CN1845302A - 阳极接合装置、阳极接合方法和加速度传感器的制造方法 - Google Patents

阳极接合装置、阳极接合方法和加速度传感器的制造方法 Download PDF

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Abstract

在使对置地配置的二个电极板之间配置的多个基板良好地接合的阳极接合装置中，提供能良好地进行阳极接合的阳极接合装置，不会由于对基板施加过大的应力而使接合面翘曲为凸状。本发明的阳极接合装置具有配置成第1电极板与第2电极板对置的一对电极，其特征在于：安装有层叠基板的第1电极板和在与第1电极板对置的同时具有中央部朝向层叠基板弯曲的弯曲部的第2电极板。

Description

阳极接合装置、阳极接合方法 和加速度传感器的制造方法
技术领域
本发明涉及使在对置地配置的二个电极板之间配置的多个基板良好地接合的阳极接合装置、阳极接合方法和加速度传感器的制造方法。
背景技术
例如在接合半导体基板与玻璃基板的情况或在为了形成具有采用了MEMS(微电机械系统)技术的微机械传感器的硅结构体等而经玻璃层使硅基板相互间接合的情况下，大多使用了阳极接合方法。
以前，阳极接合装置具有对置地配置的二个电极板的一对电极，在其电极间使打算接合的2片基板平行地重叠在一起进行了配置。而且，将与这些基板中的一方相接的电极板定为阳极，将与另一方相接的电极板定为阴极，通过对打算接合的2片基板施加电压，进行这些基板的接合。此时，成为分别均匀地密接打算接合的2片基板并在该被密接的部分中进行阳极接合的结构。
在此，简单地说明阳极接合。例如在对硅基板与玻璃基板进行阳极接合的情况下，将硅基板一侧的电极定为阳极，将玻璃基板一侧的电极定为阴极。此时，如果对这些电极施加电压，则使硅基板带正电荷。由于玻璃基板的电极一侧吸引Na离子，故玻璃基板的硅基板一侧带负电荷。由于正电荷和负电荷聚集在硅基板与玻璃基板的接合面上，故产生大的静电引力，使硅基板和玻璃基板接合。
但是，打算接合的多个基板不是完全的平坦状的，具有凸状或凹状的翘曲。因此，该2片基板的接合面成为这些基板的密接性不均匀的接合面，由于因该不均匀性的缘故在接合过程中在接合面上会发生未预测的空间，故形成未密接部分，于是存在发生了未接合部分的课题。
为了解决这样的课题，例如在专利文献1中公开了在接合硅基板与玻璃基板的情况下在以机械的方式使硅基板在接合面一侧翘曲为凸状的状态下进行阳极接合的阳极接合装置。在该阳极接合中，如图6中所示，通过用滑块30使与玻璃基板10对置地配置的硅基板20的外周边缘的4点向上方抬起，同时用上部电极压下硅基板20的中心，使硅基板20成为在接合面一侧翘曲为凸状的状态。而且，公开了通过使滑块30缓慢地朝向外方移动，从硅基板20的中心部朝向外周一侧解除翘曲来进行阳极接合的技术。
再者，例如在专利文献2中公开了在接合硅基板与玻璃基板的情况下在利用成膜技术预先使硅基板在接合面一侧翘曲为凸状的状态后与玻璃基板进行阳极接合的技术。在该技术中，如图7中所示，在第1硅基板的接合面一侧的面上形成第1氧化膜20，进而在与接合面相反一侧的面上形成膜厚比第1氧化膜20薄的第2氧化膜30，由此利用膜厚差使硅基板10成为朝向接合面一侧翘曲为凸状的状态。而且，公开了接合玻璃基板40及接合朝向接合面一侧翘曲为凸状的状态的玻璃基板40与第2硅基板50的技术。
【专利文献1】特开平7-183181
【专利文献2】特开平9-246127
但是，由于专利文献1使用在基板周边形成的滑块和上部电极以机械的方式对基板施加应力，故在基板周边或基板中央存在发生裂纹或崩裂等的危险。再者，存在因电荷朝向中央移动而减弱外周边缘部中的接合强度的危险。此外，专利文献1和专利文献2使打算接合的基板本身翘曲，特别是利用来自基板外部的应力使相对于接合面翘曲为凹状的基板相对于接合面翘曲为凸状。因此，例如若考虑基板的元件形成面中的表面积的变化能容易地理解的那样，由于使相对于接合面翘曲为凹状的基板翘曲为凸状，故存在基板中产生过大的应力的危险。对于这些危险来说，伴随近年的半导体基板的薄型化，存在基板的破损等更严重的事态的危险。
