CN1813084B - 金属镀膜的形成方法、电子部件制造方法及镀膜形成装置 - Google Patents

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Abstract

本发明是通过准备表面形状为凸曲面状的基体，在该基体表面析出金属镀膜，从所述基体剥离所述金属镀膜，而得到金属镀膜的方法。因为析出金属镀膜的所述基体的表面形成凸曲面状，所以在基体的表面形成断面为凸曲面状的金属镀膜。在如此得到的金属镀膜中，因为内部应力(拉伸应力)生成，所以使金属镀膜从基体剥离，转写到电介质片，则金属镀膜向平坦的方向变形。因此，在转写了金属镀膜的电介质片等的转写材中，能够有效地防止金属镀膜中变形或破损的发生，能够提高生产性。

Description

金属镀膜的形成方法、电子部件制造方法及镀膜形成装置
技术区域
本发明涉及作为电容、感应器、滤波器等的电子部件的导体图案所使用的金属镀膜的形成方法、该金属镀膜和电介质层相组合所构成的电子部件的制造方法，以及形成所述金属镀层所使用的镀层形成装置。
背景技术
历来，使用陶瓷材料等的电介质材料和导体材料形成电容、感应器、滤波器、电路板等的电子部件。
作为如此的现有的电子部件，公知的有：例如，具有规定的介电常数的多个陶瓷层，在其间使第一的内部电极和第二的内部电极交互地介在层叠，并且该层叠体的侧面和主面分别设有一对与所述第一、第二的内部电极电连接的外部电极的层叠电容器。
所述层叠电容器，在所述第一的内部电极和第二内部电极之间施加规定的电压，通过在第一的内部电极和第二内部电极之间所配置的陶瓷层形成规定的静电容量而具有作为电容的功能。
还有，上述层叠电容器由以下的工序制造(例如，参照特开2000-243650号公报)。
首先，通过在规定的陶瓷材料粉末中添加混合有机粘结剂以及有机溶剂制作成浆状的无机组成物，对其采用公知的刮刀法(doctor blade)等，加工形成规定厚度的片材，而形成陶瓷生片。
接着，在所得到的陶瓷生片的主面通过公知的丝网印刷等，将镍等的金属作为主要成分的导体糊印刷·涂敷到规定的图案上。通过将其多片重叠，形成陶瓷生片的层叠体。
接着，通过在高温烧成所述层叠体，而形成内部电极介在的陶瓷层的层叠体。
最后，通过现有的公知的浸渍法(dipping)在层叠体的端面等上涂敷导体糊，通过烧结形成外部电极制造层叠电容器。
还有，近年来，随着电子设备的小型化，也要求电子部件的小型化，在所述层叠电容器的情况下，对使各个陶瓷层或内部电极变薄而形成进行了各种讨论。
例如，在所述的现有的层叠电容器中，为了使内部电极的厚度变薄，将在内部电极的形成所使用的导体糊中所含的金属粉末的平均直径设为极小例如在0.3μm左右十分重要。
但是，将导体糊中所含的金属粉末的粒径设为极小时，因为导体糊中的金属粉末彼此凝集为起因，金属粉末的分散性变差，所以得到具有适于丝网印刷特性的导体糊十分困难。
还有相反，即使通过调整导体糊中所含的各种的成分能够得到具有适于丝网印刷的特性的导体糊，将其很薄地涂敷在陶瓷生片上进行烧成，则烧成时由于导体糊中的金属粉末进行移动，会存在内部电极的连续性丧失的问题，最严重的时候，会有内部电极断开的缺点。
因此为了消除上述缺点，对使用厚度薄的金属镀膜制作层叠电容器进行了讨论.此时，通过将覆盖有金属镀层的陶瓷生片多片层叠而行成层叠体，通过将其在高温烧成制造层叠电容器.
如此成为层叠电容器的内部电极的金属镀膜，在金属制的基板上，形成具有和内部电极相对应的形状的开口的图案的掩膜(mask)，并且将所述基板在电镀槽中浸渍，在位于所述掩膜的开口内的基板的表面，通过现有的公知的电解镀法，使金属析出而形成。通过在如此的基板的主面，按压陶瓷生片等，将形成于掩膜的开口内的金属镀膜转写到陶瓷生片的主面，金属镀膜在陶瓷生片上附着，形成。
但是，在使用金属镀膜的所述制造方法中，在金属镀膜的析出时，会有在金属镀膜中产生大的内部应力(拉伸应力)的问题。所以金属镀膜的析出所使用的金属板的表面平坦时，金属镀膜从金属板剥离，金属镀膜弯曲成在和析出方向相反一侧的方向突出的形状，即所谓“翘度”发生。因此，将金属镀膜复制到陶瓷生片上时，陶瓷生片上或金属镀膜发生变形或裂纹，或者在烧成时诱发发生脱层(delamination)的缺点。
此外，在所述现有的制造方法中，在烧成由陶瓷生片构成的层叠体时，其峰值温度过高，则形成金属镀膜的金属熔化，由此内部电极发生细微的断开，丧失作为层叠电容器的功能。还有，烧成温度过低，则烧成陶瓷生片形成得陶瓷层和金属镀膜(内部电极)的紧密性降低，会诱发发生层间剥离等的破损的缺点。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种剥离性良好，并且能够得到没有弯曲的金属镀膜的金属镀膜的形成方法。
还有，本发明的另一个目的在于，提供一种能够使导体层的厚度变薄而制造小型的电子部件，而且能够有效防止导体层和电介质层的变形和破损等的问题发生的电子部件的制造方法。
还有，本发明的另外的目的在于，提供一种剥离性良好，并且能够得到没有弯曲的金属镀膜，生产性优异的镀膜形成装置。
本发明的金属镀膜的形成方法，是通过准备表面形状为凸曲面状的基体，在该基体表面析出金属镀膜，从所述基体剥离所述金属镀膜，而得到金属镀膜的方法。
还有，本发明的电子部件的制造方法，是含有如下工序的方法：工序A，在基体的表面析出金属镀膜；工序B，从所述基体剥离所述金属镀膜，使该金属镀膜和电介质片相互附着；工序C，通过对形成有所述金属镀膜的电介质片，在比形成所述金属镀膜的金属的熔点更低的温度进行热处理，获得在电介质层上具备覆盖有导体层的部分的电子部件。
根据以上的本发明，因为析出金属镀膜的所述基体的表面形成凸曲面状，所以在基体的表面形成断面为凸曲面状的金属镀膜。在如此得到的金属镀膜中，因为内部应力(拉伸应力)生成，所以使金属镀膜从基体剥离转写到电介质片，则金属镀膜向平坦的方向变形。因此，在转写了金属镀膜的电介质片等的转写材中，能够有效地防止金属镀膜中变形或破损的发生，能够提高生产性。
还有，所述的金属镀膜，因为在与形成金属镀膜的金属的熔点更低的温度与电介质片一起进行热处理，所以在热处理时金属镀膜熔化金属镀膜不会断开而能够形成连续性优异的导体层。
