CN1928475A - 减压干燥装置及基板干燥方法 - Google Patents

减压干燥装置及基板干燥方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1928475A
CN1928475A CN 200610108181 CN200610108181A CN1928475A CN 1928475 A CN1928475 A CN 1928475A CN 200610108181 CN200610108181 CN 200610108181 CN 200610108181 A CN200610108181 A CN 200610108181A CN 1928475 A CN1928475 A CN 1928475A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
substrate
bearing
support plate
dry device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 200610108181
Other languages
English (en)
Other versions
CN100517570C (zh
Inventor
柿村崇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Skilling Group
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Publication of CN1928475A publication Critical patent/CN1928475A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100517570C publication Critical patent/CN100517570C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供一种防止在对基板上的处理液进行干燥时产生处理液不匀的减压干燥装置。该减压干燥装置具有2个可以升降的支承板和3个被固定配置的固定板。在干燥处理时,支承板的上表面和固定板的上表面的高度一致,形成一个支承基板的支承面。在干燥处理时,该支承面面接触基板的整个背侧,支承基板。因此,在基板的背侧不形成空间,不产生气流,可以防止处理液不匀。另外,在交接基板时,支承板上升,由支承板的上表面面接触基板的背侧来支承基板。因此,不必形成支承销的贯通孔等,可以简化装置结构,也可以防止以贯通孔为起因的处理液不匀。