此外，在接合具有以加速度传感器为代表的MEMS的硅结构体那样的检测外部应力的元件的基板的情况下，由于元件对于这样的过大的形状变化非常脆弱，故存在元件本身破损或被破坏的危险。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而进行的，在解决上述课题时，本发明的阳极接合装置、阳极接合方法和加速度传感器的制造方法具有以下那样的特征。
本发明的阳极接合装置具有配置成第1电极板的第1面与第2电极板的第2面对置的一对电极，上述第1电极板的上述第1面包含安装有层叠基板且内含第1中央区域的第1基板配置区域和包围该第1基板配置区域的第1周边区域，上述第2电极板的上述第2面包含与上述第1电极板的上述第1中央区域对应的第2中央区域、与上述第1基板配置区域相对应并包围该第2中央区域的第2基板配置区域和与上述第1周边区域相对应并包围该第2基板配置区域的第2周边区域，上述第2电极板具有朝向上述第1电极板方向弯曲以使上述第1中央区域与上述第2中央区域的距离比上述第1周边区域与上述第2周边区域的距离小的弯曲部。
本发明的阳极接合方法具有下述工序：准备阳极接合装置的工序，该阳极接合装置具有第1电极板和第2电极板，上述第1电极板具有包含安装有层叠基板且内含第1中央区域的第1基板配置区域和包围该第1基板配置区域的第1周边区域的第1面，上述第2电极板具有包含与上述第1电极板的上述第1中央区域对应的第2中央区域、与上述第1基板配置区域相对应并包围该第2中央区域的第2基板配置区域和与上述第1周边区域相对应并包围该第2基板配置区域的第2周边区域的第2面，该第2电极板具有朝向该第1电极板方向弯曲以使该第1中央区域与该第2中央区域的距离比该第1周边区域与该第2周边区域的距离小的弯曲部，该阳极接合装置具有配置成该第1电极板的该第1面与该第2电极板的该第2面对置的一对电极；
在上述第1电极板的上述第1中央区域和上述第1基板配置区域的全体区域上配置上述层叠基板的工序；
使上述第2电极板的上述第2中央区域与上述层叠基板接触以形成接触区域的第1接触工序；
通过使上述第2电极板的上述第2中央区域与上述层叠基板接触以使上述接触区域扩大到该层叠基板全体的第2接触工序；以及
通过对上述第1电极板和上述第2电极板施加电压来接合上述层叠基板的接合工序。
本发明的加速度传感器的制造方法具有下述工序：准备阳极接合装置的工序，该阳极接合装置具有第1电极板和第2电极板，上述第1电极板具有包含安装有层叠基板且内含第1中央区域的第1基板配置区域和包围该第1基板配置区域的第1周边区域的第1面，上述第2电极板具有包含与上述第1电极板的上述第1中央区域对应的第2中央区域、与上述第1基板配置区域相对应并包围该第2中央区域的第2基板配置区域和与上述第1周边区域相对应并包围该第2基板配置区域的第2周边区域的第2面，该第2电极板具有朝向该第1电极板方向弯曲以使该第1中央区域与该第2中央区域的距离比该第1周边区域与该第2周边区域的距离小的弯曲部，该阳极接合装置具有配置成该第1电极板的该第1面与该第2电极板的该第2面对置的一对电极，其中，上述层叠基板具有形成了加速度传感器的加速度传感器基板和与该加速度传感器基板相接的玻璃基板；
在上述第1电极板的上述第1基板配置区域中配置上述层叠基板的工序；
使上述第2电极板的上述第2中央区域与上述层叠基板接触以形成接触区域的第1接触工序；
通过使上述第2电极板的上述第2基板配置区域与上述层叠基板接触以使上述接触区域扩大到该层叠基板全体的第2接触工序；以及
通过对上述第1电极板和上述第2电极板施加电压来接合上述加速度传感器基板与上述玻璃基板的接合工序。
按照本发明，可均匀地使所接合的2片基板密接而不对基板给予过大的应力，可良好地接合该2片基板。
附图说明
图1是本发明的实施例1中的阳极接合装置的剖面图。
图2是本发明的实施例1中的阳极接合装置的俯视图。
图3是说明本发明的实施例1中的阳极接合方法的图。
