CN1828729A - 磁头滑块及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是提供一种受外力作用与记录介质冲突时能够缓和记录介质的损伤的磁头滑块及其制造方法。在滑块基板(11)的前置侧端部(L1)上设有由硬度比滑块基板(11)硬度低的材料形成的冲击吸收层(20)，并在冲击吸收层(20)表面形成突出部(21、21)。这样，作用外力，使滑块基板(11)的前置侧端部(L1)靠近磁盘时，仅突出部(21、21)和磁盘冲突。因此，可以减小磁盘表面产生的凸部的高度和凹部的深度，可以缓和磁盘的损伤。

Description

磁头滑块及其制造方法
技术领域
本发明涉及具有对磁盘等记录介质进行记录用及/或再生用的磁元件的磁头滑块(head-slider)及其制造方法，特别涉及受外力作用且与记录介质冲突时能够缓和记录介质的损伤的磁头滑块及其制造方法。
背景技术
在下述专利文献1中公开了以往的磁头(head)的滑块(slider)。
图26是上述磁头的要部扩大立体图。此外，图26和专利文献1的图2相同。
图26所示滑块200具有：设置在滑块基板201的一端面201a上的磁头元件202、由Ni等良导电材料构成并与磁头元件202电连接的4个(记录用2个、再生用2个)突起(bump)203、以及由氧化铝等绝缘材料构成并覆盖磁头202的保护膜204，从保护膜204露出的突起203的露出部分203a处于和保护膜204的表面为同一平面或者从该表面突出的状态。在和滑块基板201的一端面201a对置的另一端面201b的整个表面形成由氧化铝或者SiO2等的膜构成的、厚度为0.3～1μm的绝缘膜205。
在下述专利文献2中公开了以往的磁头滑块。
在上述磁头滑块的空气流入侧形成锥形(taper)部和凸部，该凸部的表面和上述锥形部的表面处于同一平面。
专利文献1：(日本)特开2001-84543号公报
专利文献2：(日本)特开平11-339416号公报
上述专利文献1所述发明中，在滑块200上作用外力时，滑块200从浮起姿势前后摆动(摇动)约10°。
这里，滑块基板201由Al2O3-TiC等陶瓷(ceramic)材料形成，绝缘膜205由硬度比上述陶瓷材料的硬度小的氧化铝或者SiO2等形成。因此，通过形成滑块200的ABS面的蚀刻工序，虽然图26中未图示，但是，实际上，绝缘膜205的磁盘侧(图示Z1侧)的面，与滑块基板201的磁盘对置面201c相比，处于和磁盘侧相反侧(图示Z2侧)。即，绝缘膜205和滑块基板201之间，产生所谓的凹槽(recess)。此外，绝缘膜205的厚度为0.3～1μm。因此，在滑块200上作用外力，滑块200从浮起姿势摆动的情况下，滑块200中产生凹槽的部分、即滑块基板201的图示X1侧的边缘部201d和磁盘冲突，会产生剧烈损伤磁盘的问题。即，上述专利文献1所述的发明中，滑块200和磁盘冲突时，不能由绝缘膜205缓和磁盘的损伤。
上述专利文献2所述发明中，上述凸部的表面和上述锥形部处于同一平面。此外，上述锥形部和磁头滑块的基板同样由硬质材料形成。因此，在磁头滑块上作用外力并摆动的情况下，不仅上述凸部，上述锥形部也和磁盘冲突，会产生剧烈损伤磁盘的问题。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种受外力作用与记录介质冲突时能够缓和记录介质的损伤的磁头滑块及其制造方法。
本发明的磁头滑块，其具有滑块基板和设置在该滑块基板的后置侧的记录用及/或再生用的磁元件，在上述滑块基板的记录介质对置面设置向记录介质方向突出的ABS面，其中，在与上述滑块基板的后置侧对置一侧的前置侧，以20～40μm的膜厚设置硬度比上述滑块基板的硬度低的冲击吸收层。
本发明中，在滑块基板的前置侧设置冲击吸收层，因此，滑块基板的前置侧接近记录介质时，滑块基板的前置侧不和记录介质冲突，仅冲击吸收层和其冲突。此外，冲击吸收层由硬度比滑块基板的硬度低的材料形成，其膜厚为20～40μm。因此，记录介质表面产生的凸部的高度和凹部的深度，均比以往的、滑块基板的前置侧和记录介质冲突的情况下要小。即，可以缓和记录介质的损伤。
上述情况下，例如上述冲击吸收层用Al2O3或SiO2形成。
或者，本发明的磁头滑块，其具有滑块基板和设置在该滑块基板的后置侧的记录用及/或再生用的磁元件，上述滑块基板的记录介质对置面设置向记录介质方向突出的ABS面，其中，在与上述滑块基板的后置侧对置一侧的前置侧，设置硬度比上述滑块基板的硬度低的冲击吸收层，并且在上述冲击吸收层的表面设置向记录介质方向突出的突出部。
上述情况下，例如上述冲击吸收层用Al2O3或SiO2形成。
另外，上述突出部优选用硬度比上述滑块基板的硬度低的材料形成。
本发明中，突出部向记录介质的方向突出，因此，滑块基板的前置侧接近记录介质时，滑块基板的前置侧不和记录介质冲突，仅突出部和其冲突。此外，本发明中，突出部由硬度比滑块基板的硬度低的材料形成。因此，记录介质表面产生的凸部的高度和凹部的深度，与在滑块基板的前置侧仅设置冲击吸收层的磁头滑块中、冲击吸收层和记录介质冲突的情况下的凸部的高度及凹部的深度相比更小。即，可以进一步缓和记录介质的损伤。
上述情况下，例如上述突出部用Al2O3或SiO2形成。
另外，本发明中，上述冲击吸收层和上述突出部优选用相同材料形成。
这样，在后述制造方法中，可以容易形成突出部。
本发明中，例如可以是上述突出部和上述冲击吸收层分体形成，或者也可以是上述突出部和上述冲击吸收层一体形成。
本发明中，优选使上述突出部比上述滑块基板的前置侧端部的高度位置更向记录介质侧突出。
本发明中，优选上述ABS面的周围被削掉，而形成比上述ABS面更靠近上述滑块的支撑面侧的台阶面。
如果形成台阶面，则在驱动记录介质时，可以容易在磁头滑块和记录介质之间导引空气流。
