CN1873489B - 液晶显示器的制造方法、液晶显示器、以及老化系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种包括非晶硅薄膜晶体管的液晶显示器的制造方法、一种液晶显示器、以及适用于该种液晶显示器的制造方法的老化系统。该方法包括以下步骤：提供液晶显示器，该液晶显示器包括液晶面板，该液晶面板具有多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管均包括栅电极、形成于栅电极上的半导体层、以及漏电极和源电极，该漏电极和源电极形成于半导体层上并与栅电极的各侧重叠，其中，向栅电极施加第一电压，向漏电极施加第二电压，并且第一电压减去第二电压小于第三电压减去第四电压，其中，第三电压是基于液晶面板的正常操作而施加给栅电极以使多个薄膜晶体管截止的电压，以及第四电压是基于液晶面板的正常操作而施加给漏电极的最大电压。

Description

液晶显示器的制造方法、液晶显示器、以及老化系统
相关专利申请的交叉引用
本申请要求于2005年6月1日在韩国专利局提交的韩国专利申请第10-2005-0046883号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器的制造方法、一种液晶显示器、以及一种老化系统。更具体而言，本发明涉及一种包括非晶硅薄膜晶体管的液晶显示器的制造方法、一种液晶显示器、以及该方法中所用的老化系统。
背景技术
液晶显示器(“LCD”)包括：滤色器阵列基板，其具有共电极和滤色器阵列；以及薄膜晶体管阵列基板，其具有多个像素电极和薄膜晶体管(“TFT”)。液晶层介于滤色器阵列基板与TFT阵列基板之间。通过调节由像素电极与共电极之间的电位差产生的电场，来改变液晶层的分子的定向。液晶分子定向的改变导致穿过LCD的光的透射率的变化，从而获得期望的图像。
当利用单个掩模形成TFT的漏电极、源电极和基于非晶硅的半导体层时，半导体层的相当大的部分暴露于背光源所发出的光。基于非晶硅的半导体层的曝光感应出光泄漏电流，从而导致传导率的改变。换句话说，当基于非晶硅的半导体层靠近栅电极的部分暴露于背光源所发出的光时，会产生泄漏电流。
此外，这种光泄漏电流导致液晶显示器上的残留图像。在残留图像测试期间，在由背光源屏蔽部(backlight shielding)产生的TFT的残留图像测试图案上不会留下残留图像，但是在正常驱动的TFT的残留图像测试图案上则会留下残留图像。在背光源的正常操作下，每个TFT的驱动电压会发生变化。这导致光泄漏的电流差，由此改变了施加给形成在滤色器上的像素电极和共电极的有效电压，从而产生了残留图像。
发明内容
本发明的实施例提供了一种减少由于光泄漏电流而产生的残留图像的液晶显示器和液晶显示器的制造方法，以及用于该液晶显示器制造方法的老化系统(aging system)。
根据本发明的实施例，提供了一种液晶显示器的制造方法，该方法包括以下步骤：提供一种包括液晶面板的液晶显示器，其中液晶面板具有多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管均包括栅电极、形成于栅电极上的半导体层、以及漏电极和源电极，该漏电极和源电极形成于半导体层上并与栅电极的各侧重叠；以及向栅电极施加第一电压，并向漏电极施加第二电压，其中，第一电压减去第二电压小于第三电压减去第四电压，其中，第三电压是基于液晶面板的正常操作而施加给栅电极以使多个薄膜晶体管截止的电压，以及第四电压是基于液晶面板的正常操作而施加给漏电极的最大电压。
根据本发明的实施例，提供了一种液晶显示器的制造方法，该方法包括以下步骤：提供一种液晶显示器，其包括液晶面板、驱动电压发生单元、栅极驱动单元、以及开关单元，液晶面板包括多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管均包括栅电极、形成于栅电极上的半导体层、以及漏电极和源电极，该漏电极和源电极形成于半导体层上并与栅电极的各侧重叠，驱动电压发生单元提供栅极截止电压，用于使多个薄膜晶体管截止，栅极驱动单元依次地将选通信号(gatesignal)施加给液晶面板的栅极线，以及开关单元决定栅极截止电压从驱动电压发生单元到栅极驱动单元的传输；以及向栅电极施加第一电压，并向漏电极施加第二电压，其中，第一电压减去第二电压小于第三电压减去第四电压，其中，第三电压是基于液晶面板的正常操作而施加给栅电极以使多个薄膜晶体管截止的电压，以及第四电压是基于液晶面板的正常操作而施加给漏电极的最大电压。
