CN1853288A - 有机电致发光元件 - Google Patents

有机电致发光元件 Download PDF

Info

Publication number
CN1853288A
CN1853288A CNA2004800271296A CN200480027129A CN1853288A CN 1853288 A CN1853288 A CN 1853288A CN A2004800271296 A CNA2004800271296 A CN A2004800271296A CN 200480027129 A CN200480027129 A CN 200480027129A CN 1853288 A CN1853288 A CN 1853288A
Authority
CN
China
Prior art keywords
organic electroluminescence
hypothallus
electroluminescence device
described organic
doped region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004800271296A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1853288B (zh
Inventor
霍斯特·韦斯特韦贝尔
安雅·格哈德
菲利普·施托塞尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Merck Patent GmbH
Original Assignee
Covion Organic Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE10343910A external-priority patent/DE10343910A1/de
Priority claimed from DE10355381A external-priority patent/DE10355381A1/de
Application filed by Covion Organic Semiconductors GmbH filed Critical Covion Organic Semiconductors GmbH
Publication of CN1853288A publication Critical patent/CN1853288A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1853288B publication Critical patent/CN1853288B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及对有机电致发光器件的改进，其包括掺杂有至少一种磷光发光体的某种基质材料，其特征在于，基质中的发光体掺杂区，在与基质层成直角的方向上，仅在部分基质层中延伸。

