CN1791904A - 磁记录介质的制造方法与磁记录介质 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种磁记录介质的制造方法以及磁记录介质，通过该制造方法能够高效且可靠地制造出具有以凹凸图案形成的记录层且表面充分平坦的磁记录介质。在磁记录介质的制造方法中，作为非磁性材料(36)采用可选择流动状态以及固化状态的材料，在以凹凸图案在玻璃基板(12)上形成记录层(32)而成的被加工体(10)的表面上，以流动状态形成非磁性材料(36)，再固化非磁性材料(36)。

Description

磁记录介质的制造方法与磁记录介质

技术领域

本发明涉及记录层以凹凸图案形成的磁记录介质的制造方法及磁记录介质。

背景技术

到目前为止，硬盘等的磁记录介质，通过对构成记录层的磁性粒子的微细化、材料的变更、磁头加工的微细化等改良，实现了面记录密度的显著提高，且期待今后进一步提高面记录密度。

但因磁头的加工极限、磁场的扩散产生的边缘干涉带(サイドフリンジ)、串扰等问题变得明显，根据以往的改良方法的面记录密度的提高已快到了极限。所以作为可以实现面记录密度的进一步提高的磁记录介质的候补，提出了一种以规定的凹凸图案形成记录层，并将非磁性材料填充在凹凸图案的凹部而成的离散型磁记录介质(例如，参照JP特开平9-97419号公报)。

作为以规定的凹凸图案形成记录层的加工技术，可以利用反应性离子蚀刻等干蚀刻方法(例如，JP特开平12-322710号公报)

另外，作为实现非磁性材料的填充的方法，可以利用在半导体制造领域中被使用的溅射法等成膜技术。另外，如果利用溅射法等成膜技术，则非磁性材料不仅在凹凸图案的凹部成膜，而且在记录层上面也成膜，而非磁性材料的表面顺着记录层的凹凸形状形成凹凸形状。

为获得良好的磁特性，有必要尽量除去记录层上的非磁性材料。另外，如果磁记录介质的表面存在段差，则发生磁头悬浮的不稳定化、异物堆积等问题，因此，最好除去记录层上的剩余非磁性材料的同时，对表面进行平坦化。对于该记录层上的剩余非磁性材料的除去及平坦化，可以利用在半导体制造领域中被使用的CMP(Chemical Mechanical Polishing：化学机械抛光)等加工技术。

但是，CMP法是按时间控制加工量的方法，故将非磁性材料正确地除去到记录层的表面变得困难，而发生记录层上残留非磁性材料或除去一部分记录层的问题。还有，由于研磨了一部分记录层，而有可能恶化磁特性。进一步，CMP法具有泥浆的除去变得困难、洗涤等所需要的时间长、成本高等问题。更何况，CMP法具有研磨率低的问题。

还有，即使通过CMP法等进行平坦化，有时不能充分对记录层及非磁性材料的表面进行平坦化。更详细地说，如图17(A)所示，非磁性材料102的表面顺着记录层104的凹凸形状形成为凹凸形状。另一方面，在平坦化工序中，非磁性材料102整体被除去的同时，其表面的凹凸逐渐变得均匀，因此，如果非磁性材料的成膜厚度较薄，则具有使表面的凹凸变得均匀的效果的平坦化工序实质上变短，如图17(B)所示，即使除去非磁性材料102至记录层104上面，有时也不能使非磁性材料102的表面的凹凸变得充分均匀，从而，为了使表面变得均匀，有必要厚厚地堆积非磁性材料。

此外，若形成厚的非磁性材料膜，则平坦化工序实质上变长，但存在材料的使用效率降低而产生成本变高的问题。还有，由于平坦化工序的时间变长而存在生产效率降低的问题。进而，非磁性材料的成膜厚度具有从基板上的部位按一定比率发生偏差的倾向，而若形成厚的非磁性材料膜，则非磁性材料的膜厚分布(膜厚之差)相应的变大，因而，因形成厚的非磁性材料膜产生表面的平坦化效果被消减，或者在平坦化工序中没能对表面充分进行平坦化，而反过来有时会加大磁记录介质表面的凹凸。

发明内容

本发明鉴于上述问题而成，其目的在于提供一种磁记录介质的制造方法以及磁记录介质，该制造方法能够高效确实地制造出具有以凹凸图案形成的记录层且表面充分平坦的磁记录介质。

发明人在研究本发明的过程中，尝试利用离子束蚀刻除去记录层上的残余非磁性材料而进行平坦化。因离子束蚀刻具有与其他部位相比有选择性地更快速地除去膜的突出部位的倾向，所以进行平坦化的效果好。还有，不采用如CMP法等的湿法工艺，而采用所谓离子束蚀刻的干法工艺，从而无需浆料的清洗等。因此，能够高效、低成本地制造出表面粗糙度低的磁记录介质。

