CN1903809B - 二亚甲基环己烷化合物、其制备方法和有机发光器件 - Google Patents

二亚甲基环己烷化合物、其制备方法和有机发光器件 Download PDF

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Abstract

提供由下面式1表示的二亚甲基环己烷化合物、制备该化合物的方法、和使用该二亚甲基环己烷的有机发光器件。式(1)中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、Ar1、Ar2、n1、n2、L1和L2在说明书中已描述。该二亚甲基环己烷化合物可改善有机发光器件的驱动电压、效率和色纯度。

Description

二亚甲基环己烷化合物、其制备方法和有机发光器件
技术领域
本申请涉及一种二亚甲基环己烷化合物、制备该化合物的方法和使用二亚甲基环己烷的有机发光器件，且更具体地，涉及一种二亚甲基环己烷化合物，其具有良好的电性能、热稳定性和光化学稳定性使得采用该二亚甲基环己烷化合物的有机发光器件具有低驱动电压、良好的效率和色纯度，还涉及制备该化合物的方法和包括由二亚甲基环己烷化合物形成的有机层的有机发光器件。 
背景技术
作为自发光器件的发光器件具有宽视角、良好的对比度和快速的响应。发光器件的实例包括无机发光器件和有机发光器件，无机发光器件包括由无机化合物形成的发光层，有机发光器件包括由有机化合物形成的发光层。有机发光器件与无机发光器件相比更亮且具有更低的操作电压和更快速的响应。而且，有机发光器件可实现多色。由于有机发光器件的这些优点，已对有机发光器件进行了很多的研究。 
典型地，有机发光器件具有阳极/有机发光层/阴极的结构。有机发光器件也可以有各种其它结构，诸如阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极结构或阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极结构。 
用于形成发光层或空穴注入层的材料可以是，例如，在日本专利公开No.1999-003782中公开的由两个萘基取代的蒽。然而，采用传统化合物的有机发光器件的驱动电压、效率和色纯度不能达到所需水平。因此，必须开发出这些性质得到改善的材料。 
发明内容
本发明提供一种二亚甲基环己烷化合物，其可改善有机发光器件的驱动电压、效率和色纯度，制备该化合物的方法和使用该二亚甲基环己烷化 合物的有机发光器件。 
根据本发明的一个方面，提供由下式1表示的二亚甲基环己烷化合物 
其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地为氢原子、卤原子、氰基、羟基、氨基、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20 烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基或具有-N(Z’)(Z”)的取代的氨基，且Z’和Z”各自独立地为取代或未取代的C1-C20 烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C5-C20环烷基或取代或未取代的C5-C30杂环烷基； 
Ar1和Ar2各自独立地为取代或未取代的C6-C30亚芳基、或取代或未取代的C2-C30杂亚芳基； 
n1和n2各自独立地为1-5的整数； 
当n1为2或更大时，Ar1可以相同或不同，且n2为2或更大时Ar2可以相同或不同。 
L1和L2各自独立地为取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C5-C20环烷基、取代或未取代的C5-C30杂环烷基、或具有-N(R’)(R”)的取代的氨基，且R’和R”各自独立地为氢原子、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、C5-C20环烷基或C5-C30杂环烷基。 
根据本发明的另一方面，提供一种制备由式1表示的二亚甲基环己烷化合物的方法，该方法包括：将式1a表示的化合物与式1b和1c表示的化合物反应从而得到式1d表示的化合物；和将式1d表示的化合物与式L1-Q1 和L2-Q2表示的化合物反应得到式1表示的化合物： 
其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、Ar1、Ar2、n1、n2、L1和L2 上面已描述过； 
Ha1和Ha2为卤素；和 
Q1和Q2为含B基团或当L1和L2为具有-N(R’)(R”)的取代的氨基时为H。 
根据本发明的另一方面，提供一种有机发光器件，包括第一电极、第二电极和由上述二亚甲基环己烷基化合物形成的且插入在第一电极和第二电极之间的至少一层有机层。 
采用本发明的二亚甲基环己烷基化合物的有机发光器件由于其良好的热稳定性、光化学稳定性和光学特性而表现出低驱动电压、改善的效率和色纯度。 
附图说明
本发明的上述和其它特征和优点通过参考附图详细描述其示例性实施方案变得更加显而易见，其中： 
图1A-1C是根据本发明实施方案的有机发光器件的示意性截面图； 
图2说明根据本发明实施方案的二亚甲基环己烷化合物的吸收光谱； 
图3说明根据本发明实施方案的二亚甲基环己烷化合物的光致发光(PL)光谱； 
图4说明采用根据本发明实施方案的二亚甲基环己烷化合物形成的膜的吸收光谱； 
图5说明包括根据本发明实施方案的二亚甲基环己烷化合物的有机发光器件的发光强度。 
具体实施方式
下文中，将参考附图更充分地描述本发明，在其中示出本发明示例性的实施方案。 
根据本发明实施方案的二亚甲基环己烷化合物由下面的式1表示： 
其中两个双键和连接到两个双键的环己烷基团增加了式1表示的化合物的溶解度，并且-(Ar1)n1-L1和-(Ar2)n2-L2改善了式1表示的化合物的膜加工性、量子产额、热稳定性、光化学稳定性和光致发光(PL)性能。因此，式1表示的二亚甲基环己烷化合物适用于形成在有机发光器件中插入在第一电极和第二电极之间的有机层的材料。式1表示的二亚甲基环己烷化合物适用于有机层，尤其适用于空穴注入层、空穴传输层或发光层。 
在式1中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8可各自独立地表示氢原子、卤原子、氰基、羟基、氨基、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基或具有-N(Z’)(Z”)的取代的氨基，Z’和Z”各自独立地表示取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C5-C20环烷基或取代或未取代的C5-C30杂环烷基。 
