CN1797016A - 阵列基板检测装置和检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板检测装置和检测方法。该阵列基板检测装置包括一光源、一可控制光通过与否的光电元件、一位于该光电元件一侧的光侦测器和一与该光侦测器连接的计算器系统，待测阵列基板设置在光电元件与光源之间。采用该阵列基板检测装置和检测方法首先获得该阵列基板的影像数据，然后将该影像数据与计算器系统中预存的影像数据比较以确定该基板是否有缺陷并对缺陷位置准确定位，从而可提高检测效率。

Description

阵列基板检测装置和检测方法
【技术领域】
本发明涉及一种阵列基板检测装置和检测方法。
【背景技术】
液晶显示器由于具有轻、薄、便于携带和环保等诸多优点，获得广泛应用。但在液晶显示器制造的各种工序中，必须设置诸多检测步骤，尤其液晶显示器的基板制造过程中，需要多次检测，以提升良率，降低成本。常用的阵列基板检测装置及检测方法主要用于检测基板中的线路缺陷，如短路、断路等。
如图1所示，是一种现有技术阵列基板检测装置。该阵列基板检测装置1主要包括一光电元件10、一电源11、一光源12、一光侦测器13和一监视器14。
该光电元件10包括一可控制光通过与否的控光层101和一反射层102。该光电元件10设置在待测阵列基板16上方而且贴近该阵列基板16，电源11与光电元件10及阵列基板16上的像素电极15电连接。
电源11在阵列基板16上的像素电极15和光电元件10之间施加电压，以形成一电场；光源12发出的光照射该光电元件10，被反射层102反射，光侦测器13接收来自光电元件10的反射光，并将该反射光对应的讯号输入与之连接的监视器14。若阵列基板16上有瑕疵，该瑕疵对应位置的电场强度将发生畸变，引起控光层101动作，导致对应点处控光层101的光通过率发生变化，从而使得光侦测器13接收到的反射光发生畸变，反映在监视器14上，由此可以确认瑕疵的存在和瑕疵的大致位置；若该待测阵列基板16无瑕疵，则监视器14上显示的光线为均匀亮光。
采用该阵列基板检测装置1可有效检测待测阵列基板16有无缺陷，若有缺陷，还可显示缺陷的大致位置，但由于光经过多次变化，到达监视器14，难以准确显示该缺陷的具体位置，导致后续修复时，需要额外的搜索缺陷过程，增加成本。
【发明内容】
为克服现有技术阵列基板检测装置不能对基板上的缺陷准确定位的问题，本发明提供一种可对阵列基板上的缺陷准确定位的阵列基板检测装置。
本发明还提供一种可对阵列基板上的缺陷准确定位的阵列基板检测方法。
本发明解决技术问题所采用的技术方案是：提供一种阵列基板检测装置，包括一光源、一可控制光通过与否的光电元件、一位于该光电元件一侧的光侦测器和一与该光侦测器连接的计算器系统，待测阵列基板设置在光电元件与光源之间。
本发明解决技术问题所采用的另一技术方案是：提供一种阵列基板检测方法，包括以下步骤：提供前述的阵列基板检测装置；将待测阵列基板设置在该阵列基板检测装置的光源与光电元件之间；控制该阵列基板上的薄膜晶体管的开关，使得该光电元件动作，使得该光电元件处于全亮状态或者全暗状态；分别利用光侦测器拍摄该光电元件，并将获得的影像数据输入计算器系统；将该数据与计算器系统中的预定影像数据比较以确定是否该阵列基板是否有缺陷以及缺陷的具体位置。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明的阵列基板检测装置和检测方法采用光侦测器对待测阵列基板拍摄之后获得其影像数据，并将该影像显示在计算器系统的显示器上，同时将该影像数据输入计算器系统与计算器系统中预存的数据相比较，以获得比较结果，并判断其差异，从而获得阵列基板是否有缺陷；若有缺陷，则可通过与预存影像数据逐点比较以确定该缺陷的具体位置。因而可直接根据检测结果进行修复动作，无需再进行确定缺陷位置的步骤，可有效提高检测效率。
【附图说明】
图1是现有技术阵列基板检测装置示意图。
图2是本发明阵列基板检测装置示意图。
【具体实施方式】
请参阅图2，是本发明阵列基板检测装置2的示意图。该阵列基板检测装置2主要包括一位于该阵列基板26上方的光电元件20、一位于该阵列基板26下方的光源22、一光侦测器23和一计算器系统24。
该光电元件20包括一透明导电层201和一控光层202。对导电层201和薄膜晶体管25施加电压，通过控制薄膜晶体管25的开关可控制光源21发出的光能否通过该光电元件20。
该光侦测器23可采用电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)照相机，该CCD照相机的分辨率高于该待测阵列基板26的分辨率。计算器系统24可提供预设的与待测阵列基板26相应的数组图案数据。
对阵列基板26上的薄膜晶体管25和导电层201施加电压，使该阵列基板26上的薄膜晶体管25和光电元件20工作。光源22发出的光从阵列基板26下面照射该阵列基板26。开启该薄膜晶体管25，使得该阵列基板26与光电元件20之间建立一电场，该电场可使得光电元件20的控光层202动作，使得光源22发出的光能够通过该光电元件20，此时该光电元件20表面处于全亮状态，采用光侦测器23对该阵列基板26拍摄，获取影像数据，并将影像数据输入计算器系统24，通过该计算器系统24的显示器显示该影像，并将该影像数据与计算器系统24中预存的相关阵列基板数据相比较，若发现瑕疵，则可由对比预存数据显示出该瑕疵的具体位置并记录；若无瑕疵，则关闭该薄膜晶体管25，则该阵列基板26与该导电层201之间的电场发生变化，使得控光层202动作，光源22发出的光不能通过该光电元件20，此时阵列基板26处于全暗状态，采用光侦测器23对该阵列基板26拍摄，获取影像数据，并将影像数据输入计算器系统24，通过该计算器系统24的显示器显示该影像，并将该影像数据与计算器系统24中预存的相关阵列基板数据相比较，若发现瑕疵，则可由逐点对比预存数据找出该瑕疵的具体位置并记录；若无瑕疵，则进行下一待测阵列基板的检测。
与现有技术相比较，本发明的阵列基板检测装置2采用光侦测器23对待测阵列基板26拍摄之后获得其影像数据，并将该影像显示在计算器系统24的显示器上，同时将该影像数据输入计算器系统24与计算器系统24中预存的数据相比较，以获得比较结果，并判断其差异，从而获得阵列基板26是否有缺陷；若有缺陷，则可通过与预存影像数据逐点比较以确定该缺陷的具体位置。因而可直接根据检测结果进行修复动作，无需再进行确定缺陷位置的步骤，可有效提高检测效率。
对于该阵列基板检测装置2，所述控制光源22使阵列基板26全亮或者全暗的检测顺序可调换，光侦测器23还可以采用高分辨率的互补金属氧化物半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor，CMOS)照相机。该光源22可以为发光二极管等点光源，也可以为冷阴极萤光等(Cold Cathode Fluorescent Lamp，CCFL)等线光源或者薄膜形态的电致发光元件(Electroluminance，EL)等面光源。该控光层202可以是液晶层或者其它各向异性晶体。该透明导电层201可以为氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)或氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)。