本发明中，上述ABS面或者上述台阶面的前置侧的边缘部可以位于比上述滑块基板和上述冲击吸收层的接合面更靠近上述滑块基板侧，或者上述ABS面或者上述台阶面的前置侧的边缘部也可以位于比上述滑块基板和上述冲击吸收层的接合面更靠近上述冲击吸收层侧。
另外，本发明中，优选在上述滑块基板的后置侧设置的上述磁元件的保护层的表面，设置向记录介质方向突出的突部。
形成上述突部时，在作用着冲击等外力并且滑块基板的后置侧向下方摆动从而靠近记录介质的情况下，滑块基板的后置侧不和记录介质冲突，仅突部和其冲突。因此，与以往的、滑块基板的后置侧和记录介质冲突的情况相比，可以缓和记录介质的损伤。
本发明的磁头滑块的制造方法，其特征在于，其具有以下工序：
(a)在滑块基板上形成记录用及/或再生用的磁元件，在上述滑块基板的、与形成有上述磁元件的后置侧端面对置的前置侧端面，以20～40μm的膜厚设置硬度比上述滑块基板的硬度低的冲击吸收层的工序；
(b)用遮盖(mask)层覆盖设有上述冲击吸收层的上述滑块基板的记录介质侧的、成为ABS面的区域的工序；
(c)削掉上述滑块基板的记录介质侧的、由上述遮盖层覆盖的区域以外的区域而形成ABS面的工序。
或者，本发明的磁头滑块的制造方法，其特征在于，其具有以下工序：
(d)在滑块基板上形成记录用及/或再生用的磁元件，在上述滑块基板的、与形成有上述磁元件的后置侧端面对置一侧的前置侧端面设置硬度比上述滑块基板的硬度低的冲击吸收层的工序；
(e)在上述冲击吸收层的记录介质对置面形成向记录介质方向突出的突出部的工序；
(f)用遮盖层覆盖设有上述冲击吸收层的上述滑块基板的记录介质侧的、成为ABS面的区域的工序；
(g)削掉上述滑块基板的记录介质侧的、由上述遮盖层覆盖的区域以外的区域而形成ABS面的工序。
本发明中，在上述(e)工序中，上述突出部优选用硬度比上述滑块基板的硬度低的材料形成。
例如上述(e)工序中，上述突出部用Al2O3或SiO2形成。
另外，本发明中，在上述(e)工序中，上述冲击吸收层和上述突出部优选用相同材料形成。
这样，可以容易地形成突出部。
本发明中，在上述(e)工序中，上述突出部和上述冲击吸收层可以分体形成。
或者，在上述(e)工序中，上述突出部和上述冲击吸收层也可以一体形成。
上述突出部和上述冲击吸收层一体形成的情况下，仅通过蚀刻就可以形成突出部，因此，可以容易形成突出部，并且可以容易形成具有突出部的磁头滑块。
另外，本发明中，也可以在上述(f)及(g)工序中在形成上述ABS面的同时形成上述突出部，以取代上述(e)工序。
这样，可以容易并且在短时间内制造突出部和具有突出部的磁头滑块。
本发明中，优选使上述突出部比上述滑块基板的前置侧端部的高度位置更向记录介质侧突出。
本发明中，在上述(b)或者(f)工序中，使上述遮盖层的前置侧的边缘部的位置，可以位于比上述滑块基板和上述冲击吸收层的接合面更靠近上述滑块基板侧，或者，在上述(b)或者(f)工序中，使上述遮盖层的前置侧的边缘部的位置，也可以位于比上述滑块基板和上述冲击吸收层的接合面更靠近上述冲击吸收层侧。
另外，本发明中，在上述(c)或者(g)工序之后，优选具有削掉上述ABS面的周围而形成台阶面的工序。
本发明中，例如上述(a)或者(b)工序中，上述冲击吸收层用Al2O3或SiO2形成。
并且，本发明中，优选在上述滑块基板的后置侧设有覆盖上述磁元件的保护层，并在上述保护层的表面形成向记录介质方向突出的突部。
发明效果如下：
通过本发明的磁头滑块，在受外力作用与记录介质冲突时能够缓和记录介质的损伤。另外，通过本发明的制造方法，可以制造上述磁头滑块。
附图说明
图1是将与磁盘的对置面向上来表示本发明的第1实施方式的磁头滑块的立体图；
图2是表示本发明的磁头滑块从磁盘上浮起瞬间的状态的局部侧视图；
图3是表示磁头滑块和磁盘冲突时的磁盘表面状态的模式图；
图4是表示本发明的第1实施方式的磁头滑块的变形例，是和图1同样的图；
图5是将与磁盘的对置面向上来表示使本发明的第2实施方式的磁头滑块的立体图；
图6是表示本发明的第2实施方式的磁头滑块的变形例，是和图5同样的图；
图7是表示在圆片(wafer)状态的滑块基板上层叠磁元件和电极的状态的立体图；
图8是表示将图7的滑块基板切开而形成的滑块条(slider-bar)的立体图；
图9A～C是沿图1的9-9线切开的剖视图，表示了本发明的第1实施方式的磁头滑块的制造工序；
图10A～C是表示本发明的第1实施方式的磁头滑块的变形例的制造工序的剖视图；
图11A是表示本发明的第2实施方式的磁头滑块的制造工序的剖视图；
图11B是表示本发明的第2实施方式的磁头滑块的制造工序的剖视图；
图11C是表示本发明的第2实施方式的磁头滑块的制造工序的剖视图；
图11D是表示本发明的第2实施方式的磁头滑块的制造工序的剖视图；
图12A是表示本发明的第2实施方式的磁头滑块的其它制造工序的剖视图；
图12B是表示本发明的第2实施方式的磁头滑块的其它制造工序的剖视图；
图12C是表示本发明的第2实施方式的磁头滑块的其它制造工序的剖视图；
图12D是表示本发明的第2实施方式的磁头滑块的其它制造工序的剖视图；
图13是通过图12A～图12D的工序制造的磁头滑块的立体图；
图14A～图14C是表示本发明的第2实施方式的磁头滑块的变形例的制造工序的剖视图；
图15是表示图14A中的抗蚀剂(resist)的覆盖方法的俯视图；
图16是表示抗蚀剂的覆盖方法的变形例的俯视图；
图17A～图17C是表示沿图16的170-170线剖开的剖视图，是表示图16所示工序之后的制造工序的图；
图18是通过图16及图17A～图17C的工序制造的磁头滑块的立体图；
图19A～图19C是表示本发明的第2实施方式的磁头滑块的变形例的其他制造工序的剖视图；
图20是表示通过图19A～图19C的工序形成的本发明的第2实施方式的磁头滑块的变形例的立体图；