图4是说明本发明的实施例1中的阳极接合方法的图。
图5是说明本发明的实施例1中的阳极接合方法的图。
图6是说明以前的阳极接合装置的图。
图7是说明以前的阳极接合技术的图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施形态。再有，关于本发明的说明，有时使用玻璃基板等以前众所周知的材料等，在该情况下有时省略这些材料等的详细的说明。
【实施例1】
〔阳极接合装置〕
以下，使用图1和图2，说明关于本发明的实施例1的阳极接合装置。
图1是本发明的实施例1中的阳极接合装置的剖面图。图2是图1中示出的阳极接合装置的俯视图，图2(a)的A-A’中的剖面图与图1相对应。
关于本发明的实施例1的阳极接合装置如图1中所示那样，由第1电极板110、第2电极板120和固定部130构成。
第1电极板110是具有第1上面111和在第1上面111的相反一侧设置的第1下面112的方形的电极板。第1上面111包含第1中央区域111a、包围第1中央区域111a的第1基板配置区域111b和包围第1基板配置区域111b的第1周边区域111c。在第1中央区域111a和第1基板配置区域111b上安装后述的层叠基板140。此时，这样来进行分区，使得从上面一侧看的情况下，第1中央区域111a与层叠基板140的最上面的第3中央区域140a处于同一位置。作为第1电极板110的材料，只要是导电性材料即可，在本实施例1中的第1电极板110使用了与后述的第2电极板120为相同的材料的碳。
第2电极板120是具有与第1电极板110的第1上面111对置的第2下面122和在第2下面122的相反一侧设置的第2上面121的方形的电极板。第2下面122包含第2中央区域122a、包围第2中央区域122a的第2基板配置区域122b和包围第2基板配置区域122b的第2周边区域122c。这样来进行分区，使得从上面一侧看的情况下，第2中央区域122a与第1中央区域111a和后述的层叠基板140的第3中央区域140a处于同一位置。此外，这样来进行分区，使得从上面一侧看的情况下，第2基板配置区域122b与第1基板配置区域111b处于同一位置。第2电极板120具有以第2中央区域122a朝向层叠基板140突出的方式弯曲的弯曲部123。作为第2电极板120的材料，只要是可变形的导电性材料即可，例如可举出以碳为主要成分的材料。在本实施例1中的第2电极板120使用了由碳构成的电极板。
在第2电极板120的第2周边区域122c上设置了固定部130。固定部130通过施加从第2电极板120朝向第1电极板110的方向的应力，可固定在第1电极板110与第2电极板120之间的层叠基板140。作为固定部130的材料，在本发明的实施例1中，使用了螺钉。如图2(a)中所示，固定部130的位置在第2周边区域122b上且从上面看时配置在通过第2中央区域122a的直线上。此外，可以如图2(b)中所示，在第2周边区域122c上且在第2基板配置区域122b的周边附近配置多个固定部130。在该情况下，通过重复对于某个固定部130a拧紧经第2基板配置区域122b处于相反一侧的固定部130b的操作，例如，通过一边重复a→b→c→d→e…那样的顺序，一边逐次少量地拧紧，可使层叠基板140均匀地密接。再者，如图2(c)中所示，也可在第2电极板120的四角配置了固定部130。这样，在形成了多个固定部130的情况下，由于能在层叠基板140的整个面上更均等地施加应力，故可使层叠基板140均匀地密接。
利用上述阳极接合装置接合的层叠基板140至少层叠了被接合的2片基板即可，在本实施例1中的层叠基板140从下边起按顺序层叠了下部半导体基板141、接合用半导体基板142、接合用玻璃基板143、上部玻璃基板144、上部半导体基板145。在第1电极板110的第1上面111的第1中央区域111a和第1基板配置区域111b的全体区域上配置层叠基板140。层叠基板140的最上面包含从上面看的情况下被分区为与第1中央区域111a处于同一位置的第3中央区域140a和包围第3中央区域140a的第3周边区域140b。
