CN1885411A

CN1885411A - 磁记录介质、磁记录再现装置及磁记录介质的制造方法

Info

Publication number: CN1885411A
Application number: CNA2006100932266A
Authority: CN
Inventors: 诹访孝裕; 服部一博; 大川秀一
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2005-06-24
Filing date: 2006-06-23
Publication date: 2006-12-27
Anticipated expiration: 2026-06-23
Also published as: JP2007004921A; US20060292400A1; CN100447866C

Abstract

本发明提供一种磁记录介质以及具有这种磁记录介质的磁记录再现装置，所述磁记录介质的记录层以规定的图案形成，记录要素作为凹凸图案的凸部而形成，该磁记录介质的面记录密度高且难以产生磁头的碰撞，可靠性高。磁记录介质(12)包括记录要素(25)，其作为在基板之上以规定的凹凸图案形成的记录层(24)的凸部而形成；填充材料(28)，其填充到记录要素(25)之间的凹部(26)，表面(32)中的填充材料(28)之上的表面粗糙度大于记录要素(25)之上的部分的表面粗糙度。

Description

磁记录介质、磁记录再现装置及磁记录介质的制造方法

技术领域

本发明涉及一种记录层以规定的凹凸图案形成、且记录要素作为凹凸图案的凸部而形成的磁记录介质、具有该磁记录介质的磁记录再现装置以及磁记录介质的制造方法。

背景技术

以往，在硬盘等的磁记录介质中，通过对构成记录层的磁性粒子的微细化、材料的变更、磁头加工的微细化等改良，试图显著提高面记录密度，且期待今后进一步提高面记录密度。但由于磁头的加工极限、磁头的记录磁场扩散的原因，向与记录对象的轨道相邻的其他轨道错误地进行信息的记录或再现时发生串扰等问题变得明显，从而根据以往的改良方法提高面记录密度已经到了极限。

对此，作为可以实现面记录密度的更进一步提高的磁记录介质的候补，被提出了一种以凹凸图案形成记录层、并以凹凸图案的凸部形成了记录要素的离散轨道介质或晶格介质(例如参照JP特开平9-97419号公报)。另外，面记录密度越高，磁头和磁记录介质的磁性空间就越小，在像离散轨道介质或晶格介质那样的估计200Gbpsi以上的面记录密度的磁记录介质的情况下，表示有将与磁头的磁性空间设在15nm以下的方针。

另一方面，在硬盘等的磁记录介质中，为了抑制和磁头的碰撞，表面的平坦性引起重视，但在面记录密度高、磁性空间小的离散轨道介质或晶格介质的情况下，表面的平坦性特别重要。因此，优选在凹凸图案的记录层上成膜填充材料，用非磁性的填充材料填充记录要素之间的凹部，除去多余的填充材料，使记录要素以及填充材料的上表面平坦化。作为用填充材料填充凹部的方法，可以利用溅射法、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法、IBD(Ion Beam Deposition：离子束沉积)法等成膜方法。另外，作为平坦化的方法，可以使用CMP(Chemical Mechanical Polishing：化学机械抛光)法或干式蚀刻等加工方法(例如参照JP特开平12-195042号公报、JP特表平14-515647号公报)。

另一方面，当表面过于平坦时，磁头容易吸着在磁记录介质的表面，反而容易发生和磁头的碰撞。对此，以往通过对基板的表面实施纹理处理，在其上依次成膜记录层等，从而在表面上形成模仿基板的纹理处理的图案的微细的凹凸，防止了由吸附引起的磁头的碰撞。另外，在离散轨道介质或晶格介质的情况下，公知有这样的结构，在表面中的记录要素之上的部分和填充材料之上的部分设置段差(例如，参照JP特开平1-279421号公报)，通过该段差给予纹理效果的方法也可以考虑。

但是，当通过对基板实施纹理处理的方法在表面形成凹凸时，表面成为100nm～200μm左右的周期起伏状的歪曲形状。磁头跟踪100nm～200μm左右的周期起伏状的歪曲形状进行飞行困难，这种起伏状的歪曲状一直成为磁性空间的变动。在磁性空间为25nm以上的一代，这种磁性空间的变动不会成为实用上的问题，但是当磁性空间为15nm以下时，存在影响这种磁性空间的变动实用上不允许的问题。