但是，通过采用离子束蚀刻能够获得降低了表面粗糙度的一定效果，但很难将表面粗糙度充分降低到所希望的标准。其理由并非很明确，但想必如下。

离子束蚀刻具有与其他部位相比有选择性地更快速地除去膜的突出了的部位的倾向，但是，当突出了的部位的面积比较大时，只有突出部位的周边附近被快速除去，而其内侧部分比周边部位除去得更慢。磁记录介质分区为数据区域和伺服区域被使用，记录层的凹凸图案即使在数据区域保持一定不变，但在数据区域的凹凸图案与伺服区域的凹凸图案明显不同。还有，在伺服区域，记录层的凹凸图案多半变得复杂。从而非磁性材料的凹凸图案也不可能成为一定的图案，因此，即使是突出的部分，根据其面积的大小蚀刻率不同，从而认为，即使采用离子束蚀刻，也对降低其表面粗糙度的效果具有一定的界限。

于是，发明人进而通过专心检讨的结果，终于研究出本发明：作为非磁性材料采用可选择流动状态以及固化状态的材料，而将其以流动状态在将记录层由凹凸图案形成在基板上而成的被加工体的表面上成膜，将非磁性材料填充在凹凸图案的凹部，从而，降低顺着记录层的凹凸形状成膜的非磁性材料表面的凹凸程度。即，即使刚刚成膜时的表面状态为顺着记录层的凹凸形状的凹凸形状，只要非磁性材料是流动状态则凹凸逐渐变得均匀。从而，在平坦化工序的前阶段，能够大幅度降低非磁性材料表面的凹凸，从而，通过进一步进行平坦化加工，能够显著降低表面的凹凸程度。此外，在平坦化工序中最好采用离子束蚀刻等干蚀刻。

就是说，通过如下的发明，能够解决上述课题。

(1)一种磁记录介质的制造方法，该磁记录介质的记录层以规定的凹凸图案形成在基板上，且该凹凸图案的凹部被非磁性材料所填充，其特征在于：在表面做成凹凸图案的被加工体的上述表面上，形成具有流动性的材料的层。

(2)如上述(1)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括：流动状非磁性材料成膜工序，其在以上述凹凸图案在上述基板上形成上述记录层而成的被加工体的表面，将可选择流动状态及固化状态的材料作为上述非磁性材料以流动状态成膜，使上述凹凸图案的凹部被上述非磁性材料所填充；非磁性材料固化工序用于固化上述非磁性材料。

(3)如上述(2)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：上述流动状非磁性材料成膜工序采用熔点为50℃以上且300℃以下的材料作为非磁性材料，该工序包括固化状非磁性材料成膜工序以及非磁性材料流动化工序，上述固化状非磁性材料成膜工序在比上述熔点更低温的固化状态下使该非磁性材料在上述被加工体的表面成膜，而上述非磁性材料流动化工序将上述非磁性材料加热到比上述熔点更高且300℃以下的温度来使其流动；上述非磁性材料固化工序在低于上述熔点的温度条件下使上述非磁性材料冷却固化。

(4)如上述(3)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：作为上述非磁性材料采用包含铟以及铋中的至少一种的材料。

(5)如上述(3)或者(4)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：上述非磁性材料固化工序，在上述被成膜的流动状态的表面添加包含硅、锗、氮以及硼中的至少一种的材料，来提高上述非磁性材料的熔点。

(6)如上述(2)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：上述流动状非磁性材料成膜工序采用软化温度为50℃以上且300℃以下的热塑性树脂作为非磁性材料，且该工序包括固化状非磁性材料成膜工序以及非磁性材料流动化工序，上述固化状非磁性材料成膜工序在比上述软化温度更低温的固化状态下使该非磁性材料在上述被加工体的表面成膜，而上述非磁性材料流动化工序将上述非磁性材料加热到比上述软化温度更高且300℃以下的温度来使其流动；上述非磁性材料固化工序在低于上述软化温度的温度条件下使上述非磁性材料冷却固化。

(7)如上述(2)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：上述流动状态非磁性材料成膜工序采用固化温度为50℃以上且300℃以下的热固化树脂作为非磁性材料，且该工序在比上述固化温度更低温度的流动状态下使该非磁性材料在上述被加工体的表面成膜，而上述非磁性材料固化工序将上述非磁性材料加热到比上述固化温度更高且300℃以下的温度来使其固化。

(8)如上述(2)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：上述流动状态非磁性材料成膜工序，作为非磁性材料采用放射线固化树脂，并使该非磁性材料在流动状态下在上述被加工体的表面成膜，而上述非磁性材料固化工序通过照射放射线来使上述非磁性材料固化。

(9)如上述(2)～(8)中的任何一项中所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：上述流动状非磁性材料成膜工序大致水平地保持被成膜上述流动状态的非磁性材料的上述被加工体，同时使该被加工体围绕着相对其表面大致垂直的轴旋转。

