CN1838532A - 微振子、半导体装置以及通信装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 238000004891 communication Methods 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 19
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000219000 Populus Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- VJTAZCKMHINUKO-UHFFFAOYSA-M chloro(2-methoxyethyl)mercury Chemical compound [Cl-].COCC[Hg+] VJTAZCKMHINUKO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
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- Micromachines (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
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Abstract
提供一种微振子、半导体装置以及通信装置，在适用于例如信号滤波器等的微振子中，谋求降低其对地电容，抑制信号输出的损耗。在基板上形成具有与下部电极(43、44)对置而进行静电驱动的梁(47)的振子元件(33)，且形成为与梁(47)连接的直流偏置供电线(45)的线宽(W1)以比梁(47)的宽度(W2)窄的宽度形成。
Description
技术领域
本发明涉及成为例如信号滤波器、混频器、谐振器等的要素的微振子、具有该微振子的半导体装置以及使用根据该微振子的带通滤波器的通信装置。
背景技术
采用微电子机械加工(MEMC：Micro Electro Mechanical Systems)技术制作的微振子已众所周知。以密歇根大学为首的研究机构已提出了该微振子的作为高频滤波器的应用(参照非专利文献1)。
将构成上述高频滤波器的微振子，即静电驱动的梁型振子示意地示于图12。该振子1中，在半导体基板2上隔着绝缘膜3形成例如由多晶硅形成的输入侧布线层4和输出电极5，与该输出电极5对置地，夹着空间6形成成为振动板的电极，即所谓的梁7。梁7以被两端的锚部(支撑部)8[8A、8B]支撑的方式以桥状跨接在输入侧布线层4上。梁7成为输入电极。从输入侧布线层4导出输入端子t1，从输出电极5导出输出端子t2。在梁和接地之间施加直流偏置(以下称DC偏置)电压V1的状态下，振子1通过输入端子t1向梁7供给高频信号S1。即，如果由输入端子t1重叠地供给DC偏置电压V1和高频信号S1，则具有由长度决定的固有振动数的梁7因输出电极5和梁7之间产生的静电力而振动。根据该振动，与输出电极5与梁7之间电容的时间变化和DC偏置电压对应的高频信号由输出电极5(也就是，输出端子t2)输出。高频滤波器输出对应于梁7的固有振动数(固有频率)的信号。
另一方面，在将一个或多个振子配置在半导体基板或绝缘性基板等的基板上进行信号处理时，要确保信号处理时的信号强度，从这个角度研究有关由振子构成的DC供电线路的结构，并进行验证的例子，至今还没出现。
[非专利文献1]C.T-Nguyen Micromechanical components for miniaturizedlow-power communications(invited plenary)，proceedings，1999 IEEE MTT-SInternational Microwave Symposium RF MEMS Workshop，June 18，1999，pp，48-77。
发明内容
作为现有技术，上述的静电驱动型微振子的另一结构示于图11。该微振子11是在多晶半导体基板12上，隔着绝缘膜13形成输入电极14和输出电极15，与该输入电极14和输出电极15对置地，夹着空间16，形成成为振动板的电极，所谓的梁17。梁17以桥状跨越输入输出电极14、15，与在输入输出电极14、15外侧配置的布线层18相连接，为此两端用锚部(支撑部)19[19A、19B]一体地支撑。从输入电极14导出输入端子t1，从输出电极15导出输出端子t2。对梁17施加所需要的DC偏置电压V1。