下部半导体基板141具有上面和在上面的相反一侧设置的下面，在第1电极板110的第1中央区域111a和第1基板配置区域111b的全体区域上配置下部半导体基板141的下面(未图示)。下部半导体基板141的材料只要是能形成元件的半导体材料即可，在本实施例1中，使用了硅。
接合用半导体基板142具有上面和在上面的相反一侧设置的下面，在下部半导体基板141的上面上配置了接合用半导体基板142的下面(未图示)。在接合用半导体基板142的下面设置有半导体元件。通过在下部半导体基板141上形成接合用半导体基板142，可防止形成了元件的下面直接与第1电极板直接接触。作为接合用半导体基板142的材料，由与下部半导体基板141相同的材料构成，在本实施例1中，使用了硅。
接合用玻璃基板143具有上面和在上面的相反一侧设置的下面，在接合用半导体基板142的上面上配置了接合用玻璃基板143的下面(未图示)。作为接合用玻璃基板143的材料，是以硅为主要成分的非晶性固体，在本实施例1中，使用了石英玻璃或在石英玻璃中添加了氧化硼等的硅硼酸玻璃。
上部玻璃基板144具有上面和在上面的相反一侧设置的下面，在接合用玻璃基板143的上面上配置了上部玻璃基板144的下面(未图示)。作为上部玻璃基板144的材料，由与接合用玻璃基板143相同的材料构成，在本实施例1中，使用了石英玻璃或在石英玻璃中添加了氧化硼等的硅硼酸玻璃。
上部半导体基板145具有上面和在上面的相反一侧设置的下面，在上部玻璃基板144的上面上配置了上部半导体基板145的下面(未图示)。作为上部半导体基板145的材料，在本实施例1中，使用了硅。预先利用阳极接合等接合了上部玻璃基板144的上面与上部半导体基板145的下面。通过在接合用玻璃基板143上配置上部玻璃基板144与上部半导体基板145的接合的基板，由于第2电极板120与接合用玻璃基板143不直接接触，故可防止施加接合用的电压时的Na离子从接合用玻璃基板143移到第2电极板120移动而污染第2电极板120的情况。
按照本发明的实施例1中的阳极接合装置，即使在接合用半导体基板142和接合用玻璃基板143中的某一个或两者朝向接合用半导体基板142与接合用玻璃基板143的接合面翘曲为凹状的情况下，由于第2电极板120具有弯曲部123，故在接合接合用半导体基板142与接合用玻璃基板143的情况下成为弯曲部123首先与层叠基板140的第3中央区域140a接触的结构。因此，首先第3中央区域140a密接，其后，通过利用第2电极板变形使第3周边区域140b密接，接合用半导体基板142与接合用玻璃基板143完全地密接。因而，由于接合面从中央朝向周边密接，故即使在接合面中发生了未预测的空间，空间内的气体也可朝向周边散逸，故可良好地使其密接。再者，由于没有必要使所接合的基板对于接合面变形为凸状，故可在不对所接合的基板给予过大的应力的情况下接合。此外，由于是第1电极板110和第2电极板120完全地覆盖层叠基板140的结构，故即使在施加了电压的情况下，也可均匀地对层叠基板140的第3中央区域140a和第3周边区域140b施加电压，故没有接合在局部减弱的危险，可良好地使其接合。
〔阳极接合方法〕
以下，使用图3～图5说明关于本发明的实施例1的阳极接合方法。
如图3中所示，在对置地配置了第1电极板210和第2电极板220的阳极接合装置的第2电极板220上配置层叠基板240。
在此，第1电极板210具有第1上面211和第1下面212。第1上面211包含第1中央区域211a、第1基板配置区域211b和第1周边区域211c。第2电极板220具有第2上面221和第2下面222。第2下面222包含第2中央区域222a、第2基板配置区域222b和第2周边区域222c。此外，第2电极板220具有弯曲部223。层叠基板240至少层叠了被接合的2片基板即可，在本实施例1中的层叠基板240从下边起按顺序层叠了下部半导体基板241、接合用半导体基板242、接合用玻璃基板243、上部玻璃基板244、上部半导体基板245。在第1电极板210的第1中央区域211a和第1基板配置区域211b的全体区域上配置层叠基板240。层叠基板240的最上面包含第3中央区域240a和第3周边区域240b。在第2电极板220的第2周边区域222c上设置了固定部230。由于这些第1电极板210、第2电极板220、固定部230和层叠基板240的形状和材料与本发明的阳极接合装置是同样的，故在此省略详细的说明。