(10)如上述(2)～(8)中的任何一项中所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：在上述非磁性材料固化工序之后，设有除去残余的上述非磁性材料并平坦化上述被加工体的表面的平坦化工序。

(11)如上述(1)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括：

非磁性材料成膜工序，其在以上述凹凸图案在上述基板上形成上述记录层而成的被加工体的表面，使上述非磁性材料成膜，在上述凹凸图案的凹部填充上述非磁性材料；流动性材料成膜工序，用于在上述非磁性材料的表面上使流动性材料成膜；平坦化工序，用于除去上述流动性材料以及残余的上述非磁性材料并平坦化上述被加工体的表面。

(12)如上述(10)或者(11)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：上述平坦化工序采用了干蚀刻法。

(13)一种磁记录介质，记录层以规定的凹凸图案形成在基板上，且该凹凸图案的凹部被非磁性材料所填充，其特征在于：上述非磁性材料为包含铟以及铋中的至少一种的材料。

此外，在本申请中，所谓“记录层以规定的凹凸图案形成在基板上”包括如下情况：将记录层以规定的图案分割多个记录要素而形成在基板上，并将这些记录要素作为凸部而在这些记录要素之间形成凹部的情况；此外，将记录层以规定的图案部分分割而形成在基板上，并将一部分连续的记录要素作为凸部而在这些记录要素之间形成凹部的情况，例如，犹如螺旋状的漩涡形状的记录层，在基板上的一部分形成连续的记录要素，而将记录要素作为凸部并在记录要素之间形成凹部的情况；在记录层上形成凸部以及凹部双方的情况。

还有，所谓“放射线”的术语一般指的是伴随放射线元素的裂变而放射出来的γ射线、X射线、α射线等电磁波、粒子射线，但在本申请中，所谓“放射线”的术语是指，例如紫外线、电子射线等的具有固化特定的流动状态的树脂的特性的电磁波、粒子射线等的总称。

还有，本申请中的所谓“磁记录介质”的术语，并非局限于针对信息的记录、读取等只使用磁的硬盘、软盘(Floppy：注册商标)，磁带等，而也包括同时使用磁与光的MO(Magneto Optical)等的光磁记录介质、同时使用磁与热的热补助型的记录介质。

本发明通过以流动状态成膜非磁性材料，在平坦化工序前就能够使非磁性材料表面的凹凸充分均匀。从而，能够在平坦化工序将表面粗糙度充分降低到所希望的标准，而能够高效确实地制造具有以凹凸图案形成的记录层且表面充分平坦的磁记录介质。

附图说明

图1是示意性地表示本发明第1实施例中的被加工体的加工坯体构造的侧面剖视图。

图2是示意性地表示通过加工上述被加工体而得到的磁记录介质的构造的侧面剖视图。

图3是表示上述磁记录介质的制造工序的概况的流程图。

图4是示意性地表示在抗蚀层上转印了凹凸图案的上述被加工体的形状的侧面剖视图。

图5是示意性地表示除去了凹部底面的抗蚀层的上述被加工体的形状的侧面剖视图。

图6是示意性地表示除去了凹部底面的第2掩模层的上述被加工体的形状的侧面剖视图。

图7是示意性地表示除去了凹部底面的第1掩模层的上述被加工体的形状的侧面剖视图。

图8是示意性地表示形成了记录要素的上述被加工体的形状的侧面剖视图。

图9是示意性地表示除去了残留在记录要素上面的第1掩模层的被加工体的形状的侧面剖视图。

图10是示意性地表示在记录要素的上面及记录要素之间的凹部形成了隔膜的上述被加工体的形状的侧面剖视图。

图11是示意性地表示在上述被加工体的表面成膜的非磁性材料刚刚成膜之后的形状的侧面剖视图。

图12是示意性地表示上述非磁性材料被加热而成为流动状态，从而使凹凸变得均匀的形状的侧面剖视图。

图13是示意性地表示记录要素及非磁性材料的表面被平坦化了的上述被加工体的形状的侧面剖视图。

图14是表示本发明第2实施例中的磁记录介质的制造工序的概要的流程图。

图15是表示在上述第2实施例中的被加工体的表面成膜了的非磁性材料的上面，流动材料进一步成膜的状态的侧面剖视图。

图16是示意性表示记录要素及非磁性材料的表面被平坦化了的上述被加工体的形状的侧面剖视图。

图17是示意性地表示以往的非磁性材料的成膜形状及平坦化后的记录要素及非磁性材料表面的截面形状的侧面剖视图。

具体实施方式

下面，参照附图详细说明本发明最佳实施例。

本发明的第1实施例是关于一种制造磁记录介质的制造方法，其通过对在基板上形成连续记录层等而成的如图1所示的被加工体的加工坯体进行加工，将连续记录层以规定的凹凸图案分割成多个记录要素的同时，在记录要素之间的凹部(凹凸图案的凹部)填充非磁性材料而制造出如图2所示的磁记录介质，而其特征在于非磁性材料填充工序中。关于其他的工序，因与以往的工序相同，故适当的省略其说明。