进而，即使对基板的表面实施纹理处理，填充材料在凹凸图案的记录层上成膜，用填充材料填充记录要素之间的凹部，除去多余的填充材料，使记录要素以及填充材料的上表面平坦化时，因为模仿了基板的纹理图案的微细的凹凸被除去，所以存在使用该方法在表面形成所希望的微细的凹凸这件事本身困难的问题。

另外，在表面的记录要素之上的部分和填充材料之上的部分设置段差的方法的情况，磁头和磁记录介质的表面之间的空气膜刚性过小，磁头的悬浮不稳定，所以通过干扰磁头的悬浮高度容易较大地变动，不能得到充分的可靠性。

发明内容

多余本发明是鉴于上述问题而提出的，目的在于提供一种以规定的凹凸图案形成记录层、记录要素作为凹凸图案的凸部形成、面记录密度高且磁头的碰撞难以产生、可靠性高的磁记录介质以及具有这种磁记录介质的磁记录再现装置。

本发明是通过表面中的填充材料之上的部分的表面粗糙度大于记录要素之上的部分的表面粗糙度的磁记录介质来达成上述目的的。

通过使表面中的填充材料之上的部分的表面粗糙度变大，可以抑制由吸附导致的磁头的碰撞的发生。

由于通过使表面中的填充材料之上的部分的表面粗糙度变大，而给予纹理效果，所以比起利用表面中的磁记录要素之上的部分和填充材料之上的部分的段差给予纹理效果的结构，磁记录介质和磁头之间的空气膜刚性高，能够抑制磁头的悬浮高度的变动。另外，使表面中的记录要素之上的部分的表面粗糙度变小也可以抑制磁头的悬浮高度的变动，得到良好的磁特性。

由于通过使记录要素之上的表面粗糙度变小，可以抑制记录要素和磁头之间的磁性空间的变动，所以在这一点上也可以得到良好的磁特性。

即，通过下面的本发明可以达成上述目的。

(1)一种磁记录介质，其特征在于，包括记录要素，其作为在基板上以规定的凹凸图案形成的记录层的凸部而形成；填充材料，其填充在该记录要素之间的凹部，表面中的上述填充材料之上的部分的表面粗糙度大于上述记录要素之上的部分的表面粗糙度。

(2)如(1)所述的磁记录介质，其特征在于，上述表面中的上述填充材料之上的部分的算术平均粗糙度大于上述记录要素之上的部分的算术平均粗糙度。

(3)如(1)或(2)所述的磁记录介质，其特征在于，上述记录要素的上表面的表面粗糙度小于上述表面中的上述填充材料之上的部分的表面粗糙度。

(4)如(1)至(3)中任意一项所述的磁记录介质，其特征在于，在上述填充材料之上设置了部分覆盖该填充材料的上表面的覆盖材料。

(5)如(1)至(3)中任意一项所述的磁记录介质，其特征在于，在上述填充材料之上设置有覆盖该填充材料的上表面的覆盖材料，在该覆盖材料以及上述记录要素之上形成保护层。

(6)如(4)或(5)所述的磁记录介质，其特征在于，上述填充材料是具有非晶结构的材料以及微结晶状态的材料中的任意一种。

(7)一种磁记录再现装置，其特征在于，具有：(1)至(6)中任意一项所述的磁记录介质；磁头，其为了对该磁记录介质进行数据的记录/再现，而以能接近悬浮在该磁记录介质的表面的方式来设置。

(8)一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括：

填充材料成膜工序，在基板之上以规定的图案形成、且形成了记录要素作为该凹凸图案的凸部的记录层之上形成填充材料，并用上述填充材料填充上述记录要素之间的凹部；覆盖材料成膜工序，在上述填充材料之上成膜和该填充材料的材料不同的覆盖材料；平坦化工序，通过蚀刻法除去上述填充材料以及上述覆盖材料中的上述记录要素的上表面的上方的多余部分，并且以表面中的上述凹部之上的部分的表面粗糙度大于上述记录要素之上的部分的表面粗糙度的方式对上述表面进行平坦化处理。

