CN1881051A - 液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种能够简化工序并且降低成本的液晶显示器件及其制造方法。按照本发明实施方式的液晶显示器件包括形成在基板上的栅线和数据线；形成在栅线和数据线的各交叉处的薄膜晶体管；连接到薄膜晶体管的像素电极；与像素电极平行的公共电极；以及在侧表面上与形成于像素区最外侧的公共电极相连接的导电图案。

Description

液晶显示器件及其制造方法
本申请要求享有2005年6月15日在韩国递交的申请号为P2005-51651的韩国专利申请的优先权，在此引用其全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示面板，尤其涉及一种能够简化制造工序并且降低成本的水平电场施加型液晶显示面板及其制造方法。
背景技术
液晶显示(LCD)器件采用电场控制液晶的光透射比而显示图像。液晶显示器根据驱动液晶的电场方向主要分为垂直电场型和水平电场型。
垂直电场施加型液晶显示器通过形成在上下基板上彼此相对设置的像素电极和公共电极之间的垂直电场按照扭曲向列(TN)模式驱动液晶材料。垂直电场施加型液晶显示器具有大孔径比的优点，但具有大约90度窄视角的缺点。
水平电场施加型液晶显示器通过彼此平行设置在下基板上的像素电极和公共电极之间的水平电场按照共平面开关(IPS)模式驱动液晶。水平电场施加型液晶显示器件具有大约160度宽视角的优点。下面将详细描述水平电场施加型液晶显示器。
水平电场施加型液晶显示器包括彼此相对粘结的薄膜晶体管基板(即，下基板)和滤色片基板(即，上基板)、在两基板之间均匀保持盒间隙的衬垫料以及填充在由衬垫料提供的液晶空间中的液晶材料。
薄膜晶体管基板包括多条信号线、多个为各像素形成水平电场的薄膜晶体管以及涂布其上以排列液晶材料的定向膜。滤色片基板包括实现颜色的滤色片、防止漏光的定向膜以及涂布其上以排列液晶材料的定向膜。
图1示出了现有技术水平电场施加型液晶显示面板的薄膜晶体管阵列基板的平面图，并且图2示出了沿图1中的I-I’线提取的薄膜晶体管阵列基板的截面图。
参照图1和图2，薄膜晶体管阵列基板包括以彼此交叉的方式设置在下基板45上的栅线2和数据线4，设置在各交叉处的薄膜晶体管6、设置在由交叉结构限定的像素区处的像素电极14和公共电极18以形成水平电场、以及连接到公共电极18的公共线16。
栅线2向薄膜晶体管6的栅极8提供栅信号。数据线4通过薄膜晶体管6的漏极12向像素电极14提供像素信号。栅线2和数据线4以交叉结构形成以限定像素区5。
公共线16与栅线平行形成，并且在二者之间为像素区，公共线16向公共电极18提供用于驱动液晶材料的基准电压。
薄膜晶体管6响应栅线2的栅信号，使数据线4的像素信号充入并且保持在像素电极14中。为此，薄膜晶体管6包括连接到栅线2的栅极8、连接到数据线4的源极10以及连接到像素电极14的漏极12。此外，薄膜晶体管6还进一步包括具有有源层48的半导体图案49，其中在有源层48与栅极8之间具有栅绝缘膜46以在源极10和漏极12之间限定沟道。在半导体图案49中还包括欧姆接触层50，其位于有源层48上以使数据线4、源极10和漏极12欧姆接触。
像素电极14通过接触孔17连接到薄膜晶体管6的漏极12并且设置在像素区5处。具体的，像素电极14包括连接到漏极12并且与相邻的栅线2平行设置的第一水平部分14a、与公共线16重叠的第二水平部分14b以及在第一和第二水平部分14a和14b之间平行设置的指状部分14c。
公共电极18与公共线16相连接并且在像素区5由与栅线2和栅极8相同的金属形成。具体的，公共电极18在像素区5与像素电极14的指状部分14c平行设置。
因此，在通过薄膜晶体管6提供有像素信号的像素电极14和通过公共线16提供有基准电压的公共电极18之间形成水平电场。特别地，在像素电极14的指状部分14c和公共电极18之间形成水平电场。通过该水平电场在薄膜晶体管阵列基板和滤色片阵列基板之间沿水平方向排列的液晶分子由于介电各向异性而旋转。根据液晶分子的旋转程度，透过像素区5的光透射比不同，从而实现灰度级值。
为了形成现有技术的水平电场施加型液晶显示面板的薄膜晶体管阵列基板，需要采用至少四轮掩模的光刻工序。