如图1所示，被加工体10的加工坯体是在玻璃基板12上，依次形成基底层14、软磁性层16、定向层18、连续记录层20、第1掩模层22、第2掩模层24、抗蚀层26而构成。

基底层14的厚度为30～200nm，材料为Ta(钽)、Cr(铬)或Cr合金。

软磁性层16的厚度为50～300nm，材料为Fe(铁)合金或Co(钴)合金。

定向层18的厚度为3～30nm，材料为Cr、非磁性的CoCr合金、Ti(钛)、MgO(氧化镁)等。

连续记录层20的厚度为5～30nm，材料为CoCr(钴-铬)合金。

第1掩模层22的厚度为3～50nm，材料为TiN(氮化钛)。

第2掩模层24的厚度为3～30nm，材料为Ni(镍)。

抗蚀层26的厚度为30～300nm，材料为负性抗蚀剂(NBE22A住友化学工业株式会社制造)。

如图2所示，磁记录介质30是垂直记录型的离散型磁盘，而记录层32是以微细的间隔将上述连续记录层20分割成多个记录要素32A而形成的凹凸图案。具体地，记录要素32A在数据区域中，在磁道的径向以微细的间隔形成同心圆状，而在伺服区域中，以指定的伺服情报等的图案形成。另外，记录要素32A之间的凹部34上填充非磁性材料36，记录要素32A及非磁性材料36上依次形成保护层38、润滑层40。另外，记录要素32A和非磁性材料36之间形成有隔膜42。

非磁性材料36的具体的材料为In(铟)，熔点为大约156.6℃。

保护层38的厚度为1～5nm，材料为被称为类金刚石碳的硬质碳膜。另外，本申请中所说的“类金刚石碳(以下称“DLC’)”这一术语，是使用将炭作为主成分的非结晶结构，且在维式硬度检测中显示200～8000kgf/mm²程度的硬度的材料。

润滑层40的厚度为1～2nm，材料为PFPE(全氟聚醚)。

隔膜42的厚度为1～20nm，材料为与保护层38一样的类金刚石碳。

下面，对于被加工体10的加工方法，按照图3的流程图进行说明。

首先，准备图1所示的被加工体10的加工坯体(S102)。被加工体10的加工坯体是通过在玻璃基板12上，通过溅射法依次形成基底层14、软磁性层16、定向层18、连续记录层20、第1掩模层22、第二掩模层24，进一步通过浸泡法涂布抗蚀层26而获得。另外，可以通过旋转涂覆法涂布抗蚀层26。

在该被加工体10的加工坯体的抗蚀层26利用转印装置(省略图示)，通过纳米压印法，在伺服区域转印具有接触孔的指定伺服图案，在数据区域以径向微细间隔转印如图4所示的凹凸图案(S104)。另外，也可以通过对抗蚀层26进行曝光、显影，来形成凹凸图案。

下面，通过灰化，如图5所示，除去凹凸图案的凹部底面的抗蚀层26(S106)。另外，此时，凹部以外区域的抗蚀层26也稍微被除去，但残留的只是与凹部底面的段差部分。

下面，通过使用了Ar(氩)气的离子束蚀刻，如图6所示，除去凹部底面的第2掩模层24(S108)。另外，此时，凹部以外区域的抗蚀层26也稍微被除去。

下面，通过使用了SF₆(六氟化硫)气体的反应性离子蚀刻，如图7所示，除去凹部底面的第1掩模层22(S110)。由此，露出凹部底面的连续记录层20。另外，此时，凹部以外区域的抗蚀层26完全地被除去。还有，凹部以外区域的第2掩模层24也被除去一部分，但还残留有少量。

下面，通过将CO气体及NH₃气体作为反应气体的反应性离子蚀刻，如图8所示，除去凹部底面的连续记录层20(S112)。由此，连续记录层20被分割成多个记录要素32A。

还有，通过该反应性离子蚀刻，完全除去凹部以外区域的第2掩模层24。另外，凹部以外区域的第1掩模层22也被除去一部分，但还有少量残留在记录要素32A上面。

下面，通过将SF₆气体作为反应气体的反应性离子蚀刻，如图9所示，完全除去残留在记录要素32A上面的第1掩模层22(S114)。

下面，洗涤被加工体10的表面(S116)。具体地，供给NH₃气体等还原性气体而除去被加工体10表面的SF₆气体等。

下面，通过CVD法，如图10所示，在记录要素32A上成膜DLC的隔膜42(S118)。

下面，通过溅射法，如图11所示，将In(非磁性材料36)粒子，在低于其熔点温度的固化状态下，在被加工体10的表面进行成膜，并对记录要素32A之间的凹部34进行填充(S120)。该成膜过程中，要求非磁性材料36以完全覆盖隔膜42的方式成膜。非磁性材料36的表面顺着记录层32的凹凸图案形成凹凸形状。另外，以隔膜42对记录要素32A进行被覆及保护，故不会因非磁性材料36的溅射而被老化。

