这样构成的有机EL装置中,历来,上述各层的厚度、及像素电极11的侧面相对于基板面所成的锥角α例如设定为以下的条件。
像素电极11      ……  100nm
功能层13        ……  100nm
阴极14          ……  10nm
阴极遮盖层15    ……  200nm
树脂层16        ……  3000nm
锥角α                      ……  80°
另外,例如,参照专利文献1中公开了:作为其它构成的有机EL装置,若在基板上由像素电极而形成有阶梯,则在功能层中因阶梯而发生断线从而产生缺陷,使像素电极的侧面成为锥面的结构;及在像素电极的侧方形成其它金属膜的结构。
但是,专利文献1所公开的结构,最终在功能层中因阶梯而发生断线从而产生缺陷,从而无法消除以下的问题。即,若对有机EL装置进行耐湿试验,则过大的应力施加到阴极14而产生裂纹,水分通过该裂纹到达功能层13。这样的水分使功能层13劣化,将导致像素中的发光面积缩小的像素收缩现象。
对于上述问题,本申请发明者进行了各种研究,结果得到了新的发现:导致阴极14上产生裂纹的应力受到由像素电极11的端部形成的阶梯的影响,但是例如即使将图6所示的各层的厚度、及像素电极11的侧面相对于基板面所成的锥角α设定为以下的条件,
像素电极11    ……  100nm
功能层13      ……  100nm
阴极14        ……  10nm
阴极遮盖层15  ……  200nm
树脂层16      ……  3000nm
锥角α                  ……  45°
也无法可靠地防止阴极14中产生裂纹。
专利文献1:特开平10-294183号公报
发明内容
鉴于以上的问题,本发明的目的在于提供一种能够防止在形成于功能层的上层的对置电极中产生裂纹、从而能够防止功能层因水分而劣化的有机EL装置及使用了该装置的电子设备。
为了解决上述课题,本发明为在基板上具有形成为岛状的像素电极、覆盖该像素电极的表面侧的功能层、层叠在该功能层上的对置电极的有机电致发光装置,所述像素电极的侧面相对于所述基板面所成的锥角在20°以下。
在本发明中,由于像素电极的侧面相对于所述基板面所成的锥角在20°以下,因此即使在其上层形成的功能层和对置电极等中反映了像素电极端部的阶梯,阶梯形状也缓和。因此,即使对有机EL装置进行耐湿试验,也不会有过大的应力施加到对置电极,因此对置电极中不会产生裂纹。因此不会发生水分通过对置电极中产生的裂纹侵入到功能层的情况,由此能够防止功能层因水分而劣化。所以,能够可靠地防止由功能层的劣化引起的发光面积的缩小。
此处,优选所述像素电极的厚度在50nm以下。若这样构成,则即使在功能层和对置电极等中反映了阶梯,阶梯形状也缓和。因此,即使对有机EL装置进行耐湿试验,也不会有过大的应力施加到对置电极,因此能够可靠地防止对置电极中产生裂纹。
而且,本发明的其它方式是在基板上具有形成为岛状的像素电极、覆盖该像素电极的表面侧的功能层、层叠在该功能层上的对置电极的有机电致发光装置,所述像素电极的厚度在50nm以下。
在本发明中,由于像素电极薄到50nm以下,因此即使在其上层形成的功能层和对置电极等中反映了像素电极端部的阶梯,阶梯形状也缓和。因此,即使对有机EL装置进行耐湿试验,也不会有过大的应力施加到对置电极,因此对置电极中不会产生裂纹。因此不会发生水分通过对置电极中产生的裂纹侵入到功能层的情况,由此能够防止功能层因水分而劣化。所以,能够可靠地防止由功能层的劣化引起的发光面积的缩小。
本发明的有机EL装置可用于各种显示装置、和复印机其它图像形成装置等的电子设备中。
附图说明
图1是表示应用本发明的有机EL装置的电结构的框图;
图2是本发明的实施方式一的有机EL装置的剖面图;
图3是表示在制造本发明的实施方式一的有机EL装置时,用于形成侧面的锥角小的像素电极的方法的工序图;
图4是本发明的实施方式三的有机EL装置的剖面图;
图5是搭载本发明的有机EL装置的电子设备的说明图;
图6是现有的有机EL装置的剖面图。
图中:1-有机EL装置,10-基板,11-像素电极,13-功能层,14-阴极(对置电极),15-阴极遮盖层,16-树脂层。
具体实施方式
以下,参照附图,对本发明的实施方式进行说明。
(实施方式一)
图1表示应用本发明而得到的有源矩阵型的有机EL装置的电结构的框图。图2是本发明的实施方式一的有机EL装置中形成的一个像素的剖面图。