Description

减压干燥装置及基板干燥方法
技术领域
本发明涉及一种对处理室内的气体环境进行减压,来干燥基板上的处理液的减压干燥装置。
背景技术
在液晶用玻璃方形基板、半导体基板、薄膜液晶用挠性基板、光掩模用基板、彩色滤光器用基板等各种基板的制造工序中,要进行在基板的表面上涂敷抗蚀液等处理液的处理,并使用干燥装置来干燥该基板上的处理液。作为该干燥装置,公知的是通过对保持基板的处理室内的气体环境进行减压,使处理液的沸点降低,在较短的时间内干燥基板上的处理液的减压干燥装置(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:JP特开2004-241702号公报。
一般,在减压干燥装置中,以支承销的点接触来支承(点支承)基板。但是,在减压干燥中,如果以点支承基板,那么,在支承部分和其他部分会产生温差。这是由于,虽然在减压干燥中随着处理液的气化,气化热从基板被夺取,但是在支承部分和其他部分产生实质性的热容量的差异、或者在支承部分以外的空间会产生气流而夺走热量等原因。
这样,如果在基板上产生局部性温差,则会影响基板上的处理液的状态,从而会使处理液产生不匀。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而提出的,其目的是提供一种能够防止处理液不匀的减压干燥装置。
(1)一种减压干燥装置,对处理室内的气体环境进行减压,来干燥基板上的处理液,其特征在于,具有:支承机构,其在干燥上述基板上的处理液时,由处理支承面与至少存在上述处理液的产品区域的整个背侧进行面接触,来支承上述基板;交接机构,其由交接支承面进行面接触来支承上述基板,同时,在与上述处理室外的搬运机构之间进行上述基板的交接,上述交接支承面为上述处理支承面的至少一部分。
(2)如(1)所述的减压干燥装置,其特征在于,上述处理支承面和上述交接支承面由同一构件构成。
(3)如(1)所述的减压干燥装置,其特征在于,上述交接支承面是由相互分离配置的多个第一板构成的,上述处理支承面是由上述多个第一板和其他的第二板构成的。
(4)如(3)所述的减压干燥装置,其特征在于,在形成了上述处理支承面时,相邻的上述第一板和上述第二板的间隔为1mm以下。
(5)如(3)或(4)所述的减压干燥装置,其特征在于,还具有闭塞机构,该闭塞机构在形成了上述处理支承面时,堵塞相邻的上述第一板和上述第二板之间的空间。
(6)如(3)或(4)所述的减压干燥装置,其特征在于,还具有调温机构,该调温机构调整上述第一板和上述第二板之间的温差。
(7)如(1)至(4)中任意一项所述的减压干燥装置,其特征在于,上述处理支承面是由导体物质构成的,而且接地。
(8)如(1)至(4)中任意一项所述的减压干燥装置,其特征在于,上述处理支承面是由绝缘物质构成的。
(9)一种减压干燥装置,对处理室内的气体环境进行减压,来干燥基板上的处理液,其特征在于,具有:支承机构,其在干燥上述基板上的处理液时,由支承面与上述基板的背侧进行面接触,来支承上述基板;分离机构,其使干燥后的上述基板,在上述处理室内的气体环境的减压状态下,从上述支承面分离。
(10)如(9)所述的减压干燥装置,其特征在于,上述分离机构具有从上述支承面突出并支承上述基板的支承销。
(11)如(10)所述的减压干燥装置,其特征在于,上述分离机构还具有连动构件,该连动构件将上述支承面的升降运动传递到上述支承销,并与上述支承面的升降连动,使上述支承销相对于上述支承面进出。
(12)如(10)所述的减压干燥装置,其特征在于,上述支承销相对于上述处理室是固定的,上述分离机构还具有升降机构,该升降机构通过相对于上述处理室使上述支承面升降,从而使上述支承销相对于上述支承面进出。
(13)如(9)至(12)中任意一项所述的减压干燥装置,其特征在于,上述支承面是由导体物质构成的,而且接地。
(14)如(9)至(12)中任意一项所述的减压干燥装置,其特征在于,上述支承面是由绝缘物质构成的。
(15)一种基板干燥方法,对基板上的处理液进行干燥,其特征在于,具有:干燥工序,由支承面进行面接触来支承上述基板,同时,对气体环境进行减压,对上述基板上的处理液进行干燥;分离工序,在上述干燥工序后,维持上述气体环境的减压状态,同时,使上述基板从上述支承面分离。
根据上述(1)至(8)所述的发明,通过在对处理室进行减压时与存在处理液的产品区域的背侧整体面接触来支承基板,能够防止处理液的不匀。与此同时,由于交接支承面成为处理支承面的至少一部分,因此,在处理支承面不需要支承销。因此,也没必要在处理支承面形成支承销的贯通孔,所以可以防止以贯通孔为起因的处理液的不匀。
另外,特别是根据上述(2)所述的发明,由于处理支承面和交接支承面是由同一构件构成,可以简化装置结构。同时,在交接基板时,也可以面接触存在上述处理液的产品区域的整体背侧来支承基板,能够稳定地进行基板的交接。
另外,特别是根据上述(3)所述的发明,搬运机构在端部以外的位置支承基板时,也能够通过面接触进行基板的交接。
另外,特别是根据上述(4)所述的发明,由于相邻的第一板和第二板的间隔为1mm以下,可以防止产生气流,防止处理液的不匀。
另外,特别是根据上述(5)所述的发明,可以防止在第一板和第二板之间的空间产生气流,防止处理液的不匀。
另外,特别是根据所述(6)所述的发明,通过调整第一板和第二板之间的温差,可以防止处理液的不匀。
另外,特别是根据上述(7)及(8)所述的发明,可以防止静电的蓄积,防止因剥离带电而引起的基板的破坏。
另外,根据上述(9)至(15)所述的发明,由于在减压状态下将干燥后的基板从支承面分离,使基板压向支承面的力变小,因此,支承面和基板的摩擦消失,从而有效地防止基板从支承面分离时的带电。
另外,特别是根据上述(10)所述的发明,因为通过支承销以点接触的方式支承从支承面分离的基板,所以可以防止基板交接时产生带电。
另外,特别是根据上述(11)所述的发明,因为通过与支承面的升降连动来使支承销进出于支承面,所以不需要支承销的专用的升降机构,从而可以简化装置结构。
另外,特别是根据上述(12)所述的发明,因为支承销被固定,通过支承面的升降,使支承销进出于支承面,所以不需要支承销的专用的升降机构,可以简化装置结构。
另外,特别是根据上述(13)及(14)所述的发明,可以防止由接触带电而引起的元件破坏。
附图说明
图1是表示第一实施方式的减压干燥装置的概略结构的图。
图2是表示减压干燥装置的动作的流程的图。
图3是表示减压干燥装置的动作中的一状态的图。
图4是表示减压干燥装置的动作中的一状态的图。
图5是表示减压干燥装置的动作中的一状态的图。
图6是表示第二实施方式的减压干燥装置的概略结构的图。
图7是表示减压干燥装置的动作中的一状态的图。
图8是表示减压干燥装置的动作中的一状态的图。
图9是表示减压干燥装置的动作中的一状态的图。
图10是表示具有闭塞板的减压干燥装置的图。
图11是表示具有闭塞板的减压干燥装置的图。
图12是表示具有温度调节器的减压干燥装置的图。
图13是表示第三实施方式的减压干燥装置的概略结构的图。
图14是表示连接构件的周边的构造的放大图。
图15是表示连接构件的周边的构造的放大图。
图16是表示减压干燥装置的动作的流程的图。
图17是表示减压干燥装置的动作中的一状态的图。
图18是表示减压干燥装置的动作中的一状态的图。
图19是表示减压干燥装置的动作中的一状态的图。
图20是表示减压干燥装置的动作中的一状态的图。
图21是表示第四实施方式的减压干燥装置的概略结构的图。
图22是表示第五实施方式的减压干燥装置的概略结构的图。
图23是表示减压干燥装置的动作中的一状态的图。
图24是表示第六实施方式的减压干燥装置的概略结构的图。
图25是表示减压干燥装置的动作中的一状态的图。
图26是表示减压干燥装置的动作中的一状态的图。
图27是表示减压干燥装置的动作中的一状态的图。
具体实施方式
以下,参照附图,对本发明的实施方式进行说明。
(1.第一实施方式)
图1是表示第一实施方式涉及的减压干燥装置1a的概略结构的图。该减压干燥装置1a具有这样的功能,在处理室20内配置了基板W的状态下,通过对处理室20内的气体环境进行减压,来干燥涂敷在基板W上的抗蚀液等的处理液。
减压干燥装置1a具有形成对基板W进行处理的处理室20的腔室2。腔室2是由可以分离的基体21和盖体22构成。基体21被固定配置,另一方面,盖体22与下垂臂23连接,通过下垂臂23的驱动,相对于基体21,可以在上下方向升降。另外,在以下说明中,如果没有特别说明,都是以规定处理室20位置的固定配置的基体21为基准作相对运动,来说明各构件的动作。
在进行基板W的搬入和搬出时,盖体22被抬升,从而腔室2被开放。另一方面,在干燥基板W时,盖体22下降,与基体21相接合,从而腔室2被关闭。为了确保处理室20的气密性,在盖体22和基体21相接合的部分,设置由硅橡胶等构成的O形密封圈24。
另外,在腔室2的内部,大致水平地设置有用于对基板W进行支承的支承板3。支承板3被固定在设置在腔室2的外部的升降机构32上,能够在上下方向进行升降。在该支承板3上,没有设置对基板W进行支承的支承销等,支承板3的上表面3a作为支承面,与基板W面接触,并大致水平地支承(面支承)基板W。