下面，以高于In的熔点156.6℃的温度且300℃以下的温度加热被加工体10，而使非磁性材料36流动(S122)。由此，非磁性材料36因重力而流动，从而，如图12所示，其表面的凹凸变得均匀。因加热温度为300℃以下，故能够防止因被加工体10加热而老化记录层32。为了进一步可靠地防止记录层32的损伤，优选将加热温度设置为200℃以下。另外，此时，大致水平地保持成膜了流动状态的非磁性材料36的被加工体10，并使其在相对其表面大致垂直的轴周围旋转。由此，能够促进非磁性材料36的流动，并能缩短使表面的凹凸变得均匀的时间。

使非磁性材料36的表面变得充分均匀后，在非磁性材料36的表面，添加Si(硅)粒子。由此，使非磁性材料36的熔点上升。进一步，将被加工体10冷却低于In的熔点156.6℃的温度，来使非磁性材料36固化(S124)。因为非磁性材料36的表面上添加有Si(硅)粒子，所以促进固化，从而使表面保持平坦的形状的同时进行固化。

下面，通过使用了Ar(氩)气的离子束蚀刻，除去从基板12比记录要素32A上面更远侧(图12中的上侧)的剩余非磁性材料36，而如图13所示，对被加工体10的表面进行平坦化。另外，可以完全除去记录要素32A上面的隔膜42，也可以残留一部分。

非磁性材料36表面的凹凸均匀地被成膜，因此，通过离子束蚀刻全体均匀地被除去而表面的凹凸进一步变得均匀，从而实现平坦化。非磁性材料流动化工序(S122)中，如果非磁性材料36的表面均匀至充分的平坦，则将Ar离子的入射角设置为30～90°范围为好。由此，能够加快加工速度，并能够提高生产效率。另一方面，要进一步进行平坦化时，将相对于表面的Ar离子的入射角设置为-10～15°范围为好。另外，本申请中的“离子束蚀刻”的术语是例如离子蚀刻等的将离子化了的气体照射在被加工体而进行除去的加工方法的总称，并不限定于集中离子束来进行照射的加工方法。另外，所谓“入射角”是相对被加工体表面的入射角，是指被加工体表面与离子束中心轴形成的角度。例如，离子束的中心轴与被加工体表面平行时，入射角为0°，而离子束的中心轴与被加工体表面垂直时，入射角为+90°

下面，通过CVD(Chemical Vapor Deposition)法，在记录要素32A及非磁性材料36上面形成保护层38(S128)。

进一步，通过浸泡法，在保护层38上涂布润滑层40(S130)。由此，完成如图上述图2所示的磁记录介质30。

如上述说明，使表面的凹凸均匀来成膜非磁性材料36，在平坦化工序(S126)中，通过对记录要素32A及非磁性材料36的表面进行进一步平坦化，使润滑层40的表面也变得平坦。

另外，本实施例中，通过溅射法成膜非磁性材料36，但本发明并不限定在该方法，例如可以通过离子束沉积等其他成膜方法，成膜非磁性材料36。

而且，本实施例中，固化非磁性材料36时，在流动状态的非磁性材料36表面添加Si(硅)粒子，来促进固化。但本发明并不限定于此，可以添加B(硼)、N(氮)、Ge(锗)等，而使非磁性材料36的熔点上升，来促进固化。另外，若在流动状态的非磁性材料36的表面，添加Si、B、N的混合材料、至少含有该材料中的一种材料的材料，则能获得同样的效果。

另外，本实施例中，非磁性材料36为In，但本发明并不限定于此，只要是其熔点为50℃以上且300℃以下，并适合溅射、离子束沉积等成膜方法的材料，泽可以选用Bi(铋)等其他非磁性材料。另外，Bi的熔点大约为271℃。

另外，也可以将其软化温度为50℃以上且300℃以下的热塑性树脂，作为非磁性材料36使用，使低于软化温度的固化状态的热塑性树脂，在被加工体10表面成膜，再加热至高于软化温度且300℃以下，而使其流动，进一步，将热塑性树脂冷却至低于软化温度的温度而使热塑性树脂固化。

另外，也可以将其固化温度为50℃以上且300℃以下的热固化树脂，作为非磁性材料36使用，使低于固化温度的流动状态的热固化树脂，在被加工体10表面成膜，再加热热固化树脂至高于固化温度且300℃以下来使其固化。

另外，也可以将紫外线固化树脂、电子束固化树脂等放射线固化树脂，作为非磁性材料36使用，使流动状态的放射线固化树脂，在被加工体10表面成膜，再照射紫外线、电子束等放射线而使放射线固化树脂固化。