根据本发明的实施例，提供了一种液晶显示器，包括液晶面板，该液晶面板具有多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管均包括栅电极、设置于栅电极上的半导体层、以及漏电极和源电极，该漏电极和源电极设置于半导体层上并与栅电极的各侧重叠；驱动电压发生单元，提供用于使多个薄膜晶体管截止的栅极截止电压；栅极驱动单元，依次地将选通信号施加给液晶面板的栅极线；以及开关单元，决定栅极截止电压从驱动电压发生单元到栅极驱动单元的传输。
根据本发明的实施例，提供了一种老化系统，包括：直流电压提供单元，向薄膜晶体管的栅电极施加第一电压，以及向薄膜晶体管的漏电极施加第二电压，其中，第一电压减去第二电压小于第三电压减去第四电压，其中，第三电压是基于液晶器的正常操作而施加给栅电极以使多个薄膜晶体管截止的电压，以及第四电压是基于液晶器的正常操作而施加给漏电极的最大电压；以及高电压应力(HVS，high voltage stress)电压提供单元，将电压提供给栅极驱动单元和伽马电压发生单元，该电压用于使液晶显示器的栅极驱动单元和数据驱动单元稳定，其中，液晶显示器包括：驱动电压发生单元，提供用于使薄膜晶体管截止的栅极截止电压；栅极驱动单元，依次地将选通信号施加给液晶面板的栅极线；数据驱动单元，将数据信号施加给液晶面板的数据线；以及伽马电压发生单元，基于由驱动电压发生单元提供的阵列电源电压，产生伽马电压。
附图说明
通过以下结合附图所作的说明，可更详细地了解本发明的实施例，在附图中：
图1是示出了根据本发明的实施例的液晶面板与直流电压提供单元之间的连接关系的电路图；
图2是根据本发明的实施例的液晶显示器的薄膜晶体管的截面图；
图3示出了在根据本发明的实施例的液晶显示器的制造方法中施加的电压电平；
图4是示出了根据本发明的实施例的液晶显示器与老化系统之间的连接关系的电路图；
图5是示出了根据本发明的另一实施例的液晶显示器的制造方法的流程图；
图6示出了在根据本发明的另一实施例的液晶显示器的制造方法中，由直流电压提供单元施加的电压电平；
图7图示出未应用根据本发明的实施例的液晶显示器的制造方法时、应用该方法时、以及应用该方法之后应用白应力(white stress)时，光泄漏电流中的变化；
图8图示出相对于在根据本发明的实施例的液晶显示器的制造方法中向栅电极施加的电压的残留图像视角因数(viewing factor)；以及
图9图示出相对于在根据本发明的实施例的液晶显示器的制造方法中的电压施加时间的残留图像视角因数。
具体实施方式
下面将参照附图完整地描述本发明的示例性实施例。但是，本发明也可以通过很多不同的形式实现，而不应理解为局限于在此所列举的实施例。在整篇说明书中，相同的元件使用相同的参考标号表示。
将参照图1到图2描述根据本发明的实施例的液晶显示器的制造方法。
图1是示出了根据本发明的实施例的液晶显示器中的液晶面板与直流电压提供单元之间的连接关系的电路图，以及图2是根据本发明实施例的液晶显示器的薄膜晶体管的截面图。
参照图1和图2，液晶面板100使用从栅极线G1、...、Gn接收的信号控制薄膜晶体管TFT的导通(activation)和截止(deactivation)操作，以及使用从数据线D1、...、Dm接收的信号控制液晶的定向。液晶面板100包括栅极线G1、...、Gn、数据线D1、...、Dm、以及多个像素200。
栅极线G1、...、Gn(或信号扫描线)用于选通信号的传输，并沿行方向延伸。
数据线D1、...、Dm用于图像或数据信号的传输，并沿列方向延伸。
