CN1816415A - 使用表面活性剂薄膜进行激光加工 - Google Patents

Abstract

待激光加工的工件(12)的一个表面受到表面活性剂薄膜(11)的保护，避免在使用激光束(14)进行的激光加工中所产生的碎屑(15)对该表面的粘附。优选地，该表面活性剂薄膜随后连同沉积其上的碎屑(151)一并被去除。

Description

使用表面活性剂薄膜进行激光加工

本发明涉及使用表面活性剂薄膜来减少激光加工碎屑对被加工工件的粘附。

在例如晶片衬底的激光加工中，从加工区去掉的一些材料例如激光切割边缘的碎屑，沉积在晶片衬底的被加工表面上。在激光加工过程中，从加工区排出的材料为熔化或气态形式的，并在加工过程中以及加工过程之后由于冷却而粘附在晶片衬底的表面上。这些粘附的碎屑，例如在碎屑与表面接触后冷却并再凝固时可能会损坏晶片衬底表面上的热敏电子线路。这种再凝固的碎屑，由于其粘附特性，使用常规的晶片清除技术很难从晶片衬底的表面上清除掉。

本发明的一个目的就是至少对现有技术中存在的问题进行改进。

根据本发明的第一实施方式提供了一种激光加工工件的方法，包括以下步骤：将表面活性剂分配到待激光加工工件的一个表面上，以便提供一种表面活性剂薄膜从而减少在激光加工过程中所产生的碎屑对该表面的粘附；和从工件表面进行激光加工。

较便利的是，在预清洗工件时分配表面活性剂。

优选地，该方法还包括在激光加工工件前使表面活性剂薄膜至少部分干燥的步骤。

有利地，分配表面活性剂的步骤包括在工件被激光加工前将表面活性剂以批处理的方式分配到多个工件表面上。

有利地，该方法还包括在激光加工后去除表面活性剂薄膜以及在激光加工中沉积在其上的碎屑。

便利地，分配表面活性剂的步骤包括分配一种可溶于一种溶剂中的表面活性剂，而工件不能溶解在该溶剂中，其中除去表面活性剂薄膜的步骤包括将表面活性剂薄膜溶解在该溶剂中。

有利地，该溶剂是水。

有利地，激光加工工件的步骤包括至少对工件进行激光划线、激光切割和激光钻孔之一。

便利地，激光加工工件的步骤包括激光加工多层工件。

便利地，多层工件包括半导体晶片和与构成晶片工作区的相关层。

便利地，分配表面活性剂的步骤包括将表面活性剂薄膜喷涂在表面上。

可选地，分配表面活性剂的步骤包括将表面活性剂薄膜刮涂(knife-edge depositing)在表面上。

可选地，分配表面活性剂的步骤包括将表面活性剂薄膜通过辊涂在表面上。

可选地，分配表面活性剂的步骤包括将工件表面浸入在活性剂溶液中。

便利地，分配表面活性剂的步骤包括将成批待加工的晶片浸渍在表面活性剂溶剂中。

优选地，分配表面活性剂的步骤包括分配阴离子、非离子或两性表面活性剂。

优选地，分配表面活性剂的步骤包括在表面上覆盖具有足够高的湿度以便基本上能够润湿整个表面的表面活性剂薄膜。

便利地，激光加工的步骤包括加工参数的最优化且这种最优化包括设法使碎屑对表面活性剂薄膜的粘附度最小。

便利地，去除表面活性剂薄膜的步骤包括旋转-清洗-干燥处理。

有利地，激光加工步骤包括对工件进行激光划线，去除表面活性剂薄膜的步骤包括利用在随后使用切割锯进行切割的步骤中所使用的冷却剂，至少部分地去除表面活性剂薄膜和所有碎屑。

