CN111312130A - 阵列基板检测方法及系统 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种阵列基板检测方法及系统。通过所述阵列基板检测方法可以确定所述阵列基板是否存在Mura现象。进一步的，由于所述第一测试块与所述第二测试块对位形成多个平行板电容器。从所述测试基板读取的所述多个输出电压中，每一个输出电压对应所述测试基板的一个位置，同时也对应所述阵列基板的一个位置。根据所述多个输出电压可以判断所述阵列基板是否存在Mura现象。当检测判断得出存在与所述阵列基板输入的检测信号不同的输出电压时，则认为所述与所述阵列基板输入的检测信号不同的输出电压所在的位置为所述阵列基板中存在Mura的位置。所述阵列基板检测方法还可以确认Mura所在的位置，找到存在Mura的具体区域，便于实现对所述阵列基板的修复工作。

Description

阵列基板检测方法及系统

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板检测方法及系统。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示器是当今显示器研究领域的热点之一。与液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)相比，有机发光二极管OLED显示器具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点。

目前，OLED显示面板可以利用氧化物(Oxide)的薄膜晶体管(TFT)工艺技术来制作。一般来说，采用氧化物的薄膜晶体管工艺技术所制作出来的OLED显示面板，其像素驱动电路中的薄膜晶体管的型态可以为P型或N型，但无论是选择P型还是N型薄膜晶体管来实现像素驱动电路，有机发光二极管的电流均会随着驱动晶体管的阈值电压偏移有所变化，使得OLED显示面板产生显示亮度不均匀Mura现象，进而影响OLED显示面板的亮度均匀性与亮度恒定性。

目前，通过人为的观察显示面板上的OLED的发光情况才能检测到显示面板是否存在Mura现象，这样会存在很大的主观性，给显示面板的品质管控带来很大的困扰。

发明内容

基于此，有必要针对人为的观察显示面板上的OLED的发光情况判断是否存在Mura现象，会存在很大的主观性的问题，提供一种阵列基板检测方法及系统。

一种阵列基板检测方法，包括以下步骤：

提供阵列基板，所述阵列基板包括多个间隔设置的第一测试块；

提供测试基板，所述测试基板包括多个第二测试块；

将所述测试基板与所述阵列基板平行间隔第一距离设置以使所述第一测试块与所述第二测试块对位；

向所述阵列基板输入检测信号，并从所述测试基板读取多个输出电压，根据所述多个输出电压判断所述阵列基板是否存在Mura现象。

在一个实施例中，所述根据所述多个输出电压判断所述阵列基板是否存在Mura现象的步骤，包括：

根据所述多个输出电压按照每个所述第一测试块在所述阵列基板上的位置生成测试电压等值线图；

判断所述测试电压等值线图中是否存在测试电压突变的点；

若在所述测试电压等值线图，存在测试电压突变的点，则确定所述阵列基板存在Mura现象。

在一个实施例中，所述根据所述多个输出电压判断所述阵列基板是否存在Mura现象的步骤，包括：

提供阈值电压，运算每一个所述输出电压减去所述阈值电压之差的绝对值，得到多个运算结果；

判断所述多个运算结果中是否存在不在第一范围内的运算结果；

若所述多个运算结果中存在不在所述第一范围内的运算结果，则记录所述不在所述第一范围内的运算结果所对应的输出电压；

根据所述不在所述第一范围内的运算结果所对应的输出电压，查找在所述阵列基板中对应的所述第一测试块所在的位置，以确定对应所述不在所述第一范围内的运算结果所对应的输出电压的所述第一测试块所在的位置存在Mura现象。