(9)如(8)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在上述平坦化工序中，使用上述填充材料的蚀刻率高于上述覆盖材料的蚀刻率的蚀刻法。

(10)如(8)或(9)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在上述平坦化工序中，使用上述记录层的蚀刻率低于上述填充材料的蚀刻率的蚀刻法。

(11)如(8)或(9)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在上述填充材料成膜工序之前，设置有在上述记录层之上形成停止膜的停止膜成膜工序，在上述平坦化工序中，使用上述停止膜的蚀刻率低于上述填充材料的蚀刻率的蚀刻法。

(12)如(8)至(11)中任意一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在上述平坦化工序中，以在填充上述凹部的上述填充材料的上面部分残存上述覆盖材料的方式除去上述填充材料以及上述覆盖材料的多余的部分。

此外，在本申请中，所谓“在基板上以规定的凹凸图案形成的记录层”包括如下情况：除了将连续记录层以规定的图案分割成多个记录要素的记录层之外，也包括，连续记录层以规定的图案部分地分割，并由一部分连续的记录要素构成的记录层；或者，例如，犹如螺旋状的漩涡形状的记录层，在一部分基板上连续形成的记录层；形成了凸部以及凹部双方的连续的记录层；在凸部的上部以及凹部的底部被分割形成的记录层。

另外，在本申请中“表面中的记录要素之上的部分”是指，如图22所示，在记录要素102中和基板104相反侧的上表面被其他层完全覆盖时，记录要素102之上的最表面的层106的上表面；在记录要素的一部分上表面露出，其他部分用其他层覆盖时，露出的记录要素的上表面以及最表面的层的上表面；在记录要素的上表面完全露出时，记录要素的上表面。对“表面中的填充材料之上的部分”也是同样。另外，在图22中，附图标记108表示填充材料。另外，如图22所示，在记录要素102之上形成有停止膜110，进而，停止膜110也形成在记录要素102的侧面时，记录要素102的侧面和填充材料108的侧面之间的停止膜110之上的部分在本申请中包含在“表面中的记录要素之上的部分”。

另外，在本申请中，所谓“磁记录介质”的术语不仅限于在信息的记录、读取中只使用磁的硬盘、软(注册商标)盘、磁带等，也包含兼用磁和光的MO(Magneto Optical：磁光盘)等光磁记录介质、兼用磁和热的热备用型的记录介质。

另外，在本申请中，所谓“算术平均粗糙度”的术语指在JIS-B0601-2001中定义的算术平均粗糙度。

另外，在本申请中，所谓“蚀刻率”的术语指每单位时间的厚度方向的加工量。

根据本发明，可以实现磁记录介质以及具有这种磁记录介质的磁记录再现装置，上述磁记录介质的记录层以规定的凹凸图案形成，记录要素作为凹凸图案的凸部而形成，其面记录密度高且难以产生磁头的碰撞，可靠性高。