有利地，激光加工步骤包括为激光加工提供气体环境，用于减少在激光加工步骤中所产生的固态碎屑。

便利地，分配表面活性剂的步骤包括在该表面上覆盖表面活性剂，该表面活性剂能够溶解或悬浮在液态载体中并且该液态载体能够从该表面蒸发。

有利地，分配表面活性剂以形成表面活性剂薄膜的步骤包括获得工件上的表面活性剂薄膜的图像，将该图像与带有最佳表面活性剂薄膜的工件的参考图像进行比较，当该图像与参考图像相比不足时，则洗掉工件上的表面活性剂薄膜并重新将表面活性剂分配到工件表面上。

有利地，将该图像与参考图像进行比较的步骤，包括将该图像与至少表面上带有过多表面活性剂的工件的第二参考图像和表面上带有不足表面活性剂的工件的第三参考图像之一进行比较，以便分别确定表面活性剂薄膜是过多还是不足。

有利地，将表面活性剂分配到工件表面上的步骤包括在将表面活性剂分配到晶片上之前，利用用于加工晶片的激光装置的加工坐标或激光，使用照相机及相关硬件和软件将晶片对准在XY工作台上，以便在晶片已经夹紧在XY工作台上的恰当位置时，将表面活性剂分配到XY工作台上的晶片上面。

便利地，分配表面活性剂的步骤包括以下步骤：将晶片从晶片载体装置中移开；将晶片传送到表面活性剂分配台并将表面活性剂薄膜覆盖在晶片表面上以形成带有覆层的晶片；激光加工的步骤包括将带有覆层的晶片传送到激光加工台，激光加工带有覆层的晶片以形成经加工的带有覆层的晶片以使激光加工的碎屑沉积在表面活性剂薄膜上；去除表面活性剂薄膜的步骤包括将经加工的带有覆层的晶片传送到表面活性剂去除台并去除表面活性剂薄膜以及沉积在其上的碎屑从而形成不带有覆层的加工晶片。

本发明的第二实施方式提供了一种激光加工装置，包括表面活性剂分配装置，用于在待加工的工件表面上涂覆表面活性剂薄膜以便减少在激光加工过程中由装置所产生的碎屑对表面的粘附。

优选地，该表面活性剂分配装置包括预清洗装置。

优选地，该激光加工装置还包括表面活性剂薄膜去除装置，用于从表面上去除表面活性剂薄膜以及在其激光加工过程中沉积在表面上的所有碎屑。

便利地，表面活性剂薄膜去除装置包括旋转-清洗-干燥装置。

有利地，表面活性剂薄膜去除装置包括后清洗装置。

有利地，预清洗装置和后清洗装置是相同的清洗装置。

优选地，该激光加工装置至少为对工件的激光划线、激光切割或激光钻孔之一而配备。

便利地，表面活性剂分配装置包括喷涂装置。

可选地，表面活性剂分配装置包括刮涂装置。

可选地，表面活性剂分配装置包括辊涂装置。

可选地，表面活性剂分配装置包括成批浸渍多个工件的浸没装置。

有利地，激光加工装置还包括气体环境控制装置，用于产生为激光加工而准备的气体环境以便减少在激光加工中产生固态碎屑。

优选地，激光加工装置包括还包括在涂覆表面之后至少部分干燥表面的干燥装置。

便利地，激光加工装置还包括：成像装置，用于在工件表面上获得表面活性剂薄膜的图像；和图像比较装置，用于将该图像与至少一个参考图像进行比较，确定表面活性剂薄膜是否足够优选地进行激光加工。

便利地，表面活性剂分配装置包括表面活性剂分配台，用于在待激光加工工件的一个表面上覆盖表面活性剂薄膜，通过产生带有覆层的工件而减少在激光加工中所产生的碎屑对表面的粘附；激光加工装置还包括激光加工台，用于加工带有覆层的工件；和表面活性剂去除装置，其包括表面活性剂去除台，用于在激光加工后去除表面活性剂薄膜以及激光加工沉积在其上的所有碎屑；激光加工装置还包括传送装置，用于将工件从表面活性剂分配台传送到激光加工台，并从激光加工台传送到表面活性剂薄膜覆层去除台。