另外，本实施例中，通过大致水平地保持以流动状态成膜了非磁性材料36的被加工体10的同时，使其在相对其表面大致垂直的轴周围旋转，而促进非磁性材料36的流动并缩短使表面的凹凸变得均匀的时间，但本发明并不限定于此，只靠重力也能够使非磁性材料36表面的凹凸变得均匀时，可以在被加工体10静止的状态下，成膜非磁性材料36。

下面，对本发明的第2实施例进行说明。

本第2实施例相对于上述第1实施例，使用将SiO₂(二氧化硅)作为材料的非磁性材料37来取代将In作为材料的非磁性材料36，而变更对其表面进行平坦化的方法。关于其他点，因与第1实施例相同，故使用与图1～图13同样的符号，省略其说明。

如图14的流程图所示，首先，通过溅射法等，在记录层32以凹凸图案形成在基板12上的被加工体10的表面，成膜SiO₂(二氧化硅)作为非磁性材料37，并对记录要素32A之间的凹部34进行填充(S202)。如上述图图11所示的形状，非磁性材料37的表面顺着记录要素32A的凹凸图案形成凹凸形状并以固化状态成膜。

下面，在非磁性材料37的表面，进一步成膜流动性材料44(S204)。流动性材料44具体是抗蚀材料。流动性材料44通过其流动性，如图15所示，因重力使其凹凸变得均匀，表面接近平坦的形状地被成膜。另外，此时，通过使成膜了流动性材料44的被加工体10，在相对其表面大致垂直的轴周围旋转，能够促进流动性材料44的流动并缩短使表面凹凸变得均匀的时间。

下面，通过使用了Ar气的离子束蚀刻，除去流动性材料44及剩余的非磁性材料37，而使被加工体10表面平坦化(S206)。另外，关于Ar离子的入射角等与上述第1实施例中的平坦化工序(S126)相同。

流动性材料44表面的凹凸形状以微小的形状被成膜，因此如图16所示，通过离子束蚀刻全体均匀地除去非磁性材料37，而表面的凹凸可靠地变得均匀，从而实现平坦化使其形状与如图13所示的形状同样。

另外，相对非磁性材料37是固化状态的材料，流动性材料44是流动状态的材料，但因离子束蚀刻因加工对象的不同的蚀刻率之差较小，因此，能够使流动性材料44表面的微小凹凸进一步变得均匀的同时，能够使记录要素32A及非磁性材料37的表面平坦化。

以后，与上述第1实施例同样，形成保护层38、润滑层40，来完成磁记录介质30。

另外，本第2实施例中，非磁性材料37为SiO₂，但本发明并不限于此，如果是适合溅射、离子束沉积等成膜方法的材料，可以选用其他非磁性材料。

还有，本第2实施例中，流动材料44为抗蚀材料，但本发明并不限于此，如果是根据重力等，可以使其表面变得均匀的材料，则可以选用其他的流动性材料。

还有，非磁性材料37及流动性材料44最好采用对离子束蚀刻的蚀刻率之差小的材料。

另外，本第2实施例中，无需使流动性材料44固化，就除去流动性材料44及剩余的非磁性材料37，使被加工体10的表面平坦化，但本发明并不限于此，也可以因重力等使流动性材料44的表面均匀地平坦后，对流动性材料44进行固化而使被加工体10的表面平坦化。

另外，本第2实施例中，通过使成膜了流动性材料44的被加工体10，在相对其表面大致垂直的轴周围旋转，能够促进流动性材料44的流动并缩短使表面的凹凸变得均匀的时间，但本发明并不限于此，也可以在被加工体10静止的状态下，成膜流动性材料44。

另外，上述第1及第2实施例中，通过使用了氩气的离子束蚀刻，除去非磁性材料36、37至记录要素32A上面，使被加工体10的表面平坦化，但本发明并不限于此，例如，可以通过使用了Kr(氪)、Xe(氙)等其他的稀有气体的离子束蚀刻，除去非磁性材料36、37至记录要素32A上面，使被加工体10的表面平坦化。而且，可以通过使用SF₆、CF₄(四氟化碳)、C₂C₆(六氟化乙烷)等卤素系气体的反应性离子束蚀刻进行平坦化。还有，通过CMP(Chemical Mechanical Polishing)法进行平坦化时，通过在平坦化之前，使非磁性材料36、37、流动性材料44的表面凹凸变得均匀，能够取得比以往减少了表面的凹凸的效果。

另外，上述第1及第2实施例中，通过使用具有流动性的材料，而减少非磁性材料36、37表面的凹凸，但本发明并不限于此，可以通过使用具有流动性的材料，减少例如保护层38等其他层的表面的凹凸。此时，如上述第1实施例，保护层38等其他层的材料，也可以采用能选择流动状态及固化状态的材料，也可以如上述第2实施例，使流动性材料在保护层38等其他层上成膜后，除去保护层38等其他层的一部分及流动性材料，而使该其他层的表面平坦化。