每个像素200均包括：薄膜晶体管TFT，其连接至相应的栅极线和数据线；以及液晶电容器Clc和维持电容器(sustain capacitor)Cst，它们连接至薄膜晶体管TFT。
下面，将参照图2详细说明薄膜晶体管TFT。
薄膜晶体管TFT是形成于具有高透光率的透明基板210上的三端子器件。薄膜晶体管TFT形成于栅极线G1、...、Gn与数据线D1、...、Dm之间的各交叉点处。薄膜晶体管TFT包括栅电极220、栅极绝缘层230、半导体层240、第一和第二欧姆接触层252和254、漏电极260、以及源电极270。
栅电极220连接至相应的栅极线，并从相应的栅极线接收栅极导通电压(Von)或栅极截止电压(Voff)，以控制薄膜晶体管TFT的导通/截止操作。在栅电极220上形成由无机绝缘材料制成的栅极绝缘膜230。
半导体层240限定了薄膜晶体管TFT的沟道。半导体层240形成于栅极绝缘层230上，其形成方式为：覆盖栅极绝缘层230在漏电极260与源电极270之间的露出部分，并在栅电极220的两端上方延伸，以形成围绕栅电极220的突起。半导体层240由非晶硅制成，由此包括自由键和弱Si-Si键。在根据图2所示的实施例的液晶显示器中，半导体层240由四掩模工艺(four-mask process)形成的半导体层来实现。然而，半导体层240并非局限于此，假设其形成为围绕栅电极220的突起结构。
第一和第二欧姆接触层252和254用于分别减少半导体层240与漏电极260之间以及半导体层240与源电极270之间的接触电阻。第一和第二欧姆接触层252和254成对地位于半导体层240上。第一和第二欧姆接触层252和254由硅化物或n+非晶硅制成。
漏电极260将从相应的数据线接收的信号传输到薄膜晶体管TFT。漏电极260连接至相应的数据线，并形成于第一欧姆接触层252上。
源电极270将施加给漏电极260的信号传输到像素电极282。源电极270形成于第二欧姆接触层254上，与漏电极260相对。
同时，像素电极282穿过有机绝缘层280中的接触孔284连接至源电极270，以接收施加给漏电极260的信号。
液晶电容器Clc包括：像素电极282；共电极(未示出)，形成于滤色器(未示出)上；以及液晶层(未示出)，介于它们之间。共电极被施加有共电压。
维持电容器Cst(未示出)包括上覆的栅极线、像素电极282、以及栅极绝缘层230。
维持电容器Cst可采用前面的栅极型驱动方法，或者也可采用共电极型驱动方法。
直流(DC)电压提供单元750使由非晶硅制成的半导体层240稳定，以减少残留图像测试中在残留图像测试图案上的残留图像。DC电压提供单元750向栅电极220和漏电极260提供DC电压。DC电压提供单元750向栅电极220提供大约-25到-30V的DC电压，以及向漏电极260提供接地电压。
当基于液晶面板100的正常操作而施加给栅电极220以使薄膜晶体管TFT截止的电压是V1，基于液晶面板100的正常操作而施加给漏电极260的最大电压是V2，施加给栅电极220的电压是Vg，并且施加给漏电极260的电压是Vd时，Vg和Vd在栅电极220和漏电极260的容许电压范围内满足不等式Vg-Vd＜V1-V2。在此，在液晶面板100的正常操作期间施加给漏电极260的最大电压V2与液晶显示器(参见图4中的1)的驱动电压发生单元(参见图4中的510)中产生的阵列电源电压(array power voltage)(AVdd)相同。
下面，将参照图1到图3描述根据本发明的液晶显示器的制造方法。
图3示出了在根据本发明实施例的液晶显示器的制造方法中施加的电压电平。
DC电压提供单元750连接至液晶面板100的栅极线G1、...、Gn和数据线D1、...、Dm。
如图3所示，DC电压提供单元产生大约-25V作为栅电极220的DC电压，并产生接地电压作为漏电极260的DC电压。将所产生的电压沿着相应的栅极线和数据线施加给每个薄膜晶体管的栅电极220和漏电极260。
由此，向栅电极220施加约-25V的DC电压，将漏电极260接地，而将源电极270置空(floated)。