在该微振子11中，如果向输入电极14中输入高频信号S1，就会因在施加了DC偏置电压V1的梁17和输入电极14之间产生的静电力而使梁17谐振，从输出电极15输出目标频率的高频信号。根据该微振子11，由于可以使输入输出电极14和15的对置面积变小，且输入输出电极14和15之间的间隔变大，因此与图12的振子1比较时，输入输出电极间的寄生电容C11变小。因此，直接穿过输入输出电极14、15间的寄生电容C11的信号、也就是噪声分量变小，输出信号的SN比提高。
另一方面，如图10所示，还提出了在同一基板上，并联连接多个振子(以下称振子元件)，例如具有作为下部电极的输入输出电极14、15和梁17的振子元件21[21A、21B、21C]，以共用输入输出电极14、15的方式构成振子组，降低整体的合成阻抗，可适用于高频器件的结构。
如上所述，静电驱动型振子由能够振动的梁和电极构成，梁由于与其分离配置的电极而产生电气振动。在与基板垂直的方向上激起振动。为了从梁的机械谐振现象取出电气谐振信号，梁和电极之间必须施加DC偏置电压。当然，用于向梁施加DC偏置电压的布线、所谓DC偏置供电线也是必需的。
另外，如图10中说明的那样，为了使静电驱动型谐振器的阻抗降低，尝试了振子元件的并联化。这是因为从加工工艺的角度看，并联配置多个适当尺寸的振子，要比配置一个巨大的振子合适。伴随着振子的并联化，振子元件之间必须设置DC偏置供电线。
不过，虽然随着并联化的进展，降低了阻抗，但振子系统整体的设置面积，即对地电容也同时变大。通过与信号通路连接的对地杂散电容，信号在基板侧泄漏，由此带来输出信号的损耗。
因此，希望找出抑制这种信号输出损耗的振子结构、配置和布线的方法。
鉴于上述存在的问题，本发明的目的在于提供降低对地杂散电容来抑制信号输出损耗的微振子、具有该微振子的半导体装置、以及作为信号滤波器具有该微振子的通信装置。
根据本发明的微振子的特征在于，在基板上形成具有与下部电极对置而进行静电驱动的梁的振子元件，与梁连接的直流偏置供电线的线宽以比上述梁的宽度窄的宽度形成。
另外，根据本发明的微振子的特征在于，在基板上排列具有与下部电极对置而进行静电驱动的梁的多个振子元件，利用直流偏置供电线连接相邻的振子元件的梁，直流偏置供电线的线宽以比梁的宽度窄的宽度形成。
作为多个振子元件，可以通过有规则地排列形成为并联连接的振子组。
另外，根据本发明的微振子的特征在于，在基板上形成有规则地排列具有与下部电极对置而进行静电驱动的梁的多个振子元件而构成的振子组，在一个方向上相邻的各振子元件的梁经直流偏置供电线相连接，在与一个方向交叉的方向上相邻的振子元件的直流偏置供电线之间的间隔设置为比梁之间的间隔大。
上述振子元件可以使用以2次高次谐波振动模式激振的振子元件。
根据本发明的半导体装置的特征在于，具有上述中的任一种微振子。
根据本发明的通信装置，具有限制发送信号和/或接收信号频带的滤波器，其特征在于，作为滤波器，使用根据上述中的任一种微振子的滤波器。
根据本发明的微振子，为了向成为振动部的梁供给直流偏置电压，与梁连接的直流偏置供电线以比梁窄的宽度形成，使直流偏置供电线的布线面积变小，可降低与基板之间的对地电容。由此，可将信号在基板侧的泄漏抑制在最小限度，并可抑制信号输出损耗。
根据本发明的微振子，当作为排列多个振子元件而成的振子组构成时，将连接在相邻振子元件的梁之间的直流偏置供电线以比梁窄的宽度形成，由此使振子组整体的直流偏置供电线的布线面积大幅变小，并可降低与基板之间的对地电容。由此，可将信号在基板侧的泄漏抑制在最小限度，并可抑制信号输出损耗。
通过有规则地配置振子组的振子元件，可将振子组占有的晶片面积限制在必要的最小范围内。
根据本发明的微振子，从布局上看时，在一个方向及与此交叉的方向(其他方向)上有规则地配置振子元件，一个方向上相邻的振子元件的梁经直流偏置供电线相互连接的结构中，通过将在其他方向相邻的振子元件的直流偏置供电线之间的间隔设定得比梁之间的间隔大，使直流偏置供电线的布线面积变小，与上述同样可抑制信号的泄漏，并可抑制信号的输出损耗。
根据本发明的半导体装置，通过在成为半导体装置的构成要素的振子中，使用上述根据本发明的微振子，可以提供抑制信号输出的损耗且具有良好的特性的半导体装置。
根据本发明的通信装置，通过带通滤波器使用根据本发明的微振子的滤波器，可提供得到抑制信号输出损耗的良好滤波器特性、且可靠性高的通信装置。
附图说明
图1是示出本发明的微振子的一个实施方式的概略结构图；
图2是图1的A-A’线上的截面图；
图3A～B是示出本发明的微振子的制造方法的一个实施方式的制造工序图(其1)；
图4C～D是示出本发明的微振子的制造方法的一个实施方式的制造工序图(其2)；
图5E～F是示出本发明的微振子的制造方法的一个实施方式的制造工序图(其3)；
图6A、B是用来说明本发明的DC偏置供电线的布线宽度的模式图；
图7是与对地电容评价的模拟有关的微振子等效电路图；
图8是与对地电容评价的模拟有关的放大器增益的对地电容依赖性的曲线图；
图9是示出本发明的通信装置的一个实施方式的结构图；