当烷基、烷氧基、芳基、杂芳基、环烷基或杂环烷基被取代时，取代基可以独立地包括：-F；-C1；-Br；-CN；-NO2；-OH；由-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的或未取代的C1-C20烷基；由-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的或未取代的C1-C20烷氧基；由C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的或未取代的C6-C30的芳基；由C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的或未取代的C2-C30的杂芳基；由C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的或未取代的C5-C20的环烷基；和由C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的或未取代的C5-C30的杂环烷基中的至少一种。 
在式1中，Ar1和Ar2可各自独立地表示取代或未取代的C6-C30亚芳基、或取代或未取代的C2-C30杂亚芳基。 
亚芳基是具有芳香环的二价基团，2个或多个芳香环可以彼此结合或稠合。杂亚芳基是具有在亚芳基中至少一个碳原子由N、O、S和P的至少一个取代的芳香环的二价基团。 
当亚芳基和杂亚芳基被取代时，取代基可独立地包括：-F；-Cl；-Br；-CN；-NO2；-OH；由-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代或未取代的C1-C20 烷基；由-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代或未取代的C1-C20烷氧基；由C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代或未取代的C6-C30的芳基；由C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代或未取代的C2-C30的杂芳基；由C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代或未取代的C5-C20的环烷基；和由C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代或未取代的C5-C30的杂环烷基中的至少一种。 
详细地，在式1中，Ar1和Ar2可各自独立地为亚苯基、C1-C10烷基亚苯基、C1-C10烷氧基亚苯基、卤代亚苯基、氰基亚苯基、二氰基亚苯基、三氟甲氧基亚苯基、邻、间或对甲代亚苯基、邻、间或对亚枯烯基、亚基(mesitylene)、苯氧基亚苯基、(α，α-二甲苯)亚苯基、(N，N’-二甲基)氨基亚苯基、(N，N’-二苯基)氨基亚苯基、(C1-C10烷基环己基)亚苯基、(蒽基)亚苯基、亚并环戊二烯基、亚茚基、亚萘基、C1-C10烷基亚萘基、C1-C10烷氧基亚萘基、卤代亚萘基、氰基亚萘基、亚联苯撑基(biphenylenylene)、C1-C10烷基亚联苯撑基、C1-C10烷氧基亚联苯撑基、亚蒽基、亚甘菊环基(azulenylene)、亚庚搭烯基(heptalenylene)、亚苊烯基、phenalenylene基、亚芴基、甲基亚蒽基、亚菲基、亚苯并[9，10]菲基、亚芘基、亚屈基、乙基-亚屈基、亚苉基、亚二萘嵌苯基、氯代亚二萘嵌苯基、亚戊芬基(pentaphenylene)、亚并五苯基、亚丁苯基(tetraphenylene)、亚己芬基(hexaphenylene)、亚并六苯基、亚玉红省基、亚晕苯基、亚联三萘基、亚庚芬基(heptaphenylenylene)、亚并七苯基、亚皮蒽基、亚卵苯基、亚咔唑基、C1-C10烷基亚咔唑基、亚噻吩基(thiophenylene)、亚吲哚基、亚嘌呤基、亚苯并咪唑基、亚喹啉基、亚苯并噻吩基(benzothiophenylene)、亚对噻嗪基、亚吡咯基、亚吡唑基、亚咪唑基、亚咪唑啉基、亚唑基、亚噻唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚
Figure 10003_2
二唑基、亚吡啶基、亚哒嗪基、亚嘧啶基、亚吡嗪基、亚噻蒽基中的一种。然而，Ar1 和Ar2并不限于这些基团。 
在上述的实例中，Ar1和Ar2可以是例如亚苯基或亚蒽基。 
Ar1和Ar2可以不同或相同，且优选相同。 
在式1中，n1和n2分别为-Ar1-和-Ar2-的数目。n1和n2可各自独立地为1-5的整数，例如1-3的整数。 
当n1为2或更大时，Ar1可以相同或不同，n2为2或更大时Ar2可以相同或不同。 
在式1中，L1和L2可各自独立地为取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C5-C20环烷基、取代或未取代的C5-C30杂环烷基或具有-N(R’)(R”)的取代的氨基，且R’和R”可各自独立地为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C5-C20环烷基或C5-C30杂环烷基。 
芳基是具有芳香环的单价基团，2个或多个芳香环可以彼此结合或稠合。杂芳基是具有在芳基中至少一个碳原子由N、O、S和P的至少一个取代的芳香环的基团。环烷基是环状的烷基，以及杂环烷基是环烷基中至少一个碳原子由N、O、S和P的至少一个取代的基团。 
当芳基、杂芳基、环烷基和杂环烷基被取代时，取代基可以独立地包括：-F；-Cl；-Br；-CN；-NO2；-OH；由-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代或未取代的C1-C20烷基；由-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代或未取代的C1-C20烷氧基；由C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代或未取代的C6-C30的芳基；由C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代或未取代的C2-C30的杂芳基；由C1-C20 烷基、C1-C20烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代或未取代的C5-C20 的环烷基；和由C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代或未取代的C5-C30的杂环烷基中的至少一种。 