根据本发明的第三实施方式提供了一种工件，其上至少一个表面覆盖有表面活性剂薄膜，为在减少激光加工工件过程中所产生的碎屑对该至少一个表面上的粘附。

优选地，表面活性剂薄膜在激光加工后可以去除，而不会明显地损坏至少一个表面。

优选地，表面活性剂薄膜的厚度不超过10微米。

方便地，表面活性剂薄膜是阴离子、非离子或两性表面活性剂薄膜。

下面通过举例方式，并参考附图对本发明进行详细说明，其中：

图1(a)是根据本发明第一实施方式的正在被激光加工的经预清洗后的衬底的垂直截面图；

图1(b)是图1中的衬底在加工后的垂直截面图；

图1(c)是图2中的衬底在去除碎屑和表面活性剂薄膜的垂直截面图；

图2是适于使用在本发明中的喷涂技术的图解透视图；

图3是适于使用在本发明中的刮涂技术的图解透视图；

图4是适于使用在本发明中的辊涂技术的图解透视图；

图5是根据本发明第二实施方式的激光加工装置的图解透视图，用于图解说明从盒架中移走晶片衬底；

图6是图5中的激光加工装置的图解透视图，用于图解说明使用辊子清洗晶片衬底以便涂覆表面活性剂薄膜；

图7是图5中的激光加工装置的图解透视图，用于图解说明将晶片衬底放置在激光加工装置中；

图8是图5中的激光加工装置的图解透视图，用于图解说明在激光加工后清洗去除碎屑和表面活性剂薄膜；和

图9是图5中的激光加工装置的图解透视图，用于图解说明在加工和清洗之后将经激光加工的晶片衬底重新放置在盒架中。

在附图中，相同的附图标记代表相同的部件。

参考图1(a)，表面活性剂薄膜11，其优选地是溶于水的阴离子、非离子或两性表面活性剂薄膜并且具有较高的表面润湿性，在晶片衬底的加工位置13使用激光束14进行激光加工之前，覆盖在晶片衬底12上面。优选地，表面活性剂薄膜的厚度不超过10微米。表面活性剂薄膜11具有足够高的润湿度以便确保薄膜能够均匀地润湿晶片表面并且在加工过程中保持在晶片表面上。优选地，在预清洗晶片时施加表面活性剂薄膜。优选地，在已经施加表面活性剂薄膜之后且激光加工之前表面，表面活性剂薄膜至少被部分干燥。可选地，在表面仍然湿润时加工晶片衬底。

晶片可以被预涂覆，例如在激光加工的前几个小时或前几天进行，然后在正常状态下送入激光加工装置中。此外，在插入激光加工装置前可以通过浸没处理或其它的批量处理对晶片的整个舟(boat)进行涂覆。

激光束参数，例如波长、激光脉冲能量、激光重复率和激光束14在晶片衬底12上的扫描速率，决定在激光加工中所产生的碎屑15的特点。可以对这些参数的组合，例如波长、激光脉冲能量、激光重复率和激光束14在晶片衬底12上的扫描速率，进行优化选择，并在其它限制条件下，产生在再凝固后对表面活性剂薄膜具有较低粘附性并因此易于在清洗程序中去除的碎屑15。也就是说，在预清洗步骤后在晶片表面上存在表面活性剂薄膜能够降低表面的粘附特性，因而允许更容易地去除激光加工的碎屑。参考图1(a)，熔融和气态的材料15在激光加工过程中从激光加工位置13排出。这种材料在激光加工的过程中和激光加工后会朝向晶片表面向后移动，并沉积在表面活性剂薄膜11上成为再凝固材料151，如图1(b)所示。然而，表面活性剂薄膜减少了碎屑对工件的粘附，易于后续将碎屑从工件上去除。这就与公知的将保护层作为屏障物理地防止碎屑接触晶片表面不同。在本发明的表面活性剂薄膜中，可以防止通过物理或化学方法将碎屑或激光再沉积材料粘结到晶片上。也就是说，如果热材料落在例如键合焊垫上，则表面活性剂作为一种“抗熔”剂。这可以被理解为是对以下处理的一种逆向处理，即在焊剂中加入化学药品，以便例如在高温时通过化学刺激焊接处理，使金属能够更好地焊接到金属垫上。

