CN1885406A - 磁记录盘驱动器以及盘 - Google Patents

磁记录盘驱动器以及盘 Download PDF

Info

Publication number
CN1885406A
CN1885406A CNA2006100945872A CN200610094587A CN1885406A CN 1885406 A CN1885406 A CN 1885406A CN A2006100945872 A CNA2006100945872 A CN A2006100945872A CN 200610094587 A CN200610094587 A CN 200610094587A CN 1885406 A CN1885406 A CN 1885406A
Authority
CN
China
Prior art keywords
disk drive
read head
dish
layer
magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006100945872A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100401377C (zh
Inventor
托马斯·R·阿尔布雷克特
小罗伯特·E·方塔纳
曾庆骅
梅森·L·威廉斯
布鲁斯·A·威尔逊
Original Assignee
Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV filed Critical Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV
Publication of CN1885406A publication Critical patent/CN1885406A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100401377C publication Critical patent/CN100401377C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3909Arrangements using a magnetic tunnel junction
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/74Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
    • G11B5/743Patterned record carriers, wherein the magnetic recording layer is patterned into magnetic isolated data islands, e.g. discrete tracks
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/855Coating only part of a support with a magnetic layer
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B2005/3996Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)

Abstract

本发明涉及连续介质或图案化介质盘驱动器,其在沿道方向上以每英寸位数(BPI)度量的线位密度与在横跨道方向上以每英寸道数(TPI)度量的道密度的比率低,其具有高跨道空间分辨率的磁致电阻读头。该读头位于两磁屏蔽件之间,该屏蔽件和读头形成在头载具的垂直于该载具的面向盘的表面的侧表面上。该载具由盘驱动器致动器支承,载具的侧表面取向为基本平行于数据道。在该布置中,读头的高空间分辨率方向(垂直于其上形成该头的侧表面的横向)为沿径向或跨道方向。