Description

有机电致发光元件
本发明说明了有机电致发光元件的新型设计原理，也涉及其在显示器中的用途。
在被归类于电子工业的一系列不同应用中，近来开始使用有机半导体作为功能材料，或不久的将来可以使用。例如，光敏感性有机材料(例如酞菁)和有机电荷传输材料(通常是基于三芳基胺的空穴传输剂)已在复印机中使用多年。而使用能够在可见光谱区域内发光的半导体有机化合物刚开始引入市场，例如在有机电致发光器件中。它们的各种元件，如有机发光二极管(OLED)，具有广泛的应用：
1.单色或多色显示元件用的白色或颜色背光(例如袖珍式计算器，手机等)，
2.大表面积显示器(例如交通信号，布告板等)，
3.全彩色和各种形式的照明元件，
4.用于便携式应用的单色或全彩色无源矩阵显示器(例如手机，PDA，可携式摄像机等)，
5.用于各种应用的全彩色，大表面积，高分辩率的有源矩阵显示器(例如手机，PDA，膝上型电脑，电视等)。
尽管这些应用的发展已经很先进；但仍需要在技术上进一步提高。
含有相对简单OLED的装置已经被投放到市场，如Pioneer的车载无线电，Pioneer和SNMD的手机，或Kodak的数码相机，它们都带有有机显示器。然而，仍然存在迫切需要改进的问题：
1.例如，OLED的使用寿命仍很低，因此目前只能实现简单的商业应用。
2.相对较短的寿命引起了进一步的问题：特别是对于全彩色应用而言(全彩色显示器)，即没有任何分割、但在全部表面上都表现出各种颜色的显示器，当各种颜色以不同速率变化时特别差，目前就是这种情况下。甚至在上述寿命之前(通常下降到初始亮度的50％)，这也会使白色点发生明显的迁移，即显示器中图像的颜色真实度极差。为避免这种情况，一些制造商将寿命定义成70％或90％寿命(即初始亮度下降到初始值的70％或90％)。然而，这会使寿命使更短。
3.尽管OLED的效率、尤其是功率效率(按1m/W测量)是可接受的，但是仍需要改进。
4.随着电压升高，通常伴随有老化过程。这种作用使得难于或不可能制造电压驱动的有机电致发光器件。然而，在这种情况下，电压驱动的寻址更复杂更昂贵。
5.所需要的操作电压相当高，尤其是在高效磷光OLED中，因此必须降低以提高功率效率。这对便携式应用有极大影响。
6.近几年所需的操作电流也同样降低，但仍需进一步降低以提高功率效率。
7.多层有机层使OLED结构复杂昂贵；因此，减小层数对于制造很重要，减小层数可减少制造步骤，从而降低成本，提高制造可靠性。
上述问题使得必须改进OLED的制造。近年来在这方面的发展是使用具有磷光而不是荧光特性的有机金属配合物[M.A.Baldo，S.Lamansky，P.E.Burrows，M.E.Thompson，S.R.Forrest，Appl.Phys.Lett.1999，75，4-6]。由于量子机械原因，使用有机金属化合物可以使量子效率、功率效率和功率效率增大四倍。是否可以确立这种新发展，首先极大程度地取决于OLED中是否使用具有这些优点的相应装置成分(三重态发光＝磷光，而单重态发光＝荧光)。实际应用中的关键条件特别是长的工作寿命、对热应力高度稳定、低使用和操作电压以及高功率效率，从而适用于移动应用中。
荧光有机电致发光器件的一般结构例如公开在US 4,539,507和US5,151,629。通常，有机电致发光器件由多层组成，它们通过真空方法或各种印刷方法来涂覆。对于磷光有机电致发光器件而言，这些层具体而言是：
1.载体板＝基底(通常是玻璃或塑料膜)。
2.透明阳极(通常是铟锡氧化物，ITO)。
3.空穴注入层(Hole Injection Layer＝HIL)：例如铜-酞菁(CuPc)或导电聚合物，如聚苯胺(PANI)或聚噻吩衍生物(如PEDOT)。
4.一个或多个空穴传输层(Hole Transport Layer＝HTL)：通常是三芳基胺衍生物，例如4，4’，4”-三(N-1-萘基-N-苯氨基)三苯胺(NaphDATA)作为第一空穴传输层，N，N’-二(萘基-1-基)-N，N’-二苯基联苯胺(NPB)作为第二空穴传输层。
5.一个或多个发光层(Emission Layer＝EML)：通常由基质材料组成，如4，4’-二(咔唑基-9-)联苯(CBP)，并用磷光染料例如三(2-苯基吡啶基)铱(Ir(PPy)3)或三(2-苯并噻吩基吡啶基)铱(Ir(BTP)3)掺杂。然而，发光层也可以由聚合物，聚合物混合物，聚合物和低分子量化合物的混合物，或不同低分子量化合物的混合物组成。
6.空穴阻挡层(Hole-Blocking Layer＝HBL)：通常由BCP(2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-邻二氮杂菲＝bathocuproin)或二(2-甲基-8-喹啉)(4-苯基酚基合)铝(III)(BAlq)组成。
7.电子传输层(Electron Transport Layer＝ETL)：通常基于三-8-羟基喹啉铝(AlQ3)。
8.电子注入层(Electron Injection Layer＝EIL)(有时也称为绝缘层(ISL))：由高介电常数材料组成的薄层，例如LiF，Li2O，BaF2，MgO，NaF。
9.阴极：通常使用低功函数的金属、金属混合物或金属合金，例如Ca，Ba，Cs，Mg，Al，In，Mg/Ag。
整个装置适合地结构(取决于应用)、接触并且最终密封，原因是这种装置的寿命在水和/或空气存在下通常严重降低。这对反转结构也适用，在反转结构中光从阴极射出。在这些反转OLED中，阳极例如由HOMO大于5eV的Al/Ni/NiOx或Al/Pt/PtOx或其他金属/金属氧化物混合物组成。阴极由上述第8项和第9项的材料组成，不同之处在于金属例如Ca，Ba，Mg，Al，In等极薄因而透明。层厚度小于50nm，较好地是小于30nm，更较好地是小于10nm。其他透明材料也可以涂覆到透明阴极上，例如ITO(铟锡氧化物)，IZO(铟锌氧化物)等。