具体地说，通过采用第一掩模工序形成包括栅极8、公共电极18以及公共线16的栅图案，通过采用第二掩模工序形成半导体图案49以及源/漏图案，通过采用第三掩模工序形成具有接触孔17的钝化膜52，并且通过采用第四掩模工序形成像素电极14。每一轮掩模工序包括诸如涂覆光刻胶、曝光、显影、清洗和检测等多轮工序。因此，其具有复杂的制造工序或者复杂的液晶显示面板，并且成为液晶显示面板制造成本的主要上升因素。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种适于简化工序并且降低成本的液晶显示器件及其制造方法。
为了获得本发明的这些和其它目的，按照本发明实施方式的液晶显示器件包括：形成在基板上的栅线和数据线；形成在栅线和数据线的交叉处的薄膜晶体管；连接到薄膜晶体管的像素电极；与像素电极平行的公共电极；以及在侧表面上与形成于像素区最外侧的公共电极相连接的导电图案。
该液晶显示器件还进一步包括从导电图案的两端和中间的至少其中之一延伸的延伸部分，从而以与公共电极重叠的方式与该公共电极相连接。
在该液晶显示器件中，导电图案的线宽为大约2.5μm到3.5μm，并且从导电图案延伸的延伸部分的长度为大约1.5μm到2.5μm。
该液晶显示器件还进一步包括与栅线平行并且共同连接到公共电极以向公共电极提供公共电压的公共线。
在该液晶显示器件中，所述导电图案、延伸部分以及像素电极的材料彼此相同。
在该液晶显示器件中，与所述导电图案相连接的公共电极与栅线具有相同的材料。
在该液晶显示器件中，在公共电极中位于像素区内部的公共电极与导电图案和像素电极的材料相同并且连接到公共线。
一种根据本发明实施方式的液晶显示器件的制造方法，包括：通过第一掩模工序在基板上形成包括栅极、连接到栅极的栅线、施加有公共电压的公共线以及连接到公共线的公共电极的栅图案；在基板上形成栅绝缘膜以覆盖栅图案；通过第二掩模工序形成半导体图案以及包括与栅线交叉的数据线、连接到数据线的源极和漏极的源/漏图案；在基板上形成钝化膜以覆盖源/漏图案；以及通过第三掩模工序形成包括连接到薄膜晶体管并且与公共电极平行的像素电极以及在侧表面与公共电极相连接的导电图案的透明电极图案。
在该方法中，所述形成透明电极图案的步骤还进一步包括形成从导电图案的两端和中间的至少其中之一延伸的延伸部分，从而以与公共电极重叠的方式与公共电极相连接。
在该方法中，所述公共线与栅线平行并且共同连接到公共电极。
在该方法中，所述形成透明电极图案的步骤还进一步包括形成位于像素区的内部以与公共线相连接的第二公共电极。
在该方法中，所述通过第三掩模工序形成像素电极和导电图案的步骤包括：向具有钝化膜的基板施加第一光刻胶并且然后通过光刻工序对该第一光刻胶构图以形成第一光刻胶图案；通过采用第一光刻胶图案作为掩模对钝化膜和栅绝缘膜进行构图以形成暴露基板的线型凹槽；在具有线型凹槽的基板上形成透明电极材料；形成第二光刻胶以填充在线型凹槽中；灰化第二光刻胶以暴露除凹槽以外区域的透明电极材料；去除暴露的透明电极材料；以及去除第一光刻胶图案和第二光刻胶。
附图说明
通过下面参照附图对本发明实施方式的详细描述，本发明的这些和其它目的将更加清楚，其中：
图1示出了现有技术的水平电场施加型液晶显示面板的薄膜晶体管阵列基板的平面图；
图2示出了沿图1中的I-I’线提取的薄膜晶体管阵列基板的截面图；
图3示出了按照本发明第一实施方式的水平电场施加型液晶显示面板的薄膜晶体管阵列基板的平面图；
图4示出了沿图3中的II-II’和III-III’线提取的薄膜晶体管阵列级别的截面图；
图5A到图5C示出了按照板发明第一实施方式的薄膜晶体管阵列基板的制造方法顺序截面图；
图6A到图6F示出了具体解释图5C中的第三掩模工序的截面图；
图7示出了在本发明第一实施方式中出现的剩余透明电极材料的突破；
图8示出了按照本发明第二实施方式的水平电场施加型液晶显示面板的薄膜晶体管阵列基板的平面图；
图9示出了沿图8中的II-II’和III-III’线提取的薄膜晶体管阵列基板的截面图；以及
图10示出了按照本发明第三实施方式的水平电场施加型液晶显示面板的薄膜晶体管阵列基板的平面图。
具体实施方式
以下将参照附图中所示的实施例来详细描述本发明的优选实施方式。
以下将参照图3到图10解释本发明的优选实施方式。
图3示出了按照本发明第一实施方式的水平电场施加型液晶显示面板的薄膜晶体管阵列基板的平面图，并且图4示出了沿图3中的II-II’和III-III’线提取的薄膜晶体管阵列基板的截面图。