Claims (13)

1.一种阵列基板检测装置，其包括一光源、一可控制光通过与否的光电元件、一位于该光电元件一侧的光侦测器和一与该光侦测器连接的计算器系统，待测阵列基板设置在光电元件与光源之间。
2.如权利要求1所述的阵列基板检测装置，其特征是：该光侦测器是电荷耦合元件照相机或者互补金属氧化物半导体照相机。
3.如权利要求1所述的阵列基板检测装置，其特征是：该光侦测器的分辨率高于待测阵列基板的分辨率。
4.如权利要求1所述的阵列基板检测装置，其特征是：该光电元件包括一控光层和一透明导电层。
5.如权利要求4所述的阵列基板检测装置，其特征是：该控光层是液晶层或者各向异性晶体。
6.如权利要求4所述的阵列基板检测装置，其特征是：该透明导电层是氧化铟锡或者氧化铟锌。
7.如权利要求1所述的阵列基板检测装置，其特征是：该光源是点光源。
8.如权利要求7所述的阵列基板检测装置，其特征是：该点光源是发光二极管。
9.如权利要求1所述的阵列基板检测装置，其特征是：该光源是线光源。
10.如权利要求9所述的阵列基板检测装置，其特征是：该线光源是冷阴极荧光灯。
11.如权利要求1所述的阵列基板检测装置，其特征是：该光源是面光源。
12.如权利要求11所述的阵列基板检测装置，其特征是：该面光源是电致发光元件。
13.一种阵列基板检测方法包括以下步骤：提供如权利要求1所述的阵列基板检测装置；将待测阵列基板设置于该阵列基板检测装置的光源与光电元件之间；控制该阵列基板上的薄膜晶体管的开关，使得该光电元件动作，使得该光电元件处于全亮状态或者全暗状态；分别利用光侦测器拍摄该光电元件，并将获得的影像数据输入计算器系统；将该数据与计算器系统中的预定影像数据比较以确定是否该阵列基板是否有缺陷以及缺陷的具体位置。
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