长期以来一直在发光体层之后使用空穴阻挡层(HBL)，其由磷光发光体和基质材料组成，用于增强有机电致发光器件的效率和寿命。
磷光OLED的上述结构成本很高，而且不方便，原因是必须相继涂覆多层，它们由多种不同的材料组成，从而使商用OLED的制造过程很复杂。这些结构通常根据最大效率的标准来优化。通常，BCP用作空穴阻挡材料(HBM)，然而，最大的缺点在于很大程度地限制了OLED的寿命。其他空穴阻挡材料是双(2-甲基-8-羟基喹啉合)(4-苯基酚基合)铝(III)(BAlq)。这可以提高装置的稳定性和寿命，但副作用是装置的量子效率明显低于BCP(约40％)(T.Watanabe等，Proc.SPIE 2001，4105，175)。Kwong等(Appl.Phys.Lett.2002，81，162)用三(苯基吡啶基)铱(III)使寿命在100cd/m2达到10 000h。然而，这种装置的效率仅为19cd/A，比现有技术还差。因此，BAlq总体上不是令人满意的空穴阻挡材料，因为效率太低。
迄今为止，进行了几种尝试来解决该问题。特别地，提出了新种类基质材料，用于使HBL过量。
●EP 1308494公开的OLED中，发光层(EML)由具有导电性能并掺杂有磷光发光体的基质材料组成。所述OLED的缺点是，这种结构中不能达到最高效率。仅有寿命得以提高，但效率损失。
●US 2003/0146443公开的OLED中，发光层(EML)由具有导电性能并掺杂有磷光发光体的基质材料组成。这简化了层结构，因为仅多使用了一个空穴传输层。然而，这些OLED不能得到与现有结构OLED相同的效率，即使用一个HBL。在某些情况下，观察到所用基质发光，尽管较小。作者认为现有技术的缺点之一是现有OLED的寿命太低，因为HBL中所用的材料稳定性太低。然而，他们对所制造的结构的寿命和稳定性也没有任何陈述。这使人怀疑所提出的结构也不能解决低稳定性的问题。
●C.Adachi等(Organic Electronics 2001，2，37)公开的磷光OLED中，含有咔唑的基质(CBP)没有全部用三重态发光体掺杂，其中没有使用空穴阻挡材料，其结果是在发光体层和阴极之间存在未掺杂的CBP层。然而，与基质层完全被掺杂相比，这种情况下效率极差(下降多于一个数量级)，而不论是否使用单独的空穴阻挡层。未掺杂的部分越大，得到的效率越差。因此，当基质仅被部分掺杂时，具有明显的缺点。还发现，当基质仅被部分掺杂时，装置所发出的颜色明显迁移。尽管含有全掺杂基质的装置表现为三重态发光体的绿光，但是当使用部分掺杂的基质时，发出的颜色迁移至空穴传输材料的蓝光。很显然，基于咔唑的基质材料不适于完全掺杂。
从对现有技术的说明中很清楚，尤其是对高效OLED而言，需要空穴阻挡材料(HBM)，例如BCP或BAlq，但是会产生令人不满意的副作用。现在惊讶地发现，相应于下面详细说明的发明设计原理的OLED对现有技术作出了明显改时。还发现，使用这种设计原理，不必须使用单独电子传输层，其结果OLED结构得以简化。此外，使用这种结构得到很高的功率效率。
因此，本发明提供一种有机电致发光器件，其包括阳极、阴极和至少一个基质层，该基质层包括至少一种基质材料，该基质材料含有式Y＝X的结构单元，其中X具有至少一个非键合电子对，其中Y基团是C，P，As，Sb，Bi，S，Se或Te，和X基团是N，O，S，Se或Te，该基质层掺杂有至少一种磷光发光体，其特征在于，基质中的发光体掺杂区，在与基质层成直角的方向上，仅在部分基质层中延伸。
在上述通式Y＝X中，“＝”代表双键。
有机电致发光器件的特征优选地在于，式Y＝X的基质材料包括式(1)～(4)的化合物(方案1)，
Figure A20048002712900121
其中所用的每个符号定义如下：
Y在式(2)中是C，在式(1)和(3)中是P，As，Sb或Bi，在式(1)，(2)和(4)中是S，Se或Te；
X在每种情况下相同或不同，并是NR1，O，S，Se，Te；
R在每种情况下相同或不同，并是H，F，CN，N(R1)2，具有1～40个碳原子并可以被R1取代或未取代的的直链、支链或环状烷基，烷氧基或硫代烷氧基，其中一个或多个不相邻CH2可以被-R2C＝CR2-，-C≡C-，Si(R2)2，Ge(R2)2，Sn(R2)2，C＝O，C＝S，C＝Se，C＝NR2，-O-，-S-，-NR2-或-CONR2-所取代，其中一个或多个氢原子可以被F，Cl，Br，I，CN，B(R2)2，Si(R2)3或NO2所取代，或具有1～40个碳原子并可以被一个或多个R1，CN，B(R2)2或Si(R2)3基团所取代的芳环系或杂芳环系或芳氧基，其中多个取代基R可以一起形成单环或多环脂肪环系或芳香环系；
R1在每种情况下相同或不同，并是具有1～22个碳原子的直链、支链或环状烷基或烷氧基链，其中一个或多个不相邻的碳原子可以被-R2C＝CR2-，-C≡C-，Si(R2)2，Ge(R2)2，Sn(R2)2，-NR2-，-O-，-S-，-CO-O-或-O-CO-O-所取代，其中一个或多个氢原子可以被氟、具有1～40个碳原子并可以被一个或多个R2基团，或OH或N(R2)2所取代的芳基、杂芳基或芳氧基所取代；
R2在每种情况下相同或不同，并是H或具有1～20个碳原子的脂肪或芳香烃基；
条件是基质材料的摩尔质量大于150g/mol。
在本发明中，芳环系或杂芳环系应该被理解成不必仅含有芳香或杂芳基的体系，而应该是其中多个芳基或杂芳基也可以被短非芳香单元(＜10％非H原子，优选＜5％非H原子)中断，例如sp3-杂化的C，O，N等。例如，芳香体系也应该被理解成如下的体系：9，9’-螺二芴，9，9-二芳基芴，三芳基胺，二苯基醚等。