在一个实施例中，以第一频率向所述阵列基板输入检测信号；

以第二频率从所述测试基板读取多个输出电压；

所述第一频率大于或等于所述第二频率。

在一个实施例中，所述第一测试块包括至少一个阳极块，所述阳极块用于驱动像素点亮；一个所述第二测试块与至少一个阳极块对位形成一个平行板电容器。

在一个实施例中，所述第一距离小于或者等于50微米。

在一个实施例中，将所述测试基板与所述阵列基板平行间隔第一距离设置，以使得所述第一测试块与所述第二测试块对位的步骤，包括：

在所述阵列基板上设置第一对位结构，在所述测试基板设置第二对位结构；

提供对位装置，拍摄所述第一对位结构的位置信息，并根据所述位置信息沿第一方向和第二方向调整所述测试基板的位置，所述第一方向和所述第二方向垂直；

沿着所述第一方向和/或所述第二方向移动所述测试基板，以使得所述第一对位结构和所述第二对位结构完成对位，以使所述第一测试块与所述第二测试块对位形成多个平行板电容器。

一种阵列基板检测系统，包括：

阵列基板，所述阵列基板包括：多个间隔设置的第一测试块；

信号输入模块，分别与所述多个第一测试块电连接；

测试基板，所述测试基板包括：多个间隔设置的第二测试块；

信号检测模块，分别与所述多个第二测试块电连接；

所述测试基板与所述阵列基板平行间隔第一距离设置，以使得所述第一测试块与所述第二测试块对位；以及

控制模块，与所述信号输入模块电连接，用于向所述阵列基板输入检测信号；所述控制模块与所述信号检测模块电连接，用于从所述测试基板读取多个输出电压，形成用于判断所述阵列基板是否存在Mura现象的数据。

在一个实施例中，所述控制模块包括：

图像生成单元，与所述信号检测模块电连接，用于将所述多个输出电压按照每个所述第一测试块在所述阵列基板上的位置生成测试电压等值线图；

第一判断单元，与所述图像生成单元电连接，用于根据所述测试电压等值线图中是否存在测试电压突变的点，判断所述阵列基板是否存在Mura现象。

在一个实施例中，所述控制模块包括：

运算单元，与所述信号检测模块电连接，用于提供阈值电压，并运算每一个所述输出电压减去所述阈值电压之差的绝对值，得到多个运算结果；

第二判断单元，与所述运算单元电连接，用于判断所述多个运算结果中是否存在不在第一范围内的运算结果；若所述多个运算结果中存在不在所述第一范围内的运算结果，则记录所述不在所述第一范围内的运算结果所对应的偏差输出电压；根据所述偏差输出电压，查找在所述阵列基板中对应所述偏差输出电压的所述第一测试块所在的位置，以确定对应所述偏差输出电压的所述第一测试块所在的位置存在Mura现象。

本申请中提供一种阵列基板检测方法及系统。通过所述阵列基板检测方法可以确定所述阵列基板是否存在Mura现象。进一步的，由于所述第一测试块与所述第二测试块对位形成多个平行板电容器。从所述测试基板读取的所述多个输出电压中，每一个输出电压对应所述测试基板的一个位置，同时也对应所述阵列基板的一个位置。根据所述多个输出电压可以判断所述阵列基板是否存在Mura现象。当检测判断得出存在与所述阵列基板输入的检测信号不同的输出电压时，则认为所述与所述阵列基板输入的检测信号不同的输出电压所在的位置为所述阵列基板中存在Mura的位置。所述阵列基板检测方法还可以确认Mura所在的位置，找到存在Mura的具体区域，便于实现对所述阵列基板的修复工作。