在激光加工后，使用清洗半导体衬底的常规方法清洗晶片衬底12，例如使用水进行的旋转-清洗-干燥处理，将表面活性剂薄膜11和再凝固碎屑151从晶片表面去除，使表面保持干净且未损坏的状态，如图1(c)所示。

在本发明的一个实施方式中，激光加工在活动气体环境中或光解作用产生活性原子团的气体环境中进行。在活性气体环境中的激光加工能够改变所产生碎屑的化学特性。具体而言，活性气体与熔融状态的碎屑15之间的化学反应能够去除气态形式的碎屑，因此减少了固体碎屑151在激光加工位置13周围的沉积。

现有技术中有许多公知的技术用来将表面活性剂薄膜11涂覆在晶片表面上，例如喷涂、刮涂和辊涂等。图2中图解说明喷涂处理，其示出了安装在晶片衬底12上方的用于喷射液态表面活性剂的喷嘴21。晶片衬底12按照弧形箭头22旋转，喷嘴21在晶片的平面内沿着双箭头线23方向平移，以便确保液态表面活性剂覆盖在整个晶片上。图3示出利用线性刀形喷嘴311通过线性分配头31分配液态表面活性剂，其中线性刀形喷嘴的直径至少与晶片衬底12的直径相同。如前所述，晶片以弧形箭头32旋转，并且分配头31沿双箭头线33在晶片平面内平移，以使整个晶片被表面活性剂完全覆盖。可选地，如图4所示，可以使用辊子41，通过使辊子沿弧形箭头44旋转且沿着双箭头线43方向在晶片表面上方平移，将表面活性剂分配到晶片衬底12上。另外，晶片衬底12可以弧形箭头42旋转。

可以将晶片放置在XY工作台上，在加工之前将晶片对准并将表面活性剂溶液涂覆在晶片上，也就是说在将晶片夹紧在其恰当位置后在XY工作台上使用涂覆头或涂覆机构。

优选地，在预清洗后且在激光加工前该表面至少部分被干燥，这是由于在携带表面活性剂的主要溶剂已经蒸发或通过相位变化或已涂覆表面活性剂溶液的凝结而形成薄层的情况下，薄膜11对减少衬底12的粘附特性也是有效的。可选地，该表面可以在湿润表面活性剂薄膜下进行激光加工。

可选地，表面活性剂薄膜11可以批处理方式进行涂覆。例如，晶片可以在例如激光加工的前几个小时或前几天被预涂覆，然后以正常方式被送入到激光加工装置中。可选地，可以在插入到激光加工装置之前对晶片进行浸渍处理从而使晶片的整个舟都被覆盖。

通过图5至图9示意性说明用于执行本发明所述方法各步骤的激光加工装置50。

用于保持多个间隔布置的晶片12的盒架51设置在工作台或框架52的第一端521上。盒架51大致为立方体，具有横跨工作台或框架52的纵轴相对的垂直开口端，以便可到达堆叠其中的晶片12。

在使用中，通常在盒架51上方垂直隔开的是表面活性剂分配(预清洗)台53，其具有辊子531，辊子531具有横跨工作台或框架52的纵轴且与工作台或框架52的表面所确定的平面平行的轴532。辊子531部分浸没在用于容纳将要涂覆在晶片衬底12表面上的表面活性剂溶液的槽533中。

该装置优选地包括未示出的干燥台，其可以与表面活性剂分配台合并在一起，用于在预清洗之后且激光加工之前干燥表面。红外线灯、烘箱或暖气喷气器都是用于干燥表面的适宜装置的实例。