Description

磁记录盘驱动器以及盘
技术领域
本发明总地涉及磁记录盘驱动器,更具体地,涉及超高数据密度盘驱动器。
背景技术
传统磁记录盘驱动器使用具有连续磁膜记录层的“连续介质”盘。当膜区域通过感应写头沿圆周或沿道方向(along-the-track direction)被磁化时数据被记录或写在同心数据道中连续膜内,产生所写的数据“位”。已提出盘驱动器使用“图案化介质”,其具有被图案化成同心数据道的记录层,每个道具有由非磁区域分隔开的离散磁岛(discrete magnetic island)或“位”。数据通过将所述岛中的磁材料磁化的感应写头写入上述图案化数据道中离散岛内,产生所写的数据“位”。
在任一种盘驱动器中,磁盘旋转经过读头时,当来自位的磁场被磁致电阻读头检测到时所写的数据位被读回且被盘驱动器的电路处理成数据。读头是形成在头载具(carrier)的平坦表面上在两屏蔽件之间的薄膜堆叠,该平坦表面垂直于盘且平行于跨道(cross-track)方向或径向。屏蔽件锐化了读头在顺道方向(down-track direction)的空间响应(spatial response),提高了沿道分辨率。跨道方向的空间响应主要由读头薄膜堆叠的特定层的光刻确定宽度决定。常规读头具有固有的非对称空间分辨率(spatial resolution),意味着沿垂直于该平坦表面的横向(沿道或圆周方向)的高空间分辨率以及沿平行于该平坦表面的方向(跨道方向或径向)的低空间分辨率。
对具有日益增大的数据密度的盘驱动器的需求要求数据位在盘上紧密挤在一起。沿道方向上以每英寸位数(BPI)度量的线位密度(linear bit density)与跨道方向上以每英寸道数(TPI)度量的道密度的比率称作位纵横比(bitaspect radio:BAR)。由于传统读头固有的非对称性、以及实现合适的道跟踪(track-following)伺服系统以处理非常狭窄的道的挑战,常规盘驱动器的BAR通常大于5。
为了实现超高数据密度,例如约300Gbits/in2或更大,进一步增大BPI变得更加困难,因为介质晶粒尺寸的必要下降可导致热不稳定的记录介质。因此,常规介质密度的进一步增大预期主要通过增加TPI来实现,这导致降低的BAR。由于光刻构图的挑战,其使介质制造在大于约2的BAR值时显著更加困难,所以利用图案化介质的盘驱动器预期具有接近1的BAR值。
需要的是超高数据密度磁记录盘驱动器,其具有能检测聚集在盘上的具有低BAR的位的读头。
发明内容
本发明是连续介质或图案化介质盘驱动器,其具有低BAR并具有高跨道空间分辨率的磁致电阻读头。该读头位于两磁屏蔽件之间,该屏蔽件和读头形成在头载具的垂直于该载具的面向盘的表面的侧表面上。该载具由盘驱动器致动器支承,载具的侧表面取向为基本平行于数据道。在该布置中,读头的高空间分辨率方向(垂直于其上形成该头的侧表面的横向)为沿径向或跨道方向。当读头从数据道检测数据位时,头两侧的屏蔽件减小来自相邻数据道中的数据位的磁通量。
具有高跨道空间分辨率的读头对于从BAR低于约3的盘检测数据位来说是理想的。这允许使用超高密度图案化介质,该介质具有被构图的位从而实现大约为1的BAR。利用常规取向的头,使用图案化介质(具有低BAR)将要求非常窄的读头元件,因为读头宽度通常需要为道节距的大约一半以实现足够的相邻道抑制。本发明允许显著更宽的读头宽度,因为好的相邻道抑制是取向平行于道的头的固有能力,并且对读头宽度没有强的依赖。因为从光刻构图的观点来看窄读头的制造是挑战性的,所以根据本发明制造的头易于制造。
读头可以是面内电流(CIP)型或电流垂直平面(CPP)型巨磁致电阻(GMR)读头,其具有通过导电非磁间隔层分隔开的自由和被钉扎铁磁层,或者是磁隧道结(MTJ)磁致电阻读头,其具有通过电绝缘隧道势垒分隔开的自由和被钉扎铁磁层。
磁记录盘可以是“水平”记录盘,其中数据位在记录层的平面内磁化,或者是“垂直”记录盘,其中数据位垂直于记录层的平面磁化。
该盘驱动器可具有感应写头,其也形成在头载具的与读头相同的侧表面上,具有平行于该侧表面的基本共面的极尖。当与连续介质一起使用时,侧表面上共面极尖的厚度基本定义数据道的宽度。
为了更充分理解本发明的本质和优点,应该参考下面结合附图的详细说明。
附图说明
图1是根据现有技术的去除了盖的常规磁记录硬盘驱动器的示意性顶视图;
图2A是滑块的放大端视图和图1中沿方向2-2截取的盘的截面;
图2B是现有技术盘驱动器中磁记录盘的顶视图,示出了连续磁记录层上的数据道,数据位具有高的位纵横比(BAR);
图2C是现有技术磁记录盘的顶视图,示出了图案化的磁记录层上的数据道,数据位具有低BAR;
图3是沿图2A的方向3-3的视图,并且示出了现有技术盘驱动器中从盘观察的常规读/写头的末端;
图4是常规磁致电阻读头和数据道的透射分解图,用于示意性示出现有技术盘驱动器中读头检测来自盘的磁场的操作;
图5A描绘了置于根据现有技术具有高BAR的连续介质数据道上的面内电流(CIP)型磁致电阻读头;
图5B描绘了置于根据现有技术具有高BAR的连续介质数据道上的电流垂直平面(CPP)型磁致电阻读头;
图6是本发明的盘驱动器的部分的示意图,示出了平行于沿道方向取向的滑块的侧表面上的读头;
图7描绘了图6的读头,作为置于具有低BAR的数据道上的CIP磁致电阻读头;