图21是表示台阶(step)面的一部分和突出部的底部连接的磁头滑块的立体图；
图22是表示磁头滑块的其他制造方法的剖视图；
图23A及B是表示同时形成突出部和前置(leading)侧ABS面等的情况下的制造工序的局部俯视图；
图24是表示通过图23A及图23B的工序制造的磁头滑块的立体图；
图25是分别针对(i)以往不设冲击吸收层的磁头滑块、(ii)图1及图4所示设有冲击吸收层的磁头滑块、(iii)图5及图6所示设有冲击吸收层并且在冲击吸收层表面形成突出部的磁头滑块，就磁头滑块和磁盘表面冲突时的、上述表面产生的凸部的高度和凹部的深度进行比较的曲线图；
图26是以往磁头的要部扩大立体图。
具体实施方式
图1是表示使本发明的第1实施方式的磁头滑块的和磁盘的对置面向上的立体图，图2是表示本发明的磁头滑块从磁盘浮起瞬间的状态的局部侧视图，图3是表示磁头滑块和磁盘冲突时的磁盘表面状态的模式图。
本发明的磁头滑块10构成磁头装置(未图示)的一部分，如图2所示，在处于与该磁盘D(记录介质)对置的对置面即磁盘对置面(记录介质对置面)11a相反侧的支撑面11b上，例如安装支撑部件，并由该支撑部件弹性支撑。上述支撑部件，由例如板簧的承载梁(load-beam)100和设在其前部的薄板簧的挠性部(flexure)(弹性支撑部件)101构成。
磁头D沿箭头方向开始旋转时，空气流从前置侧端部L1向后置(trailing)侧端部T1流过磁头滑块10的磁盘对置面11a的下方(图示Z2侧)。这里，磁头滑块10的空气流入侧被称为“前置侧”，空气流出侧被称为“后置侧”。
上述空气流从前置侧端部L1向后置侧端部T1流动时，前置侧端部L1以枢轴(pivot)P为摆动支点从磁盘D上向上方(图示Z1侧)抬起，磁头10在磁盘D上浮起，并在浮起状态下在磁盘D上记录磁信号，或者再生记录在磁盘D中的磁信号。
本实施方式的磁头滑块10A具有滑块基板11，滑块基板11由例如氧化铝碳化钛(Alumina-Titan-Carbide)等形成，图示X1-X2方向的长度A为500～2000μm，高度(图示Z1-Z2方向的长度)B为100～500μm。
在滑块基板11的后置侧端部T1上设置有磁元件(仅图示了磁隙(gap)部G1，其它部分未图示)和电极E，该磁元件具有作为再生磁功能部的利用了磁阻效应的薄膜再生元件，以及作为记录磁功能部的感应(inductive)型薄膜记录元件。另外，为保护上述磁元件，设置了厚度H1为30～50μm的由Al2O3等构成的保护层19。这里，保护层19的硬度比滑块基板11的硬度低，因此，后述蚀刻工序中，保护层19被削掉的量比滑块基板11被削掉的量更大。因此，在滑块基板11和保护层19的边界上产生了如图1所示的、由于材料的硬度差而产生的阶差，即所谓的凹槽r1。凹槽r1为0～3μm。
在滑块基板11的前置侧端部L1设有冲击吸收层20。冲击吸收层20由Al2O3或SiO2等硬度比滑块基板11的硬度低的材料形成，其膜厚t1为20～40μm。另外，滑块基板11和冲击吸收层20的边界上，和滑块基板11与保护层19的边界一样，也产生了凹槽r1。
在滑块基板11的磁盘对置面11a上设置具有阶差的前置侧ABS面12和轨面13、13，该前置侧ABS面12向磁盘D方向隆起，该轨面13、13从前置侧ABS面12的宽度方向(图示Y1-Y2方向)的两侧向后置侧(朝向后置侧端部T1的方向，图示X1方向)延伸。
在前置侧ABS面12的前置侧边缘部12a和磁盘对置面11a之间，从磁盘对置面11a隆起形成台阶面14，该台阶面14比前置侧ABS面12低一阶，即，位于比前置侧ABS面12更接近支撑面11b侧(图示Z1侧)的位置。而且，形成台阶面14是为了在驱动磁盘D时，容易向磁头滑块10A和磁盘D之间导入上述空气流。后置侧ABS面15、16具有容易调整用于使磁头滑块10A浮起的正压，并且减小磁头滑块10A到达磁盘D上时的接触面积，从而减小再驱动时的必要转矩(torque)的效果。而且，一方的后置侧ABS面15的表面暴露出上述磁元件的磁隙部G1。
在后置侧ABS面15、16的后置侧边缘部15a、16a和磁盘对置面11a之间，从磁盘对置面11a隆起形成比后置侧ABS面15、16低一阶的台阶面17、18。
接着，就本实施方式的特征部分进行说明。
磁头装置的承载梁100上作用着冲击等外力时，磁头滑块10A以枢轴P为摆动中心从浮起姿势上下摆动。这时，滑块基板11的前置侧端部L1也上下摆动。前置侧端部L1向下方摆动时靠近磁盘D。
本实施方式中，在滑块基板11的前置侧端部L1上设置冲击吸收层20，因此，前置侧端部L1接近磁盘D时，前置侧端部L1不和磁盘D冲突，仅冲击吸收层20和其冲突。此外，冲击吸收层20由硬度比滑块基板11的硬度低的材料形成，其膜厚为20～40μm。因此，磁盘D的表面Da上产生的凸部的高度h和凹部的深度d与以往的前置侧端部L1与磁盘D冲突的情况相比变小。即，可以缓和在磁盘D上形成上述凸部和凹部的情况(以下将这种情况称为“损伤磁盘D”)。
图4表示了本发明的第1实施方式的磁头滑块的变形例，是和图1同样的图。
图4中，和图1所示磁头滑块10A相同的部件等标以相同符号并省略其说明。
图1所示磁头滑块10A中，台阶面14的前置侧边缘部14a与滑块基板11和冲击吸收层20的接合面P1相比位于更靠近滑块基板11侧的位置。对此，本变形例的磁头滑块10B和磁头滑块10A的情况不同，前置侧边缘部14a与接合面P1相比位于更靠近冲击吸收层20侧的位置。而且，磁头滑块10B和磁头滑块10A只在这一点上不同，磁头滑块10B的其它结构和磁头滑块10A相同。
本变形例中的台阶面14具有：设在滑块基板11的磁盘对置面11a上、且与滑块基板11和冲击吸收层20的接合面P1相比更靠近滑块基板11侧的部分14A；以及设在冲击吸收层20的表面、且与接合面P1相比更靠近冲击吸收层20侧的部分14B。此外，滑块基板11和冲击吸收层20的边界上产生凹槽r1，因此，部分14A和部分14B具有阶差。