在作为减压干燥装置1a的处理对象的基板W的上表面,形成处理液的层,在其背侧的下表面由支承板3支承。从基板W的端部开始例如10mm的区域成为不作为产品的区域(以下称为“非产品区域”),在基板W的上表面,处理液被形成在包括除去了该非产品区域(以下称为“产品区域”)的区域。支承板3由上表面3a面接触至少存在该处理液的产品区域的整个背侧,来支承基板W。
另外,减压干燥装置1a具有用于对处理室20的气体环境进行减压的减压机构40和向处理室20供给处理气体的供给机构50。减压机构40具有作为吸引装置的真空泵41和用于引导所吸引的气体环境的多个吸引配管4。该多个吸引配管4贯通腔室2的基体21,并与处理室20相连接。在腔室2关闭了的状态下,驱动真空泵41,处理室20的气体环境经由吸引配管4而被吸引,并向减压干燥装置1a的外部被排出。由此,对处理室20的气体环境进行减压。
供给机构50是将如上述那样被减压的处理室20的气体环境恢复为大气压的机构,具有供给处理气体的气体供给部51和向处理室20导入处理气体的多个供给配管5。该多个供给配管5也贯通腔室2的基体21,与处理室20相连接。采用氮气等惰性气体作为处理气体。
另外,减压干燥装置1a具有由用于统一地控制装置动作的微型计算机等构成的控制器6。如图所示,减压装置40及供给装置50与控制器6相连接,控制器6控制这些装置的动作。另外,上述的下垂臂23和升降机构32等也与控制器6相连接,盖体22的升降,支承板3的升降也由控制器6控制。
下面,对如上构成的减压干燥装置1a的动作进行说明。图2是表示减压干燥装置1a的动作的流程的图。该动作的流程是以每一个基板为处理对象而制成的。在动作的开始时刻,处于基板W不存在于腔室2内,盖体22被上升,从而腔室2被开放的状态。
首先,如图3所示,腔室2外部的搬运机构即往复移动送件装置91支承基板W端部的非产品区域的同时,进入被开放的腔室2内。这样,作为处理对象的一个基板W被搬入腔室2内。在该基板W的产品区域形成处理液的层(步骤S1)。
下面,如图4所示,通过升降机构32的驱动,使支承板3上升,从往复移动送件装置91,将基板W交接到支承板3。这时,支承板3的上表面3a与往复移动送件装置91没有支承的产品区域的背侧面接触,支承基板W(步骤S2)。基板W被交接到支承板3后,往复移动送件装置91退出到腔室2外(步骤S3)。
下面,如图5所示,通过升降机构32的驱动,使支承板3下降到对基板W进行干燥的位置。在该下降过程中及下降后,基板W均与支承板3的上表面3a面接触而被支承(步骤S4)。然后,盖体22下降,与基体21紧密接合,从而腔室2被关闭。由此,减压干燥装置1a成为如图1所示的状态,形成气密状态的处理室20(步骤S5)。
下面,处理室20内的气体环境被减压,对基板W上的处理液进行干燥处理。具体地说,驱动真空泵41,通过吸引配管4,吸引处理室20内的气体环境。由此,对处理室20内的气体环境进行减压,伴随着该气体环境的减压,基板W上的处理液的沸点下降,处理液渐渐气化。气化了的处理液通过吸引配管4向减压干燥装置1a的外部被排出。在干燥处理过程中,为了防止处理液急速气化(沸腾),处理室20内的气体环境的减压是阶段性进行的(步骤S6)。在该干燥处理中,基板W与支承板3的上表面3a面接触而被支承。因此,在基板W的产品区域的背侧没有形成空间,另外,在产品区域的背侧也不产生气流。
当处理室20内的气体环境被减压到接近真空时,干燥处理结束,接着,通过供给机构50向处理室20供给处理气体,使处理室20的气体环境恢复到大气压(步骤S7)。下面,如图5所示,盖体22上升,开放腔室2(步骤S8)。
下面,通过升降机构32的驱动,使支承板3上升到交接基板W的位置。在该上升过程中及上升后,基板W均与支承板3的上表面3a面接触而被支承(步骤S9)。
下面,往复移动送件装置91进入腔室2(步骤S10),如图4所示,将基板W从支承板3交接到往复移动送件装置91。进一步,如图3所示,当支承板3下降(步骤S11),往复移动送件装置91退出到腔室2外,将基板W搬出到减压干燥装置1a的外部(步骤S12)。
这样,在第一实施方式的减压干燥装置1a中,在干燥基板W上的处理液时,支承板3的上表面3a与至少存在处理液的产品区域的整个背侧面接触来支承(面支承)基板W。因此,由于不会在基板W的产品区域的背侧形成空间,所以在整个产品区域,实质上的热容量变得均匀,同时,也不会在基板W的背侧产生气流。因此,可以使基板W的整个产品区域的温度均一,可以有效地防止处理液不匀。
另外,在减压干燥装置1a中,与往复移动送件装置91之间交接基板W时,也不以点支承基板W,只是升降支承板3,由其上表面3a进行面接触来支承基板W。即,同一个支承板3的上表面3a既是干燥处理液时的支承面,也是交接基板W时的支承面,双方兼用。因此,没有必要另外设置基板W交接用的支承销等,可以简化装置结构,同时,能够稳定地进行基板W的交接。
另外,如果在支承板3上设置基板W交接用的自由升降的支承销,那么,必须在支承板3上设置用于升降该支承销的贯通孔。如果在支承板3上形成这样的贯通孔,那么,在支承销陷入支承板3的上表面3a,对基板W上的处理液进行干燥时,在基板W的背侧产生与支承板3面接触的部分和、不接触的部分(与由贯通孔产生的空间接触的部分),因此,在这些部位的相互之间,产生温差,从而有发生处理液不匀的可能性。对此,在减压干燥装置1a中,由于没有必要设置支承销,因此,能够有效地防止这样的以支承销的贯通孔为起因的处理液的不匀。
(2.第二实施方式)
下面,对第二实施方式进行说明。在第一实施方式中,干燥基板时的支承面和交接基板时的支承面是由同一构件构成,在交接基板时也支承产品区域的整个背侧。但是,近年,基板的尺寸渐渐大型化,因为只支承基板的端部的非产品区域会产生基板挠曲,所以有时搬运机构也支承基板的中央部附近的产品区域的背侧。在这种情况下,如第一实施方式那样,在与搬运机构进行基板交接时,就不能支承基板的产品区域的整个背侧。第二实施方式的减压干燥装置是针对这样的搬运机构而研制的。
图6是表示第二实施方式的减压干燥装置1b的概略结构的图。对与第一实施方式的减压干燥装置1a相同的结构,标有相同的附图标记并省略详细的说明。
第二实施方式的减压干燥装置1b,与第一实施方式的减压干燥装置1a不同的是,支承基板W的支承面的结构。更具体地说,在减压干燥装置1b中,只有干燥处理液时支承基板W的支承面的一部分是由支承板3构成3,其他的部分是由固定地配置的固定板25构成。
如图6所示,减压干燥装置1b具有相互分离配置的2个支承板33。这2个支承板33以相同的高度,大致水平地被配置,并被固定在能够在上下方向升降的同一个升降机构34上。因此,通过升降机构34的驱动,2个支承板33在维持大致水平的状态的同时,只向同一方向,以相同的移动量进行升降。
另外,减压干燥装置1b具有以同一高度,大致水平配置的3个固定板25。这些固定板25经由螺钉等结合构件被固定在基体21上。另外,为方便说明,省略了图中结合构件的图示。
在图6中,表示的是2个支承板33下降到下端的状态。这样,当支承板33下降到下端,这些支承板33被配置在固定板25彼此之间。而且,2个支承板33的上表面33a和3个固定板25的上表面25a为同一高度,形成大致水平的一个面。在本实施方式中,这样由支承板33和固定板25构成的面起着作为干燥基板W时的支承面的作用。
另外,当2个支承板33上升时,其上表面33a比干燥基板W时的支承面的位置突出,形成大致水平的一个面。在本实施方式中,这样的由2个支承板33构成的面起着交接基板W时的支承面的作用。
以下,对这样构成的减压干燥装置1b的动作进行说明。该动作与图2所示的流程大致相同,因此,利用图2进行说明。另外,在本实施方式中也同样,在图2的动作的开始时刻,处于基板W不存在于腔室2内,盖体22被上升,从而腔室2被开放的状态。
首先,如图7所示,腔室2外部的搬运机构即机器人的手部92支承基板W的同时,以相当于垂直于图面的方向进入开放了的腔室2内。机器人通过3个手部92,除了基板W的端部的非产品区域,对基板W的中央部的产品区域的背侧也进行点支承(步骤S1)。
下面,如图8所示,通过升降机构34的驱动,使2个支承板33上升,进入到手部92彼此之间。然后,2个支承板33的上表面33a成为支承面,该支承面面接触基板W的手部92没有支承的部分,来支承基板W。由此,将基板W从手部92交接到支承板33上,手部92以相当于垂直于图面的方向退出(步骤S2)。
下面,如图9所示,通过升降机构34的驱动,2个支承板33被下降到其上表面33a和固定板25的上表面25a的高度一致的位置。在该下降过程中,基板W与由2个支承板33的上表面33a构成的支承面面接触并大致水平地被支承。然后,当2个支承板33下降,则支承板33的上表面33a和固定板25的上表面25a形成支承基板W的一个支承面。因此,在支承板33下降后,该支承面33a、25a面接触基板W的整个下表面,大致水平地支承基板W。
接着,盖体22下降,与基体21紧密接合,从而腔室2被关闭。由此,减压干燥装置1b成为如图6所示的状态,形成气密状态的处理室20(步骤S5)。下面,对处理室20内的气体环境进行减压,对基板W上的处理液进行干燥处理。在该干燥处理中,基板W与支承面33a、25a面接触而被支承(步骤S6)。