图8A是面向本发明的滑块的侧表面的视图,并且示出了该侧表面上的写头以及具有数据道的盘的截面;
图8B是面对该滑块的面向盘的表面的视图,并且示出了图8A的写头的极尖。
具体实施方式
现有技术
图1是常规磁记录硬盘驱动器的示意图。该盘驱动器包括磁记录盘12和支承在盘驱动器罩或基座16上的旋转音圈马达(VCM)致动器14。盘12具有磁记录层,其具有多个同心数据道。盘12通过安装于基座16的芯轴马达(未示出)围绕旋转轴13沿方向15转动。致动器14围绕轴17旋转并包括刚性致动器臂18。一般柔性的悬臂20包括挠曲元件23并连接到臂18末端。头载具或气垫滑块(air-bearing slider)22附着到挠曲件(flexure)23。头载具具有一般垂直于圆周道(circumferential track)方向的端面或尾表面25及一般平行于道方向的侧表面26。通常包括感应写头和磁致电阻读头的磁记录读/写头24形成在滑块22的端面或尾表面25上。挠曲件23和悬臂20使滑块能在由旋转的盘12产生的气垫上“俯仰(pitch)”和“横转(roll)”。盘12旋转时,致动器14可以旋转从而沿横跨道的基本径向方向移动读/写头24使得盘12上不同的同心数据道可以被访问以读写数据。通常,多个盘堆叠在通过芯轴马达旋转的轮毂(hub)上,各个滑块和读/写头与每个盘表面相关联。
图2A是盘驱动器头组件的放大端视图及图1中沿方向2-2截取的盘12的截面。头组件包括滑块22和形成在滑块尾表面25上的读/写头24。滑块22附着到挠曲件23并具有面向盘的表面27和基本垂直于面向盘的表面27并且基本平行于径向或跨道方向的端面25。滑块22的面向盘的表面27是气垫面(ABS),端面25是尾表面。ABS 27使来自旋转的盘12的气流产生气垫,该气垫支承滑块22非常接近或几乎接触盘12的表面。读/写头24形成在尾表面25上并通过与尾表面25上端子焊盘29的电连接来连接到盘驱动器读/写电子组件。
如图2A所示,盘12具有磁记录层40和保护涂层(overcoat)42。磁记录层40可以是磁记录材料的连续层,例如溅射沉积的钴(Co)合金膜,如在常规的商业可得的磁记录盘中,有时称为“连续”介质。如果盘12是连续介质,那么随着盘12旋转当通过写头的写电流产生磁场时,感应写头沿圆周方向(图2A中进入纸面)形成数据道。图2A中多个同心数据道的横截面示出为沿径向方向排列,读/写头24正下方的数据道被标识为道43。
图2B是盘12的顶视图,示出了具有数据道43的磁记录层40的部分。每条数据道具有在层40的平面内并且沿圆周或沿道方向取向的被磁化的区域或磁化(由箭头表示)。磁材料的记录层40称为连续磁层,因为数据道不彼此物理分隔开且不是预形成在层40中,而是当来自写头的写场在连续磁层中产生磁化时形成的。图2B中,每个磁化区域表示为最小的单个“位”,其能够由来自写头的单个脉冲产生,例如示例的位45。实际上,由箭头表示的磁化中的许多将长于单个位的尺寸,因为磁化方向直到在记录的数据中有从1到0或从0到1的改变时才翻转。尽管磁化区域被称为位或位单元,但是沿道的相邻磁化区域之间的转变(transition)被读头检测为数据。图2B中,位被描绘为在记录层40的平面内被磁化,因此盘12是水平或纵向磁记录盘。然而,记录盘可以是垂直磁记录盘,在该情况下位的磁化将垂直于记录层40的平面。
如图2B所示,每个位例如示例的位45具有跨道宽度W和沿道长度L,从而单个位可以认为具有约W/L的位纵横比(BAR)。然而,BAR更精确地确定为线位密度即在圆周或沿道方向上每英寸的位数目(BPI)与道密度即沿径向或跨道方向每英寸的道数目(TPI)的比率。增加盘的总体数据密度的常规方法更多集中在增加BPI上,因此常规盘具有较高的BAR,例如大约5或更高。
如上所述,尽管常规磁记录盘驱动器使用连续介质,但是已经提出利用“图案化”介质的盘驱动器。在图案化介质中,盘上记录层中的磁材料被图案化成小的隔离的块(isolated block)或岛使得在每个岛或“位”中存在单个磁畴。单个磁畴可以是单个晶粒(single grain)或包括作为单个磁集合(magneticvolume)一致地翻转磁状态的数个强耦合晶粒。这与其中单个“位”可具有由畴壁分隔开的多个磁畴的常规连续介质相反。为了产生图案化的块的所需磁隔离,块之间区域的磁矩必须被无效或显著减小从而使这些区域基本上是非磁的。替代地,可以制造介质使得块之间区域中没有磁材料。美国专利5820769是各种类型的图案化介质及其制造方法的代表。术语“非磁”意味着数据块之间的区域由诸如电介质的非磁材料或者没有外加磁场时没有显著的剩余磁矩的材料形成。非磁区域也可以没有磁材料,例如磁记录层或盘衬底中的槽(groove)或沟(trough)。图2C是具有图案化成由非磁区域46分隔开的磁材料的数据块或位例如示例性的位45′的磁记录层40′的盘12′的顶视图。在图2C的例子中,位是圆形形状的,但是位可以具有其它形状。图2C中,盘是低BAR盘,因为沿道及在跨道方向上位的间隔产生大约1的BAR。图案化的位可以磁化在记录层40′的平面内用于水平记录,也可以磁化为垂直于记录层40′的平面用于垂直记录。