更好地如图6所示，激光加工头54偏离工作台或框架52，设置在与工作台或框架52上的盒架51与工作台或框架52上与第一端521相对的第二端522之间的位置对应的位置。激光加工头54具有开放的垂直进口端541，用于装载待加工的晶片和卸载已加工的晶片，其与工作台或框架52最近并平行于工作台或框架52的纵轴。

更好地如图6和图7所示，覆层去除槽55陷入在工作台或框架52上的盒架51与工作台或框架52的第二端522之间的腔551中，并靠近激光加工头54的入口端541。可选地，可以使用相同的槽来进行在表面上涂覆表面活性剂的预清洗和去除表面活性剂薄膜和表面上的碎屑的后清洗。

再次参考图5，在工作台或框架52第二端522靠近腔551位置设置有自动装置(robot)56，其具有在使用中基本上水平的平台561，该平台在使用中可以在垂直导轨560上相对于工作台或框架52在腔551上方垂直移动，该垂直导轨基本上与工作台或框架52的表面相垂直。末端执行器载体562通过穿过平台561的垂直轴563可旋转地悬挂在平台561上，从而可相对于平台561并基本上平行于工作台或框架52的表面旋转末端执行器载体562。

末端执行器564可滑动地安装在末端执行器载体562上，从而可相对于末端执行器562在伸长位置与收缩位置之间平行其纵轴移动。

图5至图9顺序地示出使用激光加工装置来执行本发明方法的整个循环处理步骤，即预清洗衬底以便在衬底上形成表面活性剂薄膜、激光加工衬底、且优选地将表面活性剂薄膜从衬底上去除。

在使用中，盒架51上装载有待激光加工的晶片衬底12。可选地，晶片衬底安装在各个带架(tape frame)121上。如图5所示，通过将平台561定位在工作台或框架52表面上方的适宜高度处以便延伸末端执行器564，并且末端执行器载体562的纵轴与工作台或框架52的纵轴平行，利用固定在自动装置56上的末端执行器564，将该末端执行器朝向盒架51延伸，使得末端执行器564能够与盒架中的晶片衬底12相接合，并通过缩回具有由末端执行器564保持的选定晶片衬底12的末端执行器564，可将选定的晶片衬底12从晶片盒架51上移出。可选地，也可以使用滑动机构来代替自动装置。

由末端执行器564保持的晶片衬底12通过自动装置从工作台或框架52的表面垂直传送到预清洗台53。如图6所示，在使用中，末端执行器564延伸以便待加工的晶片衬底12的下表面与辊子531接合。辊子531围绕辊轴532旋转，同时末端执行器564将晶片衬底12移动到辊子531上方，以便在来自溶槽533的表面活性剂溶液中清洗晶片衬底12的下表面。可以选择性地使用可替换的分配工具，例如喷嘴或刀形分配器，在预清洗过程中，可选地，晶片相对于该分配工具旋转。

在预清洗时，通过缩回末端执行器564并将平台561和末端执行器564朝向工作台或框架52的表面降低到距离表面适宜高度的位置，将晶片衬底12从预清洗台53移出到激光加工头54上加工晶片衬底12的加工位置上。如图7所示，末端执行器载体围绕其轴563以基本上90°角朝向激光加工头54旋转。末端执行器564被延伸以便将已预清洗过的晶片衬底12穿过激光加工头的入口541，以便在使用中从已预清洗过的下表面对已预清洗过的晶片衬底12进行激光加工。在激光加工过程中，碎屑沉积在表面活性剂薄膜上，而在其它情况下这些碎屑会沉积在晶片衬底12的下表面上。

如图8所示，在激光加工操作完成后，通过缩回末端执行器564，并以与旋转载体以将衬底装入激光加工头内相反的方式基本上以90°角旋转末端执行器562，并使平台561沿着工作台或框架52的表面方向降低到将经加工的衬底浸没在清洗系统55中，从而将晶片衬底12从激光加工头54上移出。在清洗循环中可以表面活性剂层和碎屑一并去除。