本变形例的磁头滑块10B和磁头滑块10A的情况相同，磁盘D的表面Da上产生的凸部的高度h和凹部的深度d与以往的滑块基板11的前置侧端部L1与磁盘D冲突的情况相比变小。即，可以缓和磁盘D的损伤。
图5是表示使本发明的第2实施方式的磁头滑块的和磁盘的对置面向上的立体图。
图5中，和图1所示磁头滑块10A相同的部件等标以相同符号并省略其说明。
本实施方式的磁头滑块10C和图1所示磁头滑块10A不同，通过后述制造方法，具有不将冲击吸收层20的一部分削掉，而与其它部分相比以向磁盘D方向隆起的状态残留的柱形残留部20a、20a。此外，此外，在残留部20a、20a的表面，形成柱形且向磁盘D的方向突出的突出部21、21，该突出部21、21和冲击吸收层20作为分别的部件形成。保护层19的表面也形成柱形残留部19a、19a，在残留部19a、19a的表面形成柱形且向磁盘D的方向突出的突部22、22，该突部22、22和保护层19作为分别的部件形成。磁头滑块10C和磁头滑块10A只在这一点上不同，磁头滑块10C的其它结构和磁头滑块10A相同。而且，突出部21、21也可以通过后述制造方法和冲击吸收层20一体形成，突部22、22也可以通过后述制造方法和保护层19一体形成。
突出部21、21由Al2O3或SiO2等硬度比滑块基板11的硬度低的材料形成，具有规定高度a1，并隔开规定的宽度间隔b1形成。突出部21、21的底面21a、21a的高度位置(图示Z1-Z2方向的位置)和前置侧ABS面12、轨面13、13、后置侧ABS面15、16相同。由此，突出部21、21与前置侧ABS面12、轨面13、13、后置侧ABS面15、16、即滑块基板11的最高位置相比，仅向磁盘D的方向突出其高度a1。而且，突出部21、21优选使用和冲击吸收层20相同的材料形成。这样，后述制造方法中，可以很容易形成突出部21、21。
突部22、22也具有规定高度a1，并隔开规定宽度间隔b2形成。而且，突部22、22也可以设置在图1所示磁头滑块10A及图4所示磁头滑块10B的保护层19的表面。
接着，就本实施方式的特征部分进行说明。
磁头装置的承载梁100上作用着冲击等外力时，磁头滑块10C以枢轴P为摆动中心从浮起姿势上下摆动。这时，滑块基板11的前置侧端部L1也上下摆动。前置侧端部L1向下方摆动时靠近磁盘D。
本实施方式中，突出部21、21与滑块基板11的最高位置相比，仅向磁盘D的方向突出其高度a1，因此，滑块基板11的前置侧端部L1接近磁盘D时，前置侧端部L1不和磁盘D冲突，仅突出部21、21和其冲突。此外，本实施方式中，突出部21、21由硬度比滑块基板11的硬度低的材料形成。因此，磁盘D的表面Da上产生的凸部的高度h和凹部的深度d，与图1所示磁头滑块10A及图4所示磁头滑块10B中、冲击吸收层20和磁盘D冲突的情况下的高度h和深度d相比变小。即，可以进一步缓和磁盘D的损伤。
而且，突出部21、21并非必须比滑块基板11的最高位置更向磁盘D的方向突出，只要至少与滑块基板11的前置侧端部L1的高度位置相比更向磁盘D的方向突出即可。
另外，本发明中，优选在保护层19的表面形成向磁盘D的方向突出的突部22、22。形成突部22、22时，在磁头装置的承载梁100上作用冲击等外力且滑块基板11的后置侧端部T1向下方摆动，从而靠近磁盘D的情况下，后置侧端部T1不和磁盘D冲突，仅突部22、22和其冲突。因此，和以往的后置侧端部T1和磁盘D冲突的情况相比，可以缓和磁盘D的损伤。
图6表示了本发明的第2实施方式的磁头滑块的变形例，是和图5同样的图。
本变形例的磁头滑块10D的结构是，在图5所示磁头滑块10C中，台阶面14和图4所示磁头滑块10B中的台阶面14一样，其前置侧边缘部14a与滑块基板11和冲击吸收层20的接合面P1相比位于更靠近冲击吸收层20侧的位置，该台阶面14具有部分14A和部分14B，并且在部分14A和部分14B之间形成阶差。其它结构和图5所示磁头滑块10C相同。因而，省略了本变形例的磁头滑块10D的部件等的说明。
本变形例的磁头滑块10D中，和磁头滑块10C的情况相同，磁盘D的表面Da上产生的凸部的高度h和凹部的深度d，与图1所示磁头滑块10A及图4所示磁头滑块10B中、冲击吸收层20和磁盘D冲突的情况下的高度h和深度d相比变小。即，可以进一步缓和磁盘D的损伤。
接着，就本发明的磁头滑块的制造方法进行说明。
图7是表示在圆片状态的滑块基板上层叠磁元件和电极的状态的立体图，图8是表示将图7的滑块基板切开而形成的滑块条的立体图。
首先，如图7所示，圆片状态的滑块基板11的后置侧端面T10上形成多个记录用及/或再生用的磁元件S(未图示)以及进行和上述磁元件S的导通连接的电极E(图7中仅图示了其中的一部分)，该磁元件S和电极E形成多列。此外，在位于圆片状态的滑块基板11的、和形成磁元件S及电极E的一侧相反侧的前置侧端面L10上，设有冲击吸收层20。冲击吸收层20由Al2O3或SiO2等硬度比滑块基板11的硬度低的材料形成，其膜厚t1为20～40μm。然后，在虚线部分将圆片状态的滑块基板11切断，形成如图8所示的滑块条30。
接着，就图1所示磁头滑块10A的制造方法进行说明。
图9A～C是沿图1的9-9线切开的剖视图，表示了本发明的第1实施方式的磁头滑块的制造工序。而且，图9A及B中，仅抗蚀剂标上了阴影线。
首先，在图8所示的滑块条30的状态下，滑块基板11的磁盘D侧的端面K1中，与将图1所示前置侧ABS面12和轨面13、13以及台阶面14合起来的平面部分相当的位置，由通过抗蚀剂光刻法形成的、和该平面部分的形状相同的抗蚀剂(遮盖(mask)
Figure A20061000937800201