图3是沿图2A的方向3-3的视图,且示出了从盘12观察的读/写头24的末端。读/写头24是在滑块22的尾表面25上沉积和光刻构图的一系列薄膜。写头28包括由写间隙30分隔开的磁写极P1/S2和P2。当写电流送往写头28时,在沿道43的方向横跨写间隙30产生磁场。磁致电阻传感器或读头100位于通常由氧化铝(Al2O3)形成的两绝缘间隙层G1、G2之间。间隙层G1、G2位于磁屏蔽件S1与P1/S2之间,P1/S2还作为用于写头的第一写极。因为屏蔽件S2还作为极P1,此类型的读/写头24称为“合并式”头。如果S2和P1是分开的层,该读/写头称为“背负式”头。写极通常由电镀的NiFe或CoFe合金形成。屏蔽件通常由坡莫合金(NiFe)或山达斯特合金(FeAlSi)形成。当读头100检测来自数据道43的磁转变时,屏蔽件S1、S2防止来自数据道中相邻转变的磁通到达读头。
图4是常规巨磁致电阻(GMR)自旋阀读头100的透视图,示出了构成头的层堆叠及头检测来自盘的磁场的操作。层形成在屏蔽件S1上,S1形成在滑块的端面25上,端面25与ABS直交且基本平行于跨道方向。头100包括:被钉扎铁磁层106,其具有垂直于盘取向的被固定或被钉扎磁矩或磁化方向107的;感测或“自由”铁磁层110,其具有响应于来自盘的横向外磁场可在自由层110的平面内转动的磁矩或磁化方向111;以及在被钉扎层106与自由层110之间的非磁导电间隔层108。被钉扎层106与反铁磁(AFM)层104交换耦合。因此被钉扎层106的磁化方向107被固定并且存在关注范围内的外磁场即来自盘上记录数据的磁场时将不旋转。自由层110沿跨道方向的宽度基本定义数据道宽度(TW)。利用检测电流IS,该检测电流一般在自由层110和被钉扎层106的平面内从连接在读头边缘的电引线(未示出)施加,由来自盘的磁场导致的自由层磁化111相对于被钉扎层磁化107的转动可检测为电阻的变化。没有外加磁场的情况下,自由层110的磁化方向111取向为在数据道43之上基本平行于ABS和盘表面。在磁记录层平面中且沿道的两相邻磁转变47、48产生离开盘平面并且与自由层磁化方向111基本直交的磁场H。该场H将导致磁化方向111根据场H的方向而在自由层110的平面内相对于盘“向上”或“向下”转动,如虚线箭头所示。
图4中的读头100是面内电流(CIP)自旋阀(SV)读头,因为感测电流IS在自由和被钉扎层的平面内流动。然而,读头100可以是电流垂直平面(CPP)型读头,其具有基本垂直地流过自由和被钉扎层的平面的感测电流IS。上述读头100是GMR读头,因为非磁间隔层108是导电的。然而,读头也可以是公知的磁隧道结(MTJ)磁致电阻读头,其中间隔层是通常为氧化铝的电绝缘隧道势垒。MTJ读头也是CPP读头。
图5A描绘了置于数据道43上的CIP磁致电阻读头。读头100位于电绝缘间隙层G1、G2之间,间隙层G1、G2位于屏蔽件S1、S2之间。头100中感测层的磁化方向通过铁磁偏置层BL1、BL2偏置,且通过电引线L1、L2构成到头100的电连接,其使感测电流能够导向为平行于头100中的层平面。
图5B描绘了置于数据道43上的CPP型磁致电阻读头。读头100位于导电层CL1、CL2之间,导电层CL1、CL2位于屏蔽件S1、S2之间。头100中感测层的磁化方向通过铁磁偏置层BL1、BL2偏置,且通过屏蔽件S1、S2和层CL1、CL2构成与头100的电连接,其使感测电流能够导向为垂直于头100中的层平面。
本发明
如图5A-5B中描绘的薄膜读头一般具有非对称的空间分辨率,特别是沿垂直于衬底的横向方向的高空间分辨率,即其上形成薄膜读头的头载具的端面25,以及沿平行于衬底的方向的低空间分辨率。该非对称空间分辨率是由于横向分辨率是由磁屏蔽件之间的间隙距离控制,而平行分辨率是由通过光刻决定的感测层的宽度控制。与实现用于非常窄的道的道跟踪伺服系统的挑战结合的该固有非对称性促使磁记录系统设计者选择大的通常大于5的BAR值。
最近超顺磁效应已经开始限制线位密度的持续增加。该公知的效应指出,介质晶粒尺寸的不断缩小(在可接受的介质转变噪声水平支持增加的线位密度所需要的)导致记录介质的热稳定性损失,意味着数据可在小于记录介质的预期寿命内擦除自身。为防止该问题,道密度可以比线位密度增加得更快,导致低的BAR。然而,最终将要求图案化介质实现大约300Gbit/in2的面密度。以显著大于1的BAR实现该数据密度将使光刻技术有严重压力,这也促进了低BAR。
然而,具有低BAR的盘使读头的常规取向由于其低跨道分辨率而不利。这是因为常规磁记录盘驱动器使用部分响应(partial-response:PR)数据检测和解码方案,在头的沿道分辨率显著低于线位间隔时,其能解释码间干扰并成功地解码数据。读头的分辩能力一般测量为头响应于盘上非常小的磁特征的脉冲半高宽(PW50)。对于常规PR数据通道,PW50与位长度的比值在大约2至4的范围。另一方面,PR通道不能容易地校正来自相邻数据道的信号,因此来自相邻数据道的任何较大响应导致不可接受的高错误率。因此,头的跨道分辨率需要足够高使得来自相邻数据道的响应为至少20dB以下。因而,沿道分辨率通常为线位间隔(linear bit spacing)的2至4倍时,低BAR(大约1)要求读头具有等于或小于沿道位间隔的跨道分辨率。由于以上原因,选择具有优异的沿道分辨率的读头与具有优异横跨道分辨率的读头的交叉点发生在约为3的BAR处。