附图说明

图1为本申请一个实施例中提供的阵列基板检测方法的步骤流程示意图；

图2为本申请一个实施例中提供的阵列基板检测系统的剖面结构示意图；

图3为本申请一个实施例中提供的阵列基板检测系统中一个检测回路的原理示意图；

图4为本申请一个实施例中提供的阵列基板检测系统的结构示意图；

图5为本申请一个实施例中提供的阵列基板的部分剖面结构示意图；

图6为本申请一个实施例中提供的阵列基板检测系统的结构示意图；

图7为本申请一个实施例中提供的阵列基板检测系统的结构示意图；

图8为本申请一个实施例中提供的阵列基板检测系统的结构示意图；

图9为本申请一个实施例中提供的阵列基板检测结果示意图。

附图标号说明：

阵列基板检测系统 100

阵列基板 10

阵列基板本体 101

薄膜晶体管层 102

阳极块 103

第一测试块 11

信号输入模块 12

第一对位结构 13

对位装置 14

测试基板 20

测试基板本体 201

第二测试块 21

信号检测模块 22

第二对位结构 23

控制模块 30

图像生成单元 32

第一判断单元 33

运算单元 35

第二判断单元 36

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

由于现有OLED阵列基板没有精准的检测电学性Mura的方式。因此，OLED阵列基板存在电学性Mura发现较晚，改善不及时的问题。

本申请的核心思路是，提供待检测的阵列基板和测试基板。在阵列基板和测试基板之间间隔设置。向阵列基板通电，输入检测信号，以使得阵列基板和测试基板之间形成多个电容器。测试基板反馈输出电压，比较输出电压与阈值电压(或者与输入的检测信号)之间是否存在差异。如果输出电压的数值发生变化(波形混乱或者发生波动)，则说明所述阵列基板存在Mura。根据波形混乱或者发生波动的位置，定位查找到存在Mura的具体区域。

请参阅图1和图2，本申请实施例中提供一种阵列基板检测方法。所述阵列基板检测方法包括以下步骤：

S100，提供阵列基板10。所述阵列基板10包括多个间隔设置的第一测试块11。本步骤中，所述阵列基板10可以包括：阵列基板本体101(柔性基板/非柔性基板和绝缘层)、薄膜晶体管层(TFT，如图5所示的102)、阳极层(包括多个间隔设置的阳极块)。本步骤中，所述第一测试块11可以包括一个或者多个阳极块(如图5所示的阳极块103)。

S200，提供测试基板20。所述测试基板20包括多个第二测试块21。本步骤中，所述第二测试块21可以是多个间隔设置的测试电极。每个所述第二测试块21的形状大小可以与一个所述第一测试块11的形状大小相同且一一对应设置。本步骤中，所述测试基板20中所述第二测试块21的结构及排列方式可以根据所述阵列基板10中所述第一测试块11的结构及排列方式进行设置。

S300，将所述测试基板20与所述阵列基板10平行间隔第一距离设置，以使第一测试块11与所述第二测试块21对位。

本步骤中，所述第一测试块11与所述第二测试块21是一一对应的。所述第一测试块11与所述第二测试块21之间间隔的距离可以根据实际测试的需求进行调整。具体的，如果所述第一测试块11包括多个阳极块，或者所述第一测试块11与所述第二测试块21之间施加的电压比较大，所述第一测试块11与所述第二测试块21之间间隔的距离可以适当的扩大。一般的，所述第一测试块11与所述第二测试块21之间间隔的距离可以为30微米至50微米。

S400，向所述阵列基板10输入检测信号，并从所述测试基板20读取多个输出电压，根据所述多个输出电压判断所述阵列基板10是否存在Mura现象。如图2所示，向所述阵列基板10输入检测信号后，所述第一测试块11与所述第二测试块21对位形成多个平行板电容器。

本步骤中，如图3所示，提供了一个检测回路的检测原理示意图。向所述阵列基板10输入的检测信号可以为电压信号。具体的可以是具有一定波形的电压信号，比如方波或者锯齿波。从所述测试基板20读取多个输出电压，可以通过电压检测电路或者电压表独读出所述多个输出电压。一般通过电压检测电路或者电压表读出所述多个输出电压根据所述多个输出电压判断所述阵列基板10是否存在Mura现象，具体可以为判断所述多个输出电压是否与所述阵列基板10输入的检测信号相同。如果存在与所述阵列基板10输入的检测信号不同的输出电压，则认为所述与所述阵列基板10输入的检测信号不同的输出电压所在的位置为所述阵列基板10中存在Mura的位置。

本实施例中，通过上述阵列基板检测方法可以得出所述阵列基板10是否存在Mura现象。进一步的，由于所述第一测试块11与所述第二测试块21对位形成多个平行板电容器。从所述测试基板20读取的所述多个输出电压中，每一个输出电压对应所述测试基板20的一个位置，同时也对应所述阵列基板10的一个位置。根据所述多个输出电压可以判断所述阵列基板10是否存在Mura现象。由于所述第一测试块11与所述第二测试块21一一对位，当检测判断得出存在与所述阵列基板10输入的检测信号不同的输出电压时，则认为所述与所述阵列基板10输入的检测信号不同的输出电压所在的位置为所述阵列基板10中存在Mura的位置。本实施例中，提供的所述阵列基板检测方法可以检测出所述阵列基板10是否存在Mura现象，对于所述阵列基板10的品质监控有巨大的帮助。进一步所述阵列基板检测方法还可以确认Mura所在的位置，找到存在Mura的具体区域，便于实现对所述阵列基板10的修复工作。