如图1所示,有机EL装置1具有分别布线了多根扫描线101、沿相对于扫描线101交叉的方向延伸的多根信号线102、和与信号线102并列地延伸的多根电源线103的结构,并且在扫描线101及信号线102的各交点附近设置有像素区域100。具备移位寄存器、电平移动二极管(levelshifter)、视频线路及模拟开关的数据侧驱动电路104与信号线102连接,具备移位寄存器及电平移动二极管的扫描侧驱动电路105与扫描线101连接。在各像素区域100中设置有:扫描信号经由扫描线101而被供给到栅电极的开关用的薄膜晶体管107;保持经由开关用的薄膜晶体管107而从信号线102供给的像素信号的保持电容7;由保持电容7所保持的像素信号被供给到栅电极的驱动用的薄膜晶体管123;在经由该驱动用薄膜晶体管123而与电源线103电连接时,驱动电流从该电源线103流入的像素电极11(阳极);和夹持在该像素电极11和阴极14(对置电极)之间的功能层13。此处,像素电极11、功能层13及阴极14构成有机EL元件5。
这样的有机EL装置1的各像素,具体地说,如图2所示,在基板10上具有:形成为岛状的、由ITO膜构成的像素电极11;覆盖该像素电极11的表面侧的功能层13;和层叠在该功能层13上的、由镁-银合金构成的阴极14。此处,功能层13至少具备发光层,还有在发光层的下层侧形成空穴注入层或空穴输送层的情况。在任一种情况下,功能层13都由茋系、咔唑系、腙系、芳基胺系、噁二唑系、星爆(starburst)系衍生物等构成的低分子的有机材料构成,因此容易因水分而劣化。因此,在本方式中,在阴极14的上层层叠有由硅氧化膜、硅氮化膜、硅氧氮化膜等无机物构成的阴极遮盖层15、及由环氧树脂等构成的树脂层16。另外,在基板10的表面形成薄膜晶体管或光学谐振腔,并在其上层侧形成像素电极11的情况较多,但在以下的说明中,省略薄膜晶体管和光学谐振腔等的图示及说明。
在这样构成的有机EL装置1中,上述各层的厚度、及像素电极11的侧面相对于基板面所成的锥角α,设定为以下的条件:
像素电极11  ……  100nm
功能层13      ……  100nm
阴极14        ……  10nm
阴极遮盖层15  ……  200nm
树脂层16      ……  3000nm
锥角α                  ……  20°
即,在本方式中,像素电极11的膜厚是100nm,与现有的像素电极相同,但像素电极11的侧面相对于基板面所成的锥角α设定在20°以下。
因此,根据本方式,像素电极11的侧面形成的阶梯即使反映在功能层13、阴极14、阴极遮盖层15及树脂层16中,阶梯形状也缓和。因此,即使对有机EL装置1进行耐湿试验,也不会有过大的应力施加到阴极14,因此阴极14中不会产生裂纹。因此不会发生水分通过阴极14中产生的裂纹侵入到功能层13的情况,由此能够防止功能层13因水分而劣化。所以,能够可靠地防止由功能层13的劣化引起的发光面积的缩小。
例如,若将如本方式这样设定像素电极11的侧面相对于基板面所成的锥角α在20°以下的有机EL装置、使像素电极11的侧面相对于基板面所成的锥角α为45°的有机EL装置、及使像素电极11的侧面相对于基板面所成的锥角α为80°的有机EL装置中的每一个放置在60℃、相对湿度95%的气氛中,则作为锥角α与发光面积的收缩程度的关系,得到了以下的结果:
锥角α=20°  ··发光面积的收缩=10%
锥角α=45°  ··发光面积的收缩=40%
锥角α=80°  ··发光面积的收缩=60%
。即,得到了在本方式的有机EL装置中发光面积仅收缩10%的结果。
(制造方法)
在制造这样的有机EL装置1时,为了将像素电极11的侧面相对于基板面所成的锥角α设定20°以下,例如,采用图3(a)~(c)所示的方法即可。图3(a)~(c)是表示用于形成侧面的锥角α小的像素电极11的方法的工序图。
如图3(a)所示,在形成像素电极11时,分别多次进行ITO膜的成膜及图案形成,从而层叠多个ITO膜111、112、113,并且使其大小在上层侧较小即可。这样,能够形成侧面的锥角α小的像素电极11。
而且,如图3(b)所示,在基板10上形成ITO膜110之后,在形成有抗蚀掩模19的状态下,降低ITO膜110与抗蚀掩模19的密接性,例如降低基板10与ITO膜110的密接性,进行湿蚀刻即可。若这样构成,则在湿蚀刻时,在ITO膜110与抗蚀掩模19的界面进行侧面蚀刻,因此能够形成侧面的锥角α小的像素电极11。
进而,如图3(c)所示,在基板10上形成ITO膜110之后,形成端部具备锥度的抗蚀掩模19,在该状态下,也可利用含有氧的气体进行干蚀刻。若这样构成,则由于ITO膜110与抗蚀掩模19同时被蚀刻,因此能够形成侧面的锥角α小的像素电极11。
在形成了这样的像素电极11之后,利用真空蒸镀法、溅射法、离子镀敷法、还有旋涂法等,依次形成功能层13、阴极14、阴极遮盖层15、树脂层16。
(实施方式二)
在本发明的实施方式二的有机EL装置中,参照图2说明的像素电极11、功能层13、阴极14、阴极遮盖层15、及树脂层16的厚度、及像素电极11的侧面相对于基板面所成的锥角α,设定为以下的条件:
像素电极11    ……  200nm
功能层13      ……  100nm