当干燥处理结束后,向处理室20供给处理气体,处理室20的气体环境恢复到大气压为止(步骤S7)。下面,如图9所示,盖体22被上升,从而腔室2被开放(步骤S8)。
下面,2个支承板33上升到对基板W进行交接的位置为止。在该上升过程中及上升后,基板W与由2个支承板33的上表面33a形成的支承面面接触而被支承(步骤S9)。然后,手部92进入腔室2(步骤S10),如图8所示,从支承板33将基板W交接到手部92。进一步,如图7所示,支承板33下降(步骤S11),手部92退出到腔室2外,基板W被搬出到减压干燥装置1b的外部(步骤S12)。
这样,在第二实施方式的减压干燥装置1b中,与手部92之间进行基板W交接时的支承面由相互分离了的2个支承板33的上表面33a构成。因此,作为搬运机构的机器人即使在支承基板W的端部以外的场合,也可通过面接触来支承基板W,进行接受/交付。然后,这2个支承板33的上表面33a通过下降,与固定板25的上表面25a一同构成对基板W进行干燥时的支承面,支承基板W的整个反面。由此,在本实施方式中,在干燥基板W上的处理液时,没有在基板W的产品区域的背侧形成支承销的贯通孔等空间,因此,可以有效地防止处理液的不匀。
另外,构成了干燥基板W时的支承面时,虽然相邻的支承板33和固定板25之间存在间隙,但是,该缝隙与支承销的贯通孔等相比,是微小的,由该缝隙引起的,对处理液的状态的影响为几乎可以忽略的程度。特别是,当相邻的支承板33和固定板25的间隔为0mm以上,1mm以下时,其相互间的气流的产生被抑制,几乎不会影响处理液的状态。另外,支承板33和固定板25非常接近地配置时,为了确保动作精度,对支承板33以及固定板25双方或是任意一方也可以进行倒角。
另外,也可以堵塞相邻的支承板33和固定板25之间的间隙。图10以及图11是表示这样的情况下的减压干燥装置1b的概略结构的图。如图10所示,对这种情况,在固定板25的下面设置由树脂等弹性材料构成的闭塞板26。该闭塞板26设置在固定板25和支承板33相邻的位置,从固定板25水平地伸出。而且,如图11所示,当支承板33下降到固定板25的高度时,闭塞板26将固定板25和支承板33之间的空间堵塞,将该空间和处理室20内的其他的空间隔开。这样,确实地防止在固定板25和支承板33之间的空间中产生气流,从而能够有效地防止在基板W上产生处理液的不匀。
(3.第一以及第二实施方式的变形例)
上述第一以及第二实施方式可以做各种变形。以下,对第一以及第二实施方式的变形例进行说明。
(3-1.带电的防止)
如上述第一以及第二实施方式,当支承面面接触且支承基板W时,主要是基板W从支承面分离时等,支承面和基板W产生带电,有可能破坏在基板W上形成的元件。
因此,可以在构成基板W的支承面的板3、33、25的表面上涂敷,例如,由阿富龙(アフロン)(日本国注册商标)等氟化乙烯树脂等构成的绝缘物质。这样,由于支承面是由绝缘物质构成,即使产生静电,静电也蓄积在支承面。然后,基板W从支承面分离时,如果没有接地,不会发生电移动,也不会产生静电破坏。
另外,与其相反,也可以在构成基板W的支承面的板3、33、25的表面涂敷导体物质,进而,使板3、33、25接地。作为导体物质,可以采用,例如,在阿富龙(アフロン)(日本国注册商标)等氟化乙烯树脂中混入金属微粒的物质等。这样,由于支承面由导体物质构成且接地,即使在支承面产生静电,也可以使该静电积极地逃逸。因此,这种情况也可以消除在支承面上的静电的蓄积,有效地防止静电破坏。而且,由于用树脂支承基板W,也不容易损伤基板W。
(3-2.温度调整)
在上述第二实施方式的减压干燥装置1b中,干燥基板W时的支承面是由支承板33和固定面25构成。在此,支承板33被连接在升降机构34上,另一方面,固定板25被固定在基体21上,因此,支承板33和固定板25存在实质上的热容量的差异,严格地说,在它们之间有可能产生温差。因此,为了消除支承板33和固定板25之间的温差,也可以设置温度调整器。
图12是表示该场合的减压干燥装置1b的概略结构的图。如图12所示,在该减压干燥装置1b中,在支撑支承板33的支柱33b,设置具有加热功能的温度调节器27。该温度调节器27与控制器6相连接,在控制器6的控制下工作。
在减压干燥装置1b中,对于支承板33和固定板25,支承板33的实质上的热容量较小,所以在进行干燥处理时,支承板33的温度比固定板25的温度稍低。因此,在进行干燥处理时,为了使支承板33和固定板25之间不存在温差,而驱动温度调节器27来加热支承板33。
这样,支承板33和固定板25的温差消失,因此,可以进一步防止在基板W上的处理液的不匀的产生。另外,为了使支承板33和固定板25之间不存在温差,也可以在固定板25侧设置冷却用的冷却装置,也可以在支承板33和固定板25双方上设置调整为一定温度的温度调节器。
(3-3.其他的变形例)
在第一实施方式的基板W的干燥处理中,支承板3面接触存在处理液的产品区域的背侧,但是,只要可以至少面接触该产品区域的整个背侧,也可面接触更广的区域。例如,支承板3也可面接触基板W的整个反面来支承基板W。
另外,支承板3的上表面3a是单独被利用作为处理基板W时的支承面,但是,也可以使该上表面3a作为处理基板W时的支承面的一部分。例如,同第二实施方式一样,也可以使支承板3的上表面3a与其他的固定配置的板的上表面一同形成处理基板W时的支承面,以该支承面面接触基板W的整个反面,来支承基板W。
另外,在第二实施方式中,虽然处理基板W时的支承面面接触基板W的整个反面,来支承基板W,但是,也可面接触至少存在处理液的产品区域的整个背侧。
另外,在第二实施方式中,虽然设置了2个支承板33,但是,也可以根据基板W尺寸等,设置3个以上的支承板。
(4.第三实施方式)
下面,对第三实施方式进行说明。图13是表示第三实施方式涉及的减压干燥装置201a的概略结构的图。该减压干燥装置201a具有在将基板W配置在处理室220内的状态下,对处理室220内的气体环境进行减压,干燥涂敷在基板W上的抗蚀液等处理液的功能。
减压干燥装置201a具有形成处理基板W的处理室220的腔室202。腔室202是由可以分离的基体221和盖体222构成。基体221被固定配置,另一方面,盖体222连接下垂臂223,通过下垂臂223的驱动,可以相对于基体221,在上下方向进行升降。另外,在以下的说明中,如果没有特别说明,都以规定处理室220位置的固定配置的基体221为基准做相对运动,来说明各构件的动作。
在进行基板W的搬入和搬出时,盖体222被上升,从而腔室202被开放。另一方面,在对基板W进行干燥时,盖体222下降,与基体221接合,从而腔室202被关闭。在盖体222和基体221的接合部分,为了确保处理室220的气密性,设置由硅橡胶等构成的O形密封圈224。
另外,在腔室202的内部,大致水平地设置用于支承基板W的支承板203。支承板203固定在设置在腔室202的外部的升降机构232上,能够在上下方向进行升降。在作为减压干燥装置201a的处理对象的基板W的上表面,形成处理液层,其反面的下表面由支承板203支承。从基板W的端部开始例如10mm的区域为非产品区域,在基板W的上面,处理液形成在包括除了该非产品区域的产品区域。
另外,在支承板203上形成多个贯通孔,在这些贯通孔中,分别贯通插有支承销207。这些支承销207的上端部根据减压干燥装置201a的动作状况,从支承板203的上表面203a突出,以点接触支承基板W。在支承板203的下表面,与这些支承销207相对应分别设置连接构件270。连接构件270是将支承板203的升降运动传递到支承销207,使支承销207随着支承板203的升降进出于上表面203a的连动构件。
图14以及图15是表示连接构件270的周边的结构的放大图。如这些图所示,连接构件270是由支点部271、伸缩部272和转动部273构成。支点部271是由棒状构件构成,在上下方向为长度方向,固定设置在支承板203的下面侧。
伸缩部272是沿着上下方向能够伸缩其长度的构件,由上部的活塞部272a、下部的气缸部272b构成。气缸部272b是由圆筒构件构成,在其内部,贯通插入的活塞部272a可以做往复运动。通过改变该活塞部272a和气缸部272b的相对位置关系来改变伸缩部272的长度。
活塞部272a的上部固定设置在支承板203的下面侧,同时,在其周围设有螺旋弹簧(coil spring)272c。螺旋弹簧272c的上部与支承板203的下面,下部与气缸部272b的上部,分别接触配置。由此,气缸部272b被向下地施加有使其从支承板203相对地离开的力。另外,在活塞部272a的下端部形成爪部,使活塞部272a和气缸部272b即使向脱落的方向(伸缩部272伸展的方向)相对移动,它们也不至于脱落。
另外,转动部273为棒状构件,一端部273a在伸缩部272的气缸部272b,另一端部273b在支承销207的下端部,中心部273c在支点部271,分别可转动地被支承。