如图9所示，通过将平台561移动到距离工作台或框架52的表面足够距离以便将经加工并清洗后的晶片衬底12再插入到盒架51中，从而将晶片衬底12从清洗系统55中移开。延伸末端执行器564以将晶片衬底12插入到盒架51中，在盒架51中晶片衬底12从末端执行器564上释放。

虽然已经通过举例的方式描述了装置的具体配置，但是本领域的普通技术人员应该理解也可以使用其它组件配置，使用更多或更少的组件。

在一个可选的加工循环中，晶片衬底12在激光加工后立即回到晶片盒架51中，并保持在其中直到盒架51中的所有晶片12全部顺序地完成预清洗和激光加工处理。然后，盒架51中的整批晶片都被放置在清洗系统55中，并且所有晶片12都在一个清洗循环中被清洗，因而减少了成批晶片的加工循环时间。

当使用同一硬件来预清洗、分配表面活性剂以及清洗经激光加工后的工件时，在加工的循环时间相同或小于分配或清洗循环的时间条件下，整个系统的生产量可以通过使用缓冲器进行改进。具体地，晶片顺序地通过分配和干燥步骤并被送入缓冲器。缓冲器顺序地将晶片卸载送入进行加工的XY工作台，加工后将晶片卸载到清洗器中。在缓冲器中晶片的最佳数量依赖于盒中晶片的数量以及涂覆和干燥时间、处理时间、加工时间和清洗时间。恰当优化的缓冲器会明显增加生产量。

在本发明的另一个实施例中，用来对晶片进行对准的照相系统用于在加工之前检测和确定晶片上的表面活性剂的存在。这一点例如可以通过使用理想晶片的理想或“最佳”图像来获得。在另一个改进中，可以通过与具有过多或不足表面活性剂的工件的图像进行比较来检测表面活性剂是过多还是不足。这种方法可以作为在线控制系统来使用，以便防止因为操作者失误或加工错误而造成晶片的加工没有获得接近最优值的表面活性剂的量。

简言之，本发明的方法是激光加工半导体衬底，例如，将半导体衬底在表面活性剂溶液中进行预清洗以便减少收集激光加工碎屑的衬底表面的粘附特性。此表面活性剂薄膜和沉积在表面活性剂薄膜上的碎屑在衬底的激光加工后被去除，因而使晶片表面保持没有碎屑且未被损坏的状态。该发明用于在单层衬底和由例如塑料、介电材料、玻璃、金属和半导体材料组成的多层衬底上，进行例如激光切割、激光划线和利用激光钻孔等。

本发明具有的优点在于表面活性剂薄膜比公知的塑料保护膜更易于去除，并且该表面活性剂与公知的在晶片机械锯切中所使用的润湿剂类似的处理相适应。因而，在激光划线加工中，当在随后的加工中使用切割处理或切割锯时，使用水作为冷却剂或润滑剂，还可以使用水来去除表面活性剂薄膜。

Claims (45)

1.一种激光加工工件(12)的方法，包括以下步骤：

a.将表面活性剂分配到待激光加工工件的一个表面上，以便提供一表面活性剂薄膜(11)来减少在激光加工过程中所产生的碎屑对所述表面的粘附；和

b.从所述表面激光加工工件。

2.如权利要求1所述的方法，其中在预清洗工件时涂覆所述表面活性剂。

3.如权利要求1或2所述的方法，还包括在激光加工工件之前至少部分干燥表面活性剂薄膜(11)的步骤。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中分配表面活性剂的步骤包括在激光加工工件之前以批处理的方式将表面活性剂分配到多个工件的表面上。