在一个实施例中，所述根据所述多个输出电压判断所述阵列基板10是否存在Mura现象的步骤，包括：

S410，根据所述多个输出电压按照每个所述第一测试块11在所述阵列基板10上的位置生成测试电压等值线图。所述测试电压等值线图如图9所示。

S411，判断所述测试电压等值线图中是否存在测试电压突变的点。测试电压突变的点是指图9中与周围测试电压的值存在明显不同的点。图9中C3表示电压，10-70的数值表示所述多个输出电压中可能的测试电压值。当然不同的测试结果数值会不同，图9仅仅为示意图。

S412，若在所述测试电压等值线图中，存在测试电压突变的点，则确定所述阵列基板10存在Mura现象。

本实施例中，将所述多个输出电压按照每个所述第一测试块11在所述阵列基板10上的位置生成测试电压等值线图。通过所述测试电压等值线图可以更清楚的确定所述阵列基板10是否存在Mura现象。通过所述测试电压等值线图也可以更清楚的确定所述阵列基板10的哪个位置存在Mura现象。如图9所示。图9中明显存在与周围的测试电压明显不同的区域，这些与周围的测试电压明显不同的区域均是所述阵列基板10中存在Mura缺陷的位置。

在一个实施例中，所述根据所述多个输出电压判断所述阵列基板10是否存在Mura现象的步骤，包括：

S420，提供阈值电压，运算每一个所述输出电压减去所述阈值电压之差的绝对值，得到多个运算结果。本步骤中提供的所述阈值电压可以是技术人员根据测试结果或者试验判断对象进行确定的。本步骤中提供的所述阈值电压也可以是输入电压。

S421，判断所述多个运算结果中是否存在不在第一范围内的运算结果。

S422，若所述多个运算结果中存在不在所述第一范围内的运算结果，则记录所述不在所述第一范围内的运算结果所对应的输出电压。本步骤中，若所述多个运算结果中存在不在所述第一范围内的运算结果，则说明不在所述第一范围内的运算结果处，所述第一测试块11的对地电压与所述第二测试块21的对地电压不相等。

S423，根据所述不在所述第一范围内的运算结果所对应的输出电压，查找在所述阵列基板10中对应的所述第一测试块11所在的位置，以确定对应所述不在所述第一范围内的运算结果所对应的输出电压的所述第一测试块11所在的位置存在Mura现象。

本步骤中，在所述第一测试块11的对地电压与所述第二测试块21的对地电压不相等的位置，对应所述阵列基板10上的所述第一测试块11的位置存在Mura现象。

本实施例中，提供另一种判断所述阵列基板10是否存在Mura现象的步骤。通过所述输出电压减去所述阈值电压之差的绝对值来判断所述阵列基板10是否存在Mura现象。本实施例中提供的判断方法可以精准的确认所述阵列基板10的哪个位置存在Mura现象。本实施例中，还可以通过对比所述输出电压减去所述阈值电压之差的绝对值之间的差异，确定哪个位置所述阵列基板10存在的Mura现象更为严重，以便于更有针对性的修复所述阵列基板10。

在一个实施例中，所述向所述阵列基板10输入检测信号，从所述测试基板20读取多个输出电压的步骤包括：

S430，以第一频率向所述阵列基板10输入检测信号。

S431，以第二频率从所述测试基板20读取多个输出电压；其中，所述第一频率大于或等于所述第二频率。

本实施例中，可以根据OLED显示产品的电路扫描频率(所述第一频率)来设置所述测试基板20中所述第二频率的取值范围，从而实现所述阵列基板10的扫描电路与所述测试基板20的测量电路共用的效果。