图10是示出将多个振子元件并联配置的微振子实例的结构图；
图11是示出现有技术的静电驱动型振子的结构图；
图12是示出现有的静电驱动型振子的结构图。
31微振子、32基板、33振子元件、34振子组、36(361、362)信号线、43输入电极、44输出电极、45DC偏置供电线(布线层)、46空间、47梁
具体实施方式
下面参照附图说明本发明的实施方式。
根据本实施方式的微振子构成为，为了对例如将多个振子元件排列为相互并联连接的所谓并联振子供给DC偏置电压而设置的DC偏置供电线(即，连接相邻振子元件的梁之间的布线)的宽度比振子元件的梁宽度窄。
伴随着信号布线和DC偏置供电线等的布线面积的增加，微振子的整体的对地电容也增加，不过，像本实施方式这样，通过使DC偏置供电线的线宽变窄，可减少对地电容。使信号线路宽度变窄，就要增加信号通路的布线电阻，故减少信号线路宽度有一定难度。但是，减少DC偏置供电线的线宽，不会对信号强度产生不好的影响。
在本实施方式中，可使振子元件有规则地排列。为了减小DC偏置供电线引起的对地电容，振子元件之间的距离之和作为整体越短越好。例如也可以全部都不规则地排列。不过，在这种情况下，当在基板上排列制作多个振子元件时，在工艺管理上就会出现种种问题。用于光刻的掩模的制作会很麻烦，当采用化学机械抛光(CMP)进行晶片平坦化处理时，会产生抛光量不均匀的现象。考虑到实用性，最好是将振子元件有规则地、尽可能接近地配置，减少振子组的设置面积，由此缩小振子元件之间的间隔，减少对地电容。这是因为这样将提高晶片的利用效率，降低微振子或具有该微小振子的半导体装置的成本。
本发明的微振子的示意性的实施方式示于图1。作为本实施方式的对象的振子元件，是微米、纳米级的元件。另外，本实施方式中作为一个实例，采用在基板上配置作为下部电极的输入电极及输出电极、和支撑两端进行振动的梁而构成的、机械谐振频率100MHz的静电驱动型振子组。
如图1所示，本实施方式的微振子31构成为，在基板(在本实例中是高电阻硅基板的表面)上形成绝缘膜的基板上，配置由多个静电驱动型振子元件33构成的振子组34。该振子组34优选构成为有规则地排列多个振子元件33。本实例中振子组34内的振子元件33以格子状纵横(垂直、水平)有规则地排列。正如后面所要讲述的那样(在图2中有详细讲述)，每个振子元件33包括：作为下部电极的输入电极43、输出电极44、成为DC偏置供电线的布线层45、以及成为用布线层45支撑其两端的振动电极的梁47。
各列的振子元件33中，在纵向上相邻的梁47经布线层45共同连接。另外，各行的振子元件33形成为对整个在横向上排列的振子元件33共用输入电极43和输出电极44。各振子元件33的输入电极43共同连接到在基板上形成的信号线361，其输出电极44共同连接到在基板上形成的信号线362，成为并联连接。
而且，在本实施方式中，对振子元件33的梁47连接用来供给DC偏置电压的布线层、即DC偏置供电线45，同时形成为使连接纵向相邻的振子元件33的DC偏置供电线45的线宽W1比梁47的梁宽度W2窄。从整个布局图形来看，形成为横向相邻的振子元件33的梁47之间的间隔W3比相同振子元件33的DC偏置供电线45之间的间隔W4窄。
图2示出了图1的A-A’线上的截面结构。本实例中各个振子元件33用2次高次谐波振动模式驱动。
如图2所示，同上述内容一样，在硅基板41的表面形成例如硅膜等的绝缘膜42而构成的基板32上，形成作为下部电极的输入电极43和输出电极44、以及夹着输入输出电极43、44的两侧布线层，即DC偏置供电线45，配置作为夹着空间46与输入输出电极43、44相对的振动电极的梁47，从而构成各振子元件33。与DC偏置供电线45电气且机械连接的锚部(支撑部)48支撑梁47的两端。该梁形成为所谓的双支撑梁结构。而且，该梁47和DC偏置供电线45的线宽按图1所说明的关系设定。
同上述一样，该振子元件33，通过DC偏置供电线45向梁47施加DC偏置电压，向输入电极43输入频率信号时，梁47产生谐振，向输出电极44输出目标频率信号。如图2所示，该振子元件33以2次高次谐波振动模式49谐振。
下面，利用图3～图5，说明本实施方式的微振子的制造方法。这些图示出了图1的A-A’线上的截面结构。工艺规格等同于普通的CMOS制造工艺所用的规格。
首先，如图3A所示，在高电阻硅基板41上表面上形成绝缘膜42。本实例是将氧化硅薄膜(HDP膜：高密度等离子氧化膜)421和氮化硅膜422的复合膜52以例如200nm左右的膜厚形成。接下来在该绝缘膜52上形成导电膜53。本实例是将具有导电性的多晶硅薄膜(PDAS膜：掺杂磷的非晶硅)53按所需要的膜厚，例如380nm左右的厚度形成。然后用光刻胶掩模及蚀刻(本实例中为干蚀刻)，对多晶硅53进行构图，形成由多晶硅薄膜53形成的作为下部电极的输入电极43、输出电极44以及用于固定梁的布线层45。该布线层45成为用于向梁供给DC偏置电压的DC偏置供电线。在形成该布线层45时，构图为宽度W1比以后要形成的梁47的宽度W2窄。