5.如前述权利要求中任一项所述的方法，还包括在激光加工之后去除所述表面活性剂薄膜(11)以及由于激光加工而沉积在所述表面活性剂薄膜上的所有碎屑(151)。

6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中分配表面活性剂的步骤包括分配一种溶于一种溶剂的表面活性剂，而所述工件表面不能溶解于所述溶剂；并且其中去除表面活性剂薄膜的步骤包括在所述溶剂中溶解表面活性剂薄膜的步骤。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述溶剂是水。

8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中激光加工工件的步骤包括对工件进行激光划线、激光切割和激光钻孔中的至少一个。

9.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中激光加工工件的步骤包括激光加工多层工件。

10.如权利要求9所述的方法，其中激光加工多层工件的步骤包括加工半导体晶片和形成晶片工作区的相关层。

11.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中分配表面活性剂的步骤包括在所述表面上喷涂表面活性剂薄膜。

12.如权利要求1至10中任一项所述的方法，其中分配表面活性剂的步骤包括在所述表面上刮涂表面活性剂薄膜。

13.如权利要求1至10中任一项所述的方法，其中分配表面活性剂的步骤包括在所述表面上使用辊子涂布表面活性剂薄膜。

14.如权利要求1至10中任一项所述的方法，其中分配表面活性剂的步骤包括将工件的所述表面浸没在表面活性剂溶液中。

15.如权利要求14所述的方法，其中分配表面活性剂的步骤包括将待激光加工的成批晶片浸渍在表面活性剂溶液中。

16.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中分配表面活性剂的步骤包括分配阴离子、非离子或两性表面活性剂。

17.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中分配表面活性剂的步骤包括在所述表面上涂覆具有足够高湿润度以便湿润基本上整个所述表面的表面活性剂薄膜。

18.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中激光加工步骤包括优化加工参数，且这种优化包括设法使碎屑(15)对所述表面活性剂薄膜的粘附最小化。

19.如权利要求5所述的方法，其中去除表面活性剂薄膜的步骤包括旋转-清洗-干燥处理。

20.如权利要求5所述的方法，其中激光加工步骤包括对工件进行激光划线，去除表面活性剂薄膜的步骤包括利用随后使用切割锯的切割步骤中所使用的冷却剂，至少部分地去除表面活性剂薄膜和所有碎屑。

21.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中激光加工步骤包括为激光加工提供气体环境，以便减少在激光加工步骤中产生的固态碎屑。

22.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中分配表面活性剂的步骤包括在所述表面上涂覆溶解或悬浮在液态载体中的表面活性剂，并从所述表面蒸发所述液态载体。

23.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中分配表面活性剂以便形成表面活性剂薄膜(11)的步骤包括以下步骤，即在工件上获得表面活性剂薄膜的图像，将所述图像与具有最佳表面活性剂薄膜的工件的参考图像进行比较，当所述图像与参考图像相比不足时，则清洗工件并在工件表面上再次分配表面活性剂。

24.如权利要求23所述的方法，其中比较所述图像与参考图像的步骤包括将所述图像与工件表面上具有过多表面活性剂的第二参考图像与工件表面上具有不足表面活性剂的第三参考图像中的至少一个进行比较。

25.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中将表面活性剂分配到工件表面上的步骤包括以下步骤，即在将表面活性剂分配到晶片之前，使用照相机和相关硬件以及软件，利用加工晶片的激光装置的加工坐标，或利用激光装置的激光，在XY工作台上将晶片对准，以使晶片被夹紧在XY工作台上的恰当位置之后，将表面活性剂分配到XY工作台上的晶片上。