详细地，在式1中，L1和L2可各自独立地为苯基、C1-C10烷基苯基、C1-C10烷氧基苯基、卤代苯基、氰基苯基、二氰基苯基、三氟甲氧基苯基、邻、间或对甲苯基、邻、间或对异丙苯基、
Figure 10003_3
基、苯氧基苯基、(α，α-二甲苯)苯基、(N，N’-二甲基)氨基苯基、(N，N’-二苯基)氨基苯基、(C1-C10烷基环己基)苯基、联苯基、C1-C10烷基联苯基、C1-C10烷氧基联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、C1-C10烷基萘基、C1-C10烷氧基萘基、卤代萘基、氰基萘基、 联苯撑基(biphenylenyl)、C1-C10烷基联苯撑基、C1-C10烷氧基联苯撑基、蒽基、C1-C10烷基蒽基、C1-C10烷氧基蒽基、甘菊环基、庚搭烯基、苊烯基(acenaphtylenyl)、phenalenyl基、芴基、甲基蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、 
Figure 10003_4
基、乙基-基、苉基、二萘嵌苯基、氯代二萘嵌苯基、戊芬基、并五苯基、亚四苯基-基(tetraphenylenyl)、己芬基、并六苯基、玉红省基、晕苯基、联三萘基、庚芬基、并七苯基、皮蒽基、卵苯基、咔唑基、C1-C10烷基咔唑基、噻吩基(thiophenyl)、吲哚基、嘌呤基、苯并咪唑基、喹啉基、苯并噻吩基(benzothiophenyl)、对噻嗪基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、咪唑啉基、唑基、噻唑基、三唑基、四唑基、
Figure 10003_7
二唑基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、噻蒽基、环戊基、环己基、C1-C10烷基环己基、C1-C10烷氧基环己基、oxyranyl基、吡咯烷基、吡唑烷基、咪唑烯基、哌啶基、哌嗪基、吗啉基和具有-N(R’)(R”)的氨基中的一种。然而L1和L2并不限于这些基团。 
在式1中，R’和R”可各自独立地为氢，苯基，C1-C10烷基苯基，C1-C10 烷氧基苯基，卤代苯基，氰基苯基，二氰基苯基，三氟甲氧基苯基，邻、间或对甲苯基，邻、间或对异丙苯基，
Figure 10003_8
基，苯氧基苯基，(α，α-二甲苯)苯基，(N，N’-二甲基)氨基苯基，(N，N’-二苯基)氨基苯基，(C1-C10烷基环己基)苯基，蒽基，联苯基，C1-C10烷基联苯基，C1-C10烷氧基联苯基，并环戊二烯基，茚基，萘基，C1-C10烷基萘基，C1-C10烷氧基萘基，卤代萘基，氰基萘基，联苯撑基，和C1-C10烷基联苯撑基中的一种。然而R’和R”并不限于这些基团。 
在上述的基团中，L1和L2可各自独立地为苯基、萘基、蒽基、或N(R’)(R”)中的一种，在N(R’)(R”)中的R’和R”各自独立地为萘基或苯基。 
更具体地，根据本发明实施方案的二亚甲基环己烷化合物可以由下面式2-15的化合物中的一个表示，但不限于此。 
Figure A20061011002500204
Figure A20061011002500231
由式1表示的二亚甲基环己烷化合物可以采用传统的有机合成法合成。根据本发明的实施方案制备二亚甲基环己烷化合物的方法包括：将式1a表示的化合物与式1b和1c表示的化合物反应以得到由式1d表示的化合物；和将式1d表示的化合物与由式L1-Q1和L2-Q2表示的化合物反应得到式1表示的化合物： 
其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、Ar1、Ar2、n1、n2、L1和L2 如上所述。 
在式1b和1c中，Ha1和Ha2各自独立地为卤素，如F、Cl、Br或I。例如，Ha1和Ha2可均为Br。 
L1和L2如上述，以及Q1和Q2各自为含有B的基团。或者，当L1和L2是含有-N(R’)(R”)的被取代的氨基时，Q1和Q2为H。 
含B基团的实例包括等，但含B基团不限于此。 
下面反应图解1解释合成根据本发明实施方案的二亚甲基环己烷化合物的详细机理。 
反应图解1 
Figure A20061011002500251
首先，式1a表示的化合物与式1b和1c表示的化合物反应以得到式1d表示的化合物。式1a表示的化合物是可市购的化合物且由式1b和1c表示的化合物可由亚磷酸三乙酯(P(OEt)3)与由卤代甲烷取代的芳基化合物反应获得(例如，由亚磷酸三乙酯与溴苄基溴化物(bromobenzylbromide)反应)。然而，制备该化合物的方法并不限于此。接下来，将由式1d表示的化合物与式L1-Q1和L2-Q2表示的化合物反应得到式1表示的化合物。例如这个反应可在K2CO3和Pd(PPh3)4的存在下进行。由式L1-Q1和L2-Q2表示的化合物可以为具有L1和L2基团的硼酸和二氧杂环戊硼烷(dioxaborolane)，或具有L1 和L2基团的胺，但不限于此。所有得到的化合物的结构可以使用1H NMR和质谱仪鉴别。 
在制备二亚甲基环己烷化合物的方法中，Ar1和Ar2可以相同，n1和n2 可以相同，Ha1和Ha2可以相同且L1和L2可以相同。 
根据上述实施方案的二亚甲基环己烷化合物可用于有机发光器件中。根据本发明实施方案的有机发光器件包括第一电极、第二电极和插入在第一电极和第二电极之间的至少一层有机层。有机层可由上述的式1表示的二亚甲基环己烷化合物形成。详细地，有机层可以是空穴注入层、空穴传输层或发光层。 
有机层可具有各种结构。换句话说，空穴注入层、空穴传输层、空穴 阻挡层、电子阻挡层、电子传输层和电子注入层的至少一层可以在第一电极和第二电极之间形成。 