参照图3和图4，薄膜晶体管阵列基板包括以彼此交叉的方式设置在下基板145上的栅线102和数据线104、设置在各交叉处的薄膜晶体管106、设置在由交叉结构限定的像素区处用于形成水平电场的像素电极114和公共电极118以及连接到公共电极118的公共线116。
栅线102向薄膜晶体管106的栅极108提供栅信号。数据线104通过薄膜晶体管106的漏极112向像素电极114提供像素信号。栅线102和数据线104以交叉结构形成以限定像素区105。
公共线116与栅线平行形成并且中间设置有像素区105，以向公共电极118提供用于驱动液晶材料的基准电压。此外，公共线116由与栅线102相同的材料形成。
薄膜晶体管106响应栅线102的栅信号，使数据线104的像素信号充入并且保持在像素电极114中。为此，薄膜晶体管106包括连接到栅线102的栅极108、连接到数据线104的源极110以及连接到像素电极114的漏极112。此外，薄膜晶体管106还进一步包括具有有源层148的半导体图案149，其与栅极108重叠并且在其间设有栅绝缘膜146以在源极110和漏极112之间限定沟道。在半导体图案149中还包括位于有源层148上的欧姆接触层150，使数据线104、源极110和漏极112进行欧姆接触。
像素电极114连接到薄膜晶体管106的漏极112并且设置在像素区105处。具体的，像素电极114包括连接到漏极112并且与相邻的栅线102平行设置的第一水平部分114a以及与公共电极118平行设置的指状部分114c。
公共电极118与公共线116相连接并且在像素区105由与栅线102和栅极108相同的金属形成。
具体的，导电图案115与公共电极118中位于像素区105最外面的公共电极118部分相接。并且，在公共电极118中位于像素区105内部的公共电极118包括不是栅金属的透明电极材料并且与由栅金属形成的公共线116相接。具有上述结构的本发明的薄膜晶体管阵列基板通过三轮掩模工序形成，从而与现有技术相比简化了制造工序并且可以降低制造成本。
下面参照图5A到图6F描述通过三轮掩模工序形成薄膜晶体管阵列基板的制造方法。
首先，通过采用第一掩模的光刻工序和蚀刻工序形成栅图案。
换句话说，在通过诸如溅射的沉积方法在下基板上沉积栅金属层后，通过光刻工序和蚀刻工序对该栅金属层构图，从而形成包括栅线102、连接到栅线102的栅极108、公共线116以及公共电极118的栅图案。这里，栅金属层由钕化铝AlNd、铝等形成。
通过诸如PECVD等的沉积技术在具有栅图案等的下基板145上完全沉积无机绝缘材料，从而设置栅绝缘膜146。这里，栅绝缘膜146由诸如氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)等无机绝缘材料形成。
然后，如图5B所示，通过采用第二掩模的光刻以及蚀刻工序形成半导体图案以及源/漏金属图案。
为了更加详细描述，在具有栅绝缘膜146的下基板145上顺序形成非晶硅层、n+非晶硅层以及源/漏金属层。并且然后，通过采用衍射曝光掩模的光刻和蚀刻工序对非晶硅层、n+非晶硅层以及源/漏金属层构图，从而形成包括数据线104、源极110和漏极112的源/漏图案以及包括欧姆接触层150和有源层148的半导体图案149。然后，通过采用源极110和漏极112作为掩模蚀刻欧姆接触层150，从而暴露有源层148。这里，数据金属材料选自铬(Cr)、钼(Mo)或者钛(Ti)等。
最后，如图5C所示，通过采用第三掩模的光刻和蚀刻工序形成透明电极图案。这里，透明电极图案包括像素电极114、连接到位于像素区105最外侧的公共电极118的导电图案115以及连接到公共线116并且位于像素区105内部的公共电极118。
下面参照图6A到6F具体描述采用第三掩模的工序。
首先，在具有源/漏图案的下基板145上顺序形成由诸如氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)等无机绝缘材料形成的钝化膜152以及第一光刻胶，并且然后通过图6A所示的光刻工序形成光刻胶图案132。
之后，通过采用光刻胶图案132作为掩模对钝化膜152和栅绝缘膜146构图，从而如图6B所示，形成部分暴露下基板145并且暴露薄膜晶体管106的漏极112的线型凹槽134。
在具有钝化膜152和栅绝缘膜146的下基板145上沉积透明电极材料。这里，透明电极材料由氧化铟锡(ITO)、氧化锡(TO)、氧化铟锌(IZO)或者氧化铟锡锌(ITZO)等形成。
如图6C所示，在沉积有透明电极材料120的下基板145上完全沉积第二光刻胶136。在这种情况下，第二光刻胶136填充在线型的凹槽134中。