还有，上述第1及第2实施例中，在连续记录层20上，形成第1掩模层22、第2掩模层24、抗蚀层26，并通过3阶段的干蚀刻分割连续记录层20，如果连续记录层20以高精度被分割，那么对抗蚀层、掩模层的材料、积层数、厚度、干蚀刻的种类不作特别的限制。

另外，上述第1及第2实施例中，记录层32(连续记录层20)的材料为CoCr合金，但本发明并不限于此，本发明也可以适用于例如含有铁族元素(Co、Fe(铁)、Ni)的其他合金，以这些层叠体等的其他材料的记录要素构成的磁记录介质的加工。

还有，上述第1及第2实施例中，连续记录层20的下面形成有基底层14、软磁性层16、定向层18，但本发明并不限于此，连续记录层20下面的层的构成，根据磁记录介质的种类，适当地进行变更即可。例如，基底层14、软磁性层16、定向层18之中可以省略一个或二个层。而且，各个层也可以以多个层构成。另外，在基板上也可以直接形成连续记录层。

另外，上述第1及第2实施例中，磁记录介质30是在数据领域中记录要素32A在磁道径向以微细的间隔被并列设置的垂直记录型离散型的磁盘，但本发明并不限于此，本发明能适用于记录要素在磁道的圆周方向(扇形的方向)以细微的间隔被并列设置的磁盘、在磁道径向及磁道圆周方向的两个方向以细微的间隔被并列设置的磁盘、具有以凹凸图案形成的连续记录层的掌上型磁盘、磁道呈螺旋形状的磁盘的制造。而且，本发明也能适用于MO等光磁盘、并用磁和热的热补助型磁盘，进一步，对磁带等盘形状以外的其他离散型磁记录介质的制造。

例1

如上述第1实施例，将In作为非磁性材料36，制造了10个磁记录介质30。具体地，通过溅射法，在以凹凸图案在基板12上形成了记录层32的被加工体10的表面，成膜In后，使被加工体10旋转大约5分钟的同时，在200℃的温度环境中保持并加热使In的表面变得均匀。下面，在In的表面添加少量Si粒子的同时，在常温环境中保持并冷却该被加工体10，从而In被固化。进一步，从相对被加工体10的表面略垂直的方向照射Ar气，除去In至记录要素32A的表面被露出，从而使被加工体10的表面平坦化。进一步，形成保护层38、润滑层40，而制造出10个磁记录介质30。对这些磁记录介质30的表面进行最大段差的测试，结果其最大段差为1nm以下。

例2

相对于例1，以紫外线固化树脂取代In作为非磁性材料36，制造了10个磁记录介质30。具体地，通过旋转涂覆法，在以凹凸图案在基板12上形成了记录层32的被加工体10的表面，成膜紫外线固化树脂后，照射紫外线约5分钟而使紫外线固化树脂固化。进一步，从相对被加工体10的表面略垂直方向照射Ar气，除去紫外线固化树脂至记录要素32A的表面被露出，从而使被加工体10的表面平坦化。其他的条件，与上述例1同样。对通过上述方法而得到的磁记录介质30的表面进行最大段差的测试，结果其最大段差为1nm以下。

例3

如上述第2实施例，将SiO₂作为非磁性材料37，制造了10个磁记录介质30。具体地，通过溅射法，在以凹凸图案在基板12上形成了记录层32的被加工体10的表面，成膜SiO₂后，使被加工体10旋转的同时，通过旋转涂覆法，在SiO₂表面使抗蚀材料成膜。其次，从相对被加工体10的表面略垂直方向照射Ar气，除去抗蚀材料及SiO₂至记录要素32A的表面被露出，从而使被加工体10的表面平坦化。另外，使抗蚀材料保持流动状态，且不发生固化的条件下，照射Ar气。进一步，形成保护层38、润滑层40，而制造出10个磁记录介质30。对这些磁记录介质30的表面进行最大段差的测试，结果其最大段差为1nm以下。

比较例

如上述第3实施例，将SiO₂作为非磁性材料37，通过溅射法，在以凹凸图案在基板12上形成了记录层32的被加工体10的表面，成膜SiO₂，此外，制造10个在SiO₂的表面没有成膜抗蚀材料的磁记录介质30。为提高使被成膜的SiO₂表面凹凸的平坦化的效果，从相对被加工体10的表面倾斜的方向照射Ar气，来除去SiO₂到记录要素32A的表面露出，从而使被加工体10的表面平坦化。进一步，形成保护层38、润滑层40，而制造出10个磁记录介质30。对通过上述方法而得到的磁记录介质30的表面进行最大段差的测试，结果10个磁记录介质30表面的最大段差平均值为18nm。

由此，可以确认相对比较例，根据例1～3更能显著地减少磁记录介质表面的段差。

另外，在为硬盘的情况，模拟结果报告出，磁头的悬浮量一般为12nm，为使磁头维持良好的悬浮，最好表面段差为5nm以下。从而，根据上述例1～3，能够确保磁头的良好的悬浮。