在一个实施例中，所述测试基板20的面积小于或等于所述阵列基板10的面积。所述第一测试块11包括至少一个阳极块103，所述阳极块103用于驱动像素点亮。一个所述第二测试块21与至少一个阳极块103对位形成多个平行板电容器。

本实施例中，所述测试基板20可以设计为一个像素单元的大小(一个像素单元可以包括红、绿和蓝三种颜色的子像素各一个)。根据不同型号的所述阵列基板10，可以选取不同的所述测试基板20。

在采用所述测试基板20实现对所述阵列基板10的检测过程中，可以设置为一个所述第二测试块21对应所述阵列基板10上的一个阵列像素。即，所述第二测试块21的个数与所述阵列基板10上的阵列像素个数之比为1:1或1:N，N为大于1的正整数。当比值为1:1时，对应的检测精度最高，同时对应的测试电路更为复杂。当比值为1:N时，检测精度相对降低，对应的测试电路更为简单。

在一个实施例中，所述第一距离小于或者等于50微米。所述第一距离与向所述阵列基板10输入的所述检测信号的大小有关。所述检测信号越大，所述第一距离应该相应的调大。所述第一距离还与所述第一测试块11以及所述第二测试块21的面积大小有关。所述第一测试块11以及所述第二测试块21的面积(有效对位面积)越大，所述第一距离应该相应的调大。

本实施例中，所述第一距离可以为50微米、45微米、36微米、28微米或者20微米。所述第一距离设置合适的长度可以保证所述第一测试块11与所述第二测试块21对位形成多个平行板电容器不被击穿。

请参阅图4，在一个实施例中，S300，将所述测试基板20与所述阵列基板10平行间隔第一距离设置，以使所述第一测试块11与所述第二测试块21对位的步骤，包括：

S310，在所述阵列基板10上设置第一对位结构13。在所述测试基板20设置第二对位结构23。所述第一对位结构13可以是设置在所述阵列基板10上的具有一定长度和宽度的十字标记(Mark)。所述第二对位结构23可以是设置在所述测试基板20上的具有一定长度和宽度的十字标记(Mark)。

S320，提供对位装置14，所述对位装置14可以包括对位相机。所述对位装置14拍摄所述第一对位结构13的位置信息。所述对位装置14根据所述位置信息沿第一方向和第二方向调整所述测试基板20的位置。所述第一方向和所述第二方向垂直。

S330，沿着所述第一方向和/或所述第二方向移动所述测试基板20，以使得所述第一对位结构13和所述第二对位结构23完成对位，所述第一测试块11与所述第二测试块21对位形成多个平行板电容器。

本实施例中，在所述阵列基板10上设置所述第一对位结构13，在所述测试基板20设置所述第二对位结构23是为了更准确的实现所述第一测试块11和所述第二测试块21实现准确的对位。所述对位装置14可以与所述测试基板20固定设置。所述对位装置14也可以与所述测试基板20分开设置。所述对位装置14可以使得所述第一对位结构13和所述第二对位结构23实现准确对位，进而实现所述第一测试块11与所述第二测试块21的准确对位。本实施例中提供一种实现所述阵列基板10与所述测试基板20的对位方法。所述对位方法可以使得所述第一测试块11与所述第二测试块21对位形成多个平行板电容器，便于后续的Mura检测。

请参阅图6至图8，在一个实施例中请具体参阅图6，本申请还提供一种阵列基板检测系统100，包括：设置有多个第一测试块11的阵列基板10、信号输入模块12、设置有多个第二测试块21的测试基板20、信号检测模块22和控制模块30。

所述阵列基板10为待检测的阵列基板。所述阵列基板10包括：多个第一测试块11。所述多个第一测试块11间隔设置于阵列基板本体101。阵列基板本体101可以包括柔性基板/非柔性基板和绝缘层。

所述信号输入模块12可以为柔性电路板，与所述多个第一测试块11电连接。所述信号输入模块12也可以设置于所述阵列基板10，与所述多个第一测试块11电连接。所述第一测试块11可以对应一个或者多个阳极块103。