然后，如图3B所示，用牺牲层54填埋所形成的输入电极43、输出电极44和布线层45，平坦化为使下部电极的表面露出。在本实例中，作为牺牲层54是使用绝缘膜例如氧化硅(HDP膜)54填充，利用化学机械抛光法(CMP)使之平坦化，使输入电极43、输出电极44和布线层45的表面露出。
然后，如图4C所示，在进行了平坦化的表面上，以对应于输入输出电极43、44和后面要形成的梁的间隔的膜厚形成牺牲层55。本实例中，作为牺牲层55，是形成绝缘膜例如氧化硅薄膜(LP-TEOS：低压4-乙氧基硅烷)。该氧化硅薄膜55以多晶50nm左右的厚度形成。
然后，如图4D所示，在牺牲层55的与布线层45对应的位置形成到达布线层45的开口56。
然后，如图5E所示，按所希望的膜厚形成多晶硅膜(PDAS膜)57后，构图为梁状，形成由多晶硅膜57形成的梁47。可采用多晶干蚀刻进行构图。
然后，在基板其他部位的绝缘膜52上，形成成为焊盘的例如Al-Si薄膜，在该Al-Si薄膜上，形成对应于布线、焊盘的图形的光刻胶掩模。然后，进行蚀刻处理，使用例如氟化氢溶液(DHF)有选择地去除不需要的Al-Si薄膜以及牺牲层54、55。由此，如图5F所示，在输入输出电极43、44与梁47之间，形成所希望的间隔，例如50nm左右间隔的空间46，获得想要的微振子31。
根据本实施方式的微振子31，通过使与振子组34连接的DC偏置供电线45、以及连接振子组34内的振子元件33和振子元件33的DC偏置供电线45的线宽W1比梁47的线宽W2窄，减少振子组34的DC偏置供电线45的布线面积，可降低振子组34的系统整体的对地电容。由此，通过与信号线路362连接的对地电容，可将基板侧的信号泄漏抑制到最小限度，可抑制信号输出损耗。
假如作为构成要素使用本实施方式的微振子31，则可实现功耗低且特性良好的信号处理装置。这是因为相应于振子元件33中的信号衰减的削减量，可抑制后级放大器中的功耗。
另外，通过有规则地配置振子元件33，可将振子组34占有的晶片面积限制在必要的最小范围内，可实现信号处理装置的性能提高和成本降低。
下面，采用图6的模型说明本实施方式的DC偏置供电线45的线宽范围。
临界电阻值通过下述方式决定，即根据允许由DC偏置电压的下降所引起的振子元件33的谐振频率的下降到什么样的程度来决定，也就是说，根据DC偏置供电线45(串联连接的振子元件33的个数和振子元件间的间隔)来决定。当并联的振子元件的谐振频率出现偏差时，就会降低并联化振子组的谐振峰值，使谐振频带宽度变宽，抵销通过并联化降低阻抗的效果。这时应考虑所设想的滤波器的频带宽度和频带内的损耗，来确定适当的值。
在此，根据经验，使允许的谐振频率的降低值为0.1MHz。由向梁和下部电极之间施加牵引(pull-in)电压的80％左右的DC偏置电压时的谐振频率对偏置电压的依赖性的实测值，可求得对应于谐振频率变化大小为0.1MHz时的DC偏置电压的变化大小，约为0.5V。另外，牵引电压指的是施加梁的DC偏置电压时梁弯曲而接触下部电极时的DC电压。使振子元件的梁宽度变窄，就会对如上述的谐振特性的均匀性产生恶劣的影响。相对于振子元件的梁宽度，使振子元件间的DC偏置供电线的线宽相对变窄的设计是有效的。
图6A、B示出了用于估算DC偏置供电线线宽的模型，假设并联度N＝300～900，串联连接的振子元件的数量为30个。作为布线的DC偏置供电线、梁的材料，使用掺杂了的多晶硅薄膜(电阻率为9.3×10-4Ω·cm)时，临界布线宽度X＝3×10-6μm，DC偏置供电线可用CMOS制造工艺允许的最小线宽来制作。
图6中，梁47的膜厚t2、长度r2和宽度w2，分别为t2＝1μm、r2＝10μm、w2＝7μm，锚部48的高度h2＝1μm，相邻的梁47之间的长度，即DC偏置供电线45的长度r1＝5μm，求得此时DC偏置供电线45的临界布线宽度X。
0.5V＝1nA×30×9×10-4Ω·cm×{12×10-4/(1×10-4×7×10-4)+5×10-4/(1×10-4×X×10-4)}cm-4
由此，X＝3×10-6μm。
下面利用模拟说明根据本实施方式的微振子的对地电容评价。
首先，采用有限元法导出梁结构的机械特性，以此为目的，可以使用コベンタ一(Coventor)公司生产的“Coventor Ware(分析仪)”。输入梁的形状、材质(比重、杨氐模量、应力)，求得梁的谐振频率f0、有效质量m和牵引电压Vp。