之后，如图6D所示，执行灰化工序以暴露透明电极材料120。在暴露出透明电极材料120的状态下执行蚀刻工序，从而如图6E所示，透明电极材料120只存在于线型的凹槽134中。
接着，执行剥离工序从而形成与位于像素区最外侧的公共电极118平行的像素电极114、连接到像素区105最外侧的公共电极118的导电图案115以及位于像素区105内部的公共电极118。这里，位于像素区105内部的公共电极和公共线116之间的连接类型与位于像素区105最外侧的公共电极118和导电图案115之间的连接类型相同。
如上所述，按照本发明第一实施方式的水平电场施加型液晶显示面板的薄膜晶体管阵列基板通过采用三轮掩模的构图工序形成，从而可以简化制造工序并且降低制造成本。
同时，在按照本发明第一实施方式的水平电场施加型液晶显示面板的薄膜晶体管阵列基板中，可能会产生下列问题。
在图6C中，假设沉积透明电极材料120并且然后对透明电极材料120进行烘焙，则连接到具有高热传导性的栅金属的透明电极材料会结晶(多晶硅)。因此，在蚀刻透明电极材料120时不会很好的执行蚀刻，从而如图7所示，透明电极图案120会部分剩余在光刻胶图案132上。该剩余的透明电极材料120在像素区105中作为颗粒，从而使显示质量下降或者成为产生电极之间短路的原因。
因此，本发明的第二实施方式提出了一种防止上述问题的结构。
图8示出了按照本发明第二实施方式的水平电场施加型液晶显示面板的薄膜晶体管阵列基板的平面图，并且图9示出了沿图8中的II-II’和III-III’线提取的薄膜晶体管阵列基板的截面图。
图8和图9所示的薄膜晶体管阵列基板除了位于像素区105最外侧的公共电极118在其侧表面与导电图案115相连接外，具有与图4所示的薄膜晶体管阵列基板相同的元件。因此，使用与图4和图5中相同的附图标记并且省略了对其的详细说明。
在图8和图9所示的水平电场施加型液晶显示面板的薄膜晶体管基板中，位于像素区105最外侧的公共电极118在其侧表面与导电图案115相连接。而且，位于像素区105内部的公共电极在侧表面上与公共线116相连接。因此，最小化了栅金属图案与透明电极材料之间的连接，从而最小化了透明电极材料的结晶。结果，在剥离光刻胶图案之后，不会剩余透明电极材料。
同时，按照本发明第二实施方式的水平电场施加型液晶显示面板的薄膜晶体管阵列基板中，除了在第三掩模工序中剩余栅绝缘膜146以与位于像素区105最外侧的公共电极重叠，从而在侧表面上将透明电极材料连接到公共电极118外，通过与图5A到6F所示的相同的方法形成。因此，省略了该制造方法的详细说明。
图10示出了按照本发明第三实施方式的水平电场施加型液晶显示面板的薄膜晶体管阵列基板的平面图。
在图10所示的薄膜晶体管阵列基板中，与图8和图9所示的薄膜晶体管阵列基板相似，位于像素区105最外侧的公共电极118在其侧表面与导电图案相连接，并且与图3和图4相比，形成额外的部分导电图案115以与公共电极118重叠。图10所示的薄膜晶体管阵列基板除了上述的结构特性外，与图3到图8所示的具有相同的元件。因此，使用与图3到图8中相同的附图标记并且省略了对其的详细说明。
在本发明的第二实施方式中，导电图案115与公共电极118在其侧表面上连接，从而可能会使导电的可靠性降低。因此，本发明的第三实施方式还进一步包括在导电图案115的端部和中间的至少其中之一中的延伸部分137，从而最小化了结晶并且提高了导电图案115与公共电极118之间的连接可靠性。
换句话说，进一步形成能够最小化由栅金属图案形成的公共电极118与由透明电极材料形成的导电图案115之间的连接并且能够使连接可靠的延伸部分137，从而可以最小化透明电极材料(导电图案)的结晶并且保持导电图案115与公共电极118之间的连接。这里，导电图案115的线宽d1大约为2.5μm到3.5μm。从导电图案115延伸以与公共电极118重叠的延伸部分137的长度d2大约为1.5μm到2.5μm。
同时，按照本发明第三实施方式的水平电场施加型液晶显示面板的薄膜晶体管基板的制造方法保留栅绝缘膜146和钝化膜152以与位于像素区105最外侧的公共电极118重叠，使得在第三掩模工序中透明电极材料在其侧面连接到公共电极118。进而，按照本发明第三实施方式的水平电场施加型液晶显示面板的薄膜晶体管阵列基板除了还形成从导电图案115的两端和中间延伸的延伸部分137外，通过与图5A到6F所示相同的方法形成。因此，省略了对其的详细说明。