详细地，图1A、1B和1C示意性地解释根据本发明实施方案的有机发光器件。图1A中，有机发光器件具有第一电极/空穴注入层/发光层/电子传输层/电子注入层/第二电极结构。图1B中，有机发光器件具有第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/第二电极结构。图1C中，有机发光器件具有第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/第二电极结构。空穴注入层、空穴传输层和发光层中的至少一层可包括式1表示的二亚甲基环己烷化合物。 
根据本发明实施方案的有机发光器件的发光层可包括红、绿、蓝或白色磷光或荧光掺杂剂。磷光掺杂剂可为含有Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb和Tm至少一种的有机金属化合物。 
下文中，将参见图1C中所示的有机发光器件描述制造根据本发明实施方案的有机发光器件的方法。 
首先，通过在基底上沉积或溅射高功函材料形成第一电极。第一电极可以为阳极。基底(其可为用于传统有机发光器件的任何基底)可以是有优异机械强度、热稳定性、透明度和表面平整度，容易处理且防水的玻璃基底或透明塑料基底。第一电极可由ITO、IZO、SnO2、ZnO或任何具有高导电性的透明材料形成。 
接下来，空穴注入层(HIL)可以通过真空沉积、旋涂、流延、朗缪尔-布罗杰特法(langmuir blodgett)(LB)等等在第一电极上形成。 
当HIL由真空沉积形成时，真空沉积条件可依据用于形成HIL的化合物和将要形成的HIL的期望结构和热特性而改变。然而通常，真空沉积可以在0.01-100
Figure 10003_9
/秒的沉积速度下在10-8托-10-3托的压力下100℃-500℃的沉积温度下进行，且形成10-5μm的层厚。 
当HIL由旋涂形成时，涂布条件可依据用于形成HIL的化合物和将要形成的HIL的期望结构和热特性而变化。然而通常，涂布速度可在约2000rpm-5000rpm的范围内，且在涂布后用于去除溶剂的热处理的温度可以为约80℃-200℃。 
HIL可以由上述式1表示的化合物二亚甲基环己烷化合物形成。此外，材料可以为酞菁化合物，如美国专利4,356,429中公开的铜酞菁化合物；如 Advanced Material，6，p.677(1994)中公开的星爆(star-burst)型胺衍生物，如TCTA、m-MTDATA和m-MTDAPB；可溶的且导电的聚合物如聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)；聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)；聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)；(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)等。 
HIL的厚度可以为约100-10000
Figure 10003_12
，且优选100-1000
Figure 10003_14
。当HIL的厚度小于100时，HIL的空穴注入性能降低。另一方面，当HIL厚度大于10000时，器件的驱动电压升高。 
然后，使用真空沉积法、旋涂法、流延法、LB等等在HIL上形成空穴传输层(HTL)。当HTL由真空沉积或旋涂形成时，沉积和涂布条件与形成HIL的条件相似，尽管沉积和涂布的条件可依据用于形成HTL的材料而变 化。 
HTL可以由上述的式1表示的二亚甲基环己烷化合物形成。HTL可由用于形成HTL的任何传统材料形成。例如HTL可以由下列物质形成：咔唑衍生物，诸如N-苯基咔唑，聚乙烯咔唑；具有芳香稠环的典型胺衍生物，例如N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯基]-4，4′-二胺(TPD)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(a-NPD)等。 
HTL的厚度可以为约50
Figure 10003_17
-约1000
Figure 10003_18
，且优选100-约600。当HTL的厚度小于50时，HTL的空穴传输性能降低。另一方面，当HTL厚度远大于1000时，器件的驱动电压将升高。 
然后，通过真空沉积、旋涂、流延、LB等等在HTL上形成发光层(EML)。当EML由真空沉积或旋涂形成时，沉积和涂布条件与形成HIL的条件相似，尽管沉积和涂布的条件可依据用于形成EML的材料而变化。 
EML可以由根据本发明实施方案的式1表示的二亚甲基环己烷化合物形成。在这种情况中，本领域公知的合适的基质材料和掺杂剂可与式1表示的二亚甲基环己烷化合物一起使用，或式1表示的二亚甲基环己烷化合物可单独使用。基质材料可以为，例如Alq3、4，4’-N，N′-二咔唑-联苯(CBP)、或聚(n-乙烯咔唑)(PVK)。至于掺杂剂材料，荧光掺杂剂的实例包括从Idemitsu Co.得到的IDE102和IDE105，从Hiyasibara Co.得到的C545T等，以及磷光掺杂剂的实例包括红色磷光掺杂剂PtOEP、从UDC Co.获得的RD 
61、绿色磷光掺杂剂Ir(PPy)3(PPy＝2-苯基吡啶)、蓝色磷光掺杂剂F2Irpic等。下面示出了式16表示的用作掺杂剂的DPAVBi的结构： 
Figure A20061011002500281
不限制掺杂剂的浓度，但通常为0.01-15重量份，基于100重量份基质。 
EML的厚度可以为约100-1000
Figure 10003_24
，且优选200
Figure 10003_25
-600
Figure 10003_26
。当EML的厚度小于100时，EML的发光性能降低。另一方面，当EML的厚度远大于1000
Figure 10003_28
时，器件的驱动电压升高。 
当使用磷光掺杂剂形成EML时，可采用真空沉积法、旋涂法、流延法、LB等在HTL上形成空穴阻挡层(HBL)，以防止三重态激子或空穴扩散到电子传输层。当采用真空沉积或旋涂形成HBL时，沉积和涂布条件与形成HIL的条件相似，尽管沉积和涂布条件可依据用于形成HBL的材料而变化。例如HBL可由以下材料形成：二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物、或日本专利11-329734(A1)中公开的空穴阻挡材料或BCP。 
HBL的厚度可以为约50-1000
Figure 10003_31
，且优选100
Figure 10003_32
-300。当HBL的厚度小于50时，HBL的空穴阻挡能力将降低。另一方面，当HBL的厚度远大于1000时，器件的驱动电压可能升高。 