)R1覆盖。即，使抗蚀剂R1的前置侧边缘部R1a的位置与滑块基板11和冲击吸收层20的接合面P1相比更靠近滑块基板11侧。
另外，与将图1所示后置侧ABS面15和台阶面17合起来的平面部分相当的位置，由和该平面部分的形状相同的抗蚀剂R2覆盖，与将后置侧ABS面16和台阶面18合起来的平面部分相当的位置，由和该平面部分的形状相同的抗蚀剂R3覆盖。此外，还包括保护层19及冲击吸收层20在内，将未被抗蚀剂R1、R2、R3覆盖的区域蚀刻。
这样，滑块基板11的一部分上仅削掉δ1。另一方面，在保护层19及冲击吸收层20中，由于保护层19及冲击吸收层20由硬度比滑块基板11的硬度低的材料形成，因此，仅削除比δ1大的δ2。此外，根据这种加工原理，能从图9A的实线表示的形状(除了抗蚀剂)加工为图9B的实线所示的形状(除了抗蚀剂)。
接着，在图9B的实线所示形状(除了抗蚀剂)的状态下，与将图1所示前置侧ABS面12和轨面13、13合起来的平面部分相当的位置，由和该平面部分的形状相同的抗蚀剂R4覆盖。另外，与图1所示后置侧ABS面15相当的位置，由和该平面部分的形状相同的抗蚀剂R5覆盖，与后置侧ABS面16相当的位置，由和该平面部分的形状相同的抗蚀剂覆盖。此外，还包括保护层19及冲击吸收层20在内，将未被抗蚀剂覆盖的区域蚀刻。
这样，以与上述加工原理相同的加工原理，将滑块基板11的一部分及保护层19、冲击吸收层20削掉。通过该工序，能形成前置侧ABS面12、轨面13、13、后置侧ABS面15、16。此外，前置侧ABS面12、轨面13、13、后置侧ABS面15、16的周围被削掉，形成台阶面14、17、18及磁盘对置面11a。即，从图9B的实线所示形状(除了抗蚀剂)加工为在滑块基板11和保护层19的边界及滑块基板11和冲击吸收层20的边界上形成了凹槽r1的图9C的实线所示的形状(除了抗蚀剂)。
如上所述，形成前置侧ABS面12等之后，滑块条30在图8所示虚线部分被切断，可以制造图1所示的磁头滑块10A。所形成的磁头滑块10A的冲击吸收层20的膜厚t1为20～40μm。
接着，就图4所示磁头滑块10B的制造方法进行说明。
图10A～C是表示本发明的第1实施方式的磁头滑块的变形例的制造工序的剖视图。而且，图10A及B中，仅抗蚀剂标上了阴影线。
首先，通过和磁头滑块10A的情况下相同的工序，形成图8所示的滑块条30。
此外，在滑块条30的状态下，滑块基板11的磁盘D侧的端面K1中，与将图4所示前置侧ABS面12和轨面13、13以及台阶面14合起来的平面部分相当的位置，由和该平面部分的形状相同的抗蚀剂R11覆盖。即，使抗蚀剂R11的前置侧边缘部R11a的位置与滑块基板11和冲击吸收层20的接合面P1相比更靠近冲击吸收层20侧。
另外，通过同样的方法以抗蚀剂覆盖与磁头滑块10A的情况下相同的位置。此外，还包括保护层19及冲击吸收层20在内，将未被抗蚀剂覆盖的区域蚀刻。
这样，通过和磁头滑块10A的情况下相同的加工原理，能从图10A的实线表示的形状(除了抗蚀剂)加工为图10B的实线所示的形状(除了抗蚀剂)。
接着，在图10B的实线所示形状(除了抗蚀剂)的状态下，通过同样的方法以抗蚀剂覆盖与磁头滑块10A的情况下相同的位置。此外，还包括保护层19及冲击吸收层20在内，将未被抗蚀剂覆盖的区域蚀刻。
这样，以与上述加工原理相同的加工原理，将滑块基板11的一部分及保护层19、冲击吸收层20削掉。通过该工序，能形成前置侧ABS面12、轨面13、13、后置侧ABS面15、16。此外，前置侧ABS面12、轨面13、13、后置侧ABS面15、16的周围被削掉，并形成台阶面14、17、18及磁盘对置面11a。即，能从图10B的实线所示形状(除了抗蚀剂)加工为台阶面14具有部分14A和部分14B的图10C的实线所示的形状(除了抗蚀剂)。
如上所述，形成前置侧ABS面12等之后，滑块条30在图8所示虚线部分被切断，可以制造图4所示的磁头滑块10B。所形成的磁头滑块10B的冲击吸收层20的膜厚t1为20～40μm。
接着，就图5所示磁头滑块10C的制造方法进行说明。
图11A～11D是表示本发明的第2实施方式的磁头滑块的制造工序的剖视图。而且，图11A～图11D中，仅低硬度层、抗蚀剂及突出部标上了阴影线等。
首先，通过和磁头滑块10A、10B的情况下相同的工序，形成图8所示的滑块条30。
此外，如图11A所示，在滑块条30的磁盘D侧的整个端面，以规定膜厚a0设置由Al2O3或SiO2等硬度比滑块基板11的硬度低的材料形成的低硬度层40。而后，以抗蚀剂R7覆盖低硬度层40的表面中对应保护层19的规定位置，以抗蚀剂R8覆盖对应冲击吸收层20的规定位置。此外，低硬度层40中，将未被抗蚀剂R7、R8覆盖的区域蚀刻，并将该区域的低硬度层40全部削掉。这样，成为图11B的实线所示形状(除了抗蚀剂)，即，在冲击吸收层20的表面形成和冲击吸收层20作为分别的部件形成的具有高度a0的突出部21，在保护层19的表面形成和保护层19作为分别的部件形成的具有高度a0的突部22。
然后，和磁头滑块10A的情况相同，以抗蚀剂覆盖规定位置，并蚀刻未被抗蚀剂覆盖的区域。这样，通过与磁头滑块10A的情况下相同的加工原理，形成前置侧ABS面12、轨面13、13、后置侧ABS面15、16。此外，前置侧ABS面12、轨面13、13、后置侧ABS面15、16的周围被削掉，形成台阶面14、17、18及磁盘对置面11a。另外，突出部21及突部22的高度也从a0削减为a1。即，从图11B的实线所示形状(除了抗蚀剂)经由图11C的实线所示形状(除了抗蚀剂)加工为图11D的实线所示的形状。
如上所述，形成前置侧ABS面12等之后，滑块条30在图8所示虚线部分被切断，可以制造图5所示的磁头滑块10C。所形成的磁头滑块10C的冲击吸收层20的膜厚t1为20～40μm。