附图说明

图1是示意性地表示本发明第一实施方式涉及的磁记录再现装置的要部概略结构的立体图。

图2是示意性地表示该磁记录再现装置的磁记录介质的结构的侧剖面图。

图3是示意性地放大表示该磁记录介质的表面附近的结构的侧剖面图。

图4是示意性地进一步放大表示该磁记录介质的表面附近的结构的侧剖面图。

图5是表示该磁记录介质的制造工序的概要的流程图。

图6是表示在该磁记录介质的制造工序中在凹凸图案的记录层之上形成了填充材料的被加工体的侧剖面图。

图7是表示在该填充材料之上成膜了覆盖材料的该被加工体的侧剖面图。

图8是表示在平坦化工序中除去了该覆盖体中的记录要素之上的部分的该被加工体的侧剖面图。

图9是表示在该平坦化工序中除去了上述填充材料中的记录要素之上的部分的该被加工体的侧剖面图。

图10是示意性地放大表示本发明第二实施方式涉及的磁记录介质的表面附近的结构的侧剖面图。

图11是示意性地放大表示本发明第三实施方式涉及的磁记录介质的表面附近的结构的侧剖面图。

图12是示意性地放大表示本发明第四实施方式涉及的磁记录介质的表面附近的结构的侧剖面图。

图13是示意性地放大表示本发明第五实施方式涉及的磁记录介质的表面附近的结构的侧剖面图。

图14是示意性地放大表示本发明第六实施方式涉及的磁记录介质的表面附近的结构的侧剖面图。

图15是示意性地放大表示本发明第七实施方式涉及的磁记录介质的表面附近的结构的侧剖面图。

图16是示意性地放大表示本发明第八实施方式涉及的磁记录介质的表面附近的结构的侧剖面图。

图17是示意性地放大表示本发明第九实施方式涉及的磁记录介质的表面附近的形状的侧剖面图。

图18是表示本发明的实施例1涉及的磁记录介质的表面的凹凸的AFM像。

图19是表示该实施例1涉及的磁记录介质中的磁头的悬浮高度的变动的图表。

图20是表示本发明实施例3涉及的磁记录介质中的磁头的悬浮高度的变动的图表。

图21是表示比较例涉及的磁记录介质中的磁头的悬浮高度的变动的图表。

图22是示意性地表示本申请中的磁记录要素之上的表面以及填充材料之上的表面的侧剖面图。

具体实施方式

下面，针对本发明优选的实施方式参照附图进行详细地说明。

如图1所示，本发明第一实施方式涉及的磁记录再现装置10具有磁记录介质12和磁头14，该磁头14为了对磁记录介质12进行数据的记录/再现而以可接近悬浮在磁记录介质12表面的方式设置；在磁记录介质12的结构上具有特征。对于其他结构，不认为对理解本第一实施方式有特别的必要，所以适当省略说明。

另外，磁记录介质12固定在卡盘16上，和该卡盘一起可自由旋转。另外，磁头14安装在臂18的前端附近，臂18可自由旋转地安装在基座20上。由此，磁头14在沿着磁记录介质12的径方向的圆弧轨道，在磁记录介质12的表面上悬浮且可动。

磁记录介质12是圆板形状的垂直记录型的离散轨道介质，其特征在于，如图2所示，包含作为在基板22上以规定的凹凸图案形成的记录层24的凸部而形成的记录要素25、填充在记录要素25之间的凹部26的非磁性的填充材料28，如在图3以及图4放大所示，表面32中的填充材料28之上部分的表面粗糙度大于记录要素25之上的部分的表面粗糙度(表面更粗糙)。另外，在图2～图4中，为了便于理解，记录层24相比于其他层，比实际画得更厚。对上述图22、后面所述的图6～图17也是同样。

基板22的记录层24侧的面被进行了镜面研磨。作为基板22的材料，可以使用玻璃、由NiP覆盖了的Al合金、Si、Al₂O₃等的非磁性材料。

记录层24的厚度为5～30nm。作为记录层24的材料，可以使用CoCrPt合金等的CoCr类合金、FePt类合金、它们的层叠体、在SiO₂等的氧化物类材料中呈矩阵状包含有CoPt等的强磁性粒子的材料等。

记录要素25在数据区域内在径向上以微细间隔的同心圆状的轨道形状形成，图2～图4图示了这些。还有，记录要素25在伺服区域内以规定的伺服信息的图案形成(省略图示)。记录要素25的上表面25A的表面粗糙度小于表面32中的填充材料28之上的部分的表面粗糙度。

在记录要素25之上形成有停止膜34。停止膜34也形成在记录要素25的侧面以及凹部26的底面。作为停止膜34的材料，可以使用Ta、Mo、W、Zr、Nb、Ti、TaSi或它们的氧化物、氮化物等。

作为填充材料28的材料，可以使用SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、铁氧体等氧化物、AlN等氮化物、SiC等碳化物、像Cu或Cr那样的非磁性金属等。

在填充材料28之上设置有部分覆盖填充材料28的上表面28A的覆盖材料35。覆盖材料35以及填充材料28中未被覆盖材料35覆盖的部分的上表面的粗糙度大于记录要素25之上的停止膜34的上表面的表面粗糙度。作为覆盖材料35的具体的材料，可以列举出Mo、Cr、Zr等。