然后，使用FrankD.Bannon III等人(文献：参照Frank D.Bannon III，John R.Clark，Clark T.-C.Nguyen，“High-Q HF MicroelectromechanicalFilters”，IEEE Journal of Solid-state Circuits，Vol.35，No.4，April 2000，p512-526)求出的解析方法，可将静电驱动方式的振子机械特性变换为电的等效电路常数。从利用有限元法计算获得的梁的谐振频率f0、有效质量m和牵引电压Vp估算出的适当驱动电压、静电驱动型振子的物理尺寸(梁和下部电极间的间隔、电极面积)、及Q值(经验值)，作为输入参数使用。
经过该过程，可获得没有因布线等产生的对地电容的影响时的一个振子的电等效电路常数。根据振子的并联度，使这样获得的电路常数变为常数倍，由此可获得并联化的振子的理想电路常数。
对地电容对由并联化的静电驱动方式的梁型振子所构成的滤波器的特性造成的影响可通过如下方式评价，在用上述那样获得的振子等效电路常数求得的理想的滤波器电路上附加对地电容和假设的后级电路的阻抗，将对地电容值作为变量，求得电路的S参数。
图7和图8分别示出了并联度N＝200时的振子等效电路和计算结果(放大器增益的对地电容依赖性)。在此估算中，在滤波器后级中，设置用来匹配阻抗的缓冲放大器。在图7的等效电路中，通过DC偏置供电线101，从DC电源向振子(振子组)100和该振子100的梁供给DC偏置电压。频率信号S供给到信号线102的输入端。在信号线102的输出侧连接对地电容C1，还连接后级放大器103。用电阻R、电感L、电容C的串联电路和电容C0并联连接的形式，表示振子100的等效电路。在该模拟中，并联度N＝200、C0＝3.0×10-13、R＝3.123×102、L＝7.766×10-5、C＝8.84×10-15、后级放大器103的电阻R＝1×103。图8是表观示意图，并不是进行功率放大。示出在增加对地电容时，不能进行有效的阻抗变换。
从所获得的结果可知，为了改善透过特性，必须降低对地电容。对地电容近似地与器件在基板上所占的面积具有正相关关系，虽然器件越小越好，但从另一方面讲，静电驱动方式的梁型振子通常是阻抗比较高，缩小电压面积、梁的大小和信号线路宽度，会使阻抗变得更高，这就抵销了通过并联化减少阻抗的效果，使器件的特性劣化。另一方面，流过DC偏置供电线的电流是1nA左右，即使使DC偏置供电线变窄，增加线路阻抗，其影响也极小。因此，使DC偏置供电线的线宽变窄，而减少对地电容，对提高器件的特性非常有利。
在上述实施方式的微振子中，是应用于使多个振子元件并联化构成振子组的情况，但是，即使对于单个振子，也可适用本发明，可将向基板的信号功率的泄漏抑制在最小限度。
另外，在上述的实施方式中使用的是作为下部电极具有输入电极和输出电极的振子元件，但也可使用图12示出的梁作为输入、下部电极作为输出的结构的振子元件。
再者，上例虽然采用2次高次谐波振动模式的振子元件，但也可使用其它振动模式的振子元件。
根据本发明的其它实施方式中，使用上述的微振子，可以构成信号滤波器、混频器、谐振器以及包括这些的SiP(封装内系统)器件模块、SoC(系统在芯片上)器件模块等的半导体装置。
根据本实施方式的半导体装置，通过在作为半导体装置的构成要素的振子中，使用上述信号输出损耗少的微振子，可以提供具有良好的特性且可靠性高的半导体装置。
由上述实施方式的静电驱动型振子组所构成的微振子，可作为高频(RF)滤波器、中频(IF)滤波器等的频带信号滤波器使用。
本发明可提供使用利用了上述实施方式的微振子的滤波器构成的便携式电话、无线LAN装置、无线电收发两用机、电视调谐器、收音机调谐器等利用电磁波进行通信的通信装置。
下面，参照图9说明适用本实例的滤波器的通信装置的结构例。
首先，说明发送系统的结构，将I频道的发送数据和Q频道的发送数据分别提供给数字/模拟转换器(DAC)201I和201Q，转换成模拟信号。所转换的各频道的信号供给到带通滤波器202I和202Q，除去发送信号频带以外的信号分量，将带通滤波器202I和202Q的输出提供给调制器210。
在调制器210中，对每个频道，经缓冲放大器211I和211Q提供给混频器212I和212Q，与对应于发送用的PLL(锁相环)电路203所供给的发送频率的频率信号相混合并调制，用加法器214把两混合信号相加，作为1系统的发送信号。这时，对供给到混频器212I的频率信号，用移相器213将信号相位移动90°，把I频道的信号和Q频道的信号正交调制。
加法器214的输出，经缓冲放大器215供给到功率放大器204，放大为预定的发送功率。用功率放大器204放大后的信号经发送接收切换器205和高频滤波器206供给到天线207，从天线207进行无线发送。高频滤波器206是除去该通信装置中发送和接收的频带以外的信号分量的带通滤波器。