本发明是磁记录盘驱动器,其上形成有读头及其屏蔽件的衬底表面的平面取向为平行于沿道方向。这示意性示于图6中,示出具有盘12′和被悬臂20支承的头载具或滑块22。盘12′是具有小于约3的BAR且具有多个同心数据道的盘,例如通常的低BAR数据道43′。具有屏蔽件S1、S2(未示出)的读头100和写头28′形成在滑块22的侧表面26上。滑块22的侧表面26通常垂直于面向盘的表面27和端面25并且一般平行于所读的数据道43′。
图7描绘了图6的读头100,作为置于低BAR数据道43′上的CIP磁致电阻读头。读头100位于电绝缘间隙层G1、G2之间,间隙层G1、G2位于屏蔽件S1、S2之间。第一屏蔽件S1形成在滑块22的侧表面26上。头100中感测层的磁化方向基本平行于数据道43′并且被铁磁偏置层BL1、BL2偏置。通过电引线L1、L2构成与头100的电连接,其使感测电流导向为平行于头100中的层平面。数据道43′示出为单个的位,例如示例性的位45′,具有大约相等的W和L尺寸,其将导致盘具有大约1的BAR。屏蔽件S1、S2防止来自与数据道43′相邻的数据道的磁通到达读头100。
图7的数据道43′中的位可以是连续介质的磁化区,类似图5A中所示的但是具有低BAR,或者是图案化介质的离散块,如图2C所示。另外,盘可以是具有垂直磁记录层的盘,位磁化为垂直于记录层,而不是类似于图7中所示的具有位磁化为在记录层的平面中的水平记录层的盘。尽管CIP读头示于图7中,但是本发明完全适用于在滑块22的侧表面26上位于屏蔽件S1、S2之间的CPP读头。
如图7所示,读头100具有平行于表面26的宽度WH,表面26上形成有该头并平行于数据道43′。对于与常规读头(其中其上形成有该头的表面垂直于沿道方向,类似图5A所示)一起使用的图案化介质,要求宽度WH小于T,其中T是盘上数据道的跨道节距(pitch)。这是因为如果WH大于T,读头将检测来自相邻数据道上的数据的过量的磁通。然而,当与图案化介质一起使用时,本发明的读头可以具有大于T的WH,对于大约等于1的BAR,该T基本等于沿道的岛的顺道节距(down-track pitch)。这是因为从多个顺道数据位获得的信号可以在读通道中同时处理并且该信息用于提取位数据。因为读头可以制得更宽,因此易于在衬底表面上形成和光刻图案。
对于利用图案化介质并为500Gbits/in2的面密度且BAR=1而设计的盘驱动器,用于读头和记录介质的通常尺寸如下:道节距=36nm,位节距=36nm,读头宽度WH=80nm,读头高度=50nm,屏蔽件至屏蔽件间隔或间隙=50nm,头-介质间距(头底部至介质顶部)=10nm,图案化记录介质岛直径=25nm,图案化记录介质岛厚度=10nm。
本发明的优点已经通过计算机模拟被证明。在模型中,介质是垂直介质,图案化垂直记录层在提供磁通返回路径的软磁衬层上方。图案化介质类似于图2C所示的介质,每个位具有垂直磁化。每个位的直径是23nm,位的沿道周期为38.6nm并且跨道周期为33.4nm,导致BAR=0.87。读头具有50nm的宽度WH以及3nm的厚度。两屏蔽件之间的间隙为50nm。利用该介质和读头,数据以常规方式读出,即定向头载具使得支承该头的衬底表面取向为平行于跨道方向(类似于图5A中),且与根据本发明的数据读出比较,即定向头载具使得衬底表面平行于沿道方向(类似于图7中)。本发明提供显著更好的跨道抑制。特别地,该头能够抑制来自距离该头的中心仅66nm的相邻道的信号幅度的95%,而常规取向的头要求相邻道距离该头的中心119nm远以实现相同水平的相邻道抑制。
计算机模拟还显示取向为衬底表面平行于沿道方向的头的相邻道抑制能力对屏蔽件之间的间隔或间隙不是特别敏感。这与常规取向磁头相比非常有利,对于后者,读传感器的光刻定义的宽度强烈影响相邻道抑制能力,对光刻构图步骤提出了困难的容差要求。因此,本发明另外的优点是屏蔽件至屏蔽件间距或间隙可以大于盘上数据道的跨道节距T。这示于图7,其中S1-S2间距示出为大于数据道的宽度W。由于需要绝缘层、较厚的反铁磁层、及堆叠内偏置层,难以实现小的屏蔽件至屏蔽件间隙。
另外,模拟显示头衬底的平面与盘上数据道的切线之间15度高的倾斜角(skew angle)对相邻道抑制不具有显著有害影响,只要读头宽度小于盘上数据道的位节距的约2倍。
如图6中示意性所示,写头28′与读头100相邻地形成在滑块22的侧表面26上。用于与本发明的盘驱动器一起使用的写头示于图8A-8B。写头28′包括第一图案化的铜层350、图案化的轭360、及第二图案化的铜层370;全部通过常规光刻构图和沉积工艺形成。每个铜层350、370包括一组线圈段(coil segment),其在末端处连接从而形成围绕或包围中间的轭360的完整线圈,使得当经过线圈产生写电流时通过共面写极P1、P2跨越写间隙330产生磁场。如图8A所示,写极P1、P2和写间隙330位于平行于滑块侧表面26并因此平行于沿道方向的基本相同的平面中。横跨写间隙330的磁场取向为沿道方向并在数据道中产生磁化。数据道43′的部分示于图8A以示出极P1、P2和写间隙330与数据道的关系。图8B示出了从ABS观察的写极和写间隙。对于连续介质共面写极P1、P2的厚度或宽度(Wp)决定道宽(TW)。施加到记录层的写场的强度随着写极的增大的厚度而增大。
尽管本发明参照其优选实施例进行了特定示出和描述,本领域一般技术人员能够理解,在不脱离本发明的精神和范围的情况下可以进行形式和细节上的各种改变。因此,所公开的发明将认为仅是说明性的并仅限制在下面权利要求所定义的范围内。