在第1电极板210的第1中央区域211a和第1基板配置区域211b中配置层叠基板240，这样来分别进行分区，使得从上面一侧看的情况下，第1电极板210的第1中央区域211a与第2电极板220的第2中央区域222a和层叠基板240的第3中央区域240a处于同一位置。此外，这样来分别进行分区，使得从上面一侧看的情况下，第1电极板210的第1基板配置区域211b与第2电极板220的第2基板配置区域222b和层叠基板240的第3周边区域240b处于同一位置。
如图4中所示，使第2电极板220的弯曲部223与在第1电极板210的第1中央区域211a和第1基板配置区域211b的全体区域上配置的层叠基板240的最上面的第3中央区域240a密接，形成接触区域250。此时，通过拧紧固定部230，通过缩短固定部230的第1电极板210与第2电极板220的距离使其密接。
如图5中所示，通过进一步拧紧固定部230，发生从第2电极板220朝向层叠基板240的应力，使接触区域250从层叠基板240的最上面的中心扩大到全体。此时，利用固定部230的应力，使第2电极板220的弯曲部223变形为平坦。进而，在使第1电极板210与第2电极板220和层叠基板240密接后，通过对第1电极板210和第2电极板220施加电压，对接合用半导体基板242与接合用玻璃基板243进行阳极接合。在本实施例2中，通过在2～3分间施加450～550V的电压，进行阳极接合。可根据接合用半导体基板242和接合用玻璃基板243的材料、膜厚等的条件合适地改变这些条件。此外，在进行阳极接合时，可根据用途适当地选择在真空下进行还是在大气压下进行。在真空下进行的情况下，由于进行真空吸引，故可抑制在接合面中形成未预测的空间的情况，在大气压下不进行真空吸引，故可减少因真空吸引导致的基板形状的变形等。
按照本发明的实施例1中的阳极接合方法，即使在接合用半导体基板242和接合用玻璃基板243中的某一个或两者具有朝向接合用半导体基板242与接合用玻璃基板243的接合面的凹状的翘曲的情况下，由于第2电极板220具有弯曲部223，故在使第2电极板220密接到层叠基板240上的情况下，弯曲部223首先与层叠基板240的第3中央区域240a接触，形成接触区域。再者，由于通过第2电极板220与层叠基板240密接，以使接触区域扩大到层叠基板240的最上面的整个面上的方式使其密接，故可使接合用半导体基板242与接合用玻璃基板243完全地密接。因而，由于接合面从中央朝向周边密接，故即使在接合面中发生了未预测的空间，空间内的气体也可朝向周边散逸，故可合适地使其密接。
再者，按照本实施例1中的阳极接合方法，由于没有使接合用半导体基板242和接合用玻璃基板243中的某一个或两者朝向接合面变形为凸型的工序，故可在不对接合用半导体基板242和接合用玻璃基板243施加过大的应力的情况下接合。
此外，在拧紧固定部230时，考虑了在接合面中发生的未预测的空间从中央朝向周边移动的时间来拧紧。由此，可从接合用半导体基板242与接合用玻璃基板243的接合面完全地除去未预测的空间，可完全地使其密接。
对于本发明的实施例1的阳极接合装置和阳极接合方法来说，例如接合用半导体基板可以是形成了加速度传感器等的MEMS结构体的基板。加速度传感器具有台座部、锤部和以可挠曲的方式连接台座部与锤部的梁部。由于加速度传感器的锤部根据加速度而位移，其结果通过梁部挠曲来检测加速度，故具有对于因制造过程中的应力产生的变形等非常脆弱的结构。在形成了这样的加速度传感器的加速度传感器基板中进行阳极接合的情况下，由于本发明对形成了加速度传感器的加速度传感器基板不施加过大的应力，故是非常有益的。即，如果在制造加速度传感器的情况下应用本发明，则由于没有必要在加速度传感器基板中施加过大的应力，由于可防止台座部的变形、梁部的变形和破损，故可合适地进行阳极接合。