作为接收系统的结构，将用天线207接收的信号经高频滤波器206和发送接收切换器205，供给到高频部220。在高频部220中，用低噪声放大器(LNA)221将接收信号放大后，供给到带通滤波器222，除去接收频带以外的信号分量，将除去后的信号经缓冲放大器223供给到混频器224。并且，与由频道选择用PLL电路251所供给的频率信号相混合，将预定的发送频道的信号作为中频信号，将该中频信号经缓冲放大器225供给到中频电路230。
在中频电路230中，将所供给的中频信号经缓冲放大器225供给到带通滤波器232，除去中频信号的频带以外的信号分量，将除去后的信号供给自动增益调整电路(AGC电路)233，成为基本上恒定的增益信号。用自动增益调整电路233进行增益调整后的中频信号，经缓冲放大器234供给到解调器240。
在解调器240中，经缓冲放大器241将所供给的中频信号供给到混频器242I和242Q，与由中频用PLL电路252所供给的频率信号相混合，解调所接收的I频道的信号分量和Q频道的信号分量。这时，将用移相器243把信号相位移动了90°的频率信号供给I信号用的混频器242I，解调正交调制了的I频道的信号分量和Q频道的信号分量。
解调后的I频道和Q频道的信号，分别经缓冲放大器244I和244Q供给到带通滤波器253I和253Q，除去I频道和Q频道的信号以外的信号分量，将除去后的信号供给模拟/数字转换器(ADC)254I和254Q，经过取样使之成为数字数据，获得I频道的接收数据和Q频道的接收数据。
到此为止所说明的结构中，作为各个带通滤波器202I、202Q、206、222、232、253I和253Q的一部分或全部，可以使用本实例结构的滤波器来限制频带。虽然图9的实例中是将各个滤波器作为带通滤波器构成，但也可以作为只使比预定频率低的频带通过的低通滤波器，只使比预定的频率高的频带通过的高通滤波器构成，这些滤波器中使用本实例的结构的滤波器。另外，图9的实例中虽然是假设为进行无线发送和无线接收的通信装置，但也可以用于通过有线传送线路进行发送和接收的通信装置所具有的滤波器中，还可以用于在只进行发送处理的通信装置或只进行接收处理的通信装置所具备的滤波器中使用本实例结构的滤波器。
根据本实施方式的通信装置，通过在带通滤波器中使用根据本发明的微振子的滤波器，可得到抑制信号输出损耗的良好滤波器特性、且可提供可靠性高的通信装置。
在图9的实例中，虽然是将各个滤波器作为带通滤波器构成，但也可以作为只使比预定频率低的频带通过的低通滤波器，只使比预定的频率高的频带通过的高通滤波器构成，这些滤波器中使用上述实施方式结构的滤波器。另外，在图9的实例中虽然是假设为进行无线发送和无线接收的通信装置，但也可以用于通过有线传送线路进行发送和接收的通信装置所具备的滤波器中，还可以在只进行发送处理的通信装置或只进行接收处理的通信装置所具备的滤波器中使用本实施方式结构的滤波器。
Claims (7)
1.一种微振子，其特征在于，
在基板上形成具有与下部电极对置而进行静电驱动的梁的振子元件，
与上述梁连接的直流偏置供电线的线宽以比上述梁的宽度窄的宽度形成。
2.一种微振子，其特征在于，
在基板上排列具有与下部电极对置而进行静电驱动的梁的多个振子元件，
利用直流偏置供电线连接上述相邻的振子元件的梁，
直流偏置供电线的线宽以比上述梁的宽度窄的宽度形成。
3.根据权利要求2所述的微振子，其特征在于，上述多个振子元件有规则地排列而形成为并联连接的振子组。
4.一种微振子，其特征在于，
在基板上形成有规则地排列具有与下部电极对置而进行静电驱动的梁的多个振子元件而构成的振子组；
在一个方向上相邻的各上述振子元件的梁利用直流偏置供电线相连接；
在与上述一个方向交叉的方向上相邻的上述振子元件的直流偏置供电线之间的间隔设置为比梁之间的间隔大。
5.根据权利要求1、2、3或者4所述的微振子，其特征在于，上述振子元件以2次高次谐波振动模式被激振。
6.一种半导体装置，其特征在于，具有权利要求1至权利要求5的任一项所述的微振子。
7.一种通信装置，具有限制发送信号和/或接收信号频带的滤波器，其特征在于，作为上述滤波器，使用包含根据权利要求1至权利要求5的任一项所述的微振子的滤波器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005025529 | 2005-02-01 | ||
| JP2005025529A JP4617904B2 (ja) | 2005-02-01 | 2005-02-01 | 微小振動子、半導体装置及び通信装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1838532A true CN1838532A (zh) | 2006-09-27 |
| CN100517964C CN100517964C (zh) | 2009-07-22 |
Family