Claims (21)

1.一种具有盘和用于读取记录在所述盘上的数据的读头的磁记录盘驱动器,该盘驱动器包括:
可旋转的盘,其包括衬底及在所述衬底上并具有多个基本同心数据道的磁记录层;
用于所述读头的载具,其具有面向盘的表面和基本垂直于所述面向盘的表面的侧表面;
所述侧表面上的第一磁屏蔽件;
读头,其在所述第一屏蔽件上并包括感测层;
所述读头上的第二磁屏蔽件;及
致动器,其连接到所述载具,用于使所述读头定位到选定的数据道,所述致动器支承所述载具使得所述读头的感测层基本平行于被读取的所述数据道。
2.如权利要求1的盘驱动器,其中所述磁记录层中的所述数据道包含可在所述记录层的平面内磁化的磁材料的位。
3.如权利要求1的盘驱动器,其中所述磁记录层中的所述数据道包含可垂直于所述记录层的平面磁化的磁材料的位。
4.如权利要求1的盘驱动器,其中所述磁记录层包括磁材料的连续层。
5.如权利要求1的盘驱动器,其中所述磁记录层中的所述数据道被图案化成通过非磁区域分隔开的磁材料的离散数据位。
6.如权利要求5的盘驱动器,其中所述数据位布置在具有道节距T的环形道中,其中所述感测层具有与所述面向盘的表面平行的宽度WH,其中WH大于T。
7.如权利要求6的盘驱动器,其中所述屏蔽件之间的间距大于T。
8.如权利要求1的盘驱动器,其中所述磁记录层中的所述数据道包含磁材料的数据位,且其中沿所述数据道的位密度与沿径向方向的道密度的比率小于约3。
9.如权利要求8的盘驱动器,其中所述磁记录层中的所述数据道被图案化成通过非磁区域分隔开的磁材料的离散数据位。
10.如权利要求1的盘驱动器,其中所述读头是磁致电阻读头且所述感测层是自由铁磁层,该自由铁磁层在没有外磁场时具有取向为与所述头载具的面向盘的表面基本平行的面内磁化方向且在存在来自所述数据道的磁场时基本自由转动,所述读头还包括:
被钉扎铁磁层,其具有取向为基本垂直于所述头载具的面向盘的表面的面内磁化方向;及
所述自由与被钉扎层之间的非磁间隔层,
其中所述自由层、间隔层和被钉扎层位于所述第一和第二屏蔽件之间。
11.如权利要求10的盘驱动器,其中所述磁致电阻读头是面内电流(CIP)型读头。
12.如权利要求10的盘驱动器,其中所述磁致电阻读头是电流垂直平面(CPP)型读头。
13.如权利要求1的盘驱动器,还包括形成在所述侧表面上的感应写头。
14.一种磁记录盘驱动器,包括:
可旋转的盘,其包括衬底以及在所述衬底上的磁记录层,所述磁记录层被图案化成具有通过非磁区域分隔开的磁材料的离散数据位的多个基本同心的数据道;
载具,其具有面向盘的表面和基本垂直于所述面向盘的表面的侧表面;
一对磁屏蔽件,其在所述侧表面上并沿垂直于所述侧表面的方向间隔开;
磁致电阻读头,其在所述屏蔽件之间,用于检测所述盘上的所述数据位并具有平行于所述面向盘的表面的宽度WH;
感应写头,其在所述侧表面上用于磁化所述数据位;以及
致动器,其连接到所述载具,用于移动所述载具基本径向地经过所述盘,所述致动器支承所述载具使得WH基本平行于所述数据道。
15.如权利要求14的盘驱动器,其中所述数据位可在所述记录层的平面内磁化。
16.如权利要求14的盘驱动器,其中所述数据位可垂直于所述记录层的平面磁化。
17.如权利要求14的盘驱动器,其中所述数据设置在具有道节距T的环形道中,且其中WH大于T。
18.如权利要求14的盘驱动器,其中沿所述数据道的位密度与沿径向方向的道密度的比率小于约3。
19.如权利要求14的盘驱动器,其中所述读头包括:
自由铁磁层,该自由铁磁层在没有外磁场时具有取向为与所述头载具的面向盘的表面基本平行的面内磁化方向且在存在来自所述数据位的磁场时基本自由转动;
被钉扎铁磁层,其具有取向为基本垂直于所述头载具的面向盘的表面的面内磁化方向;及
所述自由与被钉扎层之间的非磁间隔层。
20.如权利要求19的盘驱动器,其中所述头是面内电流(CIP)型读头。
21.如权利要求19的盘驱动器,其中所述读头是电流垂直平面(CPP)型读头。
CNB2006100945872A 2005-06-21 2006-06-21 磁记录盘驱动器以及盘 Expired - Fee Related CN100401377C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/158,444 US7317596B2 (en) 2005-06-21 2005-06-21 Magnetic recording disk drive having read head with high cross-track resolution and disk with low bit-aspect-ratio
US11/158,444 2005-06-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1885406A true CN1885406A (zh) 2006-12-27
CN100401377C CN100401377C (zh) 2008-07-09