然后，通过真空沉积、旋涂、流延等形成电子传输层(ETL)。当由真空沉积或旋涂形成ETL时，沉积和涂布条件通常与形成HIL的条件相似，尽管沉积和涂布的条件可依据用于形成ETL的材料而变化。ETL可由稳定地传输从阴极注入的电子的喹啉衍生物形成，特别是本领域公知的三(8-羟基喹啉(quinolinorate))铝(Alq3)、TAZ、Balq等。 
ETL的厚度可以为约100-1000，且优选200-500
Figure 10003_39
。当ETL的厚度小于100
Figure 10003_40
时，ETL的电子传输能力将降低。另一方面，当ETL的厚度远大于1000
Figure 10003_41
时，器件的驱动电压可能升高。 
然后，电子注入层(EIL)可以在ETL上形成，该电子注入层由使电子容易从阴极注入的材料形成。不限制用于形成EIL的材料。 
EIL可采用本领域公知的LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO等形成。通常EIL的沉积条件与HIL的形成条件相似，尽管该条件可依据用于形成EIL的材料而变化。 
EIL的厚度可以为约1
Figure 10003_42
-100，且优选5-50。当EIL的厚度小于1
Figure 10003_46
时，EIL的电子注入能力可降低。另一方面，当EIL的厚度远大于100 时，器件的驱动电压可升高。 
最后，通过真空沉积、溅射等在EIL上形成第二电极。第二电极可用作阴极。第二电极材料可由低功函的金属、合金、导电化合物或其组合形成。详细地，第二电极可由Li、Mg、Al、Al-Li、Ca、Mg-In、Mg-Ag等形成。或者，由ITO或IZO形成的透明阴极可用于生产前表面发光器件。 
根据本发明实施方案的有机发光器件可以具有在图1C中说明的第一电极/HIL/HTL/EML/HBL/ETL/EIL/第二电极结构。然而，根据本发明实施方案的有机发光器件的结构可以改变(例如，在图1A中说明的有机发光器件的结构，其在以下的实施例中将更详细地描述)。 
下文中，将详细地描述合成实施例和根据本发明实施方案的由式2-12分别表示的化合物实施例(下面，分别称为“化合物2”到“化合物12”)。然而，提供实施例仅便于理解本发明，并不用于限制本发明的范围。 
实施例 
合成实施例1 
通过下面反应图解2合成化合物2： 
反应图解2 
中间体A的合成 
将10g(40mmol)的4-溴苄基溴化物与13.3g(80mmol)的亚磷酸三乙酯[P(OCH2CH3)3]混合，然后在185℃下搅拌6小时。在减压下移除溶剂且将得到产物冷却到室温以获得11.8g白色固态粉末(96％)。 
1H-NMR(CDCl3，300MHz，ppm)：7.42(d，2H)，7.18(d，2H)，4.02(m，4H)，3.12(s，1H)，3.05(s，1H)，1.25(t，6H)。 
中间体B的合成 
将12.5g(110mmol)的t-BuOK加入溶解在300ml四氢呋喃(THF)中的31.6g(100mmol)的中间体A中，且在50℃下反应1小时。将5g(40mmol)的1，4-环己二酮加入到混合物中，且在70℃下反应1天。在将20ml乙醇加入混合物并在真空中干燥之后，将200ml的二氯甲烷添加到干燥的混合物中。将从混合物中收集的有机层用200ml的水清洗两次，然后用无水硫酸镁干燥以蒸发溶剂。使用硅胶柱色谱提纯干燥的产物以获得9.7g中间体B(产率58％)。 
1H-NMR(CDCl3，300MHz，ppm)：7.42(d，4H)，7.10(d，4H)，6.25(s，2H)，2.53-2.31(m，8H)。 
化合物2的合成 
将溶解在100ml甲苯和10ml水中的11.8g(60mmol)的4-联苯基硼酸、1.4g(1.0mmol)的四(三苯基膦)钯和9.9g(72mmol)的K2CO3加入溶解在200mlTHF中的10g(24mmol)的中间体B，且在回流温度下搅拌24小时。将反应混合物冷却到室温，然后向其中添加100ml的二乙醚。混合物用50ml的水清洗两次。从清洗后的产物中收集有机层且用无水硫酸镁干燥以蒸发溶剂。结果，获得粗产品。使用硅胶柱色谱提纯粗产品并重结晶获得6.1g化合物2(产率45％)。 
合成实施例2 
通过下面反应图解3合成化合物3： 
反应图解3 
除了用1-萘硼酸代替4-联苯基硼酸外，以与合成实施例1中获得化合物2相同的方式获得化合物3。 
合成实施例3 
通过下面反应图解4合成化合物4： 
反应图解4 
Figure A20061011002500321
将2.94g(14.9mmol)的N-苯基-1-萘基胺(中间体C)、0.5g(0.54mmol)的Pd2(dba)3、0.083g(0.41mmol)的叔丁基膦和2.88g(30mmol)的NaO-t-Bu加入溶解在80ml的邻-二甲苯中的4.45g(10.6mmol)中间体B中，且在室温下搅拌4小时。将100ml的二氯甲烷添加到反应混合物中且将所得产物用100ml的水清洗两次。从清洗后的产物中收集有机层且用无水硫酸镁干燥以蒸发溶剂。结果，获得粗产品。采用硅胶柱色谱提纯粗产品并重结晶获得3.2g化合物4(产率47％)。 
1H-NMR(CDCl3，300MHz，ppm)：7.95(m，2H)，7.80(d，1H)，7.49-7.34(m，4H)，7.23-7.18(m，2H)，7.10-6.94(m，7H)，6.23(s，1H)，6.23(s，1H)，2.59-2.31(m，4H)。 
合成实施例4 
通过下面反应图解5合成化合物5： 
反应图解5 
除了用中间体D代替4-联苯基硼酸外，以与在合成实施例1中获得化合物2相同的方式获得化合物5。中间体D由下面的反应图解5’合成： 
1H-NMR(CDCl3，300MHz，ppm)：8.50(s，2H)，8.07(d，4H)，7.76(d，4H)，7.50-7.25(m，16H)，6.53(s，2H)，2.84(m，4H)，2.58(m，4H)。 
反应图解5’ 
Figure A20061011002500332
在-78℃下将3.2ml(8.0mmol)的2.5M正-丁基锂缓慢加入到溶解在100ml的THF中的1.03g(4.0mmol)的9-溴代蒽中，然后在-78℃下反应1小时。将1.49g(8.0mmol)的2-异丙氧基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂环戊硼烷(dioxaborolane)加入到混合物中，然后在-78℃下反应3小时，在室温下搅拌12小时然后将甲醇加入到反应混合物中。向反应混合物中添加100ml的二氯甲烷，所得产物用50ml水清洗两次。从清洗后产物中收集有机层且用无水硫酸镁干燥以蒸发溶剂。结果，获得粗产品。采用硅胶柱色谱提纯粗产品获得0.67g中间体D(产率55％)。 