(记录要素25之上的)停止膜34、填充材料28以及覆盖层35之上依次形成保护层36、润滑层38。上述表面32是润滑层38的上表面。这些保护层36、润滑层38模仿停止膜34的上表面、填充材料28的上表面28A中未被覆盖材料35覆盖的部分以及覆盖材料35的上表面的形状而形成。由此，表面32中的填充材料28之上的部分的表面粗糙度大于记录要素25之上的部分的表面粗糙度。

保护层36的厚度为1～5nm。作为保护层36的材料，可以使用例如被称为类金刚石碳的硬质碳膜等。还有，在本申请中，所谓“类金刚石碳(以下称为“DLC”)”的术语，意旨将碳作为主要成分的非晶结构，以维式硬度测定的硬为2×10⁹～8×10¹⁰Pa左右的材料。还有，润滑层38的厚度为1～2nm。作为润滑层38的材料可以使用PFPE(全氟聚醚)等。

还有，在基板22以及记录层24之间，形成有基底层40、反铁磁性层42、软磁性层44、对记录层24赋予厚度方向(垂直于表面的方向)的磁各向异性用的取向层46。基底层40的厚度为2～40nm。作为基底层40的材料可以使用Ta等。反铁磁性层42的厚度为5～50nm。作为反铁磁性层42的材料可以使用PtMn合金、RuMn合金等。软磁性层44的厚度为50～300nm。作为软磁性层44的材料，可以使用Fe(铁)合金、Co(钴)非晶合金、铁氧体等。还有，软磁性层44也可以是具有软磁性的层和非磁性层的层叠结构。取向层46的厚度为2～40nm。作为取向层46的具体的材料，可以使用非磁性的CoCr合金、Ti、Ru、Ru和Ta的层叠体、MgO等。

下面，对磁记录再现装置10的作用进行说明。

磁记录再现装置10，由于磁记录介质12的表面32中的填充材料28之上的部分的表面粗糙度较大，所示难以发生由吸附导致的磁头14的碰撞。

另外，由于通过使表面32中的填充材料28之上的部分的表面粗糙度较大，而给予了纹理效果，所以比起通过表面中的记录要素之上的部分和填充材料之上的部分的段差来给予纹理效果的结构，磁记录介质12和磁头14之间的空气膜刚性高，能抑制磁头14的悬浮高度的变动。另外，由于表面32中的记录要素25之上的部分的表面粗糙度较小，所以在这一点上也能抑制磁头14的悬浮高度的变动，得到良好的磁特性。

另外，由于记录要素25的上表面25A的表面粗糙度较小，所以能抑制记录要素25和磁头14之间的磁性空间的变动，在这一点上也能得到良好的磁特性。

另外，磁记录介质12，由于记录要素25在数据区域内以轨道形状形成，所以即使面记录密度很高，也难以发生向与记录对象的轨道相邻的其他的轨道错误地进行记录或再现时的串扰等问题。

进而，磁记录介质12，由于记录要素25之间被分割，而在记录要素25之间的凹部26中不存在记录层24，所以从凹部26不发生噪音，在这一点上也可以得到良好的记录/再现特性。

接着，按照图5所示的流程图针对磁记录介质12的制造方法进行说明。

首先，准备被加工体的加工坯体，其是在基板22上，通过溅射法依次形成基底层40、反铁磁性层42、软磁性层44、取向层46、连续记录层(未加工的记录层24)、第一掩模层、第二掩模层24，再通过旋转涂敷法涂敷抗蚀层而形成。另外，作为第一掩模层的材料，可以使用例如TaSi。另外，作为第二掩膜层的材料，可以使用例如Ni。另外，作为抗蚀层的材料，可以使用例如NEB22A(住友化学工业株式会社制造)。