Family

ID=37573123

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006100945872A Expired - Fee Related CN100401377C (zh) 2005-06-21 2006-06-21 磁记录盘驱动器以及盘

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7317596B2 (zh)
JP (1) JP2007004964A (zh)
CN (1) CN100401377C (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070258161A1 (en) * 2006-05-08 2007-11-08 Seagate Technology Llc Data storage device with bit patterned media with staggered islands
JP4724060B2 (ja) * 2006-06-30 2011-07-13 株式会社東芝 磁気ディスク装置
JP2008198326A (ja) * 2007-01-17 2008-08-28 Hitachi Ltd 磁気ヘッドおよびこれを搭載した磁気ディスク装置
US7782561B2 (en) 2007-02-28 2010-08-24 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Patterned magnetic recording medium with data island pattern for improved reading and writing and magnetic recording system incorporating the medium
US9495996B2 (en) * 2007-06-29 2016-11-15 Seagate Technology, Llc Writer with increased write field
US7864470B2 (en) * 2007-10-11 2011-01-04 Seagate Technology Llc Patterned media with spacings adjusted by a skew function
KR101282838B1 (ko) * 2007-10-23 2013-07-05 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 수퍼트랙을 가지는 비트 패턴 매체, 이러한 비트 패턴매체의 트랙 추종 방법, 이러한 비트 패턴 매체에 적합한헤드, 및 이러한 비트 패턴 매체와 헤드를 포함하는 정보기록/재생 장치
US8432633B2 (en) 2010-10-26 2013-04-30 HGST Netherlands B.V. System, method and apparatus for storage architecture for bit patterned media using both erase band and shingled magnetic recording
US8786969B2 (en) * 2011-09-30 2014-07-22 HGST Netherlands B.V. Shingled recording systems using multiple pass write, single pass read architecture
US9111578B1 (en) 2014-07-23 2015-08-18 Seagate Technology Llc Recording density variation of data tracks

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4652945A (en) * 1985-05-03 1987-03-24 Eastman Kodak Company Flux sensitive tracking
JPS62121917A (ja) 1985-11-21 1987-06-03 Nec Corp ベリ−ドサ−ボ方式用薄膜磁気ヘツド
JPS62172515A (ja) 1986-01-23 1987-07-29 Nec Corp ベリ−ドサ−ボ方式用薄膜磁気ヘツド
JPS62270015A (ja) 1986-05-17 1987-11-24 Victor Co Of Japan Ltd 浮上型磁気ヘツド
JPS6391817A (ja) * 1986-10-03 1988-04-22 Nec Corp ベリ−ドサ−ボ方式用薄膜磁気ヘツド
DE3787509T2 (de) * 1986-11-28 1994-01-20 Nec Corp Dünnfilmmagnetkopf.
JPS63224016A (ja) 1987-03-13 1988-09-19 Nec Corp 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法
EP0304695A1 (de) * 1987-08-17 1989-03-01 Siemens Aktiengesellschaft Magnetische Speichereinrichtung mit einem Spurführungssystem
JPH01279414A (ja) * 1988-04-30 1989-11-09 Seiko Epson Corp 複合型磁気ヘッド
JPH02236812A (ja) 1989-03-10 1990-09-19 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘッド
JPH02257411A (ja) 1989-03-29 1990-10-18 Nec Corp 複合型薄膜磁気ヘッドとその製造方法
US5825593A (en) * 1994-02-18 1998-10-20 Seagate Technology, Inc. Electric field modulated MR sensor
JPH08171712A (ja) * 1994-08-26 1996-07-02 Aiwa Co Ltd 側面露出型薄膜磁気ヘッド並びにその製造方法
EP0702357B1 (en) * 1994-09-16 2003-06-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Magneto-resistance effect head and magnetic recording/reproducing head thereof
JPH08167132A (ja) * 1994-12-14 1996-06-25 Minebea Co Ltd 浮動磁気ヘッド
JPH08221718A (ja) * 1995-02-20 1996-08-30 Fujitsu Ltd 磁気ヘッド
US6014296A (en) * 1995-07-24 2000-01-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic disk, method of manufacturing magnetic disk and magnetic recording apparatus
US6256171B1 (en) * 1996-09-30 2001-07-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin film magnetic head having an improved heat dispersion and magnetic recording apparatus using the same
US6073338A (en) * 1997-08-19 2000-06-13 Read-Rite Corporation Thin film read head with coplanar pole tips
KR100276771B1 (ko) * 1998-01-16 2001-01-15 윤종용 하드디스크 드라이브의 자기저항 헤드 장치
JPH11250424A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気ヘッド
JP2000030227A (ja) * 1998-07-14 2000-01-28 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP3807592B2 (ja) * 1999-06-24 2006-08-09 松下電器産業株式会社 記録再生ヘッドおよびそれを備えた記録再生装置
US6621664B1 (en) * 2000-02-28 2003-09-16 Seagate Technology Llc Perpendicular recording head having integrated read and write portions
JP2001256608A (ja) * 2000-03-14 2001-09-21 Toshiba Corp 磁気ヘッド及び磁気記憶再生装置
US6785100B2 (en) * 2000-04-10 2004-08-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetic head comprising a multilayer magnetoresistive device and a yoke for introducing magnetic flux from a medium to the magnetoresistive device
US6765767B2 (en) * 2000-11-15 2004-07-20 Seagate Technology Llc Magnetoresistive head on a side wall for increased recording densities
US7061729B2 (en) * 2002-05-16 2006-06-13 International Business Machines Corporation Protective cap in lead overlay magnetic sensors
US6943993B2 (en) * 2003-02-11 2005-09-13 Western Digital (Fremont), Inc. Magnetic recording head with a side shield structure for controlling side reading of thin film read sensor
US7375932B2 (en) * 2004-11-30 2008-05-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Disk drive read head for reading cross-track magnetizations