阴极14        ……  10nm
阴极遮盖层15  ……  200nm
树脂层16      ……  3000nm
锥角α                  ……  20°
。即,在本方式中,像素电极11的膜厚是200nm,与以往的像素电极比较,是其两倍的厚度,但像素电极11的侧面相对于基板面所成的锥角α设定在20°以下。
因此,根据本方式,像素电极11的侧面形成的阶梯即使反映在功能层13、阴极14、阴极遮盖层15及树脂层16中,阶梯形状也缓和。因此,即使对有机EL装置1进行耐湿试验,也不会有过大的应力施加到阴极14,因此阴极14中不会产生裂纹。因此不会发生水分通过阴极14中产生的裂纹侵入到功能层13的情况,由此能够防止功能层13因水分而劣化。所以,能够可靠地防止由功能层13的劣化引起的发光面积的缩小。例如,即使将本方式的有机EL装置放置在60℃、相对湿度95%的气氛中,也得到发光面积仅收缩10%的结果。
(实施方式三)
图4是本发明的实施方式三的有机EL装置中形成的一个像素的剖面图。如图4所示,本方式中也在基板10上具有:由ITO膜构成的像素电极11;覆盖该像素电极11的表面侧的功能层13;和层叠在该功能层13上的、由镁-银合金构成的阴极14。而且,在阴极14的上层层叠有由硅氧氮化膜等构成的阴极遮盖层15、及由环氧树脂等构成的树脂层16。
在这样构成的有机EL装置1中,在本方式中,将上述各层的厚度、及像素电极11的侧面相对于基板面所成的锥角α,设定为以下的条件:
像素电极11    ……  50nm
功能层13      ……  100nm
阴极14        ……  10nm
阴极遮盖层15  ……  200nm
树脂层16      ……  3000nm
锥角α                  ……  80°
。即,在本方式中,像素电极11的侧面相对于基板面所成的锥角α,与参照图6所说明的结构同样为80°,但像素电极11的膜厚是50nm,与现有的像素电极比较,是1/2倍的厚度。
因此,根据本方式,像素电极11的侧面形成的阶梯即使反映在功能层13、阴极14、阴极遮盖层15及树脂层16中,阶梯形状也缓和。因此,即使对有机EL装置1进行耐湿试验,也不会有过大的应力施加到阴极14,因此阴极14中不会产生裂纹。因此不会发生水分通过阴极14中产生的裂纹侵入到功能层13的情况,由此能够防止功能层13因水分而劣化。所以,能够可靠地防止由功能层13的劣化引起的发光面积的缩小。例如,即使将本方式的有机EL装置放置在60℃、相对湿度95%的气氛中,也得到发光面积仅收缩10%的结果。
(其它实施方式)
本发明的技术范围并不限定于上述实施方式,在不脱离本发明的宗旨的范围内可添加各种变更。例如,在实施方式一中,设像素电极11的厚度为100nm,但也可如实施方式三那样,设为50nm。
而且,在上述方式中,功能层由低分子材料形成,因此在制造工序中,采用了真空蒸镀法,但在构成功能层时,也可使用高分子材料,将该高分子材料配合到规定的溶剂中,通过喷墨法等方法喷出,从而形成功能层。
(搭载到电子设备的例子)
对具备应用了本发明而成的有机EL装置的电子设备的具体例进行说明。图5(a)是表示移动电话的一例的立体图。在图5(a)中,标记600表示移动电话主体,标记601表示使用了所述的有机EL装置的显示部。图5(b)是表示文字处理机、笔记本电脑等便携式信息处理装置的一例的立体图。在图5(b)中,标记700表示信息处理装置,标记701表示键盘等输入部,标记703表示信息处理装置主体,标记702表示使用了所述的有机EL装置的显示部。图5(c)是表示手表式电子设备的一例的立体图。在图5(c)中,标记800表示手表主体,标记801表示使用了所述的有机EL装置的显示部。

Claims (4)

1.一种有机电致发光装置,在基板上具有形成为岛状的像素电极、覆盖该像素电极的表面侧的功能层、层叠在该功能层上的对置电极,
所述像素电极的侧面相对于所述基板面所成的锥角在20°以下。
2.一种有机电致发光装置,在基板上具有形成为岛状的像素电极、覆盖该像素电极的表面侧的功能层、层叠在该功能层上的对置电极,
所述像素电极的厚度在50nm以下。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,
所述像素电极的厚度在50nm以下。
4.一种电子设备,其具备权利要求1~3中任一项规定的有机电致发光装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110571357A (zh) * 2018-06-05 2019-12-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件及其制造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110057170A1 (en) * 2007-10-15 2011-03-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Solution processed electronic devices
