CN1819745A - 化学蚀刻法制作双面接入的单面挠性印制板 - Google Patents
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Abstract
本发明化学蚀刻法制作双面接入的单面挠性印制板属于印刷电路领域,单面基材为无胶单面铜箔基材,基材厚度为0.0125mm-0.050mm,铜箔厚度为0.018mm-0.035mm,聚酰亚胺蚀刻保护层制作是在聚酰亚胺面上涂覆一层保护层,蚀刻聚酰亚胺前先利用热的自来水处理聚酰亚胺薄膜,然后将聚酰亚胺薄膜置于蚀刻液中,从蚀刻液中取出后在80-95℃左右的水中清洗,再用水清洗,去除聚酰亚胺蚀刻保护层,适合制作精细线宽/间距的双面连接单面挠性板,直接选用单面基材,无需层压铜箔,缩短工艺流程。
Description
技术领域
本发明化学蚀刻法制作双面接入的单面挠性印制板属于印刷电路领域。
背景技术
双面接入的单面挠性板是只包含一个导电层,但连接盘接口在导线的正面和背面均可连接。挠性印制板是由两层绝缘材料和一层金属导体制成。被用在需要覆盖层与周围装置相互绝缘,并自身又要相互绝缘,末端又需要正、反面都连接的场合。
目前制作双面连接的单面挠性板的方法主要有传统制作法(预先冲制法)、激光法、等离子体法和化学蚀刻法,传统制作法不能制作高密度的引线,激光法和等离子体法需较大的设备投入,化学蚀刻的方法,对蚀刻液和蚀刻工艺有很高的要求。各种方法均有其特点,有其应用的局限性。
传统的制作工艺首先是在带有胶层的基底膜上冲设计图案,接着在基底膜上层压铜箔,蚀刻制作电路图形。基于终端应用技术的需求,在裸铜上涂覆合适的金属层。
双面连接单面挠性板的传统制作工艺流程如附图3所示:带有胶层的基底膜1→冲裁2→层压铜箔3→表面处理→图形转移→显影→蚀刻铜4→层压保护膜。
高密度互连结构的双面连接的单面挠性板的导线间距越来越窄、导线的宽度越来越精细,加工技术难度系数越来越高,采用传统的化学蚀刻法制作方法难以满足导线尺寸和精度的要求。
发明内容
本发明的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种采用化学蚀刻聚酰亚胺(PI)的方法来制作双面连接的单面挠性板,以满足精细手指的尺寸和位置精度的要求。
化学蚀刻法即是利用化学蚀刻液将需要去掉的绝缘材料从基材上去掉,制作出合适的电路图形。挠性印制板常用的基材有聚酯和聚酰亚胺(PI),用的较多的是聚酰亚胺类材料。本发明是选用聚酰亚胺类材料来制作双面连接单面挠性板。
化学蚀刻法制作双面连接单面挠性板是首先制作普通单面板,再通过图形转移制作窗口,蚀刻掉不含有导体部分的聚酰亚胺膜,形成无支撑的接线端导体,蚀刻时要求侧蚀尽量少,当它们与半导体连接或弯曲与另一个导体层相连时,周边的支撑壁就可以与柱形引线垂直来对引线提供足够的支持。
双面连接单面挠性板的制作工艺流程:
单面基材(1)→图形转移(2)→蚀刻铜(3)→层压保护膜(4)→聚酰亚胺蚀刻保护层制作(5)→蚀刻聚酰亚胺(6)→去除聚酰亚胺蚀刻保护层(7)→表面镀覆(8)→冲制外形(9),其中单面基材(1)为无胶单面铜箔基材,基材厚度为0.0125mm-0.050mm,铜箔厚度为0.018mm-0.035mm,聚酰亚胺蚀刻保护层制作(5)是在聚酰亚胺面上涂覆一层保护层,用来保护聚酰亚胺不被蚀刻掉,该保护层要求开有窗口,将需要蚀刻聚酰亚胺的地方露出来;蚀刻聚酰亚胺(6)工艺为蚀刻前先利用温度为80-95℃的热水处理聚酰亚胺薄膜,时间为0.5-5分钟,然后将聚酰亚胺薄膜置于蚀刻液中,蚀刻反应温度为70-90℃,蚀刻时间依材料的厚度和种类而定,从蚀刻液中取去后在80-95℃左右的热自来水中清洗,再用常温或冷自来水清洗,去除聚酰亚胺蚀刻保护层(7)。
其中图形转移(2)、蚀刻铜(3)、层压保护膜(4)、表面镀覆(8)、冲制外形(9)等制作工艺与常规挠性印制板相同。
在制作双面连接单面挠性板方面,化学蚀刻法与传统方法相比,有以下优缺点:
(1)适合制作精细线宽/间距的双面连接单面挠性板;
(2)适合制作位置高精度要求的金手指;