26.如权利要求5所述的方法，包括以下步骤：

a.将晶片(12)从晶片载体装置(51)上移开；

b.将晶片传送到表面活性剂分配台(53)，并在晶片的所述表面上覆盖表面活性剂薄膜(11)以形成带有覆层的晶片；

c.将带有覆层的晶片传送到激光加工台(54)，并对带有覆层的晶片进行激光加工，以形成经加工的带有覆层的晶片，使得激光加工中产生的碎屑(151)沉积在表面活性剂薄膜上；和

d.将经加工的带有覆层的晶片传送到表面活性剂去除台(55)，并去除表面活性剂薄膜和沉积其上的碎屑(151)以形成不带有覆层的经加工的晶片。

27.一种激光加工装置，包括表面活性剂分配装置，所述表面活性剂分配装置被设置用来在待加工工件(12)的表面上覆盖表面活性剂薄膜(11)，以便减少在用所述装置进行激光加工的过程中所产生的碎屑(151)对所述表面的粘附。

28.如权利要求27所述的激光加工装置，其中所述表面活性剂分配装置包括预清洗装置。

29.如权利要求27或28所述的激光加工装置，还包括表面活性剂薄膜去除装置(55)，用于从所述表面上去除表面活性剂薄膜(11)以及在激光加工过程中沉积在其上的所有碎屑(151)。

30.如权利要求29所述的激光加工装置，其中所述表面活性剂薄膜去除装置包括旋转-清洗-干燥装置。

31.如权利要求29所述的激光加工装置，其中所述表面活性剂薄膜去除装置包括后清洗装置。

32.如权利要求31所述的激光加工装置，其中所述预清洗装置和后清洗装置是同一个清洗装置。

33.如权利要求27至32中任一项所述的激光加工装置，其被设置用来对工件进行激光划线、激光切割和激光钻孔中的至少一种加工。

34.如权利要求27至33中任一项所述的激光加工装置，其中所述表面活性剂分配装置包括喷涂装置(21)。

35.如权利要求27至33中任一项所述的激光加工装置，其中所述表面活性剂分配装置包括刮涂装置(31)。

36.如权利要求27至33中任一项所述的激光加工装置，其中所述表面活性剂分配装置包括辊涂装置(41)。

37.如权利要求27至33中任一项所述的激光加工装置，其中所述表面活性剂分配装置包括用来成批浸渍多个工件的浸没装置。

38.如权利要求27至37中任一项所述的激光加工装置，还包括用于为激光加工产生气体环境的气体环境控制装置，其被设置用来减少在激光加工过程中所产生的固态碎屑(15)。

39.如权利要求27至38中任一项所述的激光加工装置，还包括设置用来在涂覆表面之后至少部分干燥所述表面的干燥装置。

40.如权利要求27至39中任一项所述的激光加工装置，还包括成像装置和图像比较装置，所述成像装置用于在工件表面上获得表面活性剂薄膜的图像，所述图像比较装置用于将所述图像与至少一个参考图像进行比较，从而确定表面活性剂薄膜对于激光加工来说是否被充分优化。

41.如权利要求29所述的激光加工装置，包括：表面活性剂分配台(53)，用于在待激光加工的工件(12)的表面上涂覆表面活性剂薄膜(11)，以减少在激光加工中由具有覆层的工件所产生的碎屑(15)对所述表面的粘附；激光加工台(54)，用于加工带有覆层的工件；表面活性剂薄膜去除台(55)，用于在激光加工之后去除表面活性剂薄膜以及在激光加工中沉积在所述表面活性剂薄膜上的所有碎屑(151)；和传送装置(560，561，562，563，564)，用于将工件从表面活性剂分配台(53)传送到激光加工台(54)，并从激光加工台(54)传送到表面活性剂薄膜去除台(55)。

42.一种工件(12)，在其至少一个表面上涂覆有表面活性剂薄膜(11)，该表面活性剂薄膜被设置用来减少在对工件进行激光加工时所产生的碎屑(15)对于所述至少一个表面的粘附。

43.如权利要求42所述的工件，其中在激光加工后所述表面活性剂薄膜可以被去除，而不会明显损坏所述的至少一个表面。

44.如权利要求42或43所述的工件，其中所述表面活性剂薄膜的厚度不超过10微米。

45.如权利要求42至44中任一项所述的工件，其中表面活性剂薄膜是阴离子、非离子或两性膜。

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