本发明的该实施例示出了向栅电极220施加大约-25V的电压以及将漏电极260接地。然而，本发明并不局限于此，假设当基于液晶面板100的正常操作而施加给栅电极220以使薄膜晶体管TFT截止的电压是V1，基于液晶面板100的正常操作而施加给漏电极260的最大电压是V2，施加给栅电极220的电压是Vg，并且施加给漏电极260的电压是Vd时，Vg和Vd在栅电极220和漏电极260的容许电压范围内满足不等式Vg-Vd＜V1-V2。此处，在液晶面板100的正常操作期间施加给漏电极260的最大电压V2与液晶显示器(参见图4中的1)的驱动电压发生单元(参见图4中的510)中产生的阵列电源电压(AVdd)相同。
此处，DC电压提供单元750在10分钟或更长的时间内向每个电极施加的电压。
图4是示出了根据本发明的实施例的液晶显示器与根据本发明的实施例的老化系统之间的连接关系的电路图。
参照图4，液晶显示器1包括液晶面板100、栅极驱动单元300、数据驱动单元400、以及印刷电路板500。
由于液晶面板100与上述的相同，所以这里不再重复说明。在以下的描述中，将更加详细地描述栅极驱动单元300、数据驱动单元400、以及印刷电路板500。
栅极驱动单元300(也被称为扫描驱动单元)连接至液晶面板100的栅极线G1、...、Gn，以及将选通信号施加给栅极线G1、...、Gn，该选通信号由来自于驱动电压发生单元510的栅极导通电压Von和栅极截止电压Voff的组合构成。栅极驱动单元300可安装于栅极带载封装件(tape carrier package)(未示出)上。
数据驱动单元400连接至液晶面板100的数据线D1、...、Dm，并向数据线D1、...、Dm施加数据信号。数据驱动单元400可安装于数据带载封装件上。
印刷电路板500电连接至栅极带载封装件和数据带载封装件，以将驱动电压提供给栅极驱动单元300，或将数据信号提供给数据驱动单元400。印刷电路板500包括驱动电压发生单元510、伽马电压发生单元520、定时控制单元530、以及开关单元600。
驱动电压发生单元510产生：栅极导通电压Von，用于使每个薄膜晶体管TFT导通；栅极截止电压Voff，用于使每个薄膜晶体管TFT截止；共电压Vcom(未示出)；阵列电源电压AVdd，用于伽马电压的产生；以及电源电压Vdd。
伽马电压发生单元520基于来自驱动电压发生单元510的阵列电源电压AVdd产生伽马电压，并将所产生的伽马电压提供到数据驱动单元400。
定时控制单元530产生用于控制栅极驱动单元300、数据驱动单元400、驱动电压发生单元510等的操作的控制信号，并将相应的控制信号提供给栅极驱动单元300、数据驱动单元400、和驱动电压发生单元510。
开关单元600决定栅极截止电压Voff从驱动电压发生单元510到栅极驱动单元300的传输，并由源自DC电压提供单元710的电压来保护驱动电压发生单元510。开关单元600通过老化系统700的开关信号提供单元740中生成的信号，将驱动电压发生单元510与栅极驱动单元300彼此断开。例如，在开关单元600是n型金属氧化物半导体场效应晶体管的情况下，当将低于预定值的电压施加给开关单元600的栅电极(未示出)时，电流不流入开关单元600的沟道层(未示出)，从而将驱动电压发生单元510与栅极驱动单元300彼此断开。开关单元600可在栅极截止电压线610上形成。
在本发明的该实施例中，开关单元600被作为半导体场效应晶体管来实现。然而，开关单元600并不特别限定于其具有开关作用。
老化系统700提供电压，该电压用于稳定液晶显示器1中的每个薄膜晶体管(TFT)的半导体层(参见图2中的240)、栅极驱动单元300、以及数据驱动单元400。老化系统700包括DC电压提供单元710、HVS(高电压应力)电压提供单元720、控制单元730、以及开关信号提供单元740。
