CN215264287U - 硅基显示的来料电性检测系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型揭示了一种硅基显示的来料电性检测系统，待检测的基底层上存在像素电极，所述基底层的边缘设有外围电极，所述基底层具有像素电极的一面上方固定有AOI，所述AOI与基底层之间设有液晶模块。本实用新型采用偏振片、液晶以及背光源实现在无发光层的基板上进行功能性不良测试，例如亮点、暗点、亮线、暗线以及显示异常等的检出，增加拦截率，降低成本损失。

Description

硅基显示的来料电性检测系统

技术领域

本实用新型涉及硅基显示行业电性检测领域，尤其涉及OLED及Micro LED 的晶圆电性检测设备技术。

背景技术

硅基显示行业是平板显示行业的一个分支，其相对于平板显示的优点在于响应时间短，刷新率高，PPI高；根据其优点硅基显示常用于近眼显示设备；而在目前硅基显示中由于晶圆常为晶圆厂代工，晶圆厂代工测试只测试IC功能是否异常并不会关注显示不良，所以目前并没有有效的方式检查晶圆来料是否存在显示异常，这就给硅基显示厂商带来了较高的良率损失风险；

目前硅基显示厂商常用的方式是进行CP测试，测试IC功能是否异常，其次待硅基显示发光层完成之后进行点亮测试，或待硅基显示模组完成之后进行点亮测试，这就意味着必须先进行工艺过程再进行测试；这就导致了其他变量，一种可能是晶圆来料本身具有异常，另一种可能是硅基显示厂商进行的工艺过程对晶圆产生影响从而导致不良发生；这对于硅基厂商来说便无法分辨究竟是哪里的异常导致，使不良推动无法进行，良率损失较大。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是实现一种采用偏振片、液晶以及背光源实现在无发光层的基板上进行功能性不良测试的装置。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：一种硅基显示的来料电性检测系统，待检测的基底层上存在像素电极，所述基底层的边缘设有外围电极，所述基底层具有像素电极的一面上方固定有AOI，所述AOI与基底层之间设有液晶模块。

所述液晶模块自基底层向AOI一侧依次为导光板、偏光片、液晶层、偏光片、ITO薄膜。

所述外围电机上固定有探针或探卡，所述探针或探卡通过导线连接电源。

所述AOI包括固定在液晶模块上方的采集单元、连接采集单元的图像处理单元，以及连接图像处理单元的显示单元。

所述的偏光片包括上偏光片和下偏光片，所述上偏光片与下偏光片角度成 90°。

所述的AOI相机为面阵或TDI相机，检出精度小于等于1um；

所述的AOI相机为面阵或TDI相机，其光学像元为≤7um，其下方物镜倍率大于等于7倍。

所述的液晶层厚度为1um至5um之间。

所述的导光板为反射底片与光学亚克力板材制成。

所述的导光板的光学亚克力板材材料为PMMA，折射率为1.5，厚度为 100um-500um。

所述的反射底片材料为Ag/Al/Au/Cu中的一种或者其合金，反射率大于等于85％。

本实用新型采用偏振片、液晶以及背光源实现在无发光层的基板上进行功能性不良测试，例如亮点、暗点、亮线、暗线以及显示异常等的检出，增加拦截率，降低成本损失。

附图说明

下面对本实用新型说明书中每幅附图表达的内容及图中的标记作简要说明：

图1为检查装置检查产品为正常的结构示意图；

图2为检查正常显示图样；

图3为检查装置检查产品为异常的结构示意图；

图4为检查异常显示图样；

上述图中的标记均为：1、基底层；2、导光板；3、第一偏光片；4、液晶层；5、第二偏光片；6、ITO薄膜；7、AOI；8、外围电极；9、探针。

具体实施方式

下面对照附图，通过对实施例的描述，本实用新型的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理、制造工艺及操作使用方法等，作进一步详细的说明，以帮助本领域技术人员对本实用新型的发明构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。