而且，突出部21、21优选由和冲击吸收层20相同的材料形成。这样，可以很容易形成突出部21、21。
图12A～图12D是表示本发明的第2实施方式的磁头滑块的其它制造工序的剖视图。而且，图12A～图12D中，仅抗蚀剂标上了阴影线。
本制造方法中，和图11A～图11D的情况不同，首先，以仅比图11A～图11D的情况厚a0的厚度形成滑块条30。形成为仅比其厚a0的状态为图12A的实线所示的形状(除了抗蚀剂)。
然后，以抗蚀剂R9覆盖保护层19表面的规定位置，以抗蚀剂R10覆盖冲击吸收层20表面的规定位置。此外，将未被抗蚀剂R9、R10覆盖的区域蚀刻，成为图12B的实线所示的形状(除了抗蚀剂)。由此，保护层19的一部分成为向磁盘D方向突出的突部22，冲击吸收层20的一部分成为向磁盘D方向突出的突出部21。
然后，和图11B～图11D的情况相同，以抗蚀剂覆盖规定位置，并蚀刻未被抗蚀剂覆盖的区域。这样，通过和图11B～图11D的情况下相同的加工原理，形成前置侧ABS面12、轨面13、13、后置侧ABS面15、16。此外，前置侧ABS面12、轨面13、13、后置侧ABS面15、16的周围被削掉，形成台阶面14、17、18及磁盘对置面11a。即，从图12B的实线所示形状(除了抗蚀剂)经由图12C的实线所示形状(除了抗蚀剂)加工为图12D的实线所示的形状。
如上所述，形成前置侧ABS面12等之后，滑块条30在图8所示虚线部分被切断，可以制造图13所示的磁头滑块10C。图13是通过图12A～图12D的工序制造的磁头滑块10E的立体图。所形成的磁头滑块10E的冲击吸收层20的膜厚t1为20～40μm。
本制造方法中，可以仅通过蚀刻形成突出部21，因此，可以很容易形成突出部21，并且可以很容易形成具有突出部21的磁头滑块10C。
接着，就图6所示磁头滑块10D的制造方法进行说明。
图14A～C是表示本发明的第2实施方式的磁头滑块的变形例的制造工序的剖视图。而且，图14A～图14C中，仅抗蚀剂及突出部标上了阴影线。
首先，通过和磁头滑块10A～10C的情况下相同的工序，形成图8所示的滑块条30。此外，以和图11A所示工序相同的工序，以规定膜厚a0设置由Al2O3或SiO2等硬度比滑块基板11的硬度低的材料形成的低硬度层40。而后，使用抗蚀剂通过蚀刻成为图14A的实线所示形状(除了抗蚀剂)，即，在冲击吸收层20的表面形成和冲击吸收层20作为分别的部件形成的具有高度a0的突出部21，在保护层19的表面形成和保护层19作为分别的部件形成的具有高度a0的突部22。
然后，和磁头滑块10B的情况相同，以抗蚀剂覆盖规定位置。即，和图11B的情况不同，如图14A所示，抗蚀剂R11的前置侧边缘部R11a的位置与滑块基板11和冲击吸收层20的接合面P1相比更靠近冲击吸收层20侧。此外，蚀刻未被这些抗蚀剂覆盖的区域。这样，通过和图10A～图10C及图11A～图11D的情况下相同的加工原理，形成前置侧ABS面12、轨面13、13、后置侧ABS面15、16。此外，前置侧ABS面12、轨面13、13、后置侧ABS面15、16的周围被削掉，形成台阶面14、17、18及磁盘对置面11a。另外，突出部21及突部22的高度也从a0削减为a1。即，从图14A的实线所示形状(除了抗蚀剂)经由图14B的实线所示形状(除了抗蚀剂)，加工为台阶部14具有部分14A和部分14B的图14C的实线所示的形状。
如上所述，形成前置侧ABS面12等之后，滑块条30在图8所示虚线部分被切断，可以制造图6所示的磁头滑块10D。
而且，突出部21、21优选由和冲击吸收层20相同的材料形成。这样，可以很容易形成突出部21、21。
这里，上述制造工序中的图14A所示的工序中，也可以改变以抗蚀剂R11覆盖的部分。
图15是表示图14A中的抗蚀剂的覆盖方法的俯视图，图16是表示抗蚀剂的覆盖方法的变形例的俯视图，图17A～C是表示沿图16的170-170线切开的剖视图，是表示图16所示工序之后的制造工序的图。而且，图17A～C中，仅抗蚀剂及突出部标上了阴影线。
本变形例中，在图14A所示的工序中，如图16所示，以平面形状和抗蚀剂R11不同的抗蚀剂R110覆盖规定位置。
抗蚀剂R110的平面形状，是在和图15所示的抗蚀剂R11同样形状的U字形状上，如图16所示，是具有朝向突出部21、21的延长部分R110a、R110b的形状。延长部分R110a、R110b在宽度方向的两端形成，如图16及图17所示，其前端部到达突出部21、21的底部，延长部分R110a、R110b和突出部21、21接触。
覆盖了抗蚀剂R110之后，和图14B及C的工序相同，蚀刻未被抗蚀剂R110等覆盖的区域。这样，通过和图14B及C的情况下相同的加工原理，从图17A的实线所示形状(除了抗蚀剂)经由图17B的实线所示形状(除了抗蚀剂)，加工为台阶部14具有部分14A和部分14B的图17C的实线所示的形状。
如上所述，形成前置侧ABS面12等之后，滑块条30在图8所示虚线部分被切断，可以制造图18所示的磁头滑块10D1。图18是通过图16及图17A～C的工序制造的磁头滑块10D1的立体图。
磁头滑块10D1，如图17C所示，和图14所示的磁头滑块10D不同，台阶面14的部分14B被连接到位于突出部21、21下方的冲击吸收层20的突出部分的底部。
图19A～C是表示本发明的第2实施方式的磁头滑块的变形例的其他制造工序的剖视图，图20是表示通过图19A～C的工序形成的本发明的第2实施方式的磁头滑块的变形例的立体图。而且，图19A～C中，仅抗蚀剂及突出部标上了阴影线等。
本制造方法中，首先，通过上述图12A所示工序，以冲击吸收层20的一部分作为突出部21，以保护层19的一部分作为突部22，成为图19A的实线所示形状(除了抗蚀剂)。然后，通过和图14A及B所示工序相同的工序，成为图19C所示形状。