DC电压提供单元710稳定液晶面板100的由非晶硅制成的半导体层(参见图2中的240)，以减少在残留图像测试中残留图像显示在残留图像测试图案上。DC电压提供单元710将DC电压提供给栅极驱动单元300和伽马电压发生单元520。DC电压提供单元710向栅极驱动单元300提供栅极截止电压Voff、栅极导通电压Von、和电源电压Vdd，并向数据驱动单元400提供阵列电源电压AVdd。DC电压提供单元710提供大约-25V到大约-30V作为栅极截止电压Voff，并且提供接地电压作为栅极导通电压Von、电源电压Vdd、和阵列电源电压AVdd。这里，分别向栅电极(参见图2中的220)和漏电极(参见图2中的260)施加栅极截止电压Voff和阵列电源电压AVdd。
本发明的该实施例示出了栅极截止电压Voff在大约-25V到大约-30V的范围内，以及阵列电源电压AVdd是接地电压。然而，本发明并不局限于此，假设当基于液晶面板100的正常操作而施加给栅电极(参见图2中的220)以使薄膜晶体管(TFT)截止的电压是V1，基于液晶面板100的正常操作而施加给漏电极(参见图2中的260)的最大电压是V2，栅极截止电压是Va，以及阵列电源电压AVdd是Vb时，Va和Vb在栅电极和漏电极的容许电压范围内满足不等式Va-Vb＜V1-V2。此处，基于液晶面板100的正常操作而施加给漏电极(参见图2中的260)的最大电压V2与液晶显示器1的驱动电压发生单元510中产生的阵列电源电压AVdd相同。
HVS电压提供单元720提供用于稳定液晶显示器1的栅极驱动单元300和数据驱动单元400的电压。HVS电压提供单元720将栅极导通电压Von、栅极截止电压Voff、和电源电压Vdd提供给栅极驱动单元300，以及将阵列电源电压AVdd提供给伽马电压发生单元520。HVS电压提供单元720提供大约33V作为栅极导通电压Von、大约-8V作为栅极截止电压Voff、大约3.3V作为电源电压Vdd、以及大约13V作为阵列电源电压AVdd。
控制单元730从老化系统700中选择要提供给液晶显示器1的电压，并控制开关信号提供单元740的操作。控制单元730将操作起始信号传输至DC电压提供单元710和开关信号提供单元740，同时，停止HVS电压提供单元720的操作。
开关信号提供单元740接收来自于控制单元730的操作起始信号，然后产生要提供给开关单元600的信号。开关信号提供单元740连接至栅极截止电压线610上的开关单元600。
下面，将参照图4、图5和图6描述根据本发明的另一实施例的液晶显示器的制造方法。
图5是示出了根据本发明的另一实施例的液晶显示器的制造方法的流程图，图6示出了在根据本发明的另一实施例的液晶显示器的制造方法中，从直流电压提供单元施加的电压电平。
在操作S610中，决定是否根据来自控制单元730的输入信号在DC电压提供单元710中产生DC电压。如果在操作S610中不产生DC电压，则在操作S620中，在HVS电压提供单元720中产生电压。
参照图6，DC电压提供单元710提供大约-25V作为栅极截止电压Voff，并且提供接地电压作为栅极导通电压Von、电源电压Vdd、以及阵列电源电压AVdd。此处，分别向栅电极(参见图2中的220)和漏电极(参见图2中的260)施加栅极截止电压Voff和阵列电源电压AVdd。
本发明的该实施例示出了栅极截止电压大约为-25V并且阵列电源电压AVdd为接地电压。然而，本发明并不限定与此，假设当基于液晶面板100的正常操作而施加给栅电极(参见图2中的220)以使薄膜晶体管(TFT)截止的电压是V1，基于液晶面板100的正常操作而施加给漏电极(参见图2中的260)的最大电压是V2，栅极截止电压Voff是Va，以及阵列电源电压AVdd是Vb时，Va和Vb在栅电极和漏电极的容许电压范围内满足不等式Va-Vb＜V1-V2。此处，基于液晶面板100的正常操作而施加给漏电极(参见图2中的260)的最大电压电平V2与液晶显示器1的驱动电压发生单元510中产生的阵列电源电压AVdd相同。
然后，在操作S630中，从开关信号提供单元740向开关单元600提供用于将栅极驱动单元300与驱动电压发生单元510彼此断开的预定信号。
在操作S640中，通过开关单元600将栅极驱动单元300与驱动电压发生单元510彼此断开，以避免对于驱动电压发生单元510的电路损害。