1H-NMR(CDCl3，300MHz，ppm)：8.45(m，3H)，7.99(d，2H)，7.48(m，4H)，1.58(m，4H)。 
合成实施例5 
通过下面反应图解6合成化合物6： 
反应图解6 
除了用中间体E代替4-亚联苯基硼酸外，以与在合成实施例1中获得化合物2相同的方式获得化合物6。中间体E由下面的反应图解6’合成： 
反应图解6’ 
Figure A20061011002500342
将5.6g(32.7mmol)的1-萘硼酸加入到溶解在300mlTHF中的11.0g(32.7mmol)的9，10-二溴代蒽中，并将溶解在300ml甲苯和50ml水中的1.9g(1.6mmol)的四(三苯基膦)钯和4.5g(32.7mmol)的K2CO3添加到反应混合物中且在回流温度下搅拌24小时。蒸发溶剂且向反应混合物中添加100ml的氯仿。混合物用100ml的水清洗两次。从清洗混合物中收集有机层且用无水硫酸镁干燥以蒸发溶剂。结果，获得粗产品。采用硅胶柱色谱提纯然粗产品并重结晶获得8.2g中间体E’(产率65％)。 
1H-NMR(CDCl3，300MHz，ppm)：8.47(d，2H)，8.02(m，2H)，7.88(d，2H)，7.66-7.45(m，7H)，7.45(m，2H)，1.62(s，12H)。 
将8ml(20mmol)的2.5M正-丁基锂在-78℃下加入到3.8g(10mmol)中间体E’中且搅拌1小时。将3.72g(20mmol)的2-异丙氧基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂环戊硼烷(dioxaborolane)添加到反应混合物中且在-78℃搅拌2小时，然后在室温下搅拌18小时，然后将溶剂蒸发。向反应混合物中添加100ml二氯甲烷且产物用50ml的水清洗两次。从清洗产物中收集有机层且用无水硫酸镁干燥以蒸发溶剂。结果，获得粗产品。采用硅胶柱色谱提纯粗产品并重结晶获得2.7g中间体E(产率62％)。 
合成实施例6 
通过下面反应图解7合成化合物7： 
反应图解7 
Figure A20061011002500351
除了用中间体F代替4-联苯基硼酸外，以与在合成实施例1中获得化合物2相同的方式获得化合物7。除了用2，4-二甲基苯基硼酸代替1-萘硼酸外，以与合成实施例5中通过反应图解6’制备中间体E相同的方式合成中间体F。 
合成实施例7 
通过下面反应图解8合成化合物8： 
反应图解8 
除了用中间体G代替4-联苯基硼酸外，以与在合成实施例1中制备化合物2相同的方式获得化合物8。除了用4-叔丁基苯基硼酸代替1-萘硼酸外，以与合成实施例5中通过反应图解6’制备中间体E相同的方式合成中间体G。 
合成实施例8 
通过下面反应图解9合成化合物9： 
反应图解9 
除了用中间体H代替4-联苯基硼酸外，以与合成实施例1中制备化合物2相同的方式获得化合物9。除了用2-甲氧基-萘硼酸代替1-萘硼酸外，以与合成实施例5中通过反应图解6’制备中间体E相同的方式合成中间体H。 
合成实施例9 
通过下面反应图解10合成化合物10： 
反应图解10 
除了用二甲苯胺代替N-苯基-1-萘基胺外，以与合成实施例3中制备化合物4相同的方式获得化合物10。 
合成实施例10 
通过下面反应图解11合成化合物11： 
反应图解11 
Figure A20061011002500372
除了用中间体I代替4-联苯基硼酸外，以与合成实施例1中制备化合物2相同的方式获得化合物11。通过下面的反应图解11’合成中间体I。 
反应图解11’ 
除了用1/2当量重量的二甲苯胺代替N-苯基-1-萘基胺和二溴苯代替中 间体B之外，以与合成实施例3中获得化合物4相同的方式获得中间体J。 
除了用中间体J代替中间体E’之外，以与合成实施例5中通过反应图解6’制备中间体E相同的方式合成中间体I。 
合成实施例11 
通过下面反应图解12合成化合物12： 
反应图解12 
除了用中间体K代替4-联苯基硼酸外，以与合成实施例1中获得化合物2相同的方式获得化合物12。中间体K通过下面的反应图解12’合成。 
反应图解12’ 
除了用1/2当量重量的二甲苯胺代替N-苯基-1-萘基胺和二溴苯代替中间体B之外，以与合成实施例3中获得化合物4相同的方式获得中间体L 
除了用中间体L代替中间体E’之外，以与合成实施例5中通过反应图解6’制备中间体E相同的方式合成中间体K。 
测量实施例1-化合物2到6和9的热稳定性测试 
化合物2到6和9的热稳定性测试通过测量各化合物的玻璃化转变温度(Tg)和熔点(Tm)来进行。Tg和Tm通过采用热重分析(TGA)和差示扫描量 热法(DSC)进行热分析来测量。结果如下表1所示： 
表1 
  化合物编号   Tg(℃)   Tm(℃)
  2   52   -
  3   49   -
  4   90   -
  5   -   319
  6   -   -
  9   140   352
从表1所示的结果来看，证实根据本发明实施方案的化合物具有适于有机发光器件的热稳定性。 
测量实施例2-化合物2到6的亮度测试 
化合物2-6的发光特性采用UV吸收光谱和光致发光(PL)光谱测量。首先，在甲苯中稀释的0.2mM化合物2的UV吸收光谱采用ShimadzuUV-350分光计获得。该过程也可以分别对化合物3-6进行。此外，在甲苯中稀释的10mM化合物2的PL光谱采用具有氙灯的ISC PC1荧光分光计获得。该过程也可以分别对化合物3-6进行。结果如表2所示。图2中说明化合物2、3、4、5和6的吸收光谱，且图3中说明化合物4、5和6的PL光谱。 
表2 
  化合物编号   最大吸收波长(nm)   最大PL波长(nm)
  2   290   -
  3   295   -
  4   315   432
  5   390   415
  6   400   430
从表2所示的结果来看，证实根据本发明实施方案的的化合物具有适于有机发光器件的发光特性。 
测量实施例3：化合物2到5和9(薄膜状态)的亮度测试 
使用化合物2到5和9形成膜，且测量这些膜的吸收光谱，PL光谱和量子产额。 