通过上述工序形成前置侧ABS面12等之后，滑块条30在图8所示虚线部分被切断，可以制造图20所示的磁头滑块10F。所形成的磁头滑块10F的冲击吸收层20的膜厚t1为20～40μm。
本制造方法中，可以仅通过蚀刻形成突出部21，因此，可以很容易形成突出部21，并且可以很容易形成具有突出部21的磁头滑块10D。
而且，如上所述，即使在突出部21和冲击吸收层20一体形成、突部22和保护层19一体形成的情况下，也可以如图16所示，使由抗蚀剂覆盖的部分改变，通过和图17A～C相同的工序，制造如图21所示的、台阶面14的部分14B和突出部21、21的底部连接的磁头滑块10D2。图21是磁头滑块10D2的立体图。
上述图11、12、14、17、19所示工序中，在形成前置侧ABS面12等之前，设置突出部21及突部22。但是，也可以在形成前置侧ABS面12等之后，再形成突出部21及突部22。
图22是表示磁头滑块的其他制造方法的剖视图。而且，图22中，仅抗蚀剂及低硬度层标上了阴影线等。
例如，在和磁盘D对置一侧形成前置侧ABS面12和台阶面14，在成为图22的实线所示形状(未进行蚀刻等的部分的形状，即和图9C相同的形状)后，在前置侧ABS面12等的整个表面，通过和图11A相同的工序，设置低硬度层40。然后，通过使用抗蚀剂R7、R8的蚀刻，在冲击吸收层20的表面形成突出部21，在保护层19的表面形成突部22。
在上述图11、12、14、17、19、22所示工序中，突出部21和前置侧ABS面12等以不同工序形成。但是，突出部21和前置侧ABS面12等也可以同时形成。
图23A及B是表示同时形成突出部和前置侧ABS面等的情况下的制造工序的局部俯视图，图24是表示通过图23A及B的工序制造的磁头滑块的立体图。
首先，如图23A所示，以和图16所示抗蚀剂R110相同的形状，覆盖有具有在宽度方向上形成的部分R20a、R20b的抗蚀剂R20。然后，将未被抗蚀剂R20覆盖的部分蚀刻。蚀刻后，除了对应台阶面14的部分以外，覆盖有和图23A所示形状相同形状的抗蚀剂R21。此外，将未被抗蚀剂R21覆盖的部分蚀刻。而且，图23A及B中省略的后置侧，可以由和图14B及C相同的工序加工，形成后置侧ABS面15等。这样，可以制造图24所示的磁头滑块10G。所形成的磁头滑块10G的冲击吸收层20的膜厚t1为20～40μm。
磁头滑块10G中，前置侧ABS面12具有在宽度方向上形成的、在图示X2方向延伸的延伸部分12A、12B，延伸部分12A、12B双方的前端部12A1、12B1，和冲击吸收层20的一部分在3个方向上峭立而隆起形成的突出部20c、20c成为一体。延伸部分12A、12B双方的前端部12A1、12B1和突出部20c、20c成为一体，因此，突出部20c、20c还可以用作正压产生面。即，通常，前置侧端部L1附近形成突出部20c、20c之类的突出部时，流入的空气流由于该突出部而产生紊流。但是，由于突出部20c、20c还可以用作正压产生面，因此，可以防止上述紊流的产生。
另外，通过图23A及B所示的制造方法，突出部20c、20c可以和前置侧ABS面12同时形成。因此，可以容易并且在短时间内制造突出部20c、20c和具有突出部20c、20c的磁头滑块10E。
而且，图11、12、14、17、19、22、23所示工序中，保护层19的表面形成突部22，但是，突部22也可以在图9、图10所示工序中形成。
实施例
图25是分别对(i)以往的不设冲击吸收层的磁头滑块、(ii)图1及图4所示设置有冲击吸收层的磁头滑块、(iii)图5及图6所示设置有冲击吸收层并且在冲击吸收层表面形成突出部的磁头滑块，就和磁盘表面冲突时的、上述磁盘表面产生的凸部的高度h和凹部的深度d进行比较的曲线图。凸部的高度h以正值表示，凹部的深度d以负值表示。而且，试验进行多次，图25中的各值是多次进行的各试验的值的平均值。
从图25来看，关于凸部的高度h，(i)以往的不设冲击吸收层的磁头滑块中，h＝0.0232m，(ii)图1及图4所示设置有冲击吸收层的磁头滑块中，h＝0.015μm，(iii)图5及图6所示设置有冲击吸收层并且在冲击吸收层表面形成突出部的磁头滑块中，h＝0.011μm。另一方面，关于凹部的深度d，(i)以往的不设冲击吸收层的磁头滑块中，d＝-0.3321μm，(ii)图1及图4所示设置有冲击吸收层的磁头滑块中，d＝-0.23μm，(iii)图5及图6所示设置有冲击吸收层并且在冲击吸收层表面形成突出部的磁头滑块中，d＝-0.157μm。即，凸部的高度h的绝对值以及凹部的深度d的绝对值双方，(ii)的情况与(i)的情况相比更小，并且，(iii)的情况与(ii)的情况相比更小。由此可知，设置有冲击吸收层的情况((ii)、(iii)的情况)与以往的不设冲击吸收层的情况相比，可以缓和磁盘D的损伤。另外，设置有冲击吸收层并且在冲击吸收层表面形成突出部的情况((iii)的情况)与仅设置有冲击吸收层的情况((ii)的情况)相比，可以进一步缓和磁盘D的损伤。
另外，像图26所示以往的磁头滑块一样，使设在滑块基板的前置侧的绝缘膜205的厚度为1μm时，凸部的高度h及凹部的深度d和(i)以往的不设冲击吸收层的磁头滑块中的凸部的高度h及凹部的深度d相等。即，像绝缘膜205一样，厚度薄仅为1μm时，并不能缓和磁盘D的损伤。由此，如本发明所述，通过使冲击吸收层20的膜厚为20～40μm，可以缓和磁盘D的损伤。

Claims (32)

1、一种磁头滑块，其特征在于，具有滑块基板和设置在该滑块基板的后置侧的记录用及/或再生用的磁元件，上述滑块基板的记录介质对置面设有向记录介质方向突出的ABS面，在与上述滑块基板的后置侧对置一侧的前置侧，以20～40μm的膜厚设置有硬度比上述滑块基板的硬度低的冲击吸收层。
2、如权利要求1所述的磁头滑块，其特征在于：上述冲击吸收层用Al2O3或SiO2形成。