如图14所示,在伸缩部272与基体221不接触的状态下,通过螺旋弹簧272c的加载力,使伸缩部272伸展为最大。在该状态下,与气缸部272b连接的转动部273的端部273a,对于作为支点的中心部273c,相对地变低。另外,与其相比,为相背侧的与支承销207连接的转动部273的端部273b,对于作为支点的中心部273c,相对地变高,形成支承销207的上端部从支承板203的上表面203a突出的状态。
如果支承板203从图14所示的状态下降,那么,如图15所示,伸缩部272的下部与基体221接触。由此,与螺旋弹簧272c的加载力相反,气缸部272b向支承板203侧相对地移动,伸缩部272的长度变短。而且,与气缸部272b连接的转动部273的端部273a,对于作为支点的中心部273c,相对地变高。因此,与其相比,为相背侧的与支承销207连接的转动部273的端部273b,对于作为支点的中心部273c,相对地变低,形成支承销207的上端部陷于支承板203的上表面203a的状态。
这样,如果支承板203下降到使连接构件270接触到基体221,那么,通过连接构件270,该运动被传递到支承销207,支承销207陷于支承板203的上表面203a中(图15)。另外,相反地,如果支承板203上升到使连接构件270从基体221离开的位置,那么,通过连接构件270,该运动被传递到支承销207,支承销207从支承板20的上表面203a突出(图14)。因此,在支承板203下降的状态下,基板W面接触支承板203的上表面203a,且被支承,但是,在支承板203被上升了的状态下,基板W在支承销207由点接触支承,形成从支承板203的上表面203a离开的状态。
返回图13,减压干燥装置201a具有用于对处理室220的气体环境进行减压的减压机构240和、用于向处理室220供给处理气体的供给机构250。减压机构240具有作为吸引装置的真空泵241和引导吸引过的气体环境的多个吸引配管204。这些吸引配管204贯通腔室202的基体221,与处理室220连接。如果在关闭了腔室202的状态下,驱动真空泵241,那么,处理室220的气体环境通过吸引配管204被吸引,向减压干燥装置201a的外部被排出。这样,处理室220的气体环境被减压。
供给机构250是使这样减压了的处理室220的气体环境恢复到大气压的机构,具有供给处理气体的气体供给部251和、用于向处理室220导入处理气体的多个供给配管205。这些多个供给配管205也贯通腔室202的基体221,与处理室220连接。采用氮气等惰性气体作为处理气体。
另外,减压干燥装置201a具有由统一控制装置动作的微型计算机等构成的控制器206。如图所示,减压装置240及供给装置250与控制器206相连接,控制器206控制这些装置的动作。另外,上述的下垂臂223和升降机构232等也与控制器206相连接,盖体222的升降,支承板203的升降也由控制器206控制。
下面,对如上构成的减压干燥装置201a的动作进行说明。图16是表示减压干燥装置201a的动作的流程的图。该动作的流程是以一个基板为处理对象的。在动作的开始时刻,处于基板W不存在于腔室202内,盖体222被上升,从而腔室202被开放的状态。
首先,将作为处理对象的一个基板W搬入腔室202内。即,如图17所示,作为腔室202外部的搬运机构的往复移动送件装置291,在支承基板W的端部的非产品区域的同时,进入开放的腔室202内。在包括该基板W的产品区域的区域形成处理液的层。
下面,如图18所示,通过升降机构232的驱动,使支承板203上升,从往复移动送件装置291将基板W交接到支承板203。这时,支承销207为从支承板203的上表面203a突出的状态,因此,基板W与支承销207点接触,且被支承。基板W被交接到支承板203后,往复移动送件装置291退出到腔室202外(步骤S21)。
下面,如图19所示,通过升降机构232的驱动,使支承板203下降到对基板W进行干燥的位置。这样,支承板203下降,支承销207成为陷入支承板203的上表面203a的状态。因此,基板W与支承板203的上表面203a面接触,且被支承。这时,支承板203的上表面203a与基板W上的至少存在处理液的产品区域的整个背侧面接触(步骤S22)。
接着,盖体222下降,与基体221紧密接合,从而腔室202被关闭。由此,减压干燥装置201a成为如图13所示的状态,形成气密状态的处理室220(步骤S23)。
下面,对处理室220内的气体环境进行减压,对基板W上的处理液进行干燥处理。具体地说,驱动真空泵241,通过吸引配管204,吸引处理室220内的气体环境。由此,使处理室220内的气体环境减压,伴随该气体环境的减压,基板W上的处理液的沸点下降,处理液渐渐气化。气化了的处理液通过吸引配管204向减压干燥装置201a的外部被排出。在干燥处理过程中,为了防止处理液的急速气化(沸腾),处理室220内的气体环境的减压是阶段性进行的(步骤S24)。在该干燥处理过程中,基板W与支承板203的上表面203a面接触,且被支承。因此,不会在基板W的产品区域的背侧形成空间,另外,也不会在产品区域的背侧产生气流。
当处理室220内的气体环境减压到接近真空时,干燥处理结束。然后,维持该处理室220内的气体环境的减压状态,如图20所示,同时,支承板203稍微上升到使连接构件270到刚好从基体221离开的位置。这样,支承销207从支承板203的上表面203a突出,因此基板W从上表面203a离开。即,干燥后的基板W,在处理室220内的气体环境的减压状态下,从作为进行干燥处理时的支承面的上表面203a离开(步骤S25)。
然后,通过供给机构250向处理室220供给处理气体,使处理室220的气体环境恢复到大气压(步骤S26)同时盖体222被上升,从而腔室202被开放(步骤S27)。
下面,通过升降机构232的驱动,使支承板203进一步上升到交接基板W的位置。在该上升过程中及上升后,基板W以从支承板203的上表面203a离开了的状态由支承销207点支承(步骤S28)。
下面,往复移动送件装置291进入腔室202内,从支承板203将基板W交接到往复移动送件装置291。进一步,支承板203下降后,往复移动送件装置291退出到腔室202外,基板W被搬出到减压干燥装置201a的外部(步骤S29)。
这样,在第三实施方式的减压干燥装置201a中,在干燥基板W上的处理液时,支承板203的上表面203a与至少存在处理液的产品区域的整个背侧面接触,并支承(面支承)基板W。因此,不会在基板W的产品区域的背侧形成空间,因此,在整个产品区域,实质上的热容量变得均一,同时,也不会在基板W的背侧产生气流。因此,能够使基板W的整个产品区域的温度均一,可以有效地防止处理液的不匀。
并且,在干燥处理后,维持处理室220的气体环境的减压状态,同时,基板W从作为支承面的支承面203的上表面203a离开。通常,当基板W与支承面面接触,利用由基板W的上面侧的气体环境产生的气压与基板W和支承面之间的气压(实质0)的气压差,产生将基板W压向支承面的压力。因此,不对基板W的上面侧的气体环境进行减压,如果使面接触的基板W和支承面分离,那么,基板W和支承面产生摩擦,以此摩擦为起因会产生摩擦带电。针对这种情况,如本实施方式的减压干燥装置201a,在处理室220的气体环境的减压状态下,若使基板W从支承面离开,则由基板W的上面侧的气体环境产生的压力消失,因此,防止基板W和支承面的摩擦的发生。这样,能够有效地防止基板W从支承面离开时的摩擦引起的摩擦带电。另外,虽然基板W和支承面的分离也会发生的剥离带电,但是,由于该剥离带电依存于两个不同的物质,所以是不变的。
另外,从支承面离开的基板W由支承销207点接触且被支承,在该点接触的状态下,与搬运机构进行基板W的交接。即,在交接基板W时,没有在面支承状态下使基板W离开的动作,因此,不会发生带电。
但是,基板W和支承面产生的带电,除了上述的摩擦带电以外,还有以基板W及支承面的材质为起因,仅由接触产生的静电即接触带电。为了防止这样的接触带电对元件的破坏,可以在构成基板W支承面的支承面203的表面涂敷例如由阿富龙(アフロン)(日本国注册商标)等氟化乙烯树脂等构成的绝缘物质。这样,由于支承面是由绝缘物质构成,因此,即使产生le
作为接触带电的静电,也蓄积在支承面。在将支承面接地之前,如果可以通过离子发生器等除电装置进行除电,那么,就可以防止元件的破坏。另外,与其相反,也可以在支承板203的表面涂敷导体物质,进一步,将支承板203接地。作为导体物质可以采用,例如,在阿富龙(アフロン)(日本国注册商标)等氟化乙烯树脂中混入金属微粒的物质等。这样,由于支承面是由导体物质构成,且接地,因此,即使在支承面产生静电,也能够使该静电积极地逃逸。因此,这种情况也一样,可以消除在支承面上的静电的蓄积,从而可以有效地防止元件破坏。
(5.第四实施方式)
下面,对第四实施方式进行说明。图21是表示第四实施方式的减压干燥装置201b的概略结构的图。对与第三实施方式的减压干燥装置201a相同的结构,标有相同的附图标记并省略详细的说明。在第三实施方式中,采用了为了使支承销207从支承板203的上表面203a进出的连接构件270。与此相对,在第四实施方式的减压干燥装置201b中,设置有用于使支承销274升降的专用的升降机构275。
如图21所示,减压干燥装置201b具有贯通支承板203以及基体221双方的多个支承销274。然后,分别对应该支承销274的专用的升降机构275被设在腔室202的外部,并分别可独立地进行升降。