所述测试基板20可以是按照所述阵列基板10的形状和大小设置的。所述测试基板20包括：多个第二测试块21。所述多个第二测试块21间隔设置于测试基板本体201。

所述信号检测模块22分别与所述多个第二测试块21电连接。所述信号检测模块22可以为柔性电路板，通过线路与所述多个第二测试块21电连接。所述测试基板20与所述阵列基板10平行间隔第一距离设置，以使得所述第一测试块11与所述第二测试块21对位，以便在所述第一测试块11输入检测信号后形成多个平行板电容器。

所述控制模块30与所述信号输入模块12电连接，用于向所述阵列基板10输入检测信号。所述控制模块30与所述信号检测模块22电连接，用于从所述测试基板20读取多个输出电压，形成用于判断所述阵列基板10是否存在Mura现象的数据。在一个实施例中，所述控制模块30可以与所述信号输入模块12一起设置在所述阵列基板10。在另一个实施例中，所述控制模块30可以与所述信号检测模块22一起设置在所述测试基板20。在另一个实施例中，所述控制模块30还可以单独设置，所述控制模块30分别与所述信号输入模块12和所述信号检测模块22通信连接。

本实施例中，提供一种阵列基板检测系统100。所述阵列基板检测系统100包括阵列基板10、测试基板20和控制模块30，所述阵列基板检测系统100可以检测所述阵列基板10是否存在Mura现象。所述阵列基板10中包括的所述第一测试块11与所述测试基板20中包括的所述第二测试块21对位形成多个平行板电容器。向所述阵列基板10输入检测信号，从所述测试基板20读取多个输出电压。所述多个输出电压中，每一个输出电压对应所述测试基板20的一个位置，同时也对应所述阵列基板10的一个位置。根据所述多个输出电压可以判断所述阵列基板10是否存在Mura现象。由于所述第一测试块11与所述第二测试块21一一对位，当检测判断得出存在与所述阵列基板10输入的检测信号不同的输出电压时，则认为所述与所述阵列基板10输入的检测信号不同的输出电压所在的位置为所述阵列基板10中存在Mura的位置。本实施例中，提供的所述阵列基板检测方法可以检测出所述阵列基板10是否存在Mura现象，对于所述阵列基板10的品质监控有巨大的帮助。进一步所述阵列基板检测方法还可以确认Mura所在的位置，找到存在Mura的具体区域，便于实现对所述阵列基板10的修复工作。

请参阅图7，在一个实施例中，所述阵列基板检测系统100中的所述控制模块30包括：图像生成单元32和第一判断单元33。

所述图像生成单元32与所述信号检测模块22电连接，用于根据所述多个输出电压按照每个所述第一测试块11在所述阵列基板10上的位置生成测试电压等值线图。

所述第一判断单元33与所述图像生成单元32电连接。所述第一判断单元33用于判断所述测试电压等值线图中是否存在测试电压突变的点。若在所述测试电压等值线图中，存在测试电压突变的点，则确定所述阵列基板10存在Mura现象。

本实施例中，所述控制模块30包括：所述图像生成单元32和所述第一判断单元33。所述图像生成单元32根据所述多个输出电压按照每个所述第一测试块11在所述阵列基板10上的位置生成测试电压等值线图。所述第一判断单元33所述第一判断单元33用于判断所述测试电压等值线图中是否存在测试电压突变的点。若在所述测试电压等值线图中，存在测试电压突变的点，则确定所述阵列基板10存在Mura现象。所述第一判断单元33还可以通过所述测试电压等值线图更清楚的确定所述阵列基板10的哪个位置存在Mura现象。所述测试电压等值线图中明显的亮斑以及明显的黑斑，均是所述阵列基板10中存在Mura缺陷的位置。

请参阅图8，在一个实施例中，所述控制模块30包括：运算单元35和第二判断单元36。

所述运算单元35与所述信号检测模块22电连接。所述运算单元35用于提供阈值电压，并运算每一个所述输出电压减去所述阈值电压之差的绝对值，得到多个运算结果。

所述第二判断单元36与所述运算单元35电连接。所述第二判断单元36用于判断所述多个运算结果中是否存在不在第一范围内的运算结果。若所述多个运算结果中存在不在第一范围内的运算结果，则记录所述不在所述第一范围内的运算结果所对应的输出电压；根据所述不在所述第一范围内的运算结果所对应的输出电压，查找在所述阵列基板10中对应的所述第一测试块11所在的位置，以确定对应所述不在所述第一范围内的运算结果所对应的输出电压的所述第一测试块11所在的位置存在Mura现象。