3、一种磁头滑块，其特征在于，具有滑块基板和设置在该滑块基板的后置侧的记录用及/或再生用的磁元件，上述滑块基板的记录介质对置面设置向记录介质方向突出的ABS面，在与上述滑块基板的后置侧对置一侧的前置侧，设有硬度比上述滑块基板的硬度低的冲击吸收层，并且在上述冲击吸收层的表面设有向记录介质方向突出的突出部。
4、如权利要求3所述的磁头滑块，其特征在于：上述冲击吸收层用Al2O3或SiO2形成。
5、如权利要求3或4所述的磁头滑块，其特征在于：上述突出部用硬度比上述滑块基板的硬度低的材料形成。
6、如权利要求5所述的磁头滑块，其特征在于：上述突出部用Al2O3或SiO2形成。
7、如权利要求3所述的磁头滑块，其特征在于：上述冲击吸收层和上述突出部用相同材料形成。
8、如权利要求3所述的磁头滑块，其特征在于：上述突出部和上述冲击吸收层分体形成。
9、如权利要求3所述的磁头滑块，其特征在于，上述突出部和上述冲击吸收层一体形成。
10、如权利要求3所述的磁头滑块，其特征在于，使上述突出部比上述滑块基板的前置侧端部的高度位置更向记录介质侧突出。
11、如权利要求1或3所述的磁头滑块，其特征在于，上述ABS面的周围被削掉，而形成比上述ABS面更靠近上述滑块的支撑面侧的台阶面。
12、如权利要求11所述的磁头滑块，其特征在于，上述ABS面或者上述台阶面的前置侧的边缘部位于比上述滑块基板和上述冲击吸收层的接合面更靠近上述滑块基板侧。
13、如权利要求11所述的磁头滑块，其特征在于，上述ABS面或者上述台阶面的前置侧的边缘部位于比上述滑块基板和上述冲击吸收层的接合面更靠近上述冲击吸收层侧。
14、如权利要求1所述的磁头滑块，其特征在于，在上述滑块基板的后置侧设置的上述磁元件的保护层的表面，设有向记录介质方向突出的突部。
15、一种磁头滑块的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
(a)在滑块基板上形成记录用及/或再生用的磁元件，在上述滑块基板的、与形成有上述磁元件的后置侧端面对置的前置侧端面，以20～40μm的膜厚设置硬度比上述滑块基板的硬度低的冲击吸收层的工序；
(b)用遮盖层覆盖设有上述冲击吸收层的上述滑块基板的记录介质侧的、成为ABS面的区域的工序；
(c)削掉上述滑块基板的记录介质侧的、由上述遮盖层覆盖的区域以外的区域而形成ABS面的工序。
16、一种磁头滑块的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
(d)在滑块基板上形成记录用及/或再生用的磁元件，在上述滑块基板的、与形成有上述磁元件的后置侧端面对置的前置侧端面设置硬度比上述滑块基板的硬度低的冲击吸收层的工序；
(e)在上述冲击吸收层的记录介质对置面上形成向记录介质方向突出的突出部的工序；
(f)用遮盖层覆盖设有上述冲击吸收层的上述滑块基板的记录介质侧的、成为ABS面的区域的工序；
(g)削掉上述滑块基板的记录介质侧的、由上述遮盖层覆盖的区域以外的区域而形成ABS面的工序。
17、如权利要求16所述的磁头滑块的制造方法，其特征在于，在上述(e)工序中，用硬度比上述滑块基板的硬度低的材料形成上述突出部。
18、如权利要求17所述的磁头滑块的制造方法，其特征在于，上述(e)工序中，用Al2O3或SiO2形成上述突出部。
19、如权利要求16所述的磁头滑块的制造方法，其特征在于，上述(e)工序中，用相同材料形成上述冲击吸收层和上述突出部。
20、如权利要求16所述的磁头滑块的制造方法，其特征在于，在上述(e)工序中，上述突出部和上述冲击吸收层分体形成。
21、如权利要求16所述的磁头滑块的制造方法，其特征在于，在上述(e)工序中，上述突出部和上述冲击吸收层一体形成。
22、如权利要求16所述的磁头滑块的制造方法，其特征在于，在上述(f)及(g)工序中，在形成上述ABS面的同时形成上述突出部，以取代上述(e)工序。
23、如权利要求16所述的磁头滑块的制造方法，其特征在于，使上述突出部比上述滑块基板的前置侧端部的高度位置更向记录介质侧突出。
24、如权利要求15所述的磁头滑块的制造方法，其特征在于，在上述(b)工序中，使上述遮盖层的前置侧的边缘部的位置，位于比上述滑块基板和上述冲击吸收层的接合面更靠近上述滑块基板侧。
25、如权利要求15所述的磁头滑块的制造方法，其特征在于，在上述(b)工序中，使上述遮盖层的前置侧的边缘部的位置，位于比上述滑块基板和上述冲击吸收层的接合面更靠近上述冲击吸收层侧。
26、如权利要求15所述的磁头滑块的制造方法，其特征在于，在上述(c)工序之后，具有削掉上述ABS面的周围而形成台阶面的工序。
27、如权利要求15所述的磁头滑块的制造方法，其特征在于，上述(a)工序中，上述冲击吸收层用Al2O3或SiO2形成。
28、如权利要求15所述的磁头滑块的制造方法，其特征在于，在上述滑块基板的后置侧设有覆盖上述磁元件的保护层，并在上述保护层的表面形成向记录介质方向突出的突部。
29、如权利要求16所述的磁头滑块的制造方法，其特征在于，在上述(f)工序中，使上述遮盖层的前置侧的边缘部的位置，位于比上述滑块基板和上述冲击吸收层的接合面更靠近上述滑块基板侧。
30、如权利要求16所述的磁头滑块的制造方法，其特征在于，在上述(f)工序中，使上述遮盖层的前置侧的边缘部的位置，位于比上述滑块基板和上述冲击吸收层的接合面更靠近上述冲击吸收层侧。
31、如权利要求16所述的磁头滑块的制造方法，其特征在于，在上述(g)工序之后，具有削掉上述ABS面的周围而形成台阶面的工序。
32、如权利要求16所述的磁头滑块的制造方法，其特征在于，上述(g)工序中，上述冲击吸收层用Al2O3或SiO2形成。
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