Claims (20)

1.一种阳极接合装置，具有配置成第1电极板的第1面与第2电极板的第2面对置的一对电极，其特征在于：
上述第1电极板的上述第1面包含安装有层叠基板且内含第1中央区域的第1基板配置区域和包围该第1基板配置区域的第1周边区域，
上述第2电极板的上述第2面包含与上述第1电极板的上述第1中央区域对应的第2中央区域、与上述第1基板配置区域相对应并包围该第2中央区域的第2基板配置区域和与上述第1周边区域相对应并包围该第2基板配置区域的第2周边区域，
上述第2电极板具有朝向上述第1电极板方向弯曲以使上述第1中央区域与上述第2中央区域的距离比上述第1周边区域与上述第2周边区域的距离小的弯曲部。
2.如权利要求1所述的阳极接合装置，其特征在于：
具有在上述第2电极板的上述第2周边区域上形成、通过供给朝向在上述第1电极板的上述第1中央区域和上述第1基板配置区域的全体区域上配置的上述层叠基板的应力来加压固定该层叠基板的固定部。
3.如权利要求2所述的阳极接合装置，其特征在于：
沿上述第2电极板的上述第2周边区域的上述第2基板配置区域附近设置有多个上述固定部。
4.如权利要求2所述的阳极接合装置，其特征在于：
上述第2电极板为方形，
在上述第2电极板的上述第2周边区域的角部上设置有多个上述固定部。
5.如权利要求2至4中的任一项所述的阳极接合装置，其特征在于：
在上述第1电极板的上述第1周边区域和上述第2电极板的上述第2周边区域的全体区域上形成有上述固定部。
6.如权利要求1至5中的任一项所述的阳极接合装置，其特征在于：
利用以碳为主要成分的材料形成上述第2电极板。
7.一种阳极接合方法，其特征在于，具有下述工序：
准备阳极接合装置的工序，该阳极接合装置具有第1电极板和第2电极板，上述第1电极板具有包含安装有层叠基板且内含第1中央区域的第1基板配置区域和包围该第1基板配置区域的第1周边区域的第1面，上述第2电极板具有包含与上述第1电极板的上述第1中央区域对应的第2中央区域、与上述第1基板配置区域相对应并包围该第2中央区域的第2基板配置区域和与上述第1周边区域相对应并包围该第2基板配置区域的第2周边区域的第2面，该第2电极板具有朝向该第1电极板方向弯曲以使该第1中央区域与该第2中央区域的距离比该第1周边区域与该第2周边区域的距离小的弯曲部，该阳极接合装置具有配置成该第1电极板的该第1面与该第2电极板的该第2面对置的一对电极；
在上述第1电极板的上述第1中央区域和上述第1基板配置区域的全体区域上配置上述层叠基板的工序；
使上述第2电极板的上述第2中央区域与上述层叠基板接触以形成接触区域的第1接触工序；
通过使上述第2电极板的上述第2基板配置区域与上述层叠基板接触以使上述接触区域扩大到该层叠基板全体的第2接触工序；以及
通过对上述第1电极板和上述第2电极板施加电压来接合上述层叠基板的接合工序。
8.如权利要求7所述的阳极接合方法，其特征在于：
具有在上述第2电极板的上述第2周边区域上形成、通过施加从该第2电极板朝向上述第1电极板的应力来加压固定该层叠基板的固定部，上述第2接触工序通过该固定部对该层叠基板施加应力，使上述接触区域扩大。
9.如权利要求8所述的阳极接合方法，其特征在于：
沿上述第2电极板的上述第2周边区域的上述第2基板配置区域附近设置有多个上述固定部，上述第2接触工序通过该多个固定部均等地对该层叠基板施加应力，使上述接触区域扩大。
10.如权利要求8所述的阳极接合方法，其特征在于：
在方形的上述第2电极板的上述第2周边区域的角部上设置有多个固定部，上述第2接触工序通过该多个固定部均等地对该层叠基板施加应力，使上述接触区域扩大。
11.如权利要求8所述的阳极接合方法，其特征在于：