待检测的基底上沉积像素层形成基底层1，基底层1上存在像素电极，一般在基底的边缘，通过探针9或探卡扎针至外围电极8对像素电极供电。

检测系统为固定在基底层1上方的液晶模块和AOI7，一般基底层1是水平放置在检测台面上，沉积的像素层朝上，在基底层1上方为液晶模块，在液晶模块上方为AOI7，液晶模块从下到上依次为导光板2，第一偏光片3，液晶层4，第二偏光片5，ITO薄膜6。

AOI7为自动光学检测系统，包括固定在液晶模块上方的采集单元、连接采集单元的图像处理单元，以及连接图像处理单元的显示单元。通过显示单元可以让工作人员目测测试结构，也可以通过软件自动分析获取的图像，判断待检测的基底层1通电后是否属于合格产品。

具体工作原理如下：

如图1所示，当基底层11与ITO薄膜6之间无电压时，此时液晶按照原本的排列方式，背光透过第一偏光片3后将光滤为与第二偏光片5平行的偏振光，液晶对偏振光进行偏转至与第二偏光片5垂直的偏振光，此时无法通过第二偏光片5，AOI7检测时会出现如图2所示全黑灰阶；

如图3所示，当基底层1与ITO薄膜6之间加入U’电压时，液晶会被电场偏转，此时背光通过第一偏光片3后将光滤为与第二偏光片5平行的偏振光，液晶经过偏转后对偏振光进行偏转，但由于存在与第二偏光片5平行方向上的光分量，此时有部分偏振光通过第二偏光片5形成亮度较低画面；若有亮点像素则该像素对应的液晶会被偏转的更加厉害，液晶经过偏转后不会对偏振光进行偏转或这对偏振光偏转较小，此时偏振光与第二偏光片5平行方向的光分量会比正常像素更大，此时会形成亮度较高画面；若有暗点像素则该像素对应的液晶不会被偏转，此时偏振光无法通过与偏振光垂直的第二偏光片5，形成无亮度的黑点，如图4所示，AOI7检测时会出现所示的灰阶，此时通过AOI7获取的图像判断出产品异常，还可以通过灰度算法将不良点检出并定位。

本实用新型采用液晶受电场偏转后透光量的大小来实现监控无发光层的晶圆检测，并利用探卡或探针9的方式对晶圆进行驱动，通过AOI7的检测方式检测不良点，保证了检测的准确性。

上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本实用新型具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.硅基显示的来料电性检测系统，待检测的基底层上存在像素电极，所述基底层的边缘设有外围电极，其特征在于：所述基底层具有像素电极的一面上方固定有AOI，所述AOI与基底层之间设有液晶模块。

2.根据权利要求1所述的硅基显示的来料电性检测系统，其特征在于：所述液晶模块自基底层向AOI一侧依次为导光板、偏光片、液晶层、偏光片、ITO薄膜。

3.根据权利要求2所述的硅基显示的来料电性检测系统，其特征在于：所述外围电机上固定有探针或探卡，所述探针或探卡通过导线连接电源。

4.根据权利要求1、2或3所述的硅基显示的来料电性检测系统，其特征在于：所述AOI包括固定在液晶模块上方的采集单元、连接采集单元的图像处理单元，以及连接图像处理单元的显示单元。

5.根据权利要求4所述的硅基显示的来料电性检测系统，其特征在于：所述的偏光片包括上偏光片和下偏光片，所述上偏光片与下偏光片角度成90°。

6.根据权利要求5所述的硅基显示的来料电性检测系统，其特征在于：所述的AOI相机为面阵或TDI相机，检出精度小于等于1um；

所述的AOI相机为面阵或TDI相机，其光学像元为≤7um，其下方物镜倍率大于等于7倍。

7.根据权利要求1或6所述的硅基显示的来料电性检测系统，其特征在于：所述的液晶层厚度为1um至5um之间。

8.根据权利要求7所述的硅基显示的来料电性检测系统，其特征在于：所述的导光板为反射底片与光学亚克力板材制成。

9.根据权利要求8所述的硅基显示的来料电性检测系统，其特征在于：所述的导光板的光学亚克力板材材料为PMMA，折射率为1.5，厚度为100um-500um。

10.根据权利要求9所述的硅基显示的来料电性检测系统，其特征在于：所述的反射底片材料为Ag/Al/Au/Cu中的一种或者其合金，反射率大于等于85％。

Images