在操作S650中，向栅极驱动单元300和伽马电压发生单元520施加在DC电压提供单元710中产生的电压。将施加给栅极驱动单元300的DC电压经由栅极线G1、...、Gn施加给栅电极(参见图2中的220)，以及将施加给伽马电压发生单元520的接地电压经由数据驱动单元400和数据线D1、...、Dm施加给漏电极(参见图2中的260)。此时，将源电极(参见图2中的270)置空。使DC电压提供单元710的电压施加持续10分钟或更长。
施加给薄膜晶体管的栅电极(参见图2中的220)的电压低于施加给漏电极(参见图2中的260)的接地电压，从而使费米能级移位至平衡频带。施加给薄膜晶体管的半导体层(参见图2中的240)的电压低于施加给漏电极的电压，从而半导体层包括比弱Si-Si键更多的自由键。
下面，将通过以下的试验性实例来详细说明本发明。然而，这些试验性实例仅仅用于示例性说明的目的，本领域内的技术人员可以很容易地预想到其他的实例和应用。由于本领域内的技术人员可以充分地分析以下试验性实例中没有描述到的技术内容，所以省去了对其的描述。
试验例1
使用图7中的曲线a、b、和c表示当启动背光源时所测量的液晶显示器的泄漏电流，使用图7中的曲线a’、b’、c’表示当停止背光源时所测量的液晶显示器的泄漏电流。图7中示出了泄漏电流电平的测量结果。
图7图示出未应用根据本发明的实施例的液晶显示器制造方法时、应用该方法时、以及应用该方法之后应用白应力时，光泄漏电流中的变化，其中x轴表示施加给栅电极的电压，y轴表示泄漏电流。
图7中，曲线a和a’示出了以大约0.5V间隔向栅电极施加在大约-20V到大约20V范围内的电压，向漏电极施加大约10V，以及向源电极施加接地电压时的泄漏电流测量。
曲线b和b’示出了当根据本发明的实施例的液晶显示器的制造方法，在大约10分钟内向栅电极施加大约-30V，将漏电极接地，以及将源电极置空时的泄漏电流测量。
曲线c和c’示出了在向根据本发明的实施例的液晶显示器的制造方法所制造的液晶显示器施加白应力之后的泄漏电流测量。白应力是用于白色驱动区域的电压状态的模拟应力。为此，在大约10分钟内分别向栅电极、漏电极、和源电极施加约-7V、6V、和12V。
比较曲线a’与c’，最大泄漏电流差约为9×10-14A。然而，比较曲线b’与c’，泄漏电流产生极小的差异。
将曲线a与c相比较，最大泄漏电流差约为9×10-13A。然而，比较曲线b与c，泄漏电流产生极小的差异。
这里，当在背光源的启动状态下使薄膜晶体管截止时，曲线a与c之间的泄漏电流差最大。这是因为，在背光源的启动状态下白应力施加前后，在薄膜晶体管中泄漏电流发生变化。这种泄漏电流变化引起施加给维持电容器中的电压差异，在残留图像测试期间在残留图像测试图案上留有残留图像。然而，由于曲线b与c之间的泄漏电流差不显著，所以在施加给维持电容器的电压中没有产生差异。因此，在残留图像测试期间不会在残留图像测试图案上形成残留图像，从而呈现残留图像增强效果。
由非晶硅制成的半导体层由于随机原子排列，局部地包括弱Si-Si键和自由键。根据本发明的实施例的液晶显示器的制造方法，通过施加给非晶硅制成的半导体层的电场，使自由键密度增加，并使弱Si-Si键密度下降，因此，使半导体层稳定，从而导致残留图像得到改善。即，降低了由非晶硅制成的半导体层的费米能级，其改变了薄膜晶体管的特性。
试验例2
在执行根据本发明的实施例的液晶显示器的制造方法的过程中，估算关于施加给栅电极的电压的残留图像视角因数。此时，在约10分钟内以约5V间隔向栅电极施加从大约-20V到大约-30V的电压，将漏电极接地，以及将源电极置空。使用从1到64范围内的检测灰度级(gradation)范围，通过视觉上观察残留图像测试图案上的残留图像，来估算残留图像视角因数。基于观察微弱残留图像所处的灰度级，来限定残留图像视角因数。图8中示出了结果。
图8图示出关于在根据本发明的实施例的液晶显示器制造方法中向栅电极施加的电压的残留图像视角因数，其中，x轴表示施加给栅电极的电压，y轴表示残留图像视角因数。当向栅电极施加大约-25V或更小的电压时，残留图像视角因数降低到小于1，这表明残留图像得到改善。
实验例3
