CN1866472A - 高电子迁移率晶体管电路t型栅制作方法 - Google Patents
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CNB2005100117389A CN100411103C (zh) | 2005-05-19 | 2005-05-19 | 高电子迁移率晶体管电路t型栅制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2005100117389A CN100411103C (zh) | 2005-05-19 | 2005-05-19 | 高电子迁移率晶体管电路t型栅制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1866472A true CN1866472A (zh) | 2006-11-22 |
CN100411103C CN100411103C (zh) | 2008-08-13 |
Family
ID=37425446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005100117389A Expired - Fee Related CN100411103C (zh) | 2005-05-19 | 2005-05-19 | 高电子迁移率晶体管电路t型栅制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100411103C (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN100543940C (zh) * | 2007-03-28 | 2009-09-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作晶体管t型纳米栅的方法 |
CN105118774A (zh) * | 2015-07-22 | 2015-12-02 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 纳米t型栅的制作方法 |
CN107863291A (zh) * | 2017-11-08 | 2018-03-30 | 西安电子科技大学 | 一种制作t型栅结构的电子束光刻方法 |
CN109440067A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-03-08 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法 |
CN112271133A (zh) * | 2020-09-25 | 2021-01-26 | 华东光电集成器件研究所 | 一种基于三层胶的金属剥离方法 |
CN112652540A (zh) * | 2020-07-01 | 2021-04-13 | 腾讯科技(深圳)有限公司 | 铟柱焊点的制备方法、芯片衬底及芯片 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5677089A (en) * | 1994-12-16 | 1997-10-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Photomask for forming T-gate electrode of the semiconductor device |
CN1034894C (zh) * | 1995-05-04 | 1997-05-14 | 中国科学院微电子中心 | 一种高电子迁移率晶体管器件的自对准制作的方法 |
JPH09275209A (ja) * | 1996-04-04 | 1997-10-21 | Honda Motor Co Ltd | 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 |
KR100438895B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2004-07-02 | 한국전자통신연구원 | 고전자 이동도 트랜지스터 전력 소자 및 그 제조 방법 |
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- 2005-05-19 CN CNB2005100117389A patent/CN100411103C/zh not_active Expired - Fee Related
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CN107863291A (zh) * | 2017-11-08 | 2018-03-30 | 西安电子科技大学 | 一种制作t型栅结构的电子束光刻方法 |
CN107863291B (zh) * | 2017-11-08 | 2020-06-26 | 西安电子科技大学 | 一种制作t型栅结构的电子束光刻方法 |
CN109440067A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-03-08 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法 |
CN112652540A (zh) * | 2020-07-01 | 2021-04-13 | 腾讯科技(深圳)有限公司 | 铟柱焊点的制备方法、芯片衬底及芯片 |
US11869861B2 (en) | 2020-07-01 | 2024-01-09 | Tencent Technology (Shenzhen) Company Limited | Method for preparing indium pillar solder, chip substrate and chip |
CN112271133A (zh) * | 2020-09-25 | 2021-01-26 | 华东光电集成器件研究所 | 一种基于三层胶的金属剥离方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN100411103C (zh) | 2008-08-13 |
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C10 | Entry into substantive examination | ||
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