首先，采用氯仿和纯水清洗石英基底。将化合物2旋涂到石英基底上且在110℃下热处理2小时以形成1000厚的膜。此膜称作膜2。测量膜2的吸收光谱，PL光谱和量子产额。该过程也可以分别对化合物3-5和9进行。结果如表3所示。图4中说明膜2、3、4和5的吸收光谱。 
表3 
  膜编号   最大吸收波长(nm)   最大PL波长(nm)   量子产额(％)
  膜2   300   382   16
  膜3   300   358   65
  膜4   320   470   66
  膜5   395   430   23
  膜9   400   440   -
从表3所示的结果来看，证实根据本发明实施方案的化合物形成的膜具有适于有机发光器件的吸收光谱，PL光谱和量子产额。 
实施例1 
采用式16表示的化合物DPAVBi作为EML的掺杂剂和式4表示的化合物作为EML的基质制造具有下面结构的有机发光器件： 
ITO/PEDOT(500
Figure 10003_49
)/化合物4掺杂剂 
DPAVBi(480
Figure 10003_50
)/Balq(200
Figure 10003_51
)/LiF(10
Figure 10003_52
)/Al(2000
Figure 10003_53
)。 
将15Ω/cm2(1000
Figure 10003_54
)的ITO玻璃基底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，采用丙酮异丙醇微波清洗15分钟，用纯水微波清洗15分钟，以及用UV臭氧洗30分钟。将从Bayer Co.购得的PEDOT-PSS(Al4083)涂布到基底上且在110℃下热处理5分钟，以及在氮气气氛下在200℃下热处理5分钟以形成500
Figure 10003_55
厚的HIL。将包括0.1g化合物4和0.05g掺杂剂DPAVBi(基于化合物4为100重量份计，由式16表示的化合物为5重量份)的混合物旋涂在HIL上，且在110℃下热处理30分钟以形成480厚的EML。然后，在EML上真空沉积Balq化合物以形成200
Figure 10003_57
厚的ETL。在ETL上真空沉积LiF以形成10厚的EIL，然后在EIL上真空沉积Al以形成2000厚的阴极。结果，制成如图1A所示的有机发光器件。该有机发光器件称为试样1。 
实施例2 
除了采用化合物5代替化合物4作为基质外，采用与实施例1相同的方式制造具有ITO/PEDOT(500
Figure 10003_60
)/化合物5_掺杂剂DPAVBi(480)/Balq(200 )/LiF(10
Figure 10003_63
)/Al(2000
Figure 10003_64
)结构的有机发光器件。该有机发光器件称为试样2。 
实施例3 
除了单独使用化合物4而不使用DPAVBi作为掺杂剂以形成EML外，采用与实施例1相同的方式制造具有ITO/PEDOT(500)/化合物4(480 )/Balq(200
Figure 10003_67
)/LiF(10
Figure 10003_68
)/Al(2000)结构的有机发光器件。该有机发光器件称为试样3。 
实施例4 
除了采用0.01g化合物4作为掺杂剂和0.1gPVK作为基质(基于PVK为100重量份计，化合物4为10重量份)代替DPAVBi作为掺杂剂和化合物4作为基质以形成EML外，采用与实施例1相同的方式制造具有ITO/PEDOT(500
Figure 10003_70
)/PVK_化合物4(480)/Balq(200)/LiF(10)/Al(2000
Figure 10003_74
)结构的有机发光器件。该有机发光器件称为试样4。 
测量实施例4：试样1、2、3和4的特性 
试样1、2、3和4的驱动电压、色纯度和效率采用PR650(光谱扫描)源测量单元(PR650(Spectron)Source Measurement Unit)测量。试样1和2的发光强度如图5所示。 
                            表5 
  试样编号  接通电压(V)   CIE色坐标(～100cd/m2)   6.6V时的效率(cd/A)
  1   3   (0.16，0.27)   1.59
  2   3   (0.15，0.28)   5.7
  3   4.2   (0.18，0.29)   1.35
  4   4.7   (0.12，0.14)   1.2
如表5所示，根据本发明实施方案的试样1-4具有良好的电特性。 
根据本发明由式1表示的二亚甲基环己烷化合物具有良好的发光特性和热稳定性。因此，采用根据本发明的二亚甲基环己烷化合物的有机发光器件表现出低驱动电压，良好的色纯度和高效率。 
尽管已参照本发明的示意性实施方案具体示出和描述了本发明，本领域技术人员可以理解在不脱离权利要求限定的本发明的精神和范围内可在形式和细节上作出各种改变。 

Claims (13)

1.一种由式1表示的二亚甲基环己烷化合物：
Figure FSB00000825403500011
其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地为氢原子、卤原子、氰基、羟基、氨基、C1-C20烷基或C1-C20烷氧基；
Ar1和Ar2各自独立地为C6-C30亚芳基；
n1和n2各自独立地为1-5的整数；
L1和L2各自独立地为取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C5-C20环烷基或具有-N(R’)(R”)的取代的氨基，且R’和R”各自独立地为氢原子、C1-C20烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、或C5-C20环烷基；
其中取代的C6-C30芳基或取代的C5-C20环烷基的取代基独立地包括选自以下的至少一种取代基：由-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的或未取代的C1-C20烷基；由-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的或未取代的C1-C20烷氧基；由C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的或未取代的C6-C30的芳基；由C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的或未取代的C5-C20的环烷基；且
当n1为2或更大时，Ar1可以相同或不同以及当n2为2或更大时，Ar2可以相同或不同。