ID=36755913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2006100739466A Expired - Fee Related CN100517964C (zh) | 2005-02-01 | 2006-01-27 | 微振子、半导体装置以及通信装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7352254B2 (zh) |
| JP (1) | JP4617904B2 (zh) |
| KR (1) | KR101305219B1 (zh) |
| CN (1) | CN100517964C (zh) |
| TW (1) | TW200723353A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101931379A (zh) * | 2009-06-19 | 2010-12-29 | 索尼公司 | 共振器及其制造方法、包括该共振器的振荡器和电子设备 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2811163B1 (fr) * | 2000-06-30 | 2002-10-04 | Centre Nat Rech Scient | Filtre nono-electromecanique |
| JP4206904B2 (ja) * | 2003-11-06 | 2009-01-14 | ソニー株式会社 | Ｍｅｍｓ共振器 |
| JP4470606B2 (ja) * | 2004-06-18 | 2010-06-02 | ソニー株式会社 | 高周波素子、並びに通信装置 |
| JP4844526B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2011-12-28 | ソニー株式会社 | 共振器、発振器及び通信装置 |
| JP5081832B2 (ja) * | 2006-10-30 | 2012-11-28 | 三洋電機株式会社 | 静電動作装置 |
| FR2929775B1 (fr) | 2008-04-08 | 2011-12-09 | Commissariat Energie Atomique | Filtre resonant a base de matrice de n/mems |
| US20090315644A1 (en) * | 2008-06-19 | 2009-12-24 | Honeywell International Inc. | High-q disk nano resonator device and method of fabricating the same |
| TWI501380B (zh) * | 2010-01-29 | 2015-09-21 | Nat Chip Implementation Ct Nat Applied Res Lab | 多基板晶片模組堆疊之三維系統晶片結構 |
| US10395446B2 (en) * | 2016-05-04 | 2019-08-27 | Tecat Performance Systems, Llc | Integrated wireless data system for avionics performance indication |
| US10991253B2 (en) * | 2017-05-04 | 2021-04-27 | Timothy James Nixon | Systems and methods for autonomous mobile food preparation and delivery |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4137511A (en) * | 1977-09-13 | 1979-01-30 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Electromechanical filter and resonator |
| US6713938B2 (en) * | 1999-01-14 | 2004-03-30 | The Regents Of The University Of Michigan | Method and apparatus for filtering signals utilizing a vibrating micromechanical resonator |