本实施例中，所述控制模块30包括所述运算单元35和所述第二判断单元36。所述运算单元35运算所述输出电压减去所述阈值电压之差的绝对值，得出运算结果。通过所述运算结果来判断所述阵列基板10是否存在Mura现象。本实施例中提供的判断方法可以精准的确认所述阵列基板10的哪个位置存在Mura现象。本实施例中，还可以通过对比所述输出电压减去所述阈值电压之差的绝对值之间的差异，确定哪个位置所述阵列基板10存在的Mura现象更为严重，以便于更有针对性的修复所述阵列基板10。

在一个具体实施例中，在测试基板20上设置第二测试块21。所述第二测试块21可以为电容极板。所述第二测试块21的密度可根据需求的测试精度进行增加或者减少。

提供对位装置14，用于实现所述阵列基板10与所述测试基板20的对位排列。所述对位装置14可以保证所示测试基板20与所述阵列基板10的位置精度。所述测试基板20与所述阵列基板10之间的间距可以≤50微米，以保证足够的电场强度。

通过所述信号输入模块12为所述阵列基板10(形成的平行板电容器的下极板)进行通电。所述阵列基板10的阳极位置即可带电。

通过所述对位装置14将所述测试基板20准确的对应到所述阵列基板10。实现所述第一测试块11与所述第二测试块21的准确对位(在实现准确对位时，可以使用设置在所述阵列基板10上的所述第一对位结构13和设置在所述测试基板20上的所述第二对位结构23协助完成对位)。所述测试基板20上的所述第二测试块21通过电容原理，感应带电后，可通过所述信号检测模块22(可以为电压计)测量出所述第二测试块21(形成的平行板电容器的上极板)的对地电压。具体的，单个测试电路示意图如图3所示。

所述信号检测模块22测量出所述第二测试块21的对地电压称为多个输出电压。根据所述多个输出电压的示意图(所述多个输出电压之间是否存在电压差异)可以判定所述阵列基板10的对应位置是否存在电学性Mura。

同时，还可以根据所述多个输出电压输出Mapping图像(将所述多个输出电压转换为多个亮度信号。将所述多个亮度信号按照每个所述第一测试块11在所述阵列基板10上的位置生成测试电压等值线图，如图9所示)。根据所述测试电压等值线图上颜色差异大小，可直观判断所述阵列基板10上的某一位置是否存在电学性Mura，以及Mura发生的位置和形状。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供阵列基板(10)，所述阵列基板(10)包括多个间隔设置的第一测试块(11)；

提供测试基板(20)，所述测试基板(20)包括多个第二测试块(21)；

将所述测试基板(20)与所述阵列基板(10)平行间隔第一距离，以使第一测试块(11)与所述第二测试块(21)对位；

向所述阵列基板(10)输入检测信号，并从所述测试基板(20)读取多个输出电压，根据所述多个输出电压判断所述阵列基板(10)是否存在Mura现象。

2.根据权利要求1所述的阵列基板检测方法，其特征在于，所述根据所述多个输出电压判断所述阵列基板(10)是否存在Mura现象的步骤，包括：

根据所述多个输出电压按照每个所述第一测试块(11)在所述阵列基板(10)上的位置生成测试电压等值线图；

判断所述测试电压等值线图中是否存在测试电压突变的点；

若在所述测试电压等值线图中，存在测试电压突变的点，则确定所述阵列基板(10)存在Mura现象。

3.根据权利要求1所述的阵列基板检测方法，其特征在于，所述根据所述多个输出电压判断所述阵列基板(10)是否存在Mura现象的步骤，包括：

提供阈值电压，运算每一个所述输出电压减去所述阈值电压之差的绝对值，得到多个运算结果；

判断所述多个运算结果中是否存在不在第一范围内的运算结果；

若所述多个运算结果中存在不在所述第一范围内的运算结果，则记录所述不在所述第一范围内的运算结果所对应的输出电压；

根据所述不在所述第一范围内的运算结果所对应的输出电压，查找在所述阵列基板(10)中对应的所述第一测试块(11)所在的位置，以确定对应所述不在所述第一范围内的运算结果所对应的输出电压的所述第一测试块(11)所在的位置存在Mura现象。