如上所述，在按照本发明的水平电场施加型液晶显示面板及其制造方法中，可以通过采用三轮掩模的构图工序形成薄膜晶体管阵列基板，从而简化了制造工序并且降低了制造成本。此外，最小化了连接到栅金属(实施方式中的公共电极)的透明电极材料(实施方式中的导电图案)的结晶，从而防止了在剥离工序之后剩余透明电极材料。因此，通过三轮掩模工序能够克服在制造工序中可能产生的可靠性恶化的问题。
尽管已经通过上述附图所示的实施方式解释了本发明，但是应该理解，本领域的熟练技术人员可以在不脱离本发明的精神或者范围内对本发明进行不同的修改和改进。因此，本发明旨在包括所有落入所附权利要求及其等同物范围内的对本发明进行的修改和改进。

Claims (12)

1、一种液晶显示器件，包括：
形成在基板上的栅线和数据线；
形成在栅线和数据线的各交叉处的薄膜晶体管；
连接到薄膜晶体管的像素电极；
与像素电极平行的公共电极；以及
在侧表面与形成于像素区最外侧的公共电极相连接的导电图案。
2、按照权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，还进一步包括从导电图案的两端和中间的至少其中之一延伸的延伸部分，从而以与公共电极重叠的方式与该公共电极相连接。
3、按照权利要求2所述的液晶显示器件，其特征在于，所述导电图案的线宽为2.5μm到3.5μm，并且从导电图案延伸的延伸部分的长度为1.5μm到2.5μm。
4、按照权利要求2所述的液晶显示器件，其特征在于，还进一步包括与栅线平行并且共同连接到公共电极以向公共电极提供公共电压的公共线。
5、按照权利要求2所述的液晶显示器件，其特征在于，所述导电图案、延伸部分以及像素电极的材料彼此相同。
6、按照权利要求2所述的液晶显示器件，其特征在于，与所述导电图案相连接的公共电极与栅线具有相同的材料。
7、按照权利要求4所述的液晶显示器件，其特征在于，在公共电极中位于像素区内部的公共电极与导电图案和像素电极的材料相同并且连接到公共线。
8、一种液晶显示器件的制造方法，包括：
通过第一掩模工序在基板上形成包括栅极、连接到栅极的栅线、施加有公共电压的公共线以及连接到公共线的公共电极的栅图案；
在基板上形成栅绝缘膜以覆盖栅图案；
通过第二掩模工序形成半导体图案和包括与栅线交叉的数据线、连接到数据线的源极以及漏极的源/漏图案；
在基板上形成钝化膜以覆盖源/漏图案；以及
通过第三掩模工序形成包括连接到漏极并且与公共电极平行的像素电极以及在其侧表面与公共电极相连接的导电图案。
9、按照权利要求8所述的方法，其特征在于，所述形成透明电极图案的步骤还进一步包括形成从导电图案的两端和中间的至少其中之一延伸的延伸部分，从而以与公共电极重叠的方式与公共电极相连接。
10、按照权利要求8所述的方法，其特征在于，所述公共线与栅线平行并且共同连接到公共电极。
11、按照权利要求8所述的方法，其特征在于，所述形成透明电极图案的步骤还进一步包括形成位于像素区内部并且连接到公共线的第二公共电极。
12、按照权利要求11所述的方法，其特征在于，所述通过第三掩模工序形成像素电极和导电图案的步骤包括：
向具有钝化膜的基板施加第一光刻胶并且然后通过光刻工序对该第一光刻胶构图以形成第一光刻胶图案；
通过采用第一光刻胶图案作为掩模对钝化膜和栅绝缘膜进行构图以形成暴露基板的线型凹槽；
在具有线型凹槽的基板上形成透明电极材料；
形成第二光刻胶以填充在线型凹槽中；
灰化第二光刻胶以暴露除凹槽以外区域的透明电极材料；
去除暴露的透明电极材料；以及
去除第一光刻胶图案和第二光刻胶。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105549278A (zh) * 2016-01-11 2016-05-04 深圳市华星光电技术有限公司 Ips型tft-lcd阵列基板的制作方法及ips型tft-lcd阵列基板

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100075195A (ko) * 2008-12-24 2010-07-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20130032743A (ko) 2011-09-23 2013-04-02 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US20130200377A1 (en) * 2012-02-06 2013-08-08 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd Thin film transistor array substrate and method for manufacturing the same