在该减压干燥装置201b的动作中,使支承销274与支承板203的上表面203a的相对的位置关系与第三实施方式的相同,来控制升降动作。因此,在该减压干燥装置201b中,干燥基板W时,支承销274陷入支承板203的上表面203a,作为支承面的上表面203a面接触而支承基板W。然后,在该干燥处理后,维持减压状态,同时,支承销274以从支承板203的上表面203a突出的方式被上升,从而基板W从支承面离开。因此,在该第四实施方式中,也可以防止基板W从支承面离开时带电。
但是,在该第四实施方式中,专用的升降机构275是必要的,同时,有必要在这些升降机构275的周边设置为了防止空气泄漏的气密构件276,因此,与第三实施方式比较,装置构造较复杂。另外,关于升降机构275,也有必要进行独自的动作控制。因此,在使装置结构和动作控制简化方面,优选的是像第三实施方式那样的设置连接构件270的方式。
(6.第五实施方式)
下面,对第五实施方式进行说明。图22是表示第五实施方式的减压干燥装置201c的概略结构的图。对与第三实施方式的减压干燥装置201a相同的结构,标有相同的附图标记并省略详细的说明。在第五实施方式的减压干燥装置201c中,固定配置有支承销277,通过支承板203的上下,使支承销277的上端部进出于支承板203的上表面203a。
如图22所示,在减压干燥装置201c中,在支承板203的贯通孔中分别贯通插有支承销277,这些支承销277被固定在腔室202的基体221上。基体221为规定处理室220的位置的构件,因此,也可以说支承销277是相对处理室220被固定的。另外,支承板203和第三实施方式的相同,可以相对于基体221(处理室220)进行升降。
在图22所示的状态下,支承销277的上端部陷入支承板203的上表面203a中。而且,如果支承板203从该状态下降,那么,如图23所示,支承销277的上端部,对于支承板203,相对地上升,从支承板203的上表面203a突出。由此,在支承板203上升了的状态下,基板W与支承板203的上表面203a面接触而被支承,但是,在支承板203下降了的状态下,基板W在支承销277由点接触而被支承,呈从支承板203的上表面203a离开的状态。
在该减压干燥装置201c中,在如图22所示状态下,对基板W进行干燥处理。因此,支承销277陷入支承板203的上表面203a,作为支承面的上表面203a面接触支承基板W。然后,在干燥处理后,维持减压状态,同时,如图23所示,支承板203下降。由此,支承销277从支承板203的上表面203a突出,基板W从支承面离开。因此,在该第五实施方式中,也可以防止基板W从支承面离开时带电。
在该第五实施方式中,支承销277被固定配置,由于通过支承板203的升降,使支承销277进出于支承面,因此,没有必要设置用于支承销277的专用的升降机构等,从而可以使装置结构非常简单。
(7.第六实施方式)
下面,对第六实施方式进行说明。在上述第三至第五实施方式中,在与搬运机构之间交接基板时,是以一个支承板支承基板。但是,近年,基板的尺寸渐渐大型化,由于只支承基板的端部的非产品区域,在基板会产生挠曲,因此,有时搬运机构也支承基板的中央部附近的产品区域的背侧。在这种情况下,在与搬运机构之间进行基板交接时,不能以一个支承板进行支承。第六实施方式的减压干燥装置是针对这样的搬运机构而研制的。
图24是表示第六实施方式的减压干燥装置201d的概略结构的图。对与第三实施方式的减压干燥装置201a相同的结构,标有相同的附图标记并省略详细的说明。
在第六实施方式的减压干燥装置201d中,与第三实施方式的减压干燥装置201a不同的是,支承基板W的支承面的结构。更具体地说,在减压干燥装置201d中,在干燥处理液时,只有支承基板W的支承面的一部分是由支承板233构成,其他的部分是由固定配置的固定板225构成。
如图24所示,减压干燥装置201d具有相互分离配置的2个支承板233。这2个支承板233以相同的高度,大致水平地配置,并被固定在能够在上下方向升降的同一个升降机构234上。因此,通过驱动升降机构234,使2个支承板233维持在大致水平的状态的同时,只向同一方向,以相同的移动量进行升降。
另外,减压干燥装置201d具有在同一高度,大致水平地配置的3个固定板225。这些固定板225经由螺钉等结合构件被固定在基体221上。另外,为方便说明,在图中省略了结合构件的图示。
在图24中,表示的是2个支承板233下降到了下端的状态。这样,当支承板233下降到下端,这些支承板233相互配置在固定板225之间。而且,2个支承板233的上表面233a和3个固定板225的上表面225a为同一高度,形成大致水平的一个面。在本实施方式中,这样由支承板233和固定板225构成的面起着作为干燥基板W时的支承面的作用。
另外,在2个支承板233上分别形成贯通孔,在这些贯通孔中,分别贯通插有支承销207。然后,在支承板233的下表面,设置与这些支承销207的每一个相对应的连接构件270。该连接构件270的构造与第三实施方式的相同。因此,如图24所示,在支承板233下降了的状态下,支承销207陷入支承板233的上表面233a,但是,当支承板233被上升时,支承销207从支承板233的上表面233a突出。
以下,对这样构成的减压干燥装置201d的动作进行说明。该动作与图16所示的流程大致相同,因此,利用图16进行说明。另外,在本实施方式中也同样,在图16的动作的开始时刻,处于基板W不存在于腔室202内,盖体222被上升,腔室202被开放的状态。
首先,将作为处理对象的一个基板W搬入腔室202内。即,如图25所示,腔室202外部的作为搬运机构的机器人的手部292支承基板W的同时,以相当于垂直于图面的方向进入开放了的腔室202内。机器人通过其3个手部292,除了基板W的端部的非产品区域,对基板W的中央部的产品区域的背侧也进行点支承。
下面,如图26所示,通过升降机构234的驱动,使2个支承板233上升,进入到手部292彼此之间。这时,支承销207呈从支承板233的上表面233a突出的状态。因此,支承销207点接触基板W的手部292没有支承的部分,来支承基板W。由此,从手部292将基板W交接到支承板233,手部292以相当于图面的垂直方向的方向退出(步骤S21)。
下面,通过升降机构234的驱动,使2个支承板233下降到其上表面233a和固定板225的上表面225a的高度一致的位置。这样,支承板233下降,支承销207呈陷入支承板233的上表面233a的状态。这样,支承板233的上表面233a和固定板225的上表面225a形成一个支承基板W的支承面。因此,在支承板233下降后,该支承面233a、225a面接触基板W的整个下面,大致水平地支承基板W(步骤S22)。
接着,盖体222下降,与基体221紧密接合,从而腔室202被关闭。由此,减压干燥装置201d成为如图24所示的状态,形成气密状态的处理室220(步骤S23)。下面,对处理室220内的气体环境进行减压,对基板W上的处理液进行干燥处理。在该干燥处理中也同样,基板W与支承面233a、225a面接触而被支承(步骤S24)。
干燥处理结束后,在维持处理室220内的气体环境的减压状态下,如图27所示,支承板233稍微上升,使连接构件270仅上升到从基体221离开的位置。这样,因为支承销207从支承板233的上表面233a突出,所以基板W从上表面233a离开(步骤S25)。由此,在该第六实施方式中,也可以防止使基板W从支承面离开时的带电。
下面,向处理室220供给处理气体,处理室220的气体环境恢复到大气压(步骤S26)的同时,盖体222被上升,从而腔室202被开放(步骤S27)。
下面,2个支承板233上升到对基板W进行交接的位置。在该上升过程中及上升后,基板W以从支承板233的上表面233a离开了的状态由支承销207点支承(步骤S28)。
接下来,手部292进入腔室202内,从支承板233将基板W交接到手部292。进一步,支承板233下降后,手部292退出到腔室202外,基板W被搬运到减压干燥装置201d的外部(步骤S29)。
这样,在第六实施方式中,以点支持的状态,在与搬运机构之间进行基板W的交接,因此,在基板W的交接中不产生带电。另外,在该第六实施方式中,为了防止由于接触带电发生的元件破坏,也可以在构成基板W的支承面支承板233以及固定板225的表面,涂敷绝缘物质,或是,涂敷导体物质并接地。
(8.第三实施方式至第六实施方式的变形例)
上述第三实施方式至第六实施方式可以进行各样变形。以下,对第三实施方式至第六实施方式的变形例进行说明。
在第三实施方式至第五实施方式中,在基板W的干燥处理中,支承板203面接触存在处理液的产品区域的背侧,但是,只要能够面接触至少该产品区域的整个背侧,也可以面接触比其更广的区域。例如,支承板203也可以面接触基板W的整个反面来支承基板W。
另外,在第六实施方式中,处理基板W时的支承面面接触基板W的整个反面来支承基板W,但是,也可以面接触至少存在处理液的产品区域的整个背侧。
另外,在第六实施方式中,设置了2个支承板233,但是,也可以根据基板W尺寸等,设置3个以上的支承板。