Also Published As

Publication number Publication date
CN100401377C (zh) 2008-07-09
US20060285257A1 (en) 2006-12-21
JP2007004964A (ja) 2007-01-11
US7317596B2 (en) 2008-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100401377C (zh) 磁记录盘驱动器以及盘
US9099125B1 (en) Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor structure with stacked sensors for minimization of the effect of head skew
US7242556B2 (en) CPP differential GMR sensor having antiparallel stabilized free layers for perpendicular recording
US7333304B2 (en) CPP sensor having hard bias stabilization placed at back edge of the stripe
US8474127B2 (en) Method for enhancing thermal stability, improving biasing and reducing damage from electrostatic discharge in self-pinned abutted junction heads
US7881018B2 (en) Differential current perpendicular to plane giant magnetoresistive sensor structure having improved robustness against spin torque noise
US20050195534A1 (en) Magnetoresistive sensor having improved synthetic free layer
US7333305B2 (en) Magnetoresistive sensor with in-stack bias layer pinned at the back edge of the sensor stripe
WO2002023540A2 (en) New mr structures for high areal density reader by using side shields
US8213132B2 (en) Magnetic sensor having a physically hard insulation layer over a magnetic bias structure
JP5852541B2 (ja) 磁気抵抗センサーのための磁気バイアス構造
US20050024786A1 (en) Method and apparatus for enhancing thermal stability, improving biasing and reducing damage from electrostatic discharge in self-pinned abutted junction heads having a first self-pinned layer extending under the hard bias layers
US20040145835A1 (en) Differential CPP GMR head
JP2017037699A (ja) マルチセンサ読取器、読取器、およびマルチセンサ読取器を形成する方法
US6724586B2 (en) Bias structure for magnetic tunnel junction magnetoresistive sensor
US20020181164A1 (en) Single domain state laminated thin film structure for use as a magnetic layer of a transducing head
US20050024785A1 (en) Method and apparatus for enhancing thermal stability, improving biasing and reducing damage from electrostatic discharge in self-pinned abutted junction heads having a self-pinned bias layer extending beyond the free layer
US20040061977A1 (en) Method and apparatus for enhanced dual spin valve giant magnetoresistance effects having second spin valve self-pinned composite layer
US7446982B2 (en) Pinning structure with trilayer pinned layer
US20070081278A1 (en) Magnetic head having non-GMR shunt for perpendicular recording and method for making magnetic head having non-GMR shunt for perpendicular recording
US6785099B2 (en) Read gap improvements through high resistance magnetic shield layers
US6515838B1 (en) Biasing correction for simple GMR head
US20050024783A1 (en) Method and apparatus for enhancing thermal stability, improving biasing and reducing damage from electrostatic discharge in self-pinned abutted junction heads having self-pinned layer extending under the hard bias layers
US7256972B2 (en) CPP sensor with improved pinning strength longitudinal bias structure
US8665549B2 (en) Method for creating burst magnitude servo patterns with unipolar bits on a magnetic media of a magnetic data recording system

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080709