4.根据权利要求2或者3所述的阵列基板检测方法，其特征在于，

以第一频率向所述阵列基板(10)输入检测信号；

以第二频率从所述测试基板(20)读取多个输出电压；

所述第一频率大于或等于所述第二频率。

5.根据权利要求1所述的阵列基板检测方法，其特征在于，所述第一测试块(11)包括至少一个阳极块(103)，所述阳极块(103)用于驱动像素点亮；一个所述第二测试块(21)与至少一个阳极块(103)对位形成一个平行板电容器。

6.根据权利要求1所述的阵列基板检测方法，其特征在于，所述第一距离小于或者等于50微米。

7.根据权利要求1所述的阵列基板检测方法，其特征在于，将所述测试基板(20)与所述阵列基板(10)平行间隔第一距离设置，以使所述第一测试块(11)与所述第二测试块(21)对位的步骤，包括：

在所述阵列基板(10)上设置第一对位结构(13)，在所述测试基板(20)设置第二对位结构(23)；

提供对位装置(14)，拍摄所述第一对位结构(13)的位置信息，并根据所述位置信息沿第一方向和第二方向调整所述测试基板(20)的位置，所述第一方向和所述第二方向垂直；

沿着所述第一方向和/或所述第二方向移动所述测试基板(20)，以使得所述第一对位结构(13)和所述第二对位结构(23)完成对位，以使所述第一测试块(11)与所述第二测试块(21)对位形成多个平行板电容器。

8.一种阵列基板检测系统，其特征在于，包括：

阵列基板(10)，所述阵列基板(10)包括：多个间隔设置的第一测试块(11)；

信号输入模块(12)，分别与所述多个第一测试块(11)电连接；

测试基板(20)，所述测试基板(20)包括：多个间隔设置的第二测试块(21)；

信号检测模块(22)，分别与所述多个第二测试块(21)电连接；

所述测试基板(20)与所述阵列基板(10)平行间隔第一距离设置，以使得所述第一测试块(11)与所述第二测试块(21)对位；以及

控制模块(30)，与所述信号输入模块(12)电连接，用于向所述阵列基板(10)输入检测信号；所述控制模块(30)与所述信号检测模块(22)电连接，用于从所述测试基板(20)读取多个输出电压，形成用于判断所述阵列基板(10)是否存在Mura现象的数据。

9.根据权利要求8所述的阵列基板检测系统，其特征在于，所述控制模块(30)包括：

图像生成单元(32)，与所述信号检测模块(22)电连接，用于将所述多个输出电压按照每个所述第一测试块(11)在所述阵列基板(10)上的位置生成测试电压等值线图；

第一判断单元(33)，与所述图像生成单元(32)电连接，用于根据所述测试电压等值线图中是否存在测试电压突变的点，判断所述阵列基板(10)是否存在Mura现象。

10.根据权利要求8所述的阵列基板检测系统，其特征在于，所述控制模块(30)包括：

运算单元(35)，与所述信号检测模块(22)电连接，用于提供阈值电压，并运算每一个所述输出电压减去所述阈值电压之差的绝对值，得到多个运算结果；

第二判断单元(36)，与所述运算单元(35)电连接，用于判断所述多个运算结果中是否存在不在第一范围内的运算结果；若所述多个运算结果中存在不在所述第一范围内的运算结果，则记录所述不在所述第一范围内的运算结果所对应的输出电压；根据所述不在所述第一范围内的运算结果所对应的输出电压，查找在所述阵列基板(10)中对应的所述第一测试块(11)所在的位置，以确定对应所述不在所述第一范围内的运算结果所对应的输出电压的所述第一测试块(11)所在的位置存在Mura现象。

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