(3)不需制作模具冲裁基底膜,降低制作成本;
(4)直接选用单面基材,无需层压铜箔,缩短工艺流程;
附图说明
附图1是无胶材料结构图。
附图2是双面接入的单面挠性板的结构图。
附图3是双面连接单面挠性板的传统制作工艺图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明。
双面连接单面挠性板的制作工艺流程:
单面基材如附图1所示,铜箔5和聚酰亚胺6构成单面基材(1)→图形转移(2)→蚀刻铜(3)→层压保护膜(4)→聚酰亚胺蚀刻保护层制作(5)→蚀刻聚酰亚胺(6)→去除聚酰亚胺蚀刻保护层(7)→表面镀覆(8),采用上述工艺流程制作双面连接单面挠性板。
如附图2所示,聚酰亚胺6,铜箔7,涂覆层8和保护膜9,其中单面基材(1)为无胶单面铜箔基材,基材厚度为0.0125mm-0.050mm,铜箔厚度为0.018mm-0.035mm,其中图形转移(2)、蚀刻铜(3)、层压保护膜(4)、表面镀覆(8)、冲制外形(9)等制作工艺与常规挠性印制板相同。聚酰亚胺蚀刻保护层制作(5)是在聚酰亚胺面上涂覆一层保护层,用来保护聚酰亚胺不被蚀刻掉,该保护层要求开有窗口,将需要蚀刻聚酰亚胺的地方露出来;蚀刻聚酰亚胺(6)工艺为蚀刻前先利用热的自来水处理聚酰亚胺薄膜,温度为80-95℃,时间为0.5-5分钟,然后将聚酰亚胺薄膜置于蚀刻液中,蚀刻反应温度为70-90℃,蚀刻时间依材料的厚度和种类而定,从蚀刻液中取去后在80-95℃左右的热自来水中清洗,再用常温自来水清洗,去除聚酰亚胺蚀刻保护层(7)。
Claims (2)
1、一种化学蚀刻法制作双面接入的单面挠性印制板,单面基材(1)→图形转移(2)→蚀刻铜(3)→层压保护膜(4)→聚酰亚胺蚀刻保护层制作(5)→蚀刻聚酰亚胺(6)→去除聚酰亚胺蚀刻保护层(7)→表面镀覆(8)→冲制外形(9),其特征是单面基材为无胶单面铜箔基材,基材厚度为0.0125mm-0.050mm,铜箔厚度为0.018mm-0.035mm,聚酰亚胺蚀刻保护层制作是在聚酰亚胺面上涂覆一层保护层,蚀刻聚酰亚胺前先利用温度为80-95℃的热水处理聚酰亚胺薄膜,时间为0.5-5分钟,然后将聚酰亚胺薄膜置于蚀刻液中,蚀刻反应温度为70-90℃,从蚀刻液中取去后在80-95℃的水中清洗,再用水清洗,去除聚酰亚胺蚀刻保护层。
2、根据权利要求1所述的化学蚀刻法制作双面接入的单面挠性印制板,其特征是保护层要求开有窗口。
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CN 200610033800 CN1819745A (zh) | 2006-02-20 | 2006-02-20 | 化学蚀刻法制作双面接入的单面挠性印制板 |
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Publications (1)
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WO2012122684A1 (zh) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | 珠海元盛电子科技股份有限公司 | 一种用于制作银行卡图案的挠性印刷电路板的制作方法 |
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CN114071886A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-02-18 | 深圳市百柔新材料技术有限公司 | 一种Mini-LED基板精密线路的制作方法 |
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2006
- 2006-02-20 CN CN 200610033800 patent/CN1819745A/zh active Pending
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