酮和亚胺类的基质材料例如在未公开专利申请DE 10317556.3中有说明；氧化膦，硫化膦，硒化膦，磷腈，砜和亚砜类的基质材料例如在未公开专利申请DE 10330761.3中有说明。优选的是酮，氧化膦和亚砜，即材料Y＝C，P，S和X＝O的材料；特别优选的是酮，即材料Y＝C和X＝O的材料。
因此，本文中，含有多于一个Y＝X基团的材料也是可能的并适用的。
特别适合的化合物被发现是不含有平面结构的化合物。在Y＝X形式的结构单元上，适合的取代基可以确保整个结构偏离平面。当至少一个取代基R含有至少一个sp3-杂化的碳，硅，锗和/或氮原子时，尤其如此，它们大致呈四面体键合形状，或在氮的情况下，呈锥体键合形状。为了明显偏离平面，优选的是至少一个sp3-杂化原子是仲，叔或季原子，更优选叔或季原子，在碳，硅或锗情况下，最优选季原子。仲，叔或季原子应被理解成分别指除氢之外具有2、3或4个取代基的原子。
优选的化合物在至少一个R基团中，含有9，9’-螺二芴衍生物，其优选通过2-和/或2，7-和/或2，2’-和/或2，2’，7-和/或2，2’，7，7’-位与芳香物键合，9，9-二取代的芴衍生物，其优选通过2-和/或2，7-位与芳香物键合，6，6-和/或12，12-二-或四取代的茚并芴衍生物，三蝶烯衍生物，其优选通过9-和/或10-位与芳香物键合，二氢菲衍生物，其优选通过2-和/或2，7-与芳香物键合，或六芳基苯衍生物，其优选通过p-位与芳香物键合，或四芳基甲烷衍生物，其优选通过p-位与芳香物键合。
特别优选的化合物在至少一个R基团中含有9，9’-螺二芴衍生物。
优选的有机电致发光器件其特征在于，基质材料的玻璃化转变温度Tg大于100℃，优选大于120℃，更优选大于140℃。
优选的是有机电致发光器件除了包括上述各层之外，还包括一个或多个空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)。还优选的是有机电致发光器件除了包括上述各层之外，还包括一个或多个电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。通常也可以使用单独的空穴阻挡层(HBL)，但在本发明的装置结构中不是必须的，因而不是优选的。
优选的有机电致发光器件其特征在于，一个或多个掺杂区存在于基质层中，一个或多个未掺杂区存在于基质层中，基质层中的未掺杂区与电子传输层ETL(或EIL或阴极)相邻，基质层中的掺杂区与空穴传输层HTL(或HIL或阳极)相邻。
本发明的一个可能实施方案公开在图1中。基质层由掺杂区和未掺杂区组成，掺杂区与HTL相邻，未掺杂区与ETL相邻。即使从上述说明中是显然的，这里也要指出，掺杂和未掺杂基质层(都是区1)中的基质材料是相同的。
要明确指出，在图1中(下面所有图中相同)，使用单独的EIL，ETL，HTL和/或HIL不是绝对必须的，使用这些层仅是本发明可能的实施方案。因此，在图1～8中对这些层的说明仅被认作是例子，而不是对本发明的一般性能作出限制。同样，没有这些层的相应装置也属于本发明。
本发明另一个可能的实施方案公开在图2中。基质层由两个掺杂区和两个未掺杂区组成，一个掺杂区与HTL相邻，一个未掺杂区与ETL相邻。即使从上述说明中是显然的，这里也要再次明确指出，在每个区中的基质材料是相同的，优选在所有区中都是相同的。
基质层也可以由三个或更多个掺杂区和未掺杂区组成。两个或三个交替的掺杂区和未掺杂区特别适于发白光的OLED。
另一种优选的有机电致发光器件其特征在于，一个或多个掺杂区存在于基质层中，一个或多个未掺杂区存在于基质层中，基质层中的未掺杂区与空穴传输层HTL(或HIL或阳极)相邻，基质层中的掺杂区与电子传输层ETL(或EIL或阴极)相邻。
本发明另一个可能的实施方案公开在图3中。基质层由掺杂区和未掺杂区组成，掺杂区与ETL相邻，未掺杂区与HTL相邻。即使从上述说明中是显然的，这里也要再次明确指出，掺杂和未掺杂基质层(都是区1)中的基质材料是相同的。
本发明另一个可能的实施方案公开在图4中。基质层由两个掺杂区和两个未掺杂区组成，一个掺杂区与ETL相邻，一个未掺杂区与HTL相邻。即使从上述说明中是显然的，这里也要再次明确指出，在每个区中的基质材料是相同的，优选在所有区中都是相同的。
优选的有机电致发光器件其特征在于，一个或多个掺杂区存在于基质层中，一个或多个未掺杂区存在于基质层中，基质层中的未掺杂区与电子传输层ETL(或EIL或阴极)相邻，未掺杂区与空穴传输层HTL(或HIL或阳极)相邻。
本发明另一个可能的实施方案公开在图5中。基质层由一个掺杂区和两个未掺杂区组成，两个未掺杂区与HTL和ETL相邻，掺杂区处于两个未掺杂区之间。即使从上述说明中是显然的，这里也要再次明确指出，掺杂和未掺杂基质层(都是区1)中的基质材料是相同的。
本发明另一个可能的实施方案公开在图6中。基质层由两个掺杂区和三个未掺杂区组成，未掺杂区与HTL和ETL相邻，掺杂区和未掺杂区交替处于HTL和ETL之间。即使从上述说明中是显然的，这里也要再次明确指出，在每个区中的基质材料是相同的，优选在所有区中都是相同的。按这种方式，基质层可以由三个或更多个掺杂区和四个或更多个未掺杂区组成。
优选的有机电致发光器件其特征在于，一个或多个掺杂区存在于基质层中，一个或多个未掺杂区存在于基质层中，基质层中的掺杂区与电子传输层ETL(或EIL或阴极)相邻，掺杂区与空穴传输层HTL(或HIL或阳极)相邻。
本发明另一个可能的实施方案公开在图7中。基质层由一个未掺杂区和两个掺杂区组成，两个掺杂区与HTL和ETL相邻，未掺杂区处于两个未掺杂区之间。即使从上述说明中是显然的，这里也要再次明确指出，在每个区中的基质材料是相同的，优选在所有区中都是相同的。