Claims (15)

1.一种减压干燥装置,对处理室内的气体环境进行减压,来干燥基板上的处理液,其特征在于,具有:
支承机构,其在干燥上述基板上的处理液时,由处理支承面与至少存在上述处理液的产品区域的整个背侧进行面接触,来支承上述基板;
交接机构,其由交接支承面进行面接触来支承上述基板,同时,在与上述处理室外的搬运机构之间进行上述基板的交接,
上述交接支承面为上述处理支承面的至少一部分。
2.如权利要求1所述的减压干燥装置,其特征在于,
上述处理支承面和上述交接支承面由同一构件构成。
3.如权利要求1所述的减压干燥装置,其特征在于,
上述交接支承面是由相互分离配置的多个第一板构成的,
上述处理支承面是由上述多个第一板和其他的第二板构成的。
4.如权利要求3所述的减压干燥装置,其特征在于,
在形成了上述处理支承面时,相邻的上述第一板和上述第二板的间隔为1mm以下。
5.如权利要求3或4所述的减压干燥装置,其特征在于,
还具有闭塞机构,该闭塞机构在形成了上述处理支承面时,堵塞相邻的上述第一板和上述第二板之间的空间。
6.如权利要求3或4所述的减压干燥装置,其特征在于,
还具有调温机构,该调温机构调整上述第一板和上述第二板之间的温差。
7.如权利要求1至4中任意一项所述的减压干燥装置,其特征在于,
上述处理支承面是由导体物质构成的,而且接地。
8.如权利要求1至4中任意一项所述的减压干燥装置,其特征在于,
上述处理支承面是由绝缘物质构成的。
9.一种减压干燥装置,对处理室内的气体环境进行减压,来干燥基板上的处理液,其特征在于,具有:
支承机构,其在干燥上述基板上的处理液时,由支承面与上述基板的背侧进行面接触,来支承上述基板;
分离机构,其使干燥后的上述基板,在上述处理室内的气体环境的减压状态下,从上述支承面分离。
10.如权利要求9所述的减压干燥装置,其特征在于,
上述分离机构具有从上述支承面突出并支承上述基板的支承销。
11.如权利要求10所述的减压干燥装置,其特征在于,
上述分离机构还具有连动构件,该连动构件将上述支承面的升降运动传递到上述支承销,并与上述支承面的升降连动,使上述支承销相对于上述支承面进出。
12.如权利要求10所述的减压干燥装置,其特征在于,
上述支承销相对于上述处理室是固定的,
上述分离机构还具有升降机构,该升降机构通过相对于上述处理室使上述支承面升降,从而使上述支承销相对于上述支承面进出。
13.如权利要求9至12中任意一项所述的减压干燥装置,其特征在于,上述支承面是由导体物质构成的,而且接地。
14.如权利要求9至12中任意一项所述的减压干燥装置,其特征在于,上述支承面是由绝缘物质构成的。
15.一种基板干燥方法,对基板上的处理液进行干燥,其特征在于,具有:
干燥工序,由支承面进行面接触来支承上述基板,同时,对气体环境进行减压,对上述基板上的处理液进行干燥;
分离工序,在上述干燥工序后,维持上述气体环境的减压状态,同时,使上述基板从上述支承面分离。
CNB2006101081815A 2005-09-08 2006-07-31 减压干燥装置及基板干燥方法 Expired - Fee Related CN100517570C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005260835A JP2007073833A (ja) 2005-09-08 2005-09-08 減圧乾燥装置及び基板乾燥方法
JP2005260835 2005-09-08
JP2005260775 2005-09-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1928475A true CN1928475A (zh) 2007-03-14
CN100517570C CN100517570C (zh) 2009-07-22