在所述金属镀膜的形成方法中，所述基体，能够使用具有圆柱状表面的材料。将所述基体的表面的一部在电镀槽中的镀液中浸渍，一边使所述基体绕轴旋转，一边对所述基体和所述电镀槽之间施加电场，由此，能够在所述基体的表面析出金属镀膜。
还有，本发明的镀膜形成装置，其特征在于，具有：注入镀液的电镀槽；可以旋转的基体，其具有圆柱状表面，并配置为使表面的一部分在所述镀液中浸渍；电场施加机构，其在所述基体和所述电镀槽之间施加电场；转写机构，其在所述基体的旋转方向的下流侧，对从所述镀液提升的基体表面上的金属镀膜，将被转写材相对基体按压。
析出金属镀膜的基体形成圆筒状或圆柱状，在金属镀膜的析出工序中，一边使所述基体绕轴旋转，一边使其一部在电镀槽中的镀液中浸渍，并且在所述基体和所述电镀槽之间施加电场，形成金属镀膜，由此，金属镀膜连续地形成，能够提高生产性。还有，使基体和电镀槽之间的电流密度大致均一，能够使金属镀膜以大致一定的厚度形成。
从所述镀液提起的基体表面上的金属镀膜，在将被转写材相对基体按压后，使金属膜转写到树脂膜上一次，使电介质片从其上附着，或者使金属镀膜再次转写到电介质片上，如此因为对于电介质片由硬质材料形成的基体表面的掩膜层没有直接进行接触，所以不会对电介质片产生由掩膜层接触的损伤，具有能够使金属镀膜对于电介质片良好地附着的优点。
该金属镀膜从所述基体剥离时，也可以将金属镀膜直接转写到形成有电介质片的树脂膜的电介质片上。根据此方法，虽然电介质片对于由硬脂材料形成的基体表面的掩膜层进行接触，但是通过不使树脂膜夹隔存在，能够直接将金属镀膜转写到电介质片上，因此能够简化装置结构。
还有，也可以从所述基体剥离所述金属镀膜，转写到树脂膜之后，以覆盖住转写到该树脂膜的金属镀膜的方式使电介质浆附着，并且对附着有电介质浆的树脂膜进行干燥。根据此方法，能够使树脂膜上的金属镀膜埋设在电介质片的内部。由此，在金属镀膜存在的部位和不存在的部位不会形成高低差，能够形成大致平坦的电介质片。即使将这样的电介质片多片进行层叠，因为能够良好地控制金属镀膜的变形，所以能够有效地防止由此产生的脱层等的电的问题。
在本发明中，也可以在所述基体的表面，形成限制所述金属镀膜的析出区域的掩膜层。该掩膜层由例如金刚石型碳(diamond like carbon，DLC)或石墨型碳(graphite like carbon，GLC)形成。此时，除了由于相对厚度薄的掩膜层能够得到充分的电绝缘性之外，也能够得到使金属镀膜从基体剥离时的良好的剥离性，而且因为所述DLC或GLC是硬质的，所以将金属镀膜直接转写到电介质片时，电介质片基本不会附着于掩膜层表面，具有能够反复进行稳定转写的优点。
在本发明中，优选在所述金属镀膜中含有非导电性微粒。这样含有非导电性微粒的金属镀膜可以通过下述方式得到，在所述镀液中，如果含有非导电性微粒，则金属镀膜在基体表面析出时，该非导电性微粒附着于金属成分。通过非导电性微粒在基体表面附着于析出的金属成分，因为能够形成含有非导电性微粒的金属镀膜，所以金属镀膜和基体的结合力相对较小，金属镀膜能够从基体容易地剥离。
在本发明中，含有层叠的金属镀膜的电介质片的热处理时的峰值温度，优选为比构成金属镀膜的金属的再结晶温度高.所述金属镀膜，在比形成金属镀膜的金属的熔点低，且比再结晶温度高的温度下，因为与电介质片共同进行热处理，所以热处理时，金属镀膜熔化金属镀膜不会断开而能够形成具有优异的连续性的导体层，并且通过形成金属镀膜的金属的再结晶化而能够适当地软化金属，能够得到对于电介质层紧密性优异的良好的导体层.
还有在本发明中，也可以从所述基体剥离金属镀膜并转写到树脂膜后，关于该树脂膜，对于形成有所述金属镀膜的面的、存在金属镀膜的部分和不存在金属镀膜的部分双方，按压具有与金属镀膜大致相等厚度的电介质片，从而在树脂膜的不存在金属镀膜的部分有选择地附着电介质片。在具有粘着层的树脂膜的一个主面上转写金属镀膜，对于此金属镀膜存在的部分和不存在的部分双方，按压与金属镀膜大致厚度相等的电介质片，通过仅使电介质片有选择地附着与粘着层露出的部分(金属镀层不存在的部分)，在树脂膜上在金属镀膜和电介质片之间没有形成大的孔隙，而基本附着为一面而形成。因此，除了将其从树脂膜剥离外，其间通过电介质片等而多片层叠，由此形成电介质片的层叠体时，因为能够使层叠体的两主面平坦地形成，所以即使进行热处理制作成电子部件，也基本不会发生脱层等的电的问题，能够得到可靠性以及生产性优异的电子部件。
在本发明的镀膜形成装置中，所述基体的表面也可以被划分为，相对所述基体的中心部可装卸地支撑的多个块。根据此结构，可以对以块为单位的每个构件进行掩膜成形等加工或维护，能够简单地使用和拆装设备。
还有，在本发明的镀膜成形装置中，如果在电解槽中设有：第一电位区域，其保持与所述基体相比正的电位，在基体表面析出金属镀膜；和第二电位区域，其与所述第一电位区域相比位于所述基体的旋转方向下流侧，并且，与所述基体相比保持负电位，在基体表面析出的金属镀膜的表层部，再度在所述镀液中溶解，则可通过将暂时形成的金属镀膜的表面部分特别是与基体的接触部分再度溶解在镀液中，金属镀膜和基体之间会有微小的间隙生成，由此，能够提高金属镀膜的剥离性。并且通过在所述第一电位区域和第二电位区域间设有绝缘构件，能够实现两区域的电分离。
附图说明
图1是表示由本发明的电子部件的制造方法制造的层叠电容器的剖面图。
图2是表示可以旋转地配置在电镀槽18中的基体9，对于基体9和电镀槽18相反侧配置的金属镀膜的转写机构的，本发明的镀膜形成装置的模式主视图。
图3是上视角(图2的A方向)的镀膜形成装置所使用的基体9的俯视图。
图4是表示此镀膜成形装置所用的基体表面的结构的扩大剖面图。
图5是表示在树脂膜20中，将暂时转写的金属镀膜8，再次转写到树脂膜25上所保持的陶瓷生片26的表面上的本发明的镀膜形成装置的模式主视图。
图6是表示将基体9上所析出的金属镀膜8，直接转写在树脂膜25上所保持的陶瓷生片26的主面上的本发明的镀膜形成装置的模式主视图。
图7是用于说明从基体9相对金属镀膜8被转写到树脂膜20，在金属镀膜8的不存在的部分，形成用于覆盖高低差的薄的电介质片43的剖面图。
图8是表示在金属镀膜8被转写的树脂膜20的主面，涂敷陶瓷浆使其覆盖金属镀膜8，并对其干燥，而得到埋设了金属镀膜8的陶瓷生片26的本发明的镀膜形成装置的模式主视图.