在执行根据本发明的实施例的液晶显示器的制造方法中，估算关于电压施加时间的残留图像视角因数。这里，向栅电极施加大约-25V，将漏电极接地，以及将源电极置空。图9中示出了结果。
图9图示出关于在根据本发明的实施例的液晶显示器制造方法中的电压施加时间的残留图像视角因数。
图9中，x轴表示将电压施加给栅电极的时间，y轴表示残留图像视角因数。参照图9，当向栅电极施加的电压超过10分钟时，残留图像视角因数降低至小于1，这表明残留图像得到改善。
在最后的详细描述中，应该理解，对于本领域技术人员而言，在基本上不背离本发明原理的情况下，可以对优选实施例进行许多修改和改变。因此，所公开的本发明优选实施例只表示一般意义和说明的意义，并不用于限定的目的。

Claims (25)

1.一种液晶显示器的制造方法，所述方法包括以下步骤：
提供液晶显示器，所述液晶显示器包括液晶面板，所述液晶面板具有多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管均包括栅电极、形成于所述栅电极上的半导体层、以及漏电极和源电极，所述漏电极和源电极形成于所述半导体层上并与所述栅电极的各侧重叠；以及
向所述栅电极施加第一电压，以及向所述漏电极施加第二电压，其中，所述第一电压减去所述第二电压小于第三电压减去第四电压，其中，所述第三电压是基于所述液晶面板的正常操作而施加给所述栅电极以使所述多个薄膜晶体管截止的电压，以及所述第四电压是基于所述液晶面板的正常操作而施加给所述漏电极的最大电压；以及
开关单元，决定所述第一电压从驱动电压发生单元到栅极驱动单元的传输，其中所述第一电压是栅极截止电压。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电压在大约-25伏到大约-30伏的范围内，以及所述第二电压是接地电压。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，当所述第一电压是大约-25伏时，电压施加时间为大约10分钟或更长。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，使用单一光刻胶薄膜图样，所述半导体层与所述漏电极和所述源电极一起形成。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体层由非晶硅制成。 
6.一种液晶显示器的制造方法，所述方法包括以下步骤：
提供液晶显示器，所述液晶显示器包括液晶面板、驱动电压发生单元、栅极驱动单元、以及开关单元，所述液晶面板包括多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管均包括栅电极、形成于所述栅电极上的半导体层、以及漏电极和源电极，所述漏电极和源电极形成于所述半导体层上并与所述栅电极的各侧重叠，所述驱动电压发生单元提供用于使所述多个薄膜晶体管截止的栅极截止电压，所述栅极驱动单元依次地将选通信号施加给所述液晶面板的栅极线，以及所述开关单元决定所述栅极截止电压从所述驱动电压发生单元到所述栅极驱动单元的传输；以及
向所述栅电极施加第一电压，以及向所述漏电极施加第二电压，其中，所述第一电压减去所述第二电压小于第三电压减去第四电压，其中，所述第三电压是基于所述液晶面板的正常操作而施加给所述栅电极以使所述多个薄膜晶体管截止的电压，以及所述第四电压是基于所述液晶面板的正常操作而施加给所述漏电极的最大电压；
其中所述第一电压是栅极截止电压。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述开关单元形成于栅极截止电压线上，所述栅极截止电压线用于将所述栅极截止电压从所述驱动电压发生单元传输到所述栅极驱动单元。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，当向所述栅极驱动单元施加外部电压时，所述开关单元使所述驱动电压发生单元与所述栅极驱动单元彼此断开。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一电压在大约-25伏到大约-30伏的范围内，以及所述第二电压为接地电压。 