CN103354218B (zh) 2013-06-28 2016-12-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法和显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001194676A (ja) * 2000-01-07 2001-07-19 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2002139737A (ja) * 2000-07-31 2002-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置とその製造方法
KR100469341B1 (ko) * 2000-08-30 2005-01-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
JP3831868B2 (ja) * 2001-08-13 2006-10-11 大林精工株式会社 アクティブマトリックス表示装置とその製造方法
KR100829785B1 (ko) * 2001-12-11 2008-05-16 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치
CN1267780C (zh) * 2002-11-11 2006-08-02 Lg.飞利浦Lcd有限公司 用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法
KR100920923B1 (ko) * 2002-12-31 2009-10-12 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
TWI248534B (en) * 2003-04-04 2006-02-01 Innolux Display Corp In-plane switching mode LCD
KR100560399B1 (ko) * 2003-11-04 2006-03-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105549278A (zh) * 2016-01-11 2016-05-04 深圳市华星光电技术有限公司 Ips型tft-lcd阵列基板的制作方法及ips型tft-lcd阵列基板
WO2017121009A1 (zh) * 2016-01-11 2017-07-20 深圳市华星光电技术有限公司 Ips型tft-lcd阵列基板的制作方法及ips型tft-lcd阵列基板
GB2556762A (en) * 2016-01-11 2018-06-06 Shenzhen China Star Optoelect Manufacturing method for IPS TFT-LCD array substrate, and IPS TFT-LCD array substrate
US10073308B2 (en) 2016-01-11 2018-09-11 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Manufacture method of IPS TFT-LCD array substrate and IPS TFT-LCD array substrate
GB2556762B (en) * 2016-01-11 2021-06-09 Shenzhen China Star Optoelect Manufacture method of IPS TFT-LCD array substrate and IPS TFT-LCD array substrate

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