图9是表示电镀槽18，被划分为作为阳极发挥作用的高电位区域18A和作为阴极发挥作用的低电位区域18B的本发明的镀膜形成装置的模式侧视图。
图10是表示以规定间隔在基体4的表面配置多个绝缘隔壁材35，并且在绝缘材34上，绝缘隔壁材35之间，将在导电性膜6上形成掩膜层7的块构件36嵌入而构成基体4的本发明的镀膜形成装置的模式主视图。
图11是表示含有与基体4的表层部不同的中核部块化的本发明的镀膜形成装置的模式主视图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行详细说明。
(层叠电容器)
图1是表示由本发明的电子部件的制造方法制造的层叠电容器的剖面图。此图所示的层叠电容器1，由多层重叠的电介质层4，和在各电介质层4形成得内部电极3，和从上下夹住电介质层4的绝缘层2，和外部电极5构成。
此层叠电容器1，在具有规定的介电常数的电介质层4形成内部电极3，相互层叠形成长方体形状的层叠体。在该层叠体的上下两面，形成有由与电介质层4相同材料构成的绝缘层2。此外，在所述层叠体的两端部覆盖、形成有与内部电极3电连接的外部电极5。此层叠电容器1的外形，其尺寸形成为，例如，宽度1.2mm、长度2mm、高度1.2mm。
所述电介质层4，由陶瓷材料或有机材料形成。由陶瓷材料形成时，例如由钛酸钡、钛酸钙、钛酸锶等形成。由有机材料形成时，例如由PET(聚对苯二甲酸乙二醇脂)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇脂)、PP(聚丙烯)、PPS(聚苯硫)等形成。电介质层4的厚度，例如设定为一层1.0μm～4.0μm其层叠数例如设定为30层～600层。还有，作为绝缘层2的材质，可以使用与电介质层4相同的陶瓷材料或树脂材料。
介于电介质层4间的内部电极3，例如由镍、铜、银、金、铂、钒、铬、这些金属的合金构成，其厚度例如设定为0.5μm～2.0μm。
如此的电介质层4的材质或厚度或层叠数，内部电极3的对向面积等，根据希望的层叠电容器的静电容量而适当地决定。
(镀膜形成装置)
所述的层叠电容器，使用图2～图4所示的镀膜形成装置而制造。
图2是表示本发明的镀膜形成装置的模式主视图，图3是从上视角(图2的A方向)观看用于此镀膜形成装置的基体9的俯视图，图4是表示此镀膜成形装置所用的基体表面的结构的扩大剖面图。
镀膜成形装置，其构成为：以在电镀槽18中可以旋转地配置基体9，对于基体9，在与电镀槽18的相反侧配置金属镀膜的转写机构。
以下，对镀膜形成装置的各构成要素进行说明。还有，在以下所述的构成要素中，例如清洗机构、清洗液吸引机构、镀液吸引机构以及循环装置，不是本发明的镀膜形成装置的必须的构成要素，而是作为附加的构成要素而安装。
(基体)
基体9具有作为镀膜形成装置的阴极的功能。例如由不锈钢、铁、铝、铜、镍、钛、钽、钼等的具有导电性的金属形成。在基体9的表面，在其全周形成有导电性膜6(参照图4)，在该导电性膜6的表面形成有使导电性膜6在规定图案露出的掩膜层7。以下，包括基体9的表面和导电性膜6，称为“基体的表面”。
如此的基体9的表面，是圆柱型，曲率半径设定为例如50mm～2000mm的范围，其表面粗糙度，设定为例如以最大高度Ry计在0.5μm以下。即，Ry≤0.5μm。
作为形成于基体9的表面的导电性膜6，可以使用例如电阻率10-2Ωcm以下的材料。为了使电解镀时的电流密度均一，优选使用电阻率10-3Ωcm以下的材料。作为电阻率10-3Ωcm以下的导电性膜6的材料，可以使用例如氮化钛铝、氮化铬、氮化钛、氮化钛铬、碳氮化钛、炭化钛、导电性DLC(diamond like carbon)等。还有，在所述导电性膜6的材料中，为了使金属镀膜8的剥离性变得良好，优选由氮化钛铝、氮化铬、氮化钛、氮化钛铬、碳氮化钛等形成导电性膜6。特别是，为了提高耐久性，优选氮化钛等形成导电性膜6。还有，导电性膜6，通过现有公知的方法，例如溅射法、离子镀法、化学气相成长法(CVD)等在基体9的表面形成。
在导电性膜6的表面形成得掩膜层7，用于限制金属镀膜8的析出区域。掩膜层7，优选具有充分的电绝缘性。例如，其电阻率可以设定在104Ωcm以上。可以使用维氏硬度Hv在例如1000以上，摩擦系数μ在例如0.3以下的材料。作为满足如此诸特性的材料，例如，可以例举出非晶结构的DLC和GLC(graphite like carbon)等。
如此，通过形成在基体9的表面抑制金属镀膜8的析出区域的掩膜层7，不需经过光刻(photo etching)等的烦杂的工序，将基体9在镀液中浸渍，仅通过在后述的电镀槽18和基体9之间施加电场，就能够得到所希望的图案的金属镀膜8。
所述掩膜层7的厚度，优选形成为与金属镀膜8的厚度或者相同，或者比金属镀膜8的厚度稍厚。这是为了防止超过掩膜层7的厚度所成长的金属镀膜8在掩膜层7上扩大。
在此，在掩膜层7的侧面和底面之间所形成的角部的角度α(参照图4)在90度以下，优选设定为例如90度～85度。如果这样设定在90度以下，因为和基体9相接的金属镀膜8的下面的面积比其上面的面积小，所以将金属镀膜8转写到树脂膜20等时，金属镀膜8的外周部很难挂住掩膜层7，能够容易地剥离金属镀膜8。
所述掩膜层7，可以通过例如DLC、GLC等现有公知的溅射法、离子镀法、CVD法等的薄膜形成法以规定厚度在基体9的表面覆盖、形成，此后，采用公知的光刻法等，通过加工成具有多个开口部的图案而形成。所述开口部，成为对应于金属镀膜8的析出区域的部位。
作为掩膜层7的材质所用的DLC和GLC，因为其电阻比较高，所以除了电镀不在掩膜层7的表面析出外，表面的剥离性也良好，摩擦阻力也小。因此，将金属镀膜8对于作为被转写体的树脂膜20进行转写时，被转写体受到的损伤变少。图此，通过选择掩膜层7的材质，能够提高基体9的耐久性，即使长期反复使用，也能得到高品质的金属镀膜8。
以上的基体9，如图2所示，由旋转轴10支撑，可以旋转。此旋转轴10连接于电机的主轴，通过传递电机的旋转运动，使基体9绕轴周向旋转。于是，此旋转轴10，通过旋转电刷与电源装置11相连接，由此对基体9施加负电压。即，基体9作为镀膜形成装置的阴极而发挥作用。
(电镀槽)
电镀槽18，作为镀膜形成装置的阳极发挥作用，还有同时，在其内部通过注满镀液19，而作为用于形成镀液的容器发挥作用。
如此的电镀槽18的内面形状和基体9的表面，两者间形成一定的间隔，两者设置为大致同心圆状。基体9的表面和电镀槽18的那面的间隔，设定为例如2mm～50mm。
镀液19，通过后述的循环装置15等，在基体9和电镀槽18之间以规定的流速进行流动。作为所述镀液19，在形成镀镍膜时，为了得到内部应力小的金属镀膜8适于使用氨基磺酸镍镀液等。作为这样的氨基磺酸镍镀液，例如可以使用具有氯化镍30g/l、氨基磺酸镍300g/l、硼酸30g/l的组成的水溶液等，其pH值设定为例如3.0～4.2。特别是为了得到内部应力小的金属镀膜8，优选将pH值设定为3.5～4.0，并且将镀液19的温度设定为45℃～50℃。
于是，在如此的镀液19中，优选添加陶瓷或树脂构成的非导电性微粒。
还有，在所述镀液19中，根据必要，也可以添加使用硼酸、甲酸镍、醋酸镍等构成的pH缓冲剂，和月桂硫酸钠等构成的凹痕(pit)防止剂，或在苯或萘等的芳香族炭化氢中添加磺酸、磺酸盐、磺酰胺、磺酰亚胺等的化学物质构成的应力减少剂，芳香族磺酸和其电介质构成的硬化剂、丁炔二醇、2丁炔1.4二醇、乙撑氰醇、甲醛、香豆素、嘧啶、吡唑(pyrazol)、咪唑等构成的平滑剂等。作为应力减少剂，可以使用例如糖精(scacchrin)、对甲苯磺酰胺、苯磺酰胺、苯磺酰亚胺、苯二磺酸钠、苯三磺酸钠、萘二磺酸钠、萘三磺酸钠等。
在所述电镀槽18和基体9之间施加电位，能够进行现有公知的电解镀法。即，通过在阴极的基体9和阳极的电镀槽18之间施加电位，在基体9的表面，能够在掩膜层7不存在的区域析出金属镀膜8。
还有，电镀槽18内的镀液19，因为一般在所述基体9和电镀槽18之间以规定的方向流动，所以具有能够使金属镀膜8的膜质均匀的优点。
(转写机构)
转写机构由将金属镀膜8转写到树脂膜20的一个主面的树脂膜转写机构，和使陶瓷生片26的一个主面，附着在树脂膜20上所转写的金属镀膜8的陶瓷生片转写机构构成。
树脂膜转写机构，由送出部22，和加压辊23，和卷曲部24构成。送出部22，使带有粘着层的树脂膜20所卷曲的辊轴与电动机相连接，使此轴仅以规定的量进行旋转而送出。加压辊23，一边使带有粘着层的树脂膜20旋转，一边对基体9加压。卷曲部24，是由以一定的力卷曲用于使通过加压辊23转写有金属镀膜8的带有粘着层的树脂膜20的辊构成。
加压辊23，以能够对树脂膜20相对于基体9均等地进行加压的方式，优选至少表面部分通过聚胺脂橡胶涂层、氯丁橡胶涂层、天然橡胶涂层等的弹力材料等覆盖。加压辊23也可以不与电动机连接能够自由旋转，也可以与电动机连接而进行旋转动作。
树脂膜20，使用的是例如由厚度20μm～50μm的聚对苯二甲酸乙二醇脂膜(PET膜)等构成，在其主面(转写金属镀膜8的面)，形成厚度0.05μm～10μm的粘着层21。粘着层21，通过例如丙稀系(溶剂系)、丙稀乳胶系(水系)、丁缩醛系、苯酚系、硅系、环氧系等的粘着剂在PET膜等的主面涂敷、干燥而得。干燥厚的粘着力，例如优选使用调整为0.1N/cm。
还有所述粘着层21，优选由在相对低温确实地热分解的材料形成.具体地说，金属镀膜8附着时，优选使用烧成时进行热分解的丙稀系(溶剂系)、丙稀乳胶系(水系)、丁缩醛系的粘着剂，其中特别优选使用剥离性良好的丙稀系粘着剂.这样的粘着层21的粘着力，例如设定为0.005N/cm～1.0N/cm，还有为了转写性良好，优选设定为0.01N/cm～1.0N/cm，还有为了剥离性良好，优选设定为0.01N/cm～0.2N/cm.
使这样的树脂膜20。顺序地由送出部22供向基体9侧，使此粘着层21所形成侧相对于金属镀膜8形成得基体9的表面，例如通过10N的按压力由加压辊23进行加压。由此在树脂膜20上金属镀膜8被转写。其后，树脂膜20由卷曲部24以与基体9的表面的圆周速相同的速度被卷曲。
陶瓷生片转写机构，由供给部28，和加压辊27，和收纳部29构成。供给部28，使卷曲带有陶瓷生片的树脂膜25的辊轴与电动机相连接，使此轴仅以规定的量进行旋转而送出。加压辊27，使陶瓷生片26以规定的压力与树脂膜20上的金属镀膜8相搭接。由此，陶瓷生片26在树脂膜20的金属镀膜8之上被转写。收纳部29，以一定的张力，卷曲通过加压辊27的树脂膜25。作为上述加压辊27，可以使用与所述的加压辊23相同的材质、构造。
(清洗机构)
清洗机构12，清洗从电镀槽18提升的基体9的表面。具体地说，是用于清洗形成于基体9的表面的金属镀膜8和掩膜层7的表面所残留的镀液19。
此清洗机构12，由对金属镀膜8和掩膜层7所形成的基体9的表面供给清洗液的供液机构，和回收所供清洗液的回收机构构成。由供液机构，向接近于基体9的表面所配的清洗用箱体12a提供清洗液，由此清洗用箱体12a将清洗液喷到基体9的表面，由此从基体9的表面清洗残留镀液。
作为清洗液，例如可以使用水、酒精、丙酮、甲苯等。清洗液中的杂质优选抑制在1000ppm以下。还有，为了进一步得到清洗效果，向基体9的表面喷出空气的空气供给机构也可以另行设置。
(清洗液吸引机构)
清洗液吸引机构13，对于清洗机构12，配置在基体9的旋转方向下流侧，用于由清洗机构12清洗镀液19后，完全除去金属镀膜8以及掩膜层7的表面残留的清洗液。
所述清洗液吸引机构13，由不锈钢板等构成，在其表面设有吸引用的多个孔，通过使用吸引器从这些孔进行吸引，而除去基体9的表面上残存的清洗液。在清洗液吸引机构13的表面部分，安装有例如氨酯海绵和人造革等形成有细孔的材料。还有，清洗液吸引机构13的形状可以是圆筒状、圆柱状、平板状任一种。
(镀液吸引机构)
镀液吸引机构14，相对于清洗机构12，配置在基体9的旋转方向的上流侧，用于除去金属镀膜8以及掩膜层7的表面残留的镀液。
所述镀液吸引机构14，由不锈钢板等构成，在其表面与所述清洗液吸引机构13相同设有多个孔，从这些孔吸引镀液19。镀液吸引机构14的表面部分也采用与清洗液吸引机构13相同的构造。还有，镀液吸引机构14的形状可以是圆筒状、圆柱状、平板状任一种。
(循环装置)
循环装置15，用于使注入电镀槽18的镀液19循环.在电镀槽18的底面的中央，相对于基体9的最下端部的部分，设有镀液19的供给口16.镀液19，由此供给口16，供到电镀槽18中.镀液19，在基体9的旋转方向下流侧中，沿基体9的表面与基体9的旋转方向相同的方向流动，在基体9的旋转方向上流侧中，沿基体9的表面与基体9的旋转方向相反的方向流动，从电镀槽18的两端溢出.然后，滞留在此循环槽中的镀液19，从其底部所设的吸出口17被吸出，由泵再次从所述供给口16供到电镀槽18中.
还有，在此镀液19的循环过程中，也可以设置滤过滤波器除去异物，镀液19的pH值和镀液19的流量，也可以根据必要调整非导电性微粒的浓度等。
(电子部件的制造方法)
接着，使用所述电镀膜形成装置，对层叠电容器的制造方法，工序等进行说明。
(工序1)
首先，通过电解镀法，在所述基体9的表面，形成金属镀膜8。因为基体9的表面的剖面形状时圆形，金属镀膜8其剖面形状，也形成具有与所述圆相同的曲率半径的凸曲面状。
基体9的下部区域，在注入电镀槽18的氨基磺酸镍镀液19等中浸渍，一边使基体9以规定的旋转速度绕旋转轴10的周向旋转，一边对和电镀槽18之间施加规定电位差，使电流密度成为例如2A/dm2～15A/dm2。由此，沿基体9的圆形面，除去所述掩膜层7形成的区域，金属镀膜8形成凸曲面状。
如此形成的金属镀膜8，由镍、铜、银、金、铂、钯、铬等或其金属合金形成，在这些金属中也优选耐热性优异的镍作为形成层叠电容器的内部电极3的材料。
如上所述，一边使基体9绕旋转轴10的周向旋转，一边在电镀槽18的镀液19中浸渍，对基体9和电镀槽18之间施加电场，能够在基体9的表面连续地形成金属镀膜8，由此，能够提高层叠电容器的生产性。而且此时，因为基体9和电镀槽18之间的电流密度大致均一，所以能够以大致一定的厚度形成金属镀膜。
还有此时，在镀液19中，如果大量添加由陶瓷或树脂构成的多数的非导电性微粒，则如此的非导电性微粒，其一部分和基体9相接而埋设在金属镀膜8中。其结果，形成含有非导电性微粒的金属镀膜8。
然后，基体9，在形成于基体9的表面的金属镀膜8通过基体9的旋转而从镀液19中提升后，通过镀液吸引机构14、清洗机构12以及清洗液吸引机构13而被清洗、干燥。
(工序2)
接着，将由工序1得到的金属镀膜8，先转写到树脂膜20上。
如此的树脂膜20，由送出部22顺序供给到基体9侧。将树脂膜20的粘着层21形成的面，相对金属镀膜8形成的基体的表面，通过加压辊23，例如以10N的按压力加压。由此，使金属镀膜8转写到树脂膜20上。其后，树脂膜20由卷曲部24卷曲。
此时，金属镀膜8，在工序1中，因为在圆形的基体9的表面上剖面成为凸曲面状而形成，所以使金属镀膜8析出到树脂膜20时，即使在金属镀膜8中内部应力(拉伸应力)生成，使所得的金属镀膜8从基体9剥离析出到树脂膜20，则凸曲面状的金属镀膜8在树脂膜20上沿平坦化方向变形。因此，金属镀膜8，在平的树脂膜20上，不会生成应变，以平坦状态形成。
还有，在基体9上的金属镀膜8中，如果添加上述的如陶瓷或树脂构成的多数的非导电性微粒，则因为这些非导电性微粒缺乏和基体9的结合性，所以能够比较容易的从基体9使金属镀膜8剥离。
还有，为了提高金属镀膜8的剥离性，优选使非导电性微粒分布，在电镀析出面(与导电性膜6相接的部位)大量配置非导电性微粒。特别是，露出金属镀膜8的表面的非导电性微粒的露出面积，相对金属镀膜8的总面积，形成0.01％～40％的比率，使金属镀膜8能够容易的从基体9剥离，因为具有能够防止金属镀膜的变形于未然的优点，所以为优选。还有，此值低于0.01％，则金属镀膜8的金属成分的析出比率变多，很难使和基体9的结合力充分地下降，在金属镀膜从基体表面剥离时，有时金属镀膜会变形。还有超过40％，则金属镀膜8中的金属成分变少，因为金属镀膜自身的机械强度下降，所以在金属镀膜从基体表面剥离时，有时在金属镀膜会有裂纹生成。
使用陶瓷材料作为这样的非导电性微粒时，适于使用与作为电介质片而使用的陶瓷生片26的陶瓷材料相同材质的材料。
另一方面，使用树脂材料作为这样的非导电性微粒时，适于使用与陶瓷生片26所含的有机粘合剂相同材质的材料。
还有，作为非导电性微粒的大小，优选平均粒径与金属镀膜8相比小的材料。如果如此，在金属镀膜8从基体9剥离时，能够有效地防止金属镀膜8的变形。
还有，作为如此的非导电性微粒，也可以将由陶瓷材料构成的非导电性微粒和由树脂材料构成的非导电性微粒混合而使用。
(工序3)
接着，在金属镀膜8所转写的树脂膜20上，通过进一步压接作为电介质板的陶瓷生片26，而使陶瓷生片26附着在金属镀膜8上。
陶瓷生片26，例如，以被支撑在由厚度12μm～100μm的PET膜等构成的树脂膜25上的状态，被供给部28的辊卷曲。陶瓷生片26，被供给到与树脂膜20的合流位置，双方的树脂膜20、25重合，与树脂膜20上的金属镀膜8相接。此部分通过内设于加压辊27的加热器加热到大约70℃的温度，并且由加压辊27以大约100N的按压力将树脂膜25加压向树脂膜20侧。如此，使陶瓷生片26附着于金属镀膜8。其后，陶瓷生片26所剥取的树脂膜25，由收纳部29卷曲。
如此，金属镀膜8被转写到树脂膜20上一次后，如果从其上重叠陶瓷生片26而附着，因为陶瓷生片26相对由硬质材料形成的基体表面的掩膜层7不进行直接接触，所以陶瓷生片26不会由于与掩膜层7的接触而损伤，能够使陶瓷生片26良好地附着在金属镀膜8上。
还有，金属镀膜8，从基体9剥离时，因为如上所述向平坦化的方向变形，所以即使将陶瓷生片26的主面转写到所述金属镀膜8上，对陶瓷生片26和金属镀膜8，能够有效地防止变形或裂纹的发生。因此，能够提高层叠电容器1的生产性。
还有，支撑于树脂膜25上的陶瓷生片26，例如，形成为1μm～20μm的厚度，在陶瓷材料粉末中添加混合有有机溶剂、有机粘合剂等而得到的规定的陶瓷浆，通过公知的镀法或印刷法涂敷在树脂膜25的主面后，使烧成后的厚度形成2μm，通过对其干燥而得到。
树脂膜25，使用的是厚度38μm的PET膜.在这样的树脂膜25的一个主面，涂敷陶瓷浆并使其干燥，使烧成后的厚度成为例如2μm，准备带有陶瓷生片26的树脂膜25.接着，使树脂膜25的陶瓷生片26搭接于树脂膜20上的金属镀膜8，对此搭接部，通过半径100mm、长度250mm的加压辊27以100N、70℃的加压条件夹住，使陶瓷生片26压接于带有金属镀膜8的树脂膜20.其后，使陶瓷生片26从树脂膜25剥离.
(工序4)
接着，准备多片由所述工序3所得的带有金属镀膜8的陶瓷生片26，例如，一边在60℃一边以0.9MPa的压力进行预压，其后，通过公知的静水压冲压等，以70℃的温度，50MPa的压力进行压接，从而形成层叠体。
(工序5)
然后，最后，将工序4中所得的层叠体切断为规定形状，在高温烧成所得的个片。
层叠体的烧成，比形成金属镀膜8的金属的熔点低，并且至少在烧成的一个时刻，在比改进数的再结晶温度高的温度而进行。如此，陶瓷生片26成为层叠电容器的电介质4，金属镀膜8成为内部电极3。
在此，所谓金属的再结晶，是对所加工的金属材料进行加热，则此金属在某一温度境内急速软化，以减轻内部应变而稳定化的现象。此再结晶开始的温度被称为再结晶温度。例如，镍的情况，再结晶温度为530℃～660℃，熔点为1458℃，还有铜的情况，再结晶温度为200℃～250℃，熔点为1083℃，还有金的情况，再结晶温度大约200℃，熔点为1060℃。因此，金属镀膜8由镍形成时，层叠体的烧成，例如可以在1300℃的温度进行。
如此通过将金属镀膜8在比形成该金属镀膜8的金属的熔点低的温度进行烧成，烧成时金属镀膜8溶解，能够确实地防止金属镀膜8断开的问题，能够连续地形成优异的内部电极3。
还有此时，烧成层叠体时的峰值温度，因为设定的比形成金属镀膜8的金属的再结晶温度高，所以烧成时通过进行形成金属镀膜8的金属的再结晶化而适当地软化金属，陶瓷生片26中的陶瓷离子进入金属镀膜8的表面。由此，提高金属镀膜8和陶瓷生片26的结合力，其结果，能够得到结构缺陷少的层叠电容器。
而且此时，因为在金属镀膜8中，埋设有非导电性微粒的一部分，所以作为非导电性微粒使用陶瓷材料时，非导电性微粒在陶瓷生片26的烧成时的同时烧成，和陶瓷生片26中所含陶瓷成分进行烧结形成一体。其结果，提高了金属镀膜8和陶瓷生片26的结合性。还有，作为非导电性微粒使用树脂材料时，非导电性微粒在陶瓷生片26的烧成时烧失形成孔隙，在此孔隙中因为陶瓷生片26中的陶瓷成分扩散，所以此时也能够提高金属镀膜8和陶瓷生片26的结合性。
(工序6)
于是最后，在层叠体的两端部，通过现有公知的镀层法等，涂敷外部电极用的导体糊，对其烧成后，通过在其表面进行镀处理而形成外部电极5，由此，完成作为制品的层叠电容器1。
(制造方法的变形例1)
接着使用图5对本发明的另外的实施方式进行说明。还有，省略掉与刚才所述的电子部件的制造方法相同的工序的说明，还有镀膜形成装置的结构中也省略掉标有相同的符号的重复的说明。
本实施方式与刚才所述的制造方法的不同点是，在树脂膜20中，将一次转写的金属镀膜8，再度转写到保持于树脂膜25上的陶瓷生片26的表面。
此时，金属镀膜8转写的陶瓷生片26，由收纳部29卷曲每个树脂膜26，在以后的工序中使用.
在如此的第二实施方式中，能够得到与所述的第一实施方式完全相同的效果。
(制造方法的变形例2)
接着，参照图6对本发明的另外的实施方式进行说明。还有，省略掉与刚才所述的电子部件的制造方法相同的工序的说明，还有镀膜形成装置的结构中也省略掉标有相同的符号的重复的说明。
本实施方式与刚才所述的制造方法的不同点是，将在基体9上析出的金属镀膜8，与在树脂膜25上保持的陶瓷生片26的主面相接，进行转写。即，陶瓷生片26所保持的PET膜等构成的树脂膜25，从送出部22的辊送出，通过加压辊23压接于基体9。由此，形成于基体9的金属镀膜8被转写到在树脂膜25上保持的陶瓷生片26的主面。卷曲部24，通过加压辊23，将金属镀膜8所转写的树脂膜25卷取。
在如此的实施方式中，能够得到与前面的实施方式完全相同的效果。
还有此时，镀膜成形装置所用的基体9的掩膜层7如果由DLC或GLC等形成，因为陶瓷生片26基本没有附着于掩膜层7的表面，所以能够稳定地反复进行转写。
(制造方法的变形例3)
接着，参照图7对本发明的另外的实施方式进行说明。
在目前的方法中，在金属镀膜8所转写的树脂膜上的金属镀膜8不存在的部分，没有形成任何膜。因此，在树脂膜上金属镀膜8所形成的部分和什么也没有形成的部分，形成高低差。
图7是用于说明对于从基体9金属镀膜8所转写的，具有粘着层21的树脂膜20，在金属镀膜8不存在的部分，形成用于填补高低差的薄的电介质片43的方法的剖面图。
在树脂膜20的输送途中，配置有用于从表里对树脂膜20加压的一对辊40、41。在与树脂膜20的金属镀膜8所形成的主面相接的辊40，与金属镀膜8大致相等厚度的电介质片43所支撑的树脂膜42被输送。电介质片43，优选为陶瓷生片。
电介质片43，通过辊40的压力，被压向树脂膜20的一个主面。此时，通过对电介质片43，对于金属镀膜8的存在部位和不存在的部分双方进行按压，利用金属镀膜8的边缘的切断力，树脂膜20的一个主面中仅在金属镀膜8不存在的部位能够有选择地使电介质片43附着。
如此，在树脂膜20上，能够得到电介质片43所埋设的平的金属镀膜8。在此电介质片43所埋设的金属镀膜8之上，使用图2或图5说明的陶瓷生片转写机构，转写陶瓷生片26。
在这样的方法中，除了能够得到与前面的实施方式完全相同的效果之外，在金属镀膜8和陶瓷生片26之间没有形成大的间隙。因此，通过将其从树脂膜20剥离，多片进行层叠，对其进行热处理制作成层叠型电子部件，能够有效地防止由脱层或电极的弯曲而导致的电问题的发生，能够得到可靠性以及生产性优异的陶瓷电子部件。
(制造方法的变形例4)
接着，参照图8对本发明的另外的实施方式进行说明。
本实施方式与目前的制造方法的不同点是，将金属镀膜8埋设于陶瓷生片26的内部而形成。
此制造方法，如图8的扩大图所示，在金属镀膜8所转写的树脂膜20的主面，从喷嘴32，涂敷陶瓷浆31使其覆盖金属镀膜8，使用加热器33将其干燥，从而得到金属镀膜8所埋设的陶瓷生片26。
通过将所得到的金属镀膜8所埋设的陶瓷生片26，多片进行层叠，而形成陶瓷生片26的层叠体，通过在未图示的加热炉中进行热处理，而制造层叠行电子部件。
在这样的实施方式中，除了能够得到与前面的实施方式完全相同的效果之外，在上述所得的陶瓷生片26中，因为在金属镀膜的存在部分和不存在部分之间没有大的高低差，所以将如此的陶瓷生片26多片层叠而形成层叠体，能够有效地抑制埋设于其内部的金属镀膜的变形，具有有效地防止电问题或脱层发生的优点。
(镀膜形成装置的变形例1)
接着，参照图9对本发明的另外的实施方式进行说明。
本实施方式的特征是，电镀槽18，区分有作为阳极作用的高电位区域18A，和作为阴极作用的低电位区域18B。
即，将电源6A的阴极与基体9接续，电源6A的阳极与电镀槽18的高电位区域18A相接续。此外，将电源6B的阳极与基体9接续，电源6B的阴极与电镀槽18的低电位区域18B相接续。电源6A的阴极与电源6B的阳极共通接续。
在掩膜层7不存在的基体9的表面，使金属镀膜8析出后，使用电源6B的相反的电位，使一次形成的金属镀膜8的表面部分，特别是金属镀膜8和基体9以及掩膜层7的接触部分，在镀液19中再溶解。由此，再金属镀膜8和基体9以及掩膜层7之间，生成微小的间隙，提高金属镀膜8的剥离性，能够提高向被转写材的转写的精度。
上述电镀槽18，通过在其中央部设置由氯乙烯等形成的绝缘构件16A，使高电位区域18A和低电位区域18B电分离。作为绝缘构件16A，除上述氯乙烯以外，还能构使用聚四氟乙烯等。其电阻率值，因为要确保充分的绝缘性，在两区域能够适当地进行金属镀膜8的析出·再溶解，所以优选使用1000Ωm以上的材料。还有绝缘构件16A，优选使用耐化学性的材料，特别是优选具有耐酸性的材料。
还有，也可以在电镀槽18和基体9之间，在所述绝缘构件16A之上，和基体9的表面隔开规定的间隔，而形成用于将对应于各区域的镀液彼此相互隔离的隔离构件16B。通过由此隔离构件16B使对应于各区域的镀液彼此相互隔离，因为对应于两区域的电场相互不进行干涉，所以能够更适当地进行各区域的镀液的析出·再溶解。
所述绝缘构件16A以及所述隔离构件16B，可以由相同的材料作为绝缘隔壁材料16而一体形成。此绝缘隔壁材料16，能够作为后述的循环装置15的一部分的镀液供给口进行使用。此时，可以构成为绝缘隔壁材料16为中空，并且电镀槽18中的镀液19一侧设有用于供给镀液的开口部。
还有，也可以通过设置多个绝缘隔壁材料16，而进一步细分电镀槽18的区域。由此，能够适根据目的适当地控制多个电场，能够形成希望的金属镀膜。
(镀膜形成装置的变形例2)
接着，参照图10、图11对本发明的另外的实施方式的镀膜形成装置进行说明。
本实施方式与目前的制造方法的不同点是，镀膜形成装置所用的基体9的表面，至少在表层部中，相对于基体9的中核部，划分为支撑可以装卸的多个块。
例如，如图10所示，形成绝缘材34而覆盖基体4的表面侧的全面，此外在绝缘材34上以规定间隔配置多个绝缘隔壁材35，并且在绝缘材34上绝缘隔壁材35之间，使用粘着剂等埋入导电性膜6之上形成掩膜层7的块构件36，从而构成基体4。
还有，在镀液19中不同的位置设有导电辊37A、37B。导电辊37A、37B，分别通过电源装置6A、6B，与电镀槽18的高电位区域18A以及低电位区域18B相接续。与导电辊37A搭接的块构件36，相对电镀槽18成为正的高电位，与导电辊37B搭接的块构件36，相对电镀槽18成为负的低电位。
还有，如图11所示，不仅限于基体4的表层部，包含中核部也作为块构件36而构成，各个的块构件36，也可以从基体4的中心部向表面以放射状通过绝缘隔壁材35而形成。
在高电位区域18A中，在不存在掩膜层7的基体9的表面使金属镀膜8析出后，在低电位区域18B中，使用相反的电位，使一次形成的金属镀膜8的表面部分，特别是金属镀膜8和基体9以及掩膜层7的接触部分，在镀液19中再溶解。由此，从镀液19中提起的金属镀膜8，在金属镀膜8和基体9以及掩膜层7之间生成细小的间隙，提高金属镀膜8的剥离性，能够提高向被转写材(树脂膜)的转写的精度。
还有，将掩膜层7等，因为可以相对具有小的表面积的块构件36而形成，所以由简单的设备能够在块构件36制造掩膜层7等。还有，形成于基体表面的掩膜层7发生部分磨损等时，可以仅更换该块构件，具有维护性优异的优点。
还有，本发明不仅限于上述的实施方式，在不超离本发明的构思的范围内，可以进行各种的变更和改良等。
例如，在上述的实施方式中，以制造层叠电容器的情况为例进行了说明，但是不用说本发明也适用于制造层叠电容器以外的电子部件，例如感应器、滤波器，电路基板等。

Claims (6)

1.一种电子部件的制造方法，其特征在于，包括：
工序A，在基体的表面析出金属镀膜；
工序B，从所述基体剥离所述金属镀膜，使该金属镀膜和电介质片相互附着；
工序C，通过对形成有所述金属镀膜的电介质片，在比形成所述金属镀膜的金属的熔点更低的温度进行热处理，获得在电介质层上具备覆盖有导体层的部分的电子部件，
所述工序B，包括：从所述基体剥离所述金属镀膜，并转写到树脂膜的工序；和在被转写到该树脂膜的金属镀膜上附着电介质片的工序。
2.一种电子部件的制造方法，其特征在于，包括：
工序A，在基体的表面析出金属镀膜；
工序B，从所述基体剥离所述金属镀膜，使该金属镀膜和电介质片相互附着；
工序C，通过对形成有所述金属镀膜的电介质片，在比形成所述金属镀膜的金属的熔点更低的温度进行热处理，获得在电介质层上具备覆盖有导体层的部分的电子部件，
所述工序B，包括：从所述基体剥离所述金属镀膜，并转写到树脂膜的工序；和将被转写到该树脂膜的金属镀膜再度转写到电介质片上的工序。
3.一种电子部件的制造方法，其特征在于，包括：
工序A，在基体的表面析出金属镀膜；
工序B，从所述基体剥离所述金属镀膜，使该金属镀膜和电介质片相互附着；
工序C，通过对形成有所述金属镀膜的电介质片，在比形成所述金属镀膜的金属的熔点更低的温度进行热处理，获得在电介质层上具备覆盖有导体层的部分的电子部件，
所述工序B包括：从所述基体剥离所述金属镀膜，直接转写到形成有电介质片的树脂膜的电介质片上的工序。
4.一种电子部件的制造方法，其特征在于，包括：
工序A，在基体的表面析出金属镀膜；
工序B，从所述基体剥离所述金属镀膜，使该金属镀膜和电介质片相互附着；
工序C，通过对形成有所述金属镀膜的电介质片，在比形成所述金属镀膜的金属的熔点更低的温度进行热处理，获得在电介质层上具备覆盖有导体层的部分的电子部件，
所述工序B，包括：从所述基体剥离所述金属镀膜，转写到树脂膜的工序；和以覆盖被转写到该树脂膜上的金属镀膜的方式，附着电介质浆的工序；和对附着了电介质浆的树脂膜进行加热而干燥的工序。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的电子部件的制造方法，其特征在于，
所述工序C的热处理时的峰值温度比形成金属镀膜的金属的再结晶温度高。
6.一种电子部件的制造方法，其特征在于，包括：
工序A，在基体的表面析出金属镀膜；
工序B，从所述基体剥离所述金属镀膜，使该金属镀膜和电介质片相互附着；
工序C，通过对形成有所述金属镀膜的电介质片，在比形成所述金属镀膜的金属的熔点更低的温度进行热处理，获得在电介质层上具备覆盖有导体层的部分的电子部件，
所述工序B包括以下工序：从所述基体剥离所述金属镀膜并转写到树脂膜后，关于该树脂膜，对于形成有所述金属镀膜的面的、存在金属镀膜的部分和不存在金属镀膜的部分双方，按压具有与金属镀膜大致相等厚度的电介质片，从而在树脂膜的不存在金属镀膜的部分有选择地附着电介质片.
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