产业上的利用可能性

本发明能够利用于例如离散型的硬盘等、以凹凸图案形成有记录层的磁记录介质的制造。

Claims (17)

1.一种磁记录介质的制造方法，该磁记录介质在基板上以规定的凹凸图案形成记录层，且该凹凸图案的凹部被非磁性材料填充，其特征在于；

包含在表面成为凹凸图案的被加工体的上述表面上，形成具有流动性的材料的层的工序。

2.如权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括：

流动状非磁性材料成膜工序，其在以上述凹凸图案在上述基板上形成上述记录层而成的被加工体的表面，将能够选择流动状态及固化状态的材料作为上述非磁性材料以流动状态成膜，且上述凹凸图案的凹部被上述非磁性材料填充；

非磁性材料固化工序，其使上述非磁性材料固化。

3.如权利要求2所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：

上述流动状非磁性材料成膜工序采用熔点为50℃以上且300℃以下的材料作为上述非磁性材料，且该流动状非磁性材料成膜工序包括固化状非磁性材料成膜工序以及非磁性材料流动化工序，上述固化状非磁性材料成膜工序在比上述熔点更低温的固化状态下使该非磁性材料在上述被加工体的表面成膜，而上述非磁性材料流动化工序将上述非磁性材料加热到比上述熔点更高且300℃以下的温度来使其流动；

上述非磁性材料固化工序在低于上述熔点的温度条件下使上述非磁性材料冷却固化。

4.如权利要求3所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：作为上述非磁性材料采用包含铟以及铋中的至少一种的材料。

5.如权利要求3所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：上述非磁性材料固化工序，在上述被成膜的流动状态的非磁性材料的表面添加包含硅、锗、氮以及硼中的至少一种的材料，来提高上述非磁性材料的熔点。

6.如权利要求4所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：上述非磁性材料固化工序，在上述被成膜的流动状态的非磁性材料的表面添加包含硅、锗、氮以及硼中的至少一种的材料，来提高上述非磁性材料的熔点。

7.如权利要求2所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：

上述流动状非磁性材料成膜工序，采用软化温度为50℃以上且300℃以下的热塑性树脂作为上述非磁性材料，且该流动状非磁性材料成膜工序包括固化状非磁性材料成膜工序以及非磁性材料流动化工序，上述固化状非磁性材料成膜工序在比上述软化温度更低温的固化状态下使该非磁性材料在上述被加工体的表面成膜，而上述非磁性材料流动化工序将上述非磁性材料加热到比上述软化温度更高且300℃以下的温度来使其流动；

上述非磁性材料固化工序在低于上述软化温度的温度条件下使上述非磁性材料冷却固化。

8.如权利要求2所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：

上述流动状非磁性材料成膜工序，采用固化温度为50℃以上且300℃以下的热固化树脂作为上述非磁性材料，且在比上述固化温度更低温的流动状态下使该非磁性材料在上述被加工体的表面成膜，而上述非磁性材料固化工序，将非磁性材料加热到比上述固化温度更高且300℃以下的温度来使其固化。

9.如权利要求2所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：上述流动状非磁性材料成膜工序，采用放射线固化树脂作为上述非磁性材料，并使该非磁性材料在流动状态下在上述被加工体的表面成膜，而上述非磁性材料固化工序通过照射放射线来使上述非磁性材料固化。

10.如权利要求2～9中任意一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：上述流动状非磁性材料成膜工序，大致水平地保持成膜了上述流动状态的非磁性材料的上述被加工体，同时使该被加工体围绕着相对其表面大致垂直的轴旋转。

11.如权利要求2～9中任意一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：在上述非磁性材料固化工序之后，设有除去残余的上述非磁性材料并平坦化上述被加工体的表面的平坦化工序。

12.如权利要求10所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：在上述非磁性材料固化工序之后，设有除去残余的上述非磁性材料并平坦化上述被加工体的表面的平坦化工序。

13.如权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括：

非磁性材料成膜工序，其在以上述凹凸图案在上述基板上形成上述记录层而成的被加工体的表面，成膜上述非磁性材料，在上述凹凸图案的凹部填充上述非磁性材料；

流动性材料成膜工序，其在上述非磁性材料的表面使流动性材料成膜；

平坦化工序，其除去上述流动性材料以及残余的上述非磁性材料并平坦化上述被加工体的表面。

14.如权利要求11所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：上述平坦化工序采用干蚀刻法。

15.如权利要求12所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：上述平坦化工序采用干蚀刻法。

16.如权利要求13所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：上述平坦化工序采用干蚀刻法。

17.一种磁记录介质，记录层以规定的凹凸图案形成在基板上，且该凹凸图案的凹部被非磁性材料填充，其特征在于：上述非磁性材料为包含铟以及铋中的至少一种的材料。

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