本发明另一个可能的实施方案公开在图8中。基质层由两个未掺杂区和三个掺杂区组成，掺杂区与相邻，掺杂区和未掺杂区交替处于HTL和ETL之间。即使从上述说明中是显然的，这里也要再次明确指出，在每个区中的基质材料是相同的，优选在所有区中都是相同的。按这种方式，基质层可以由四个或更多个掺杂区和三个或更多个未掺杂区组成。
原则上不同区也可以使用不同的基质材料，条件是至少一种基质材料含有上述结构单元X＝Y。然而，不是所有的基质材料都必须含有这种结构单元。例如，在某些区中，例如也可以存在其他基质材料。然而，为易于实用和从经济角度考虑，发现在多个区中使用相同的基质材料有利的；特别优选的是在多个相邻区中使用相同的基质材料；极特别优选的是在所有区中使用相同的基质材料。在另一个优选的实施方案中，通过掺杂剂确定的不同的发出颜色被分配到每个区。
在本发明优选的实施方案中，本发明的电致发光器件不包括单独的空穴阻挡层(HBL)。
在本发明另一个优选的实施方案中，本发明的电致发光器件不包括包括单独的空穴阻挡层(HBL)，也不包括单独的电子传输层(ETL)，即基质层的掺杂或未掺杂部分直接与阴极或电子注入层相邻。
本发明的电致发光器件也不必须包括空穴注入层和/或空穴传输层(HIL或HTL)，即基质层的掺杂或未掺杂部分也可以直接与空穴注入层相邻，或直接与阳极相邻。
优选的有机电致发光器件其特征在于，掺杂区的层厚度占基质层厚度的98％～40％，优选90％～60％。
优选的有机电致发光器件其特征在于，基质层的层厚度为1～150nm，优选5～100nm。
优选的有机电致发光器件，其特征在于，在380nm～750nm的可见光谱区域内，在薄膜厚度为30nm时，基质材料吸光率小于0.2，优选小于0.1，更优选小于0.05。
优选的有机电致发光器件其特征在于，存在的磷光发光体是具有至少一个原子序数大于36和小于84的原子的化合物。
特别优选的有机电致发光器件其特征在于，磷光发光体包括至少一种原子序数大于56和小于80的元素，最优选是钼，钨，铼，钌，锇，铑，铱，钯，铂，银，金或铕，特别是铱或铂，例如公开在专利申请WO 98/01011，US 02/0034656，US 03/0022019，WO 00/70655，WO 01/41512，WO 02/02714，WO 02/15645，EP 1191613，EP 1191612，EP 1191614，WO 03/040257和WO 03/084972中。
优选的有机电致发光器件其特征在于，用升华法涂覆一层或多层。在小于10-5mbar，优选小于10-6mbar，更优选小于10-7mbar的压力下，通过在真空升华单元中气相沉积涂覆低分子量材料。
优选的有机电致发光器件其特征在于，用OVPD(有机气相沉积)法或用载气升华辅助涂覆一层或多层。在这种情况下，在10-5mbar～1bar的压力下，涂覆低分子量材料。
优选的有机电致发光器件其特征在于，用任何印刷法涂覆一层或多层，例如凸版印刷或平板印刷，更优选LITI(光导热成像，热转印)和喷墨印刷。
与现有技术相比，上述发光器件具有下面令人惊讶的优点：
1.与不是本发明设计的体系相比，即包括一个或多个单独HBL，相应器件的效率得以提高。这特别让人惊讶，因为使用含有咔唑基质的器件中相对的结构效率有较大下降(参照Adachi等，OrganicElectronics 2001，2，37)。
2.与不是本发明设计的体系相比，即包括一个或多个单独HBL，相应器件的稳定性和寿命得以提高。
3.操作电压基本上降低；从而提高功率效率。当没有使用电子传输层时，即基质层直接与阴极或电子注入层相邻时，尤其如此。
4.层结构较简单，因为至少少用一个有机层。当基质层直接与阴极或电子注入层相邻时，这种优点特别明显，因为在那种情况下，既没使用单独的空穴阻挡层，也没有使用单独的电子传输层。同样，当既没使用单独的空穴传输层，也没有使用单独的空穴注入层时，层结构特别简单。
5.制造复杂度降低，因为至少少用一个有机层。在制造过程中这是很重要的优点，因为在常规制造法中，对于每个有机层都要使用单独的气相沉积单元，因此，可以节省这种单元，或完全取消。
6.发射光谱与用掺杂的基质和空穴阻挡材料所得到的发射光谱相同。这对于应用是很关键的，并是很令人惊讶的结果，特别是因为基于含有咔唑的化合物的部分掺杂基质会使发射光谱发生极大变化，从而发射最终不再是源于三重态发光体，而是源于空穴传输材料(参照Adachi等，Organic Electronics 2001，2，37)；具有这种颜色迁移的器件不能被使用。
在下面的实施例中进行详细说明。
在本申请中和下面的实施例中，仅针对有机光发射二极管和相应的显示器。不受说明书的限制，本领域所属技术人员可以不经任何进一步的发明创造就可以将本发明的设计应用于其他相关装置中，例如有机太阳能电池(O-SC)、有机场效应晶体管(OFET)或有机激光二极管(O-laser)，仅列出几个应用。
实施例：
相应于本发明结构的有机电致发光器件的制造和表征
根据下面所述的一般方法制备OLED。在个案的特别情况下需要调整特定的条件(例如改变层厚度，以得到最优效率和颜色)。为制造本发明的装置，省略单独的空穴阻挡层，在有些实施例中也省略电子传输层，发光体层按上述说明构造。
本发明的电致发光器件可以按例如专利申请DE 10330761.3中所述的来制造。
在下面的实施例中，比较不同OLED的结果。为更好地比较，除了EML和HBL之外，所用的基本结构、材料及层厚度是相同的。
与上述一般过程相似，得到具有下述结构的发光OLED：
PEDOT(HIL)60nm(从水中旋涂；PEDOT从H.C.Starck购得；聚[3，4-亚乙基二氧代-2，5-噻吩])
NaphDATA(HTM)20nm(通过气相沉积涂覆；NaphDATA从SynTec购得；4，4’，4”-三(N-1-萘基-N-苯氨基)-三苯胺
S-TAD(HTM)20nm(通过气相沉积涂覆；S-TAD根据WO99/12888制备；2，2’，7，7’-四(二苯氨基)螺二芴)
发光体层：精确结构参见表中例子
BCP(HBL)适用时，10nm；参见表中例子
AlQ3(ETL)并不是用于所有实施例中(见表)；使用时，10nm(通过气相沉积涂覆；AlQ3从SynTec购得；三(羟基喹啉合)铝(III))，
Ba-Al(阴极)3nm Ba，150nm Al。
以标准方式最优化这些OLED。为此，测定电致发光光谱，测量效率(以Cd/A测量)和功率效率(以1m/W测量)，并作为亮度的函数从电流-电压-亮度特性曲线(IUL特性曲线)计算，及测量寿命。寿命应被理解成指，在恒定电流密度10mA/cm2下，OLED降到初始亮度一半时的时间。
表1总结了各实施例的结果。列出了包括相应层厚度的全部EML和HBL组合。在实施例1和2中，使用单独的电子传输层。实施例3～5描述带有和不带有单独的电子传输层的器件。掺杂的磷光EML包括化合物双(9，9’-螺二芴基-2-基)酮作为基质材料M1，化合物双(9，9’-螺二芴基-2-基)亚砜作为基质材料M2，化合物双(9，9’-螺二芴基-2-基)苯基膦氧化物作为基质材料M3，化合物2，7-双(2-螺-9，9’-二芴基羰基)螺-9，9’-二芴作为基质材料M4。这些化合物的合成在未公开的申请DE10317556.3和DE 10330761.3中有说明。在所列举的相应于本发明的结构的实施例中，EML由30nm厚的掺杂区和10nm厚的未掺杂区组成。
表1中的缩写相应于下面的化合物：
Figure A20048002712900211
表1：
  实验   EML   EML   HBL   ETL   最大效率(cd/A)   最大功率效率(lm/W)   100cd/m2时的电压(V)   CIE(x，y)   10mA/cm2时的寿命(h)
实施例1a M1：20％Ir(piq)3(30nm) M1(10nm) - AlQ3(10nm) 6.6 3.7 5.4 0.69/0.31   12000(6000h后外推)
  实施例1b(比较)   M1：20％Ir(piq)3(30nm)   -   BCP   AlQ3(10nm)   4.6   2.2   6.5   0.68/0.32   256
  实施例2a   M2：20％Ir(ppy)3(30nm)   M2(10nm)   -   AlQ3(10nm)   16.2   7.9   6.1   0.33/0.61   356
  实施例2b(比较)   M2：20％Ir(ppy)3(30nm)   -   BCP   AlQ3(10nm)   13.4   6.5   6.3   0.33/0.61   234
  实施例3a   M1：20％Ir(ppy)3(30nm   M1(10nm)   -   AlQ3(10nm)   34.1   32.1   3.4   0.36/0.60   368
  实施例3b   M1：20％Ir(ppy)3(30nm)   M1(20nm)   -   -   34.5   41.4   3.1   0.36/0.60   423
  实施例3c(比较)   M1：20％Ir(ppy)3(30nm)   -   BCP   AlQ3(10nm)   31.8   15.6   4.8   0.36/0.60   357
  实施例5a   M3：20％Ir(ppy)3(30nm)   M3(10nm)   -   AlQ3(10nm)   32.9   30.1   3.5   0.36/0.60   336
  实施例5b   M3：20％Ir(ppy)3(30nm)   M3(10nm)   -   -   35.3   33.9   3.2   0.36/0.60   142
  实施例5c(比较)   M3：20％Ir(ppy)3(30nm)   -   BCP   AlQ3(10nm)   31.7   12.2   7.7   0.36/0.60   132
实施例6a M4：20％Ir(piq)3(30nm) (10nm)M4 - AlQ3(10nm) 6.3 4.5 5.5 0.69/0.31   17000(5000h后外推)
实施例6b M4：20％Ir(piq)3(30nm) (10nm)M4 - - 6.4 6.2 3.9 0.69/0.31   8400(5000h后外推)
  实施例6c(比较)   M4：20％Ir(piq)3(30nm)   -   BCP   AlQ3(10nm)   6.1   4.2   5.8   0.69/0.31   3700
图例：M1＝双(9，9’-螺二芴基-2-)酮
M2＝双(9，9’-螺二芴基-2-)亚砜
M3＝双(9，9’-螺二芴基-2-)苯基膦氧化物
M4＝2，7-双(2-螺-9，9’-二芴基羰基)螺-9，9’-二芴
图9表明在M1中掺杂Ir(ppy)3情况下，功率效率(lm/W)的例子，一个相应于新的设计原理(根据实验3a，▲)，一个相应于比较标准(根据实验3c，◆)。实验3a的功率效率约为两倍。没有HBL和没有ETL的功率效率(根据实验3b，●)约高30～50％。
从表1中按照对实施例3同样的观察，来观察其他实施例。
总之，可以认为，根据新设计原理制造的OLED在低电压下具有较高的效率和较长的寿命，从表1很容易看出这一点。这施用于所有说明的基质材料和基质材料种类，在实施例中已对酮，氧化膦和亚砜进行了证实。特别是当未使用单独的电子传输层时，即基质层直接与阴极或电子注入层相邻，电压特别低，因此功率效率特别高。