在方形的上述第2电极板的上述第2周边区域的第1角部、与该第1角部邻接的第2角部、与该第2角部邻接的第3角部、以及夹在该第1角部与该第3角部之间的第4角部上分别设置有固定部，上述第2接触工序由对该第1角部和第3角部施加应力的工序和对该第2角部和第4角部施加应力的工序构成。
12.如权利要求8至11中的任一项所述的阳极接合方法，其特征在于：
在上述第1电极板的上述第1周边区域和上述第2电极板的上述第2周边区域的全体区域上形成了上述固定部，上述第2接触工序通过缩短该固定部的从该第1电极板的第1面到上述第2电极板的第2面的距离来施加应力。
13.如权利要求8至12中的任一项所述的阳极接合方法，其特征在于：
上述层叠基板具有被层叠成接合用半导体基板与接合用玻璃基板直接接触、且该接合用半导体基板和该接合用玻璃基板配置在多个保护层之间的结构。
14.一种加速度传感器的制造方法，其特征在于，具有下述工序：
准备阳极接合装置的工序，该阳极接合装置具有第1电极板和第2电极板，上述第1电极板具有包含安装有层叠基板且内含第1中央区域的第1基板配置区域和包围该第1基板配置区域的第1周边区域的第1面，上述第2电极板具有包含与上述第1电极板的上述第1中央区域对应的第2中央区域、与上述第1基板配置区域相对应并包围该第2中央区域的第2基板配置区域和与上述第1周边区域相对应并包围该第2基板配置区域的第2周边区域的第2面，该第2电极板具有朝向该第1电极板方向弯曲以使该第1中央区域与该第2中央区域的距离比该第1周边区域与该第2周边区域的距离小的弯曲部，该阳极接合装置具有配置成该第1电极板的该第1面与该第2电极板的该第2面对置的一对电极，其中，上述层叠基板具有形成有加速度传感器的加速度传感器基板和与该加速度传感器基板相接的玻璃基板；
在上述第1电极板的上述第1基板配置区域中配置上述层叠基板的工序；
使上述第2电极板的上述第2中央区域与上述层叠基板接触以形成接触区域的第1接触工序；
通过使上述第2电极板的上述第2基板配置区域与上述层叠基板接触以使上述接触区域扩大到该层叠基板全体的第2接触工序；以及
通过对上述第1电极板和上述第2电极板施加电压来接合上述加速度传感器基板与上述玻璃基板的接合工序。
15.如权利要求14所述的加速度传感器的制造方法，其特征在于：
具有在上述第2电极板的上述第2周边区域上形成、通过施加从该第2电极板朝向上述第1电极板的应力来加压固定上述加速度传感器基板和上述玻璃基板的固定部，上述第2接触工序通过该固定部对该层叠基板施加应力，使上述接触区域扩大。
16.如权利要求15所述的加速度传感器的制造方法，其特征在于：
沿上述第2电极板的上述第2周边区域的上述第2基板配置区域附近设置有多个上述固定部，上述第2接触工序通过该多个固定部均等地对该层叠基板施加应力，使上述接触区域扩大。
17.如权利要求15所述的加速度传感器的制造方法，其特征在于：
在方形的上述第2电极板的上述第2周边区域的角部上设置有多个固定部，上述第2接触工序通过该多个固定部均等地施加应力，使上述接触区域扩大。
18.如权利要求15所述的加速度传感器的制造方法，其特征在于：
在方形的上述第2电极板的上述第2周边区域的第1角部、与该第1角部邻接的第2角部、与该第2角部邻接的第3角部、以及夹在该第1角部与该第3角部之间的第4角部上分别设置有固定部，上述第2接触工序由对该第1角部和第3角部施加应力的工序和对该第2角部和第4角部施加应力的工序构成。
19.如权利要求15至18中的任一项所述的加速度传感器的制造方法，其特征在于：
在上述第1电极板的上述第1周边区域和上述第2电极板的上述第2周边区域的全体区域上形成了上述固定部，上述第2接触工序通过使该固定部的从该第1电极板的第1面到上述第2电极板的第2面的距离变窄来施加应力。
20.如权利要求8至12中的任一项所述的阳极接合方法，其特征在于：
上述层叠基板具有被层叠成加速度传感器基板和与该加速度传感器基板接合的接合用玻璃基板直接接触、且该加速度传感器基板和该接合用玻璃基板配置在多个保护层之间的结构。
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