KR20100105673A (ko) 2007-12-14 2010-09-29 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전자 소자용 백플레인 구조물
JP6209318B2 (ja) * 2012-06-06 2017-10-04 ローム株式会社 有機el発光装置およびその製造方法
JP5401583B2 (ja) * 2012-06-11 2014-01-29 日東電工株式会社 有機elデバイスの製造方法、および、有機elデバイス
JP5723046B2 (ja) * 2014-06-27 2015-05-27 日東電工株式会社 有機elデバイスの製造方法、および、有機elデバイス
JP6378769B2 (ja) * 2014-07-29 2018-08-22 パイオニア株式会社 光学装置
KR101895069B1 (ko) 2017-04-25 2018-09-04 주식회사 포스코 연소기의 연료공급장치 및 이를 이용한 연료공급방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0907304B1 (en) * 1996-05-29 2002-11-06 Idemitsu Kosan Company Limited Organic el device
JP2848391B2 (ja) * 1998-04-20 1999-01-20 日本電気株式会社 有機薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置における電極構造の製造方法
DE59902798D1 (de) * 1998-11-26 2002-10-24 Siemens Ag Verfahren zum steuern eines elektromechanischen stellantriebs für ein gaswechselventil einer brennkraftmaschine
JP4273191B2 (ja) * 2001-03-01 2009-06-03 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機発光デバイス
JP3823916B2 (ja) * 2001-12-18 2006-09-20 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法
KR20050097538A (ko) * 2003-02-05 2005-10-07 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 반투과 반반사형 전극 기판의 제조 방법, 및 반사형 전극기판 및 그 제조 방법, 및 그 반사형 전극 기판의 제조방법에 이용하는 에칭 조성물
JP4131243B2 (ja) * 2004-02-06 2008-08-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器
KR100601370B1 (ko) * 2004-04-28 2006-07-13 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그를 이용한 유기 전계 발광 표시 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110571357A (zh) * 2018-06-05 2019-12-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件及其制造方法
CN110571357B (zh) * 2018-06-05 2022-03-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007095613A (ja) 2007-04-12
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KR20070037334A (ko) 2007-04-04
TW200739985A (en) 2007-10-16

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