Claims (26)

1.一种有机电致发光器件，其包括阳极、阴极和至少一个基质层，该基质层包括至少一种基质材料，该基质材料含有式Y＝X的结构单元，其中X具有至少一个非键合电子对，和其中Y基团是C，P，As，Sb，Bi，S，Se或Te，X基团是N，O，S，Se或Te，该基质层掺杂有至少一种磷光发光体，其特征在于，基质中的发光体掺杂区，在与基质层成直角的方向上，仅在部分基质层中延伸。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，其包括式(1)～(4)的化合物(方案1)作为基质材料，
                                      (Scheme 1)
其中所用的每个符号定义如下：
Y在式(2)中是C，在式(1)和(3)中是P、As、Sb或Bi，在式(1)，(2)和(4)中是S、Se或Te；
X在每种情况下相同或不同，并是NR1、O、S、Se、Te；
R在每种情况下相同或不同，并是H，F，CN，N(R1)2，具有1～40个碳原子并可以被R2取代或未取代的的直链、支链或环状烷基，烷氧基或硫代烷氧基，其中一个或多个不相邻CH2可以被-R2C＝CR2-，-C≡C-，Si(R2)2，Ge(R2)2，Sn(R2)2，C＝O，C＝S，C＝Se，C＝NR2，-O-，-S-，-NR2-或-CONR2-所取代，其中一个或多个氢原子可以被F，Cl，Br，I，CN，B(R2)2，Si(R2)3或NO2所取代，或具有1～40个碳原子并可以被一个或多个R1，CN，B(R2)2或Si(R2)3基团所取代的芳环系或杂芳环系或芳氧基，其中多个取代基R可以一起形成单环或多环脂肪环系或芳香环系；
R1在每种情况下相同或不同，并是具有1～22个碳原子的直链、支链或环状烷基或烷氧基链，其中一个或多个不相邻的碳原子可以被-R2C＝CR2-、-C≡C-、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、-NR2-、-O-、-S-、-CO-O-或-O-CO-O-所取代，其中一个或多个氢原子可以被氟、具有1～40个碳原子并可以被一个或多个R2基团、或OH或N(R2)2所取代的芳基、杂芳基或芳氧基所取代；
R2在每种情况下相同或不同，并是H或具有1～20个碳原子的脂肪或芳香烃基；
条件是基质材料的摩尔质量大于150g/mol。
3.如权利要求1和/或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，Y＝C、P或S，X＝O。
4.如权利要求1～3中一个或多个所述的有机电致发光器件，其特征在于，至少一个R基团含有至少一个仲、叔或季原子。
5.如权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，至少一个R基团含有季原子。
6.如权利要求5所述的有机电致发光器件，其特征在于，至少一个R基团含有9，9’-螺二芴衍生物、9，9-二取代的芴衍生物、6，6-和/或12，12-二-或四取代的茚并芴衍生物、三蝶烯衍生物、二氢菲衍生物、六芳基苯衍生物或四芳基甲烷衍生物。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于，至少一个R基团含有9，9’-螺二芴衍生物。
8.如权利要求1～7中一个或多个所述的有机电致发光器件，其特征在于，基质材料的玻璃化转变温度Tg大于100℃。
9.如权利要求1～8中一个或多个所述的有机电致发光器件，其特征在于，有机电致发光器件包括一个或多个空穴注入层(HIL)和/或一个或多个空穴传输层(HTL)。
10.如权利要求1～9中一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于，有机电致发光器件包括一个或多个电子传输层(ETL)和/或一个或多个电子注入层(EIL)。
11.如权利要求1～10中一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于，一个或多个掺杂区存在于基质层中，一个或多个未掺杂区存在于基质层中，基质层中的未掺杂区与电子传输层ETL(或EIL或阴极)相邻，基质层中的掺杂区与空穴传输层HTL(或HIL或阳极)相邻。
12.如权利要求1～10中一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于，一个或多个掺杂区存在于基质层中，一个或多个未掺杂区存在于基质层中，基质层中的未掺杂区与空穴传输层HTL(或HIL或阳极)相邻，基质层中的掺杂区与电子传输层ETL(或EIL或阴极)相邻。
13.如权利要求1～10中一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于，一个或多个掺杂区存在于基质层中，一个或多个未掺杂区存在于基质层中，基质层中的未掺杂区与电子传输层ETL(或EIL或阴极)相邻，未掺杂区与空穴传输层HTL(或HIL或阳极)相邻。
14.如权利要求1～10中一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于，一个或多个掺杂区存在于基质层中，一个或多个未掺杂区存在于基质层中，基质层中的掺杂区与电子传输层ETL(或EIL或阴极)相邻，掺杂区与空穴传输层HTL(或HIL或阳极)相邻。
15.如权利要求1～14中一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于，掺杂或未掺杂的基质层直接与阴极或电子注入层(EIL)相邻。
16.如权利要求1～15中一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于，掺杂或未掺杂的基质层直接与空穴注入层(HIL)相邻，或直接与阳极相邻。
17.如权利要求1～16中一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于，掺杂区的层厚度占基质层厚度的98％～40％。
18.如权利要求1～17中一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于，基质层的层厚度为1～150nm。
19.如权利要求1～18中一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于，在380nm～750nm的可见光谱区域内，在薄膜厚度为30nm时，基质材料吸光率小于0.2。
20.如权利要求1～19中一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于，存在的磷光发光体是具有至少一个原子序数大于36和小于84的原子的化合物。
21.如权利要求20所述的有机电致发光器件，其特征在于，磷光发光体包括钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金或铕。
22.如权利要求1～21中一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于，用升华法涂覆一层或多层。
23.如权利要求1～21中一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于，用OVPD(有机气相沉积)法涂覆一层或多层。
24.如权利要求1～21中一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于，用印刷法涂覆一层或多层。
25.如权利要求24所述的有机电致发光器件，其特征在于，用LITI(光导热成像)法涂覆一层或多层。
26.如权利要求24所述的有机电致发光器件，其特征在于，用喷墨印刷法涂覆一层或多层。
CN2004800271296A 2003-09-19 2004-09-16 有机电致发光元件 Expired - Fee Related CN1853288B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10343910.2 2003-09-19
DE10343910A DE10343910A1 (de) 2003-09-19 2003-09-19 Organisches Elektrolumineszenzelement
DE10355381A DE10355381A1 (de) 2003-11-25 2003-11-25 Organisches Elektrolumineszenzelement
DE10355381.9 2003-11-25
PCT/EP2004/010379 WO2005034260A1 (de) 2003-09-19 2004-09-16 Organisches elektrolumineszenzelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1853288A true CN1853288A (zh) 2006-10-25
CN1853288B CN1853288B (zh) 2010-12-15