| US6249073B1 (en) * | 1999-01-14 | 2001-06-19 | The Regents Of The University Of Michigan | Device including a micromechanical resonator having an operating frequency and method of extending same |
| AU2001261036A1 (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-07 | The Regents Of The University Of Michigan | Method and apparatus for upconverting and filtering an information signal utilizing a vibrating micromechanical device |
| JP3651671B2 (ja) * | 2001-08-30 | 2005-05-25 | 株式会社東芝 | マイクロメカニカルスイッチ及びその製造方法 |
| US20030080060A1 (en) * | 2001-10-30 | 2003-05-01 | .Gulvin Peter M | Integrated micromachined filter systems and methods |
| JP4176450B2 (ja) * | 2002-02-13 | 2008-11-05 | 松下電器産業株式会社 | 微小機械振動フィルタ |
| US7312674B2 (en) * | 2002-08-06 | 2007-12-25 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Resonator system with a plurality of individual mechanically coupled resonators and method of making same |
| AU2003282286A1 (en) * | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Transducer and electronic device |
| JP4040475B2 (ja) * | 2003-01-14 | 2008-01-30 | 株式会社東芝 | マイクロメカニカルフィルタ及び携帯型情報端末 |
| CN1836371A (zh) * | 2003-07-02 | 2006-09-20 | 索尼株式会社 | 微机电系统型振荡器及其制造方法,以及滤波器和通信设备 |
-
2005
- 2005-02-01 JP JP2005025529A patent/JP4617904B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-25 TW TW095102719A patent/TW200723353A/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-01-27 CN CNB2006100739466A patent/CN100517964C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-01-30 US US11/344,373 patent/US7352254B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-01-31 KR KR1020060009259A patent/KR101305219B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101305219B1 (ko) | 2013-09-12 |
| TW200723353A (en) | 2007-06-16 |
| US7352254B2 (en) | 2008-04-01 |
| KR20060088493A (ko) | 2006-08-04 |
| TWI308359B (zh) | 2009-04-01 |
| JP2006217073A (ja) | 2006-08-17 |
| CN100517964C (zh) | 2009-07-22 |
| JP4617904B2 (ja) | 2011-01-26 |
| US20060170508A1 (en) | 2006-08-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090722 Termination date: 20160127 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |