JP3793567B2 - メッキ膜形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、誘電体層と所定パターンの導体層とを組み合わせて構成されているコンデンサやインダクタ，フィルタ，回路基板などの製造に用いるメッキ膜形成装置に関するものである。

従来より、セラミック材料等の誘電体材料と、導体材料とを用いてコンデンサ，インダクタ，フィルタ，回路基板等の電子部品が形成されている。

このような従来の電子部品として、例えば、所定の誘電率を有した複数のセラミック層を、それらの間に第１の内部電極と第２の内部電極とを交互に介在させて積層するとともに、該積層体の側面や主面に前記第１，第２の内部電極にそれぞれ電気的に接続される一対の外部電極を設けてなる積層コンデンサがよく知られている。

かかる積層コンデンサは、前記第１の内部電極と第２の内部電極との間に所定の電圧を印加し、第１の内部電極と第２の内部電極との間に配されているセラミック層に所定の静電容量を形成することによってコンデンサとして機能する。

また上述した積層コンデンサは以下の工程を経て製作される（たとえば、特許文献１参照）。

まず、所定のセラミック材料粉末に有機バインダ及び有機溶剤を添加・混合してスラリー状の無機組成物を作製し、これを従来周知のドクターブレード法等を採用し、所定厚みのシートに成形加工することによりセラミックグリーンシートが形成される。

次に、得られたセラミックグリーンシートの主面に従来周知のスクリーン印刷等によってニッケル等の金属を主成分とする導体ペーストを所定パターンに印刷・塗布する。これを複数枚、積み重ねることによって、セラミックグリーンシートの積層体を形成する。

続いて、前記積層体を高温で焼成することによって、内部電極が介在されたセラミック層の積層体を形成する。

最後に、積層体の端面等に従来周知のディッピング法等によって導体ペーストを塗布し、焼き付けて外部電極を形成することによって積層コンデンサが製作される。

ところで、近年、電子機器の小型化に伴い、電子部品の小型化が求められており、上述した積層コンデンサの場合、個々のセラミック層や内部電極を薄く形成するための種々の検討がなされている。

例えば、上述した従来の積層コンデンサにおいて、内部電極の厚みを薄くするには、内部電極の形成に使用されている導体ペースト中に含まれる金属粉末の平均粒径を、例えば、０．３μｍ程度に極めて小さくすることが重要である。

しかしながら、導体ペースト中に含まれている金属粉末の粒径を極めて小さくした場合、導体ペースト中で金属粉末同士が凝集することに起因して金属粉末の分散性が悪くなってしまうことから、スクリーン印刷等に適した特性をもつ導体ペーストを得ることは困難であった。

また仮に、導体ペースト中に含まれている種々の成分を調整することによりスクリーン印刷等に適した特性をもつ導体ペーストを得ることができたとしても、これをセラミックグリーンシート上に薄く塗布して焼成すると、焼成の際に導体ペースト中の金属粉末が移動することによって内部電極の連続性が喪失される不都合があり、最悪の場合、内部電極が分断されてしまう欠点を有していた。

そこで上述の欠点を解消するために、厚みの薄い金属メッキ膜を用いて積層コンデンサを製作することが検討されている。その場合、金属メッキ膜が被着されたセラミックグリーンシートを複数枚、積層することによって積層体を形成し、これを高温で焼成することによって積層コンデンサが製作される。

このような積層コンデンサの内部電極となる金属メッキ膜は、内部電極と対応する形状の開口パターンを有したマスクを金属製の基板上に形成するとともに、前記基板をメッキ槽中に浸漬し、前記マスクの開口内に位置する基板の表面に従来周知の電解メッキ法にて金属を析出させることによって形成される。このような基板の主面にセラミックグリーンシート等を押圧し、マスクの開口内に形成された金属メッキ膜をセラミックグリーンシートの一主面に転写することによって、金属メッキ膜がセラミックグリーンシート上に付着・形成される。
特開２０００−２４３６５０号公報

しかしながら、金属メッキ膜を用いた上述の製造方法では、金属メッキ膜の析出時に、金属メッキ膜中に大きな内部応力（引張応力）を生じるという不都合がある。それ故、金属メッキ膜の析出に使用される金属板の表面が平坦である場合、金属メッキ膜を金属板より剥離させると、金属メッキ膜が析出方向と反対側の方向に突出した形に湾曲しようとし、いわゆる「反り」が生じる。このため、金属メッキ膜をセラミックグリーンシートに転写した時、セラミックグリーンシートもしくは金属メッキ膜に変形やクラックを発生したり、或いは、焼成時にデラミネーションを発生するという欠点が誘発される。

更に上述した従来の製造方法においては、セラミックグリーンシートから成る積層体を焼成する際、そのピーク温度が高すぎると、金属メッキ膜を形成している金属が溶融してしまうことによって内部電極が細かく分断されてしまい、積層コンデンサとしての機能を喪失することがある。また、焼成温度が低すぎると、セラミックグリーンシートを焼成してなるセラミック層と金属メッキ膜（内部電極）との密着性が低くなり、層間剥離等の破損を生じる欠点が誘発される。

本発明は以上のような課題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、剥離性が良好で、かつ湾曲のない金属メッキ膜を得ることができる、生産性に優れたメッキ膜形成装置を提供することにある。

本発明のメッキ膜形成装置は、メッキ液が注入されるメッキ槽と、円柱状の表面を有し、表面の一部が前記メッキ液に浸漬されるように配置された回転可能な基体と、前記基体と前記メッキ槽の間に電界を印加する電界印加手段と、前記基体の回転方向下流側に、前記メッキ液より引き上げた基体表面上の金属メッキ膜を、被転写材を基体に対して押圧する転写手段とを有することを特徴とするものである。

また本発明のメッキ膜形成装置は、前記基体の表面に、前記金属メッキ膜の析出領域を規制するマスク層が形成されていることを特徴とするものである。

さらに本発明のメッキ膜形成装置は、前記金属メッキ膜を析出させる基体の表面が、窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタン、炭化チタン、導電性ＤＬＣの少なくとも一種から成るとともに、表面粗さが最大高さＲｙで０．５μｍ以下であり、且つ、その比抵抗が１０^−２Ωｃｍ以下であることを特徴とするものである。

また更に本発明のメッキ膜形成装置は、前記メッキ液はセラミック微粒子を含んで成り、該セラミック微粒子が基体表面に析出した金属成分に付着することによってセラミック微粒子を含む金属メッキ膜が形成されることを特徴とするものである。

更にまた本発明のメッキ膜形成装置は、前記転写手段に対して前記基体の回転方向上流側に、前記メッキ液より引き上げた基体上の金属メッキ膜表面に残存するメッキ液を除去するための洗浄手段を配置させてなるものである。

また更に本発明のメッキ膜形成装置は、前記洗浄手段に対して、前記基体の回転方向下流側に、金属メッキ膜表面に残存する洗浄液を除去する洗浄液吸引手段が配置されていることを特徴とするものである。

更にまた本発明のメッキ膜形成装置は、前記洗浄手段に対して、前記基体の回転方向上流側に、前記金属メッキ膜表面に残存するメッキ液を吸収・除去するためのメッキ液吸引手段が配置されていることを特徴とするものである。

また更に本発明のメッキ膜形成装置は、前記基体の表層部が、前記基体の中核部に対して着脱可能に支持された複数のブロックに区画されているものである。

更にまた本発明のメッキ膜形成装置は、前記メッキ槽に、前記基体よりも正の電位に保持されて基体表面に金属メッキ膜を析出させる第１の電位領域と、該第１の電位領域よりも前記基体の回転方向下流側に位置し、且つ、前記基体よりも負の電位に保持されて基体表面に析出した金属メッキ膜の表層部を前記メッキ液中に再溶解させる第２の電位領域とを設けたものである。

また更に本発明のメッキ膜形成装置は、前記第１の電位領域及び第２の電位領域間に絶縁部材を介在させて両領域を電気的に分離したものである。

本発明によれば、メッキ液が注入されるメッキ槽と、円柱状の表面を有し、表面の一部が前記メッキ液に浸漬されるように配置された回転可能な基体と、前記基体と前記メッキ槽の間に電界を印加する電界印加手段と、前記基体の回転方向下流側に、前記メッキ液より引き上げた基体表面上の金属メッキ膜を、被転写材を基体に対して押圧する転写手段とを有してメッキ膜形成装置を構成したことから、金属メッキ膜が析出される基体を円筒状もしくは円柱状に成し、金属メッキ膜の析出工程において、前記基体を軸周りに回転させながら、その一部をメッキ槽のメッキ液に浸漬するとともに、前記基体と前記メッキ槽との間のメッキ液に電界を印加して金属メッキ膜を形成することにより、金属メッキ膜を連続的に形成して生産性の向上に供することができる。また、基体とメッキ槽との間の電流密度を略均一になして、金属メッキ膜を略一定の厚みで形成することができるようになる。

また本発明によれば、前記基体の表面に、前記金属メッキ膜の析出領域を規制するマスク層を形成しておくことにより、基体をメッキ液に浸漬してメッキ槽との間に電界を印加するだけで、別途、フォトエッチングなどを行うことなく、所望するパターンの金属メッキ膜を容易に得ることができ、これによって金属メッキ膜を効率良く形成することが可能となる。

更に本発明によれば、金属メッキ膜が析出される基体の表面を窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタン、炭化チタン、導電性ＤＬＣの少なくとも一種により形成するとともに、基体表面の表面粗さを最大高さＲｙで０．５μｍ以下に設定し、その比抵抗を１０^−２Ωｃｍ以下に設定しておくことにより、基体の表面に金属メッキ膜を析出させる際、基体とメッキ槽との間の電流密度はより均一なものとなり、金属メッキ膜の厚みをより等しく揃えることができるようになる。しかもこの場合、上述の無機質材料で形成された基体表面の硬度は高く、表面状態は極めて平滑であることから、金属メッキ膜の剥離性も良好である。

また更に本発明によれば、前記メッキ液はセラミック微粒子を含んで成り、該セラミック微粒子が基体表面に析出した金属成分に付着することによってセラミック微粒子を含む金属メッキ膜が形成されるようにメッキ膜形成装置を構成したことから、セラミック微粒子が基体表面に析出した金属成分に付着することによってセラミック微粒子を含む金属メッキ膜が形成され、金属メッキ膜と基体との密着力が比較的小さくなり、金属メッキ膜を基体から容易に剥離することが可能となる。

更にまた本発明によれば、前記転写手段に対して前記基体の回転方向上流側に、前記メッキ液より引き上げた基体上の金属メッキ膜表面に残存するメッキ液を除去するための洗浄手段を配置させてメッキ膜形成装置を構成したことから、残存するメッキ液が金属メッキ膜と共に被転写材に転写され、被転写材にキズを付けたり、膨潤、軟化（寸法変化）されることによって、焼成後の内部電極が劣化することなどによる製品の信頼性低下を防止することができる。

また更に本発明によれば、前記洗浄手段に対して、前記基体の回転方向下流側に、金属メッキ膜表面に残存する洗浄液を除去する洗浄液吸引手段が配置されていることから、前記洗浄手段による洗浄を終えた後に、基体上の金属メッキ膜表面に残存し得る洗浄液を除去することで、金属メッキ膜を被転写材へ転写する場合に高い密着強度を得ることができる。

更にまた本発明によれば、前記洗浄手段に対して、前記基体の回転方向上流側に、前記金属メッキ膜表面に残存するメッキ液を吸収・除去するためのメッキ液吸引手段が配置されていることから、前記洗浄手段による洗浄に先立って、メッキ液より引き上げた基体上の金属メッキ膜表面に残存するメッキ液を概ね除去することができ、これにより比較的小さな洗浄能力を有する洗浄手段を用いた場合であっても十分な洗浄を行うことができる。

また更に本発明によれば、前記基体の表層部が、前記基体の中核部に対して着脱可能に支持された複数のブロックに区画されるようにしてメッキ膜形成装置を構成したことから、ブロックを単位とする部材毎にマスク形成等の加工やメンテナンスを行うことができ、設備の取り扱いや組み立てを簡便になすことができる。

更にまた本発明によれば、前記メッキ槽に、前記基体よりも正の電位に保持されて基体表面に金属メッキ膜を析出させる第１の電位領域と、該第１の電位領域よりも前記基体の回転方向下流側に位置し、且つ、前記基体よりも負の電位に保持されて基体表面に析出した金属メッキ膜の表層部を前記メッキ液中に再溶解させる第２の電位領域とを設けてメッキ膜形成装置を構成したことから、一旦形成された金属メッキ膜の表面部分、特に基体との接触部分をメッキ液中に再溶解せしめ、金属メッキ膜と基体との間に微小な隙間が生じさせることにより、金属メッキ膜の剥離性を向上させることができる。両領域を電気的な分離は、前記第１の電位領域及び第２の電位領域間に絶縁部材を介在させることにより、実現することができる。

以下、本発明の実施の形態を、添付図面を参照しながら詳細に説明する。

―積層コンデンサ―
図１は本発明のメッキ膜形成装置によって製作した積層コンデンサを示す断面図である。同図に示す積層コンデンサ１は、複数の層に重ねられた誘電体層４と、各誘電体層４に形成された内部電極３と、誘電体層４を上下から挟む絶縁層２と、外部電極５とで構成されている。

この積層コンデンサ１は、所定の誘電率を有した誘電体層４に内部電極３を形成して、交互に積層して直方体形状の積層体を形成したものである。当該積層体の上下両面には、誘電体層４と同一材料からなる絶縁層２を形成している。更に前記積層体の両端部に内部電極３と電気的に接続される外部電極５を被着・形成している。この積層コンデンサ１の外形は、例えば、巾１．２ｍｍ、長さ２ｍｍ、高さ１．２ｍｍの寸法にて形成される。

前記誘電体層４は、セラミック材料又は有機材料により形成される。セラミック材料から成る場合、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム等により形成される。有機材料から成る場合、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＰ（ポリプロピレン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）等により形成される。誘電体層４の厚みは、例えば１層あたり１．０μｍ〜４．０μｍに設定され、その積層数は、例えば３０層〜６００層に設定される。なお、絶縁層２の材質としては、誘電体層４と同様のセラミック材料や有機材料が用いられる。

誘電体層４間に介在される内部電極３は、例えばニッケル、銅、銀、金、プラチナ、パラジウム、クロム、これら金属の合金等から成り、その厚みは、例えば０．５μｍ〜２．０μｍに設定される。

このような誘電体層４の材質や厚みや積層数，内部電極３の対向面積等は、所望する積層コンデンサの静電容量などによって適宜、決定される。

―メッキ膜形成装置−
上述した積層コンデンサは、図２〜図４に示すメッキ膜形成装置を用いて製造される。

図２は、本発明のメッキ膜形成装置を模式的に示す側面図、図３はこのメッキ膜形成装置に用いられる基体９を上（図２のＡ方向）から見た平面図、図４はこのメッキ膜形成装置に用いられる基体表面の構造を示す拡大側断面図である。

メッキ膜形成装置は、メッキ槽１８の中に基体９を回転可能に配置し、基体９に対してメッキ槽１８と反対の側に転写手段を配置することにより構成されている。

以下、メッキ膜形成装置の各構成要素について説明する。なお、以下に述べる構成要素のうち、例えば洗浄手段、洗浄液吸引手段、メッキ液吸引手段及び循環装置は、本発明のメッキ膜形成装置における必須の構成要素ではなく、付加的な構成要素として位置づけられるものである。

＝基体＝
基体９はメッキ膜形成装置の陰極として機能する。例えば、ステンレス、鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、チタン、タンタル、モリブデン等の導電性を備えた金属により形成されている。基体９の表面には、その全周にわたり導電性膜６（図４参照）が形成されており、該導電性膜６の表面には導電性膜６を所定パターンに露出させるマスク層７が形成される。以下、基体９の表面と導電性膜６とを含めて「基体の表面」ということがある。

このような基体９の表面は、円柱状であり、曲率半径は、例えば５０ｍｍ〜２０００ｍｍの範囲に設定され、その表面粗さは、例えば、最大高さＲｙでいえば０．５μｍ以下に設定される。すなわちＲｙ≦０．５μｍである。

基体９の表面に形成される導電性膜６としては、例えば、比抵抗が１０^−２Ωｃｍ以下の材料が用いられる。電解メッキの際の電流密度を均一にするためには、比抵抗が１０^−３Ωｃｍ以下の材料が好ましい。比抵抗が１０^−３Ωｃｍ以下の導電性膜６の材料として、例えば、窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタン、炭化チタン、導電性ＤＬＣ（ダイヤモンド・ライク・カーボン）等を用いることができる。また、前記導電性膜６の材料のうち、金属メッキ膜８の剥離性を良好となすには、窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタン等で導電性膜６を形成するのが好ましい。特に、耐久性を高めるには、窒化チタン等で導電性膜６を形成するのが好ましい。なお、導電性膜６は、従来周知の薄膜形成法、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ）等によって基体９の表面に形成される。

導電性膜６の表面に形成されるマスク層７は、金属メッキ膜８の析出領域を規制するためのものである。マスク層７は、十分な電気絶縁性を備えることが好ましい。例えば、その比抵抗は、１０^４Ω・ｃｍ以上に設定するとよい。ビッカース硬度Ｈｖは例えば１０００以上、摩擦係数μは例えば０．３以下の材料を用いる。このような諸特性を満足する材料としては、例えば、アモルファス構造のＤＬＣやＧＬＣ（グラファイト・ライク・カーボン）等が挙げられる。

このように、基体９の表面に金属メッキ膜８の析出領域を規制するマスク層７を形成しておくことにより、フォトエッチング等の煩雑な工程を経ることなく、基体９をメッキ液１９に浸漬して、後述するメッキ槽１８と基体９との間に電界を印加するだけで所望するパターンの金属メッキ膜８が容易に得られる。

前記マスク層７の厚みは、金属メッキ膜８の厚みと同じか、或いは、金属メッキ膜８の厚みよりもやや厚く形成することが好ましい。これは、マスク層７の厚みを越えて成長した金属メッキ膜８がマスク層７上に広がるのを防止するためである。

ここで、マスク層７の側面と底面との間に形成される角部の角度α（図４参照）は９０度以下、例えば９０度〜８５度に設定しておくことが好ましい。このように９０度以下に設定しておけば、基体９と接する金属メッキ膜８の下面の面積が、その上面の面積よりも小さくなることから、金属メッキ膜８を樹脂フィルム２０等に転写する際、金属メッキ膜８の外周部がマスク層７に引っ掛かりにくくなり、金属メッキ膜８の剥離を容易することができる。

前記マスク層７は、例えば、ＤＬＣ，ＧＬＣ等を従来周知のスパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の薄膜形成法によって基体９の表面に所定厚みに被着・形成し、しかる後、従来周知のフォトエッチング法等を採用して、複数個の開口部を有したパターンに加工することによって形成される。前記開口部は、金属メッキ膜８の析出領域に対応する部位となる。

マスク層７の材質として用いられるＤＬＣやＧＬＣは、その電気抵抗が比較的高いことから、マスク層７の表面にメッキが析出することはない上に、表面の剥離性が良好で、摩擦抵抗も小さい。従って、金属メッキ膜８を被転写体である樹脂フィルム２０等に対して転写する際、被転写体が損傷を受けることは少なくなる。このように、マスク層７の材質を選ぶことにより、基体９の耐久性が高められ、長期にわたって繰り返し使用しても高品質の金属メッキ膜８を得ることができる。

以上のような基体９は、図２に示すように、回転軸１０によって回転可能に支持されるようになっている。この回転軸１０を電動機の主軸に連結して、電動機の回転運動を伝達することにより基体９を軸周りに回転させる。そしてこの回転軸１０は、回転ブラシを介して電源装置１１に接続され、これによって基体９に負の電圧が印加される。すなわち、基体９がメッキ膜形成装置の陰極として機能することとなる。

＝メッキ槽＝
メッキ槽１８は、メッキ膜形成装置の陽極として機能し、また同時に、その内部でメッキ液１９を満たすことによりメッキ浴を形成するための容器として機能する。

このようなメッキ槽１８の内面形状と基体９の表面とは、両者間に一定の間隔が形成されるよう、両者は、略同心円状に設置されている。基体９の表面とメッキ槽１８の内面との間隔は、例えば２ｍｍ〜５０ｍｍに設定される。

メッキ液１９は、後述する循環装置１５等によって基体９とメッキ槽１８との間を所定の流速で流動するようになっている。かかるメッキ液１９としては、ニッケルメッキ膜を形成する場合、内部応力の少ない金属メッキ膜８を得るのに適したスルファミン酸ニッケルメッキ液等が好適に用いられる。このようなスルファミン酸ニッケルメッキ液としては、例えば、塩化ニッケル３０ｇ／リットル、スルファミン酸ニッケル３００ｇ／リットル、ほう酸３０ｇ／リットルの組成を有した水溶液等が用いられ、そのｐＨ値は、例えば３．０〜４．２に設定される。特に内部応力の小さな金属メッキ膜８を得るには、ｐＨ値を３．５〜４．０に設定するとともに、メッキ液１９の温度を４５℃〜５０℃に設定しておくことが好ましい。

そして、このようなメッキ液１９には、好ましくは、セラミックや樹脂等から成る非導電性微粒子３０が添加される。

また、上述したメッキ液１９には、必要に応じて、ホウ酸、ギ酸ニッケル、酢酸ニッケル等から成るｐＨ緩衝剤や、ラウリル硫酸ナトリウム等から成るピット防止剤、ベンゼンやナフタレン等の芳香族炭化水素にスルフォン酸、スルフォン酸塩、スルフォンアミド、スルフォンイミド等を付与した化学物質等から成る応力減少剤、芳香族スルフォン酸やその誘導体から成る硬化剤、ブチンジオール、２ブチン１．４ジオール、エチレンシアンヒドリン、ホルムアルデヒド、クマリン、ピリミジン、ピラゾール、イミダゾール等から成る平滑剤等を適宜、添加して用いてもよい。応力減少剤としては、例えば、サッカリン、パラトルエンスルフォンアミド、ベンゼンスルフォンアミド、ベンゼンスルフォンイミド、ベンゼンジスルフォン酸ナトリウム、ベンゼントリスルフォン酸ナトリウム、ナフタレンジスルフォン酸ナトリウム、ナフタレントリスルフォン酸ナトリウム等が用いられる。

上述したメッキ槽１８と基体９との間に電位を印加して、従来周知の電解メッキ法を実施することができる。すなわち、陰極である基体９と陽極であるメッキ槽１８の間に電位を加えることによって、基体９の表面のうち、マスク層７の存在しない領域に金属メッキ膜８が析出する。

また、メッキ槽１８内のメッキ液１９は、上述したように基体９とメッキ槽１８との間を常に所定の方向に流動するようになっているため、金属メッキ膜８の膜質を均質なものとなすことができる利点がある。

＝転写手段＝
転写手段は、金属メッキ膜８を樹脂フィルム２０の一主面に転写する樹脂フィルム転写手段と、セラミックグリーンシート２６の一主面を、樹脂フィルム２０に転写された金属メッキ膜８に付着させるセラミックグリーンシート転写手段とで構成されている。

樹脂フィルム転写手段は、送り出し部２２と、加圧ロール２３と、巻き取り部２４とで構成されている。送り出し部２２は、粘着層付きの樹脂フィルム２０が巻かれたロール軸を電動機に連結して、この軸を所定の量だけ回転させて送り出すためのものである。加圧ロール２３は、粘着層付きの樹脂フィルム２０を回転しながら、基体９に加圧するためのものである。巻き取り部２４は、加圧ロール２３を通過して金属メッキ膜８が転写された粘着層付きの樹脂フィルム２０を一定の力で巻き取るためのロールからなる。

加圧ロール２３は、樹脂フィルム２０を基体９に対して均等に加圧することができるように、少なくとも表面部分がウレタンゴムコート、ネオプレーンゴムコート、天然ゴムコート等の弾力材料によって被覆されていることが好ましい。加圧ロール２３は、電動機に連結されない回転自在のものであってもよいし、電動機を連結して回転動作を行うようにしたものであってもよい。

樹脂フィルム２０は、例えば、厚み２０μｍ〜５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）等からなり、その主面（金属メッキ膜８を転写する面）に、厚み０．０５μｍ〜１０μｍの粘着層２１を形成したものが用いられる。粘着層２１は、例えば、アクリル系（溶剤系）、アクリルエマルジョン系（水系）、ブチラール系、フェノール系、シリコン系、エポキシ系等の粘着剤をＰＥＴフィルム等の主面に塗布して乾燥することによって得られる。乾燥後の粘着力が例えば、０．１Ｎ／ｃｍとなるように調整されたものを用いるのが好ましい。

また前記粘着層２１は、比較的低温で確実に熱分解される材料により形成することが好ましい。具体的には、金属メッキ膜８が付着した場合であっても、焼成に際して熱分解するアクリル系（溶剤系）、アクリルエマルジョン系（水系）、ブチラール系の粘着剤を用いるのが好ましく、これらの中でも剥離性の良好なアクリル系粘着剤を用いるのが特に好ましい。このような粘着層２１の粘着力は、例えば、０．００５Ｎ／ｃｍ〜１．０Ｎ／ｃｍに設定され、また転写性を良好とするには０．０１Ｎ／ｃｍ〜１．０Ｎ／ｃｍに設定することが好ましく、さらに剥離性を良好とするには０．０１Ｎ／ｃｍ〜０．２Ｎ／ｃｍに設定することが好ましい。

このような樹脂フィルム２０を、送り出し部２２によって基体９側へ順次供給し、その粘着層２１が形成されている側を金属メッキ膜８が形成されている基体９の表面に対して、例えば、１０Ｎの押圧力で加圧ローラ２３にて加圧する。このことにより樹脂フィルム２０上に金属メッキ膜８が転写される。その後、樹脂フィルム２０は、巻き取り部２４によって、基体９の表面の周速度と同じ速度で巻き取られる。

セラミックグリーンシート転写手段は、供給部２８と、加圧ロール２７と、収納部２９とで構成されている。供給部２８は、セラミックグリーンシート２６付きの樹脂フィルム２５を巻いたロールの軸を電動機に連結して、この軸を所定の量だけ回転させて送り出す。加圧ロール２７は、セラミックグリーンシート２６を樹脂フィルム２０上の金属メッキ膜８に所定の圧力で当接させる。これにより、セラミックグリーンシート２６が樹脂フィルム２０の金属メッキ膜８の上に転写される。収納部２９は、加圧ロール２７を通過した樹脂フィルム２５を一定の張力で巻き取る。前記加圧ロール２７としては、先に述べた加圧ローラ２３と同様の材質、構造のものが用いられる。

＝洗浄手段＝
洗浄手段１２は、メッキ槽１８から引き上げられた基体９の表面を洗浄するものであり、基体９の回転方向下流側に配される。具体的には、基体９の表面に形成された金属メッキ膜８やマスク層７の表面に残存するメッキ液１９を洗い流すためのものである。

かかる洗浄手段１２は、金属メッキ膜８およびマスク層７の表面に洗浄液を新たに供給する給液手段１２ｂと、供給されて基体９の表面に接する洗浄液を内部に保持する洗浄容器１２ａと、洗浄液を洗浄容器１２ａ内で撹拌させるべく洗浄容器１２ａ内に空気などの流体を噴射する撹拌手段１２ｃと、供給された洗浄液および除去されるメッキ液を洗浄容器１２ａ内から回収する回収手段１２ｄとを含んで構成される。

具体的な動作としては、基体９表面に配された洗浄容器１２ａに、当該洗浄容器１２ａにつながれた給液手段１２ｂから洗浄容器１２ａ内に大量の洗浄液が供給されるとともに撹拌手段１２ｃから空気を噴射されることによって、洗浄容器１２ａ内部で金属メッキ膜８およびマスク層７の表面に残存するメッキ液が、供給された洗浄液と混合・洗浄され、その後メッキ液が混合した洗浄液が洗浄容器１２ａから回収手段１２ｄによって外部へと回収される。また、回収手段１２ｄによって回収したメッキ液が混合した洗浄液は、濾過フィルタ１２ｅを通すことによって不純物を除去し、イオン交換器（図示せず）によって洗浄液とメッキ液を分離することした後、分離された洗浄液が給液手段１２ｂによって新たに洗浄容器１２ａ内に供給されるように構成することができる。

また撹拌手段１２ｃの流体噴射口は、洗浄容器１２ａと基体９との間の隙間に配されており、前記残存するメッキ液及び洗浄液を洗浄容器１２ａ内に保持することから、洗浄液が洗浄容器１２ａから漏れ出ることがなく、漏れ出した洗浄液がメッキ槽１８内に不純物として混入することによりメッキ液１９の成分変化が生じ、その結果、金属メッキ膜８の成膜厚みが変化することを防止することができる。なお、基体９表面と洗浄容器１２ａとの間から洗浄液が漏れ出ることを防止する手段として、ゴムなどからなるシール材や上述の給液手段１２ｂと同様の構成のものを両者間の隙間を塞ぐように設けることもできる。

また、撹拌手段１２ｃにより洗浄容器１２ａ内に噴射する流体としては、上述の空気に代えて、洗浄液、金属メッキ膜及び基体と化学反応を起こさない不活性気体、又は洗浄液と同一組成の液体を用いることができる。洗浄液と同一組成の液体を用いると、洗浄容器１２ａ内の洗浄液の成分を一定に維持することができるとともに、別途、洗浄液を供給する手段を設ける必要のない簡素な構成の洗浄手段１２とすることができ、他方、空気もしくは不活性気体を用いると、金属メッキ膜８及び基体９の腐食を防止するとともに、洗浄液の成分変化を防ぐことによって洗浄液を全面的に入れ替えることなく洗浄液を長期にわたり使用し続けることができる。

洗浄液としては、例えば水が用いられ、水に含まれる不純物が被転写材に金属メッキ膜８とともに転写されることによって金属メッキ膜８の導電層としての性能に変化が生じることを防止する観点から、純度が高い水を用いることが好ましく、不純物の割合を１０００ｐｐｍ以下とすればよい。また、不純物の大きさは、被転写材であるセラミックグリーンシートや金属メッキ膜８の厚さ以下の大きさものであることが好ましい。これ以上の大きさの不純物が存在する場合、金属メッキ膜８と共に転写されるため被転写材であるセラミックグリーンシートなどに穴が開くおそれがあり、電気不良が発生する原因となるからである。上述の水に代えて、アルコール、アセトン、トルエンなどを洗浄液として用いること
もできる。

このように、洗浄手段１２及び後述のメッキ液吸引手段１４を用いて金属メッキ膜８およびマスク層７の表面上に残存するメッキ液を除去することにより、残存するメッキ液が金属メッキ膜８と共にセラミックグリーンシートに転写され、セラミックグリーンシートにキズを付けたり、膨潤、軟化（寸法変化）されることによって、焼成後の内部電極が劣化することなどによる製品の信頼性低下を防止することができる。

＝洗浄液吸引手段＝
洗浄液吸引手段１３は、洗浄手段１２に対し、基体９の回転方向下流側に配置されており、洗浄手段１２によってメッキ液１９を洗い流した後、金属メッキ膜８およびマスク層７の表面に残った洗浄液を完全に除去するためのものである。

かかる洗浄液吸引手段１３はステンレス板等によって形成されており、その表面には吸引用の複数の穴が設けられ、これらの穴より吸引器を用いて吸引することにより、基体９の表面に残存した洗浄液を除去するようになっている。洗浄液吸引手段１３の表面部分には、例えばウレタンスポンジや人工皮革等のように微細な孔が形成されたものを取り付ける。なお、洗浄液吸引手段１３の形状は円筒状、円柱状、平板状のいずれであっても構わない。
なお、マスク層７と金属メッキ膜８の厚みが異なる場合には、マスク層７と金属メッキ膜８の表面に生じる段差部分に洗浄液が残存しやすいため、段差形状に沿うように洗浄液吸引手段１３の表面形状を形成することが好ましい。また、洗浄液吸引手段１３の形状は、上述のような円筒状もしくは円柱状に限定されず、平板状としてもよい。

＝メッキ液吸引手段＝
メッキ液吸引手段１４は、洗浄手段１２に対して、基体９の回転方向上流側に配置されており、金属メッキ膜８やマスク層７の表面に残存するメッキ液１９を除去するためのものである。

かかるメッキ液吸引手段１４はステンレス板等によって形成されており、その表面には、先に述べた洗浄液吸引手段１３と同様に、複数の穴が設けられ、これらの穴からメッキ液１９を吸引するようになっている。メッキ液吸引手段１４の表面部分も、洗浄液吸引手段１３と同様の構造が採用される。なお、メッキ液吸引手段１４の形状は円筒状、円柱状、平板状のいずれであっても構わない。

なお、マスク層７と金属メッキ膜８の厚みが異なる場合には、マスク層７と金属メッキ膜８の表面に生じる段差部分にメッキ液が残存しやすいため、段差形状に沿うようにメッキ液吸引手段１４の表面形状を形成することが好ましい。またメッキ液吸引手段１４の形状は、上述のような円筒状もしくは円柱状に限定されず、平板状としてもよい。

＝循環装置＝
循環装置１５は、メッキ槽１８に注入されているメッキ液１９を循環させるためのものである。メッキ槽１８の底面中央の、基体９の最下端部と対向する部位にメッキ液１９の供給口１６が設けられている。メッキ液１９は、この供給口１６より、メッキ槽１８の中に供給される。メッキ液１９は、基体９の回転方向下流側では基体９の表面に沿って基体９の回転方向と同じ方向に流動し、基体９の回転方向上流側では基体９の表面に沿って基体９の回転方向と逆の方向に流動し、メッキ槽１８の両端より溢れ出す。溢れ出したメッキ液１９は、その外側に配置された循環槽に排出される。そして、この循環槽に溜まったメッキ液１９は、その底部に設けられた吸出し口１７より吸出され、ポンプによって再び前記供給口１６よりメッキ槽１８の中に供給される。

なお、このようにメッキ液１９が循環する過程に、ろ過フィルタを設けて異物を除去するようにしても良いし、メッキ液１９のｐＨ値やメッキ液１９の流量，非導電性微粒子の濃度等を必要に応じて調整するようにしても良い。

−電子部品の製造方法−
次に、上述したメッキ膜形成装置を用いて、積層コンデンサを製造する方法について、工程ごとに説明する。

＝工程１＝
まず、電解メッキ法にて、上述した基体９の表面に、金属メッキ膜８を形成する。基体９の表面の断面形状は円形なので、金属メッキ膜８もその断面形状は、前記円と同じ曲率半径を持った凸曲面状に形成される。

基体９の下部領域が、メッキ槽１８に注入されているスルファミン酸ニッケルメッキ液１９等に浸漬されるようにして、基体９を所定の回転速度で回転軸１０の周りに回転させながら、電流密度が、例えば、２Ａ／ｄｍ^２〜１５Ａ／ｄｍ^２となるようにメッキ槽１８との間に所定の電位差を印加する。これにより、基体９の円形面に沿って、前述したマスク層７が形成されている領域を除いて金属メッキ膜８が凸曲面状に形成される。

このようにして形成される金属メッキ膜８は、ニッケル、銅、銀、金、プラチナ、パラジウム、クロム等やこれら金属の合金からなり、これらの金属材料の中でも耐熱性に優れたニッケルが積層コンデンサの内部電極３を形成する材料として好ましい。

以上のように、基体９を軸周りに回転させながら、メッキ槽１８のメッキ液１９に浸漬し、基体９とメッキ槽１８との間に電界を印加して基体９の表面に金属メッキ膜８を連続的に形成することができ、これによって積層コンデンサの生産性が向上される。しかもこの場合、基体９とメッキ槽１８との間の電流密度は略均一になることから、金属メッキ膜８を略一定の厚みで形成することもできるようになる。

またこの場合、メッキ液１９中に、セラミックや樹脂からなる多数の非導電性微粒子３０を多数添加すれば、このような非導電性微粒子３０は、その一部が基体９と接するようにして金属メッキ膜８中に埋設される。その結果、非導電性微粒子３０を含んだ金属メッキ膜８が形成される。

そして、基体９は、基体９の表面に形成された金属メッキ膜８が基体９の回転によってメッキ液１９中より引き上げられた後、メッキ液吸引手段１４、洗浄手段１２及び洗浄液吸引手段１３によって洗浄され、乾燥される。

＝工程２＝
次に、工程１により得た金属メッキ膜８を、一旦、樹脂フィルム２０上に転写する。

このような樹脂フィルム２０は、送り出し部２２によって基体９側へ順次供給される。樹脂フィルム２０の粘着層２１が形成されている面を、金属メッキ膜８が形成されている基体９の表面に対し加圧ローラ２３によって、例えば、１０Ｎの押圧力で加圧する。これによって樹脂フィルム２０上に金属メッキ膜８を転写させる。その後、樹脂フィルム２０は巻き取り部２４によって巻き取られる。

このとき、金属メッキ膜８は、工程１において、円形状の基体９の表面上に断面が凸曲面状をなすように形成されることから、金属メッキ膜８を樹脂フィルム２０に析出させる際、金属メッキ膜８中に内部応力（引張応力）が生じても、得られた金属メッキ膜８を基体９より剥離させ樹脂フィルム２０に析出させると、凸曲面状の金属メッキ膜８は樹脂フィルム２０上で平坦化する方向に変形する。したがって、金属メッキ膜８は、平らな樹脂フィルム２０上に、歪を生ずることなく、平坦な状態で形成される。

また、基体９上の金属メッキ膜８に、上述した如くセラミックや樹脂からなる多数の非導電性微粒子３０を添加すれば、これらの非導電性微粒子３０は基体９との密着性に乏しいことから、金属メッキ膜８を基体９より比較的容易に剥離させることができる。

なお、金属メッキ膜８の剥離性を向上させるには、メッキ析出面（導電性膜６と接する部位）に非導電性微粒子３０が数多く配置されるように非導電性微粒子３０を分布させておくことが好ましい。特に、金属メッキ膜８の表面に露出する非導電性微粒子３０の露出面積が、金属メッキ膜８の総面積に対して０．０１％〜４０％の割合となるようにしておくことが、金属メッキ膜を基体から容易に剥離でき、金属メッキ膜の変形を未然に防止することができる点から好ましい。なお、この値が０．０１％未満であると、金属メッキ膜８における金属成分の析出割合が多くなって基体９との密着力を十分に低下させることが困難になり、基体表面から金属メッキ膜を剥離する際に、金属メッキ膜が変形する場合がある。また４０％を超えると、金属メッキ膜８中の金属成分が少なくなることによって金属メッキ膜自体の機械的強度が低下するので、基体表面から金属メッキ膜を剥離する際に、金属メッキ膜にクラックが生じる場合がある。

このような非導電性微粒子３０としてセラミック材料を用いる場合は、誘電体シートとして用いられるセラミックグリーンシート２６のセラミック材料と同材質のものが好適である。

他方、非導電性微粒子３０として樹脂の微粒子を用いる場合は、セラミックグリーンシート２６に含まれる有機バインダと同材質のものが好適である。

なお、非導電性微粒子３０の大きさとしては、金属メッキ膜８の厚みよりも小さい平均粒径のものを用いることが好ましい。このようにしておけば、金属メッキ膜８を基体９から剥離させる際、金属メッキ膜８が変形するのを有効に防止することができる。

また、このような非導電性微粒子３０として、セラミック材料から成る非導電性微粒子３０と樹脂材料から成る非導電性微粒子３０とを混合して用いても構わない。

＝工程３＝
次に、金属メッキ膜８が転写されている樹脂フィルム２０上に、更に誘電体シートとしてのセラミックグリーンシート２６を圧着させることにより、セラミックグリーンシート２６を金属メッキ膜８上に付着させる。

セラミックグリーンシート２６は、例えば、厚み１２μｍ〜１００μｍのＰＥＴフィルム等から成る樹脂フィルム２５上に支持された状態で、供給部２８のロールに巻き取られている。セラミックグリーンシート２６が樹脂フィルム２０との合流位置まで供給されると、双方の樹脂フィルム２０，２５が重ね合わせられ、樹脂フィルム２０上の金属メッキ膜８と接する。この部分を加圧ローラ２７に内設しておいたヒータによって約７０℃の温度で加熱しつつ、樹脂フィルム２５を加圧ローラ２７によって約１００Ｎの押圧力で樹脂フィルム２０側へ加圧する。このことによりセラミックグリーンシート２６が金属メッキ膜８に付着される。その後、セラミックグリーンシート２６が剥ぎ取られた樹脂フィルム２５は、収納部２９によって巻き取られる。

このように、金属メッキ膜８を、一旦、樹脂フィルム２０上に転写した後、その上からセラミックグリーンシート２６を重ねて付着させれば、セラミックグリーンシート２６が硬質材料により形成されている基体表面のマスク層７に対して直接、接触することはないことから、セラミックグリーンシート２６をマスク層７との接触により損傷させることなく、セラミックグリーンシート２６を金属メッキ膜８上に良好に付着させることができる。

また、金属メッキ膜８は、基体９より剥離させたとき、前述したように平坦化する方向に変形していることから、かかる金属メッキ膜８にセラミックグリーンシート２６の主面を転写しても、セラミックグリ−ンシート２６や金属メッキ膜８に、変形やクラックが発生するのが有効に防止される。したがって、積層コンデンサ１の生産性向上に供することができる。

なお、樹脂フィルム２５上に支持されたセラミックグリーンシート２６は、例えば、１μｍ〜２０μｍの厚みに形成され、セラミック材料粉末に有機溶媒、有機バインダ等を添加・混合して得た所定のセラミックスラリーを、焼成後の厚さが２μｍ程度となるように従来周知のコーティング法または印刷法等によって樹脂フィルム２５の主面に塗布した後、これを乾燥させることによって得られる。

樹脂フィルム２５は、厚み３８μｍのＰＥＴフィルムが用いられる。このような樹脂フィルム２５の一主面に、焼成後の厚みが、例えば２μｍとなるようにセラミックスラリーを塗布及び乾燥させて、セラミックグリーンシート２６付きの樹脂フィルム２５を用意する。次に、樹脂フィルム２５のセラミックグリーンシート２６を樹脂フィルム２０上の金属メッキ膜８に接するように当接させて、この当接部を半径１００ｍｍ、長さ２５０ｍｍの加圧ローラ２７にて１００Ｎ、７０℃の加圧条件で挟み込み、セラミックグリーンシート２６を金属メッキ膜８付き樹脂フィルム２０に圧着させる。その後、セラミックグリーンシート２６は樹脂フィルム２５より剥離される。

＝工程４＝
次に、前述の工程３で得た金属メッキ膜８付きのセラミックグリーンシート２６を複数枚準備して、例えば、６０℃の温度で加熱しながら０．９ＭＰａの圧力で仮圧着し、その後、従来周知の静水圧プレス等によって７０℃の温度、５０ＭＰａの圧力で圧着させることによって、積層体を形成する。

＝工程５＝
そして最後に、工程４で得た積層体を所定形状に切断し、得られた個片を高温で焼成する。

積層体の焼成は、金属メッキ膜８を形成している金属の融点よりも低く、かつ、焼成中少なくとも一時点において、該金属の再結晶温度よりも高い温度になるようにして行う。これによってセラミックグリーンシート２６は積層コンデンサの誘電体層４となり、金属メッキ膜８は内部電極３となる。

ここで、金属の再結晶とは、加工した金属材料を加熱すると、その金属がある温度を境に急激に軟化して、内部歪みを軽減するように安定化する現象のことである。この再結晶が開始する温度のことを再結晶温度という。例えばニッケルの場合、再結晶温度は５３０℃〜６６０℃、融点は１４５８℃、また銅の場合、再結晶温度は２００℃〜２５０℃、融点は１０８３℃、また金の場合、再結晶温度は約２００℃、融点は１０６０℃である。従って、金属メッキ膜８がニッケルから成る場合、積層体の焼成は、例えば、１３００℃の温度で行われる。

このように金属メッキ膜８を、該金属メッキ膜８を形成する金属の融点より低い温度で焼成することにより、焼成時に金属メッキ膜８が熔けて金属メッキ膜８が分断されるといった不都合が確実に防止され、連続性に優れた内部電極３を形成することができる。

またこの場合、積層体を焼成する際のピーク温度は、金属メッキ膜８を形成している金属の再結晶温度よりも高く設定されているため、焼成時に金属メッキ膜８を形成している金属の再結晶化が進むことで金属が適度に軟化し、セラミックグリーンシート２６中のセラミック粒子が金属メッキ膜８の表面に入り込む。このことによって金属メッキ膜８とセラミックグリーンシート２６との密着力が向上し、その結果、構造欠陥の少ない積層コンデンサが得られるようになる。

しかもこの場合、金属メッキ膜８中には非導電性微粒子３０が一部を埋設されているため、非導電性微粒子３０としてセラミック材料を用いた場合には、非導電性微粒子３０がセラミックグリーンシート２６の焼成時に同時焼成され、セラミックグリーンシート２６に含まれるセラミック成分と焼結して一体化される。その結果、金属メッキ膜８とセラミックグリーンシート２６との密着性が向上する。また、非導電性微粒子３０として樹脂材料を用いた場合には、非導電性微粒子３０がセラミックグリーンシート２６の焼成時に焼失して空隙を形成し、この空隙に、セラミックグリーンシート２６中のセラミック成分が拡散することから、この場合も金属メッキ膜８とセラミックグリーンシート２６との密着性が向上する。

＝工程６＝
そして最後に、積層体の両端部に、外部電極用の導体ペーストを従来周知のディッピング法等によって塗布し、これを焼成した後、その表面にメッキ処理を施すことによって外部電極５が形成され、これによって製品としての積層コンデンサ１が完成する。

−製造方法の変形例１−
次に電子部品の製造方法の他の実施形態について図５を用いて説明する。なお、先に述べた電子部品の製造方法と同様の工程については重複する説明を省略し、またメッキ膜形成装置の構成についても同一の参照符を付して重複する説明を省略することとする。

本実施形態が先に述べた製造方法と異なる点は、樹脂フィルム２０に、一旦、転写した金属メッキ膜８を、樹脂フィルム２５上に保持されているセラミックグリーンシート２６の表面に再度転写させることようにした点である。

この場合、金属メッキ膜８が転写されたセラミックグリーンシート２６は収納部２９によって樹脂フィルム２６ごと巻き取られ、以後の工程に使用される。

このような第２実施形態においても、先に述べた第１実施形態と全く同様の効果が得られる。

−製造方法の変形例２−
次に電子部品の製造方法の他の実施形態について図６を用いて説明する。なお、先に述べた電子部品の製造方法と同様の工程については重複する説明を省略し、またメッキ膜形成装置の構成についても同一の参照符を付して重複する説明を省略することとする。

本実施形態が先に述べた製造方法と異なる点は、基体９上に析出させた金属メッキ膜８を、樹脂フィルム２５上で保持されているセラミックグリーンシート２６の主面に直接、転写するようにした点である。すなわち、セラミックグリーンシート２６が保持されたＰＥＴフィルム等から成る樹脂フィルム２５を、送り出し部２２のロールから送り出して、加圧ロール２３によって基体９に圧着させる。これにより、基体９に形成された金属メッキ膜８が樹脂フィルム２５上で保持されているセラミックグリーンシート２６の主面に転写される。巻き取り部２４は、加圧ロール２３を通過して金属メッキ膜８が転写された樹脂フィルム２５を巻き取る。

このような実施形態においても、先の実施形態と全く同様の効果が得られる。

またこの場合、メッキ膜形成装置に用いられる基体９のマスク層７をＤＬＣやＧＬＣ等により形成しておけば、セラミックグリーンシート２６がマスク層７の表面に付着することは殆どないため、安定した転写を繰り返すことができる。

−製造方法の変形例３−
次に電子部品の製造方法の他の実施形態について図７を用いて説明する。

いままでの方法では、金属メッキ膜８が転写された樹脂フィルム上の、金属メッキ膜８が存在しない部分には、何も膜が形成されていなかった。このため、樹脂フィルム上に金属メッキ膜８が形成されている部分と何も形成されていない部分には、段差が生じていた。

図７は、基体９から金属メッキ膜８が転写された、粘着層２１を有する樹脂フィルム２０に対して、金属メッキ膜８の存在しない部分に、段差を埋めるための薄い誘電体シート４３を形成する方法を説明するための断面図である。

樹脂フィルム２０の送給途中には、樹脂フィルム２０を表裏から加圧するための一対のローラ４０，４１が配置されている。樹脂フィルム２０の金属メッキ膜８が形成された主面に接するローラ４０には、金属メッキ膜８と略等しい厚みの誘電体シート４３が支持された樹脂フィルム４２が送られてくる。誘電体シート４３は、セラミックグリーンシートであることが好ましい。

誘電体シート４３は、ローラ４０の圧力によって、樹脂フィルム２０の一主面に押圧される。このとき、誘電体シート４３を、金属メッキ膜８の存在する部位と存在しない部位の双方に対して押圧することにより、金属メッキ膜８のエッジの切断力を利用して、樹脂フィルム２０の一主面のうち金属メッキ膜８の存在しない部位にのみ誘電体シート４３を選択的に付着させることができる。

このようにして、樹脂フィルム２０の上に、誘電体シート４３が埋設された平らな金属メッキ膜８を得ることができる。この誘電体シート４３が埋設された平らな金属メッキ膜８の上に、図２や図５で説明したセラミックグリーンシート転写手段を用いて、セラミックグリーンシート２６を転写する。

このような方法においても、先に述べた実施形態と全く同様の効果が得られることに加え、金属メッキ膜８とセラミックグリーンシート２６と間に大きな隙間ができることがない。したがって、これを樹脂フィルム２０より剥離させた上、複数枚積層することにより、これを熱処理して積層型電子部品を製作しても、デラミネーションや電極の湾曲による電気不良が生じるのを有効に防止することができ、信頼性及び生産性に優れたセラミック電子部品が得られる。

−製造方法の変形例４−
次に電子部品の製造方法の他の実施形態について図８を用いて説明する。

本実施形態が今までの実施形態と異なる点は、金属メッキ膜８をセラミックグリーンシート２６の内部に埋設させて形成するようにした点である。

この製造方法は、図８の拡大図に示すように、金属メッキ膜８が転写された樹脂フィルム２０の主面に、ノズル３２から、金属メッキ膜８を覆うようにしてセラミックスラリ３１を塗布し、これを加熱器３３を用いて乾燥させ、金属メッキ膜８が埋設されたセラミックグリーンシート２６を得る。

得られた、金属メッキ膜８が埋設されたセラミックグリーンシート２６を複数枚積層することによりセラミックグリーンシート２６の積層体が形成され、これを図示しない加熱炉の中で熱処理することによって積層型電子部品が製作される。

このような実施形態においても、先に述べた実施形態と全く同様の効果が得られることに加え、上述のようにして得られるセラミックグリーンシート２６には、金属メッキ膜の存在する部位と存在しない部位との間に大きな段差が存在ないため、これのようなセラミックグリーンシート２６を複数枚積層して積層体を形成しても、その内部に埋設される金属メッキ膜の変形は有効に抑制され、電気的不良やデラミネーションの発生が有効に防止される利点もある。

−メッキ膜形成装置の変形例１−
次に本発明の他の実施形態に係るメッキ膜形成装置について図９を用いて説明する。

本実施形態の特徴は、メッキ槽１８が、陽極として機能する高電位領域１８Ａと、陰極として機能する低電位領域１８Ｂとに区画されている点である。

即ち、基体９に電源６Ａの陰極を、メッキ槽１８の高電位領域１８Ａに電源６Ａの陽極を接続している。さらに、基体９に電源６Ｂの陽極を、メッキ槽１８の低電位領域１８Ｂに電源６Ｂの陰極を接続している。電源６Ａの陰極と電源６Ｂの陽極とは共通に接続される。

マスク層７の存在しない基体９の表面に金属メッキ膜８を析出させた後、電源６Ｂの逆の電位を用いて、一旦形成された金属メッキ膜８の表面部分、特に金属メッキ膜８と基体９及びマスク層７との接触部分を、メッキ液１９中で再溶解させる。このことにより、金属メッキ膜８と基体９及びマスク層７との間に微小な隙間が生じて、金属メッキ膜８の剥離性が向上し、被転写材への転写の精度を上げることができる。

上述したメッキ槽１８は、例えばその中央部に塩化ビニルなどからなる絶縁部材１６Ａを介在させることで、高電位領域１８Ａと低電位領域１８Ｂとを電気的に分離させる。絶縁部材１６Ａとしては、上述の塩化ビニル以外にもポリテトラフルオロエチレン等を用いることができる。その比抵抗値は、両領域で金属メッキ膜８の析出・再溶解を適切に行えるように十分な絶縁性を保つため、１０００Ωｍ以上の材料を用いることが好ましい。また絶縁部材１６Ａは、耐薬品性を有する材料であることが好ましく、特に耐酸性の性質を有するものが好ましい。

また、メッキ槽１８と基体９との間で、前記絶縁部材１６Ａの上に、基体９表面との間に所定の間隔をあけて、各領域に対応するメッキ液同士を互いに隔離するための隔壁部材１６Ｂを形成してもよい。この隔壁部材１６Ｂで各領域に対応するメッキ液同士を互いに隔離することにより、両領域に対応する電界が互いに干渉することがないので、各々の領域におけるメッキ液の析出・再溶解をより適切に行うことができる。

前記絶縁部材１６Ａ及び前記隔壁部材１６Ｂは、同一の材料により絶縁隔壁材料１６として一体的に形成しても良い。この絶縁隔壁材料１６は、後述する循環装置１５の一部であるメッキ液供給口として用いることもできる。この場合には、絶縁隔壁材料１６は中空で、且つメッキ槽１８中のメッキ液１９側にメッキ液を供給するための開口部を有するように構成すればよい。

なお、絶縁隔壁部材１６を複数設けることにより、メッキ槽１８の領域をさらに細かく区画するようにしても良い。このようにすることで、複数の電界を目的に応じてより適切に制御することができ、所望の金属メッキ膜を形成することが可能となる。

−メッキ膜形成装置の変形例２−
次に本発明の他の実施形態に係るメッキ膜形成装置について図１０、図１１を用いて説明する。

本実施形態が今までの実施形態と異なる点は、メッキ膜形成装置に使用される基体９の表面が、少なくとも表層部において、基体９の中核部に対して着脱可能に支持された複数のブロックに区画されている点である。

例えば、図１０に示すように、基体９の表面側全面を覆うように絶縁材３４を形成し、さらに絶縁材３４上に複数の絶縁隔壁材３５を所定の間隔で配置するとともに、絶縁材３４上であって絶縁隔壁材３５の間に、導電性膜６の上にマスク層７を形成したブロック部材３６を、接着剤などを用いてはめ込むようにして基体９を構成している。

また、メッキ液１９中で異なる位置に導電ローラ３７Ａ，３７Ｂが設けられている。導電ローラ３７Ａ，３７Ｂは、それぞれ電源装置６Ａ、６Ｂを介して、メッキ槽１８の高電位領域１８Ａ及び低電位領域１８Ｂに接続されている。導電ローラ３７Ａに当接したブロック部材３６は、メッキ槽１８に対して正の高電位となり、導電ローラ３７Ｂに当接したブロック部材３６は、メッキ槽１８に対して負の低電位となる。

また、図１１に示すように、基体９の表層部のみならず中核部をも含めてブロック部材３６として構成し、個々のブロック部材３６は、基体９の中心部から表面へ向かって放射状に貫く絶縁隔壁材３５を介するようにしても良い。

高電位領域１８Ａにおいて、マスク層７の存在しない基体９の表面に金属メッキ膜８を析出させた後、低電位領域１８Ｂにおいて、逆の電位を用いて、一旦形成された金属メッキ膜８の表面部分、特に金属メッキ膜８と基体９及びマスク層７との接触部分を、メッキ液１９中で再溶解させる。これにより、メッキ液１９から引き上げた金属メッキ膜８は、金属メッキ膜８と基体９及びマスク層７との間に微小な隙間が生じて、金属メッキ膜８の剥離性が向上し、被転写材（樹脂フィルム）への転写の精度を上げることができる。

また、マスク層７などを、小さな表面積を有するブロック部材３６に対して形成すればよいため、簡素な設備でブロック部材３６にマスク層７などを作製することが可能となる。また、基体表面に形成されるマスク層７が部分的に摩耗した場合などに、当該ブロック部材のみの交換が可能となり、メンテナンス性にも優れるという利点がある。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。

例えば、上述の実施形態においては、積層コンデンサを製造する場合を例にとって説明したが、積層コンデンサ以外の電子部品、例えば、インダクタ，フィルタ，回路基板等の他の電子部品を製造する場合においても本発明が適用可能であることは言うまでもない。

本発明のメッキ膜形成装置によって製作される積層コンデンサを示す断面図である。 （ａ）は本発明の一実施形態に係るメッキ膜形成装置を模式的に示す側面図、（ｂ）は（ａ）の洗浄手段の構造を示す拡大側断面図である。 図２のメッキ膜形成装置に用いられる基体９を上（図２のＡ方向）から見た平面図である。 図２のメッキ膜形成装置に用いられる基体表面の構造を示す拡大側断面図である。 本発明の他の実施形態に係るメッキ膜形成装置を模式的に示す側面図である。 本発明のさらに他の実施形態に係るメッキ膜形成装置を模式的に示す側面図である。 本発明のさらに他の実施形態に係るメッキ膜形成装置を模式的に示す側面図である。 本発明のさらに他の実施形態に係るメッキ膜形成装置を模式的に示す側面図である。 本発明のさらに他の実施形態に係るメッキ膜形成装置を模式的に示す側面図である。 本発明のさらに他の実施形態に係るメッキ膜形成装置を模式的に示す側面図である。 本発明のさらに他の実施形態に係るメッキ膜形成装置を模式的に示す側面図である。

符号の説明

１・・・積層コンデンサ（電子部品）
２・・・絶縁層
３・・・内部電極（導体層）
４・・・セラミック層（誘電体層）
５・・・外部電極
６・・・導電性膜
７・・・マスク層
８・・・金属メッキ膜
９・・・基体
１０・・回転軸
１１・・電源装置
１２・・洗浄手段
１２ａ・洗浄容器
１２ｂ・給液手段
１２ｃ・撹拌手段
１２ｄ・回収手段
１２ｅ・濾過フィルタ
１３・・洗浄液吸引手段
１４・・メッキ液吸引手段
１５・・循環装置
１６・・供給口（絶縁隔壁材料）
１６Ａ・絶縁部材
１６Ｂ・隔壁部材
１７・・吸出し口
１８・・メッキ槽
１８Ａ・高電位領域
１８Ｂ・低電位領域
１９・・メッキ液
２０・・樹脂フィルム
２１・・粘着層
２２・・送り出し部
２３・・加圧ロール
２４・・巻き取り部
２５・・樹脂フィルム
２６・・セラミックグリーンシート（誘電体シート）
２７・・加圧ロール
２８・・供給部
２９・・収納部
３０・・非導電性微粒子
３１・・セラミックスラリ（誘電体スラリ）
３１´・誘電体シート
３２・・塗布手段
３３・・乾燥手段
３４・・絶縁材
３５・・絶縁隔壁材
３６・・ブロック部材
３７A・導電ローラ
３７B・導電ローラ

Claims (18)

1. メッキ液が注入されるメッキ槽と、
   表面の一部が前記メッキ液に浸漬されるように配置された回転可能な基体と、
   前記基体と前記メッキ槽の間に電界を印加する電界印加手段と、
   前記基体の回転方向下流側に配置され、前記メッキ液より引き上げた基体表面上の金属メッキ膜に被転写材を押圧する転写手段と、を有するメッキ膜形成装置であって、
   前記基体は、その表層部が中核部に対して着脱可能に構成されるとともに、前記表層部は複数のブロックで区画されることを特徴とするメッキ膜形成装置。
2. 前記基体は、円柱状又は円筒状を成すことを特徴とする請求項１に記載のメッキ膜形成装置。
3. 前記基体は、その表面の曲率半径が５０ｍｍ〜２０００ｍｍであることを特徴とする請求項２に記載のメッキ膜形成装置。
4. 前記表層部は、前記基体の表面に形成された導電性膜を有して成ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のメッキ膜形成装置。
5. 前記表層部は、前記基体の表面に形成された導電性膜と、該導電性膜の表面に形成され前記金属メッキ膜の析出領域を規制するマスク層と、を有して成ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のメッキ膜形成装置。
6. 前記導電性膜は、その表面粗さが最大高さＲｙで０．５μｍ以下であり、且つ、その比抵抗が１０^−２Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項４又は５に記載のメッキ膜形成装置。
7. 前記導電性膜は、窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタン、炭化チタン及び導電性ＤＬＣの少なくとも一種から成ることを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載のメッキ膜形成装置。
8. 前記マスク層は、ダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）もしくはグラファイト・ライク・カーボン（ＧＬＣ）から成ることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載のメッキ膜形成装置。
9. 前記マスク層の側面と底面との間に形成される角部の角度αがα≦９０°であることを特徴とする請求項５乃至８のいずれかに記載のメッキ膜形成装置。
10. 前記転写手段に対して、前記基体の回転方向上流側に、前記金属メッキ膜の表面に残存するメッキ液を除去するための洗浄手段を配置させていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載のメッキ膜形成装置。
11. 前記洗浄手段に対して、前記基体の回転方向下流側に、金属メッキ膜表面に残存する洗浄液を除去する洗浄液吸引手段が配置されていることを特徴とする請求項１０に記載のメッキ膜形成装置。
12. 前記洗浄手段に対して、前記基体の回転方向上流側に、前記金属メッキ膜表面に残存するメッキ液を吸収・除去するためのメッキ液吸引手段が配置されていることを特徴とする請求項１０又は１１に記載のメッキ膜形成装置。
13. 請求項１乃至１２のいずれかに記載のメッキ膜形成装置を用いて形成されたメッキ膜。
14. 請求項１乃至１３のいずれかに記載のメッキ膜形成装置を用いて形成された電子部品。
15. 表層部が中核部に対して着脱可能に構成されるとともに、前記表層部は複数のブロックで区画される、基体の表面に金属メッキ膜を析出させる工程と、
    前記金属メッキ膜を前記基体より剥離させる工程と、を有して成るメッキ膜の形成方法。
16. 前記基体は円柱状又は円筒状を成し、且つ、
    前記金属メッキ膜の析出工程は、前記基体を軸周りに回転させながら、前記表面の一部をメッキ槽のメッキ液に浸漬するとともに前記基体と前記メッキ槽との間に電界を印加することによって行なうことを特徴とする請求項１５記載のメッキ膜の形成方法。
17. 表層部が中核部に対して着脱可能に構成されるとともに、前記表層部は複数のブロックで区画される、基体の表面に金属メッキ膜を析出させる工程と、
    前記金属メッキ膜を前記基体から被転写材へ転写する工程と、を有してなる電子部品の形成方法。
18. 前記基体は円柱状又は円筒状を成し、且つ、
    前記金属メッキ膜の析出工程は、前記基体を軸周りに回転させながら、前記表面の一部をメッキ槽のメッキ液に浸漬するとともに前記基体と前記メッキ槽との間に電界を印加することによって行なうことを特徴とする請求項１７記載の電子部品の形成方法。

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