2.权利要求1所述的二亚甲基环己烷化合物，其中Ar1和Ar2各自独立地选自亚苯基、亚
Figure FSB00000825403500012
基、(蒽基)亚苯基、亚并环戊二烯基、亚茚基、亚萘基、亚联苯撑基、亚蒽基、亚甘菊环基、亚庚搭烯基、亚苊烯基、亚非那烯基、亚芴基、亚菲基、亚苯并菲基、亚芘基、亚基、亚苉基、亚二萘嵌苯基、亚戊芬基、亚并五苯基、亚(亚四苯基)基、亚己芬基、亚并六苯基、亚玉红省基、亚晕苯基、亚联三萘基、亚庚芬基、亚并七苯基或亚皮蒽基。
3.权利要求1所述的二亚甲基环己烷化合物，其中n1和n2各自独立地为1、2或3。
4.权利要求1所述的二亚甲基环己烷化合物，其中L1和L2各自独立地为苯基、C1-C10烷基苯基、C1-C10烷氧基苯基、三氟甲氧基苯基、邻、间或对甲苯基、邻、间或对异丙苯基、
Figure FSB00000825403500021
基、苯氧基苯基、(α，α-二甲苯)苯基、(N，N’-二甲基)氨基苯基、(N，N’-二苯基)氨基苯基、(C1-C10烷基环己基)苯基、联苯基、C1-C10烷基联苯基、C1-C10烷氧基联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、C1-C10烷基萘基、C1-C10烷氧基萘基、联苯撑基、C1-C10烷基联苯撑基、C1-C10烷氧基联苯撑基、蒽基、C1-C10烷基蒽基、C1-C10烷氧基蒽基、甘菊环基、庚搭烯基、苊烯基、非那烯基、芴基、甲基蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、基、乙基-
Figure FSB00000825403500023
基、苉基、二萘嵌苯基、戊芬基、并五苯基、(亚四苯基)基、己芬基、并六苯基、玉红省基、晕苯基、联三萘基、庚芬基、并七苯基、皮蒽基、卵苯基和具有-N(R’)(R”)的氨基；且R’和R”各自独立地选自氢、苯基、C1-C10烷基苯基、C1-C10烷氧基苯基、三氟甲氧基苯基、邻、间或对甲苯基、邻、间或对异丙苯基、
Figure FSB00000825403500024
基、苯氧基苯基、(α，α-二甲苯)苯基、(N，N’-二甲基)氨基苯基、(N，N’-二苯基)氨基苯基、(C1-C10烷基环己基)苯基、(蒽基)苯基、联苯基、C1-C10烷基联苯基、C1-C10烷氧基联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、C1-C10烷基萘基、C1-C10烷氧基萘基、联苯撑基和C1-C10烷基联苯撑基。
5.权利要求1所述的二亚甲基环己烷化合物，其由式2-12之一表示：
Figure FSB00000825403500025
Figure FSB00000825403500041
Figure FSB00000825403500051
6.一种制备由式1表示的二亚甲基环己烷化合物的方法，该方法包括：
将式1a表示的化合物与式1b和1c表示的化合物反应以得到式1d表示的化合物；和
将式1d表示的化合物与式L1-Q1和L2-Q2表示的化合物反应得到式1表示的化合物：
Figure FSB00000825403500052
其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地为氢原子、卤原子、氰基、羟基、氨基、C1-C20烷基或C1-C20烷氧基；
Ar1和Ar2各自独立地为C6-C30亚芳基；
n1和n2各自独立地为1-5的整数；
L1和L2各自独立地为取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C5-C20环烷基或具有-N(R’)(R”)的取代的氨基，且R’和R”各自独立地为氢原子、C1-C20烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、或C5-C20环烷基；
其中取代的C6-C30芳基或取代的C5-C20环烷基的取代基独立地包括选自以下的至少一种取代基：由-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的或未取代的C1-C20烷基；由-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的或未取代的C1-C20烷氧基；由C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的或未取代的C6-C30的芳基；由C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-NO2或-OH取代的或未取代的C5-C20的环烷基；
当n1为2或更大时，Ar1可以相同或不同，且当n2为2或更大时，Ar2可以相同或不同；
Ha1和Ha2是卤原子；且
Q1或Q2是含B基团，或当L1和L2为具有-N(R’)(R”)的取代的氨基时，Q1和Q2是H。
7.权利要求6的方法，其中Q1和Q2各自独立地为
Figure FSB00000825403500061
8.权利要求6的方法，其中Ar1和Ar2相同，n1和n2相同，Ha1和Ha2相同且L1和L2相同。
9.权利要求6的方法，其中二亚甲基环己烷化合物由式2-12之一表示：
Figure FSB00000825403500071
Figure FSB00000825403500081
10.一种有机发光器件，包括：
第一电极；
第二电极；和
插入在第一电极和第二电极之间的至少一层有机层，
其中该有机层包括根据权利要求1-5中任一项的二亚甲基环己烷化合物。
11.权利要求10的有机发光器件，其中有机层选自空穴注入层、空穴传输层和发光层。
12.权利要求10或11的有机发光器件，在第一电极和第二电极之间还包括选自空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层的至少一层。
13.权利要求12的有机发光器件，包括选自以下的结构：
第一电极/空穴注入层/发光层/电子传输层/电子注入层/第二电极结构；
第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/第二电极结构；和
第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/第二电极结构。
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