Family

ID=37858546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006101081815A Expired - Fee Related CN100517570C (zh) 2005-09-08 2006-07-31 减压干燥装置及基板干燥方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2007073833A (zh)
CN (1) CN100517570C (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014180299A1 (zh) * 2013-05-07 2014-11-13 Li Guangwu 减压干燥制备气凝胶的方法及装置
CN105783438A (zh) * 2016-03-09 2016-07-20 武汉华星光电技术有限公司 一种减压加热干燥装置
CN106111487A (zh) * 2016-06-27 2016-11-16 昆山国显光电有限公司 一种基板减压干燥系统及其干燥方法
CN107894741A (zh) * 2017-11-06 2018-04-10 西安交通大学 一种溶液环境可控的高性能薄膜制备装备
TWI637656B (zh) * 2015-09-29 2018-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 乾燥裝置及乾燥處理方法
CN112974180A (zh) * 2019-12-17 2021-06-18 东京毅力科创株式会社 减压干燥装置和减压干燥方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114688853B (zh) * 2022-04-02 2023-04-25 永新县华纬生物质能源有限公司 一种生物质颗粒燃料干燥成型设备及其使用方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6414919A (en) * 1987-07-09 1989-01-19 Dainippon Printing Co Ltd Chucking device
JPH02122741U (zh) * 1989-03-16 1990-10-09
JP4663110B2 (ja) * 2000-12-27 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3971120B2 (ja) * 2001-04-12 2007-09-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板保持装置および基板処理装置
JP3967618B2 (ja) * 2001-04-17 2007-08-29 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法及び基板の処理システム

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014180299A1 (zh) * 2013-05-07 2014-11-13 Li Guangwu 减压干燥制备气凝胶的方法及装置
US9731264B2 (en) 2013-05-07 2017-08-15 Hong Da Technology (Bei Jing) Co. Ltd. Method and apparatus for preparing aerogel by drying under reduced pressure
TWI637656B (zh) * 2015-09-29 2018-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 乾燥裝置及乾燥處理方法
CN105783438A (zh) * 2016-03-09 2016-07-20 武汉华星光电技术有限公司 一种减压加热干燥装置
CN106111487A (zh) * 2016-06-27 2016-11-16 昆山国显光电有限公司 一种基板减压干燥系统及其干燥方法
CN106111487B (zh) * 2016-06-27 2019-11-12 昆山国显光电有限公司 一种基板减压干燥系统及其干燥方法
CN107894741A (zh) * 2017-11-06 2018-04-10 西安交通大学 一种溶液环境可控的高性能薄膜制备装备
CN107894741B (zh) * 2017-11-06 2020-03-17 西安交通大学 一种溶液环境可控的高性能薄膜制备装备
CN112974180A (zh) * 2019-12-17 2021-06-18 东京毅力科创株式会社 减压干燥装置和减压干燥方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007073833A (ja) 2007-03-22
CN100517570C (zh) 2009-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1928475A (zh) 减压干燥装置及基板干燥方法
CN1191605C (zh) 在电镀和/或电抛光期间装载和定位半导体工件的方法与设备
CN101043001A (zh) 气相生长方法及气相生长装置
CN1286151C (zh) 基板处理装置和基板处理方法
CN1715007A (zh) 移送装置及其控制方法以及真空处理装置
CN1908783A (zh) 用于制造接合基片的装置和方法
CN1550033A (zh) 基片保持装置和电镀设备
CN1606132A (zh) 将半导体晶片与支承件分离的方法以及使用该方法的装置
CN1678936A (zh) 显微镜观察用培养器
CN1435732A (zh) 化学处理装置
CN1676285A (zh) 移送装置及其控制方法以及真空处理装置
CN1481582A (zh) 处理方法和处理装置
CN1209201C (zh) 负压等离子体装置及负压等离子体清洗方法
CN1253066A (zh) 真空式除湿干燥装置
CN1655924A (zh) 加热型真空压力加工装置
CN101043018A (zh) 基板支撑结构及其制造方法、第一片状物、热处理装置及基板吸附方法
CN1703138A (zh) 接合装置及接合方法
CN1794099A (zh) 溶剂去除装置以及溶剂去除方法
CN1890074A (zh) 基板加工方法、基板加工装置、基板输送方法、基板输送机构
CN1263857A (zh) 集成电路组件处理器的托板搬运装置及其搬运方法
CN1153264C (zh) 物体分离装置和方法以及半导体衬底制造方法
CN1934285A (zh) 硅膜形成装置
CN1830077A (zh) 通过共同注入和热退火获得质量改进的薄层的方法
CN1820357A (zh) 晶片扩展装置、部件供给装置及晶片带的扩展方法
CN1993034A (zh) 电子器件接收装置及其装载/卸载电子器件的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: DAINIPPON MESH PLATE MFR. CO., LTD.

Owner name: SCREEN GROUP CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Kyoto City, Kyoto, Japan

Patentee after: Skilling Group

Address before: Kyoto City, Kyoto, Japan

Patentee before: DAINIPPON SCREEN MFG Co.,Ltd.

Address after: Kyoto City, Kyoto, Japan

Patentee after: DAINIPPON SCREEN MFG Co.,Ltd.

Address before: Kyoto City, Kyoto, Japan

Patentee before: Dainippon Screen Mfg. Co.,Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090722

Termination date: 20150731

EXPY Termination of patent right or utility model