Family

ID=34424303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2004800271296A Expired - Fee Related CN1853288B (zh) 2003-09-19 2004-09-16 有机电致发光元件

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9034482B2 (zh)
EP (1) EP1668718B1 (zh)
JP (1) JP4625005B2 (zh)
KR (1) KR101096982B1 (zh)
CN (1) CN1853288B (zh)
AT (1) ATE426922T1 (zh)
DE (1) DE502004009229D1 (zh)
WO (1) WO2005034260A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100452476C (zh) * 2007-04-03 2009-01-14 清华大学 一种有机电致发光器件
CN103053043A (zh) * 2010-07-30 2013-04-17 默克专利有限公司 有机电致发光器件

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2366752B1 (de) * 2003-10-22 2016-07-20 Merck Patent GmbH Neue materialien für die elektrolumineszenz und deren verwendung
JP3810789B2 (ja) 2003-12-02 2006-08-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
KR100718103B1 (ko) * 2003-12-09 2007-05-14 삼성에스디아이 주식회사 발광 고분자 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
DE102004008304A1 (de) * 2004-02-20 2005-09-08 Covion Organic Semiconductors Gmbh Organische elektronische Vorrichtungen
ITRM20040352A1 (it) 2004-07-15 2004-10-15 Univ Roma La Sapienza Derivati oligomerici dello spirobifluorene, loro preparazione e loro uso.
US7951471B2 (en) * 2004-12-07 2011-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, and light-emitting element and light-emitting device using the same
JP4244941B2 (ja) * 2005-02-25 2009-03-25 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置および電子機器
CN101213684A (zh) * 2005-07-06 2008-07-02 出光兴产株式会社 有机电致发光元件
US7652283B2 (en) * 2005-08-09 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, and light emitting element and electronic appliance using the same
JP2007088251A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ表示装置
KR20160140979A (ko) 2006-09-29 2016-12-07 오스람 실바니아 인코포레이티드 유기 발광 소자 및 조명 장치
DE102007023876A1 (de) 2007-03-02 2008-09-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektrisches organisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
NL1033860C2 (nl) * 2007-05-16 2008-11-18 Otb Group Bv Werkwijze voor het aanbrengen van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel op een organisch device en een organisch device voorzien van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel bij voorkeur aangebracht met een dergelijke werkwijze.
JP2010073850A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子とその製造方法
DE102008063470A1 (de) * 2008-12-17 2010-07-01 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
KR20120119449A (ko) * 2011-04-21 2012-10-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2012175535A1 (de) * 2011-06-22 2012-12-27 Novaled Ag Organisches elektronisches bauelement
KR20140059073A (ko) * 2012-11-07 2014-05-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN105283461B (zh) 2013-06-14 2018-07-17 株式会社半导体能源研究所 有机金属铱配合物、发光元件、发光装置以及照明装置
JP2016046423A (ja) * 2014-08-25 2016-04-04 パイオニアＯｌｅｄライティングデバイス株式会社 発光装置
DE102015200699A1 (de) * 2015-01-19 2016-07-21 Siemens Aktiengesellschaft Aminophosphazen-Basen als n-Dotierstoffe in der organischen Elektronik
CN105355798A (zh) * 2015-11-25 2016-02-24 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002008866A (ja) * 2000-04-17 2002-01-11 Toray Ind Inc 発光素子
JP4876333B2 (ja) * 2000-06-08 2012-02-15 東レ株式会社 発光素子
US6893743B2 (en) * 2000-10-04 2005-05-17 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device
US6573651B2 (en) * 2000-12-18 2003-06-03 The Trustees Of Princeton University Highly efficient OLEDs using doped ambipolar conductive molecular organic thin films
SG118110A1 (en) * 2001-02-01 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting element and display device using the element
US6998487B2 (en) * 2001-04-27 2006-02-14 Lg Chem, Ltd. Double-spiro organic compounds and organic electroluminescent devices using the same
JP2002326965A (ja) * 2001-05-02 2002-11-15 Sony Corp スピロフルオレン化合物及びその製造方法、並びにその合成中間体、及びそのスピロフルオレン化合物を用いた有機電界発光素子
US6627333B2 (en) * 2001-08-15 2003-09-30 Eastman Kodak Company White organic light-emitting devices with improved efficiency
JP4011325B2 (ja) 2001-10-31 2007-11-21 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4250370B2 (ja) * 2002-03-08 2009-04-08 キヤノン株式会社 有機化合物、電界発光素子及び表示装置
KR100497532B1 (ko) 2002-08-16 2005-07-01 네오뷰코오롱 주식회사 발광 스파이로 이합체 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
US7419728B2 (en) * 2005-05-31 2008-09-02 Eastman Kodak Company Light-emitting device containing bis-phosphineoxide compound
US7588839B2 (en) * 2005-10-19 2009-09-15 Eastman Kodak Company Electroluminescent device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100452476C (zh) * 2007-04-03 2009-01-14 清华大学 一种有机电致发光器件
CN103053043A (zh) * 2010-07-30 2013-04-17 默克专利有限公司 有机电致发光器件
CN103053043B (zh) * 2010-07-30 2016-03-16 默克专利有限公司 有机电致发光器件

Also Published As

Publication number Publication date
US20070037010A1 (en) 2007-02-15
CN1853288B (zh) 2010-12-15
US9034482B2 (en) 2015-05-19
JP4625005B2 (ja) 2011-02-02
KR101096982B1 (ko) 2011-12-20
JP2007506270A (ja) 2007-03-15
WO2005034260A1 (de) 2005-04-14
EP1668718B1 (de) 2009-03-25
KR20060085245A (ko) 2006-07-26
EP1668718A1 (de) 2006-06-14
ATE426922T1 (de) 2009-04-15
DE502004009229D1 (de) 2009-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1853288B (zh) 有机电致发光元件
US7701131B2 (en) Organic electroluminescent element comprising a carbonyl matrix material
US7968214B2 (en) White organic light emitting device
KR101030158B1 (ko) 유기 전자발광 부품
US7270893B2 (en) Organic electroluminescent element and display
EP2192632B1 (en) Organic Electroluminescence Element
CN1898816A (zh) 有机电致发光元件
EP1464691B1 (en) Organic electroluminescent element, illuminator, and display
EP1653784B1 (en) Organic electroluminescent device, illuminating device, and display
CN1780019A (zh) 小分子有机场致发光显示装置及其制造方法
CN101237731A (zh) 有机电致发光器件
CN110492007B (zh) 一种吖啶化合物及其在机电致发光器件中的应用
CN102218870A (zh) 用于激光诱致热成像方法的供体基板及其制造方法
CN1772840A (zh) 金属络合物及包含其的磷光有机发光器件
JP5362181B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス要素
JP2004342391A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
CN103187538A (zh) 绿色有机发光二极管以及包括所述二极管的平板显示装置
CN102422451A (zh) 具有电子隧道层的有机电子器件
CN100448051C (zh) 一种有机电致发光器件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: MERCK PATENT GMBH

Free format text: FORMER OWNER: MERCK ODED MATERIALS CO., LTD.

Effective date: 20060922

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20060922

Address after: Darmstadt

Applicant after: Merck Patent GmbH

Address before: Frankfurt, Germany

Applicant before: Merck & Co., Ltd.

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20101215

Termination date: 20190916