10.根据权利要求9所述的方法，其中，当所述第一电压为大约-25伏时，电压施加时间为10分钟或更长。
11.根据权利要求6所述的方法，其中，使用单一光刻胶薄膜图样，使所述半导体层与所述漏电极和所述源电极一起形成。
12.根据权利要求6所述的方法，其中，所述半导体层由非晶硅制成。
13.一种液晶显示器，包括：
液晶面板，包括多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管均包括栅电极、设置于所述栅电极上的半导体层、以及漏电极和源电极，所述漏电极和源电极设置于所述半导体层上并与所述栅电极的各侧重叠；
驱动电压发生单元，提供用于使所述多个薄膜晶体管截止的栅极截止电压；
栅极驱动单元，依次地将选通信号施加给所述液晶面板的栅极线；以及
开关单元，决定所述栅极截止电压从所述驱动电压发生单元到所述栅极驱动单元的传输。
14.根据权利要求13所述的液晶显示器，其中，所述开关单元形成于栅极截止电压线上，所述栅极截止电压线用于将所述栅极截止电压从所述驱动电压发生单元传输到所述栅极驱动单元。
15.根据权利要求13所述的液晶显示器，其中，当向所述栅极驱动单元施加外部电压时，所述开关单元使所述驱动电压发生单元与所述栅极驱动单元彼此断开。 
16.根据权利要求13所述的液晶显示器，其中，向所述栅电极施加第一电压，向所述漏电极施加第二电压，以及所述第一电压减去所述第二电压小于第三电压减去第四电压，其中，所述第三电压是基于所述液晶面板的正常操作而施加给所述栅电极以使所述多个薄膜晶体管截止的电压，以及所述第四电压是基于所述液晶面板的正常操作而施加给所述漏电极的最大电压；
其中所述第一电压是栅极截止电压。
17.根据权利要求16所述的液晶显示器，其中，所述第一电压在大约-25伏到大约-30伏的范围内，以及所述第二电压为接地电压。
18.根据权利要求17所述的液晶显示器，其中，当所述第一电压为大约-25伏时，电压施加时间为10分钟或更长。
19.根据权利要求13所述的液晶显示器，其中，使用单一光刻胶薄膜图样，所述半导体层与所述漏电极和所述源电极一起形成。
20.根据权利要求13所述的液晶显示器，其中，所述半导体层由非晶硅制成。
21.一种老化系统，包括：
直流电压提供单元，向薄膜晶体管的栅电极施加第一电压，以及向所述薄膜晶体管的漏电极施加第二电压，其中，所述第一电压减去所述第二电压小于第三电压减去第四电压，其中，所述第三电压是基于液晶显示器的正常操作而施加给所述栅电极以使所述多个薄膜晶体管截止的电压，以及所述第四电压是基于所述液晶显示器的正常操作而施加给所述漏电极的最大电压；以及 
高电压应力电压提供单元，用于将电压提供给栅极驱动单元或伽马电压发生单元，所述电压用于使所述液晶显示器的所述栅极驱动单元和数据驱动单元稳定；开关单元，用于决定所述第一电压从驱动电压发生单元到所述栅极驱动单元的传输，其中所述第一电压是栅极截止电压；其中，所述液晶显示器包括：驱动电压发生单元，提供用于使所述薄膜晶体管截止的栅极截止电压；栅极驱动单元，依次地将选通信号施加给液晶面板的栅极线；数据驱动单元，用于将数据信号施加给所述液晶面板的数据线；以及伽马电压发生单元，基于由所述驱动电压发生单元提供的阵列电源电压，产生伽马电压。
22.根据权利要求21所述的老化系统，其中，所述直流电压提供单元提供在大约-25伏到大约-30伏范围内的所述第一电压以及为接地电压的所述第二电压。
23.根据权利要求22所述的老化系统，其中，所述第一电压是用于使所述薄膜晶体管截止的所述栅极截止电压。
24.根据权利要求23所述的老化系统，其中，所述第二电压被提供到薄膜晶体管的漏电极。
25.根据权利要求21所述的老化系统，还包括：
开关信号提供单元，当所述直流电压提供单元向所述栅极驱动单元提供在大约-25伏到大约-30伏范围内的所述栅极截止电压时，提供用于使所述开关单元截止的开关信号。 
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