在该抗蚀层上利用转印装置(省略图示)，通过纳米压印法，转印相当于伺服区域的伺服图案以及数据区域的轨道图案的凹凸图案，通过使用了O₂气体的反应性离子蚀刻，除去凹部底部的抗蚀层(S102)。接着，通过使用了Ar气体的离子束蚀刻，除去凹部底部的第二掩模层(S104)，再通过以SF₆为反应气体的反应性离子蚀刻，除去凹部底部的第一掩模层(S106)，之后通过以CO气体及NH₃气体为反应气体的反应性离子蚀刻，除去凹部底部的连续记录层，将连续记录层分割成多个记录要素25，形成凹凸图案的记录层24(S108)。另外，通过以SF₆气体为反应气体的反应性离子蚀刻，完全除去在记录要素25上残存的第一掩模层。

接着，通过溅射法在记录要素25之上成膜停止膜34(S110)。停止膜34也形成在记录要素25的侧面以及凹部26的底面。

接着，如图6所示，在被加工体50的停止膜34之上通过偏压溅射法成膜填充材料28，用填充材料28填充记录要素25之间的凹部26(S112)。作为填充材料28的材料，在凹部26的侧面和底面难以形成间隙，向停止层34的粘合性好，在这一点，优选使用具有非晶结构的材料以及微结晶状态的材料中的任意一种。另外，在本申请中，“微结晶状态材料”指在X射线衍射中不具有结晶峰的材料。SiO₂是抑制颗粒生长的微结晶，另外，由于通过选择成膜条件也可以成为非晶结构，所以优选使用SiO₂作为填充材料28。填充材料28以用某种程度抑制了表面的凹凸的形状覆盖记录要素25的方式在被加工体50上成膜。在凹部26，填充材料28填充至记录要素25之上的停止膜34的上表面附近的位置，就停止填充材料28的成膜。另外，为了理解本第一实施方式，图6比实际加强描述了填充材料28上表面的凹凸形状。

接着，如图7所示，通过溅射法，在填充材料28上成膜覆盖材料35(S114)。

接着，使被加工体50旋转的同时，如图8所示，通过使用了Ar气体的离子束蚀刻，除去被加工体50表面的覆盖材料35以及填充材料28，进行平坦化处理(S116)。在离子束蚀刻中，如图8中的箭头所示，通过使加工用气体(Ar气体)的入射角相对被加工体50的表面从垂直方向倾斜，凸部中的蚀刻率比凹部中的蚀刻率高的倾向变得显著。特别是当使用Ar等稀有气体作为加工用气体使用时，由于非等向性蚀刻效果变高，所以凸部中的蚀刻率比凹部中的蚀刻率高的倾向变得显著。由于记录要素25之上的覆盖材料35形成凸部，所以可以比凹部26之上的覆盖材料35更迅速地被除去，记录要素25之上的填充材料28从覆盖材料35露出。当再进行蚀刻时，除去记录要素25之上的填充材料28。由于记录要素25之上的填充材料28也形成凸部，所以可以比填充凹部26的填充材料28或其上的覆盖材料35更迅速地被除去。填充材料28中填充凹部26的部分用覆盖材料35覆盖，所以为了有选择地迅速除去填充材料28中的记录要素25之上的部分，优选使用填充材料28的蚀刻率高于覆盖材料35的蚀刻率的蚀刻法。在使用了Ar气体的离子束蚀刻中，由于SiO₂的蚀刻率高于Mo的蚀刻率，所以如果使用SiO₂作为填充材料28，使用Mo作为覆盖材料35，则满足该条件。

如图9所示，在记录要素25之上，覆盖材料35以及填充材料28完全被除去，停止膜34露出，并且填充凹部26的填充材料28之上的覆盖材料35部分地被除去，填充凹部26的填充材料28以及残存的覆盖材料35上表面的高度和记录要素25之上的停止膜34的上表面的高度几乎相等，就停止平坦化处理。这样，通过使在填充凹部26的填充材料28之上部分残存覆盖材料35，可以使覆盖材料35以及填充材料28中用覆盖材料35未覆盖的部分的上表面的表面粗糙度大于记录要素25之上的停止膜34的上表面的表面粗糙度。另外，在该工序中，暂时从覆盖材料35部分地露出的填充材料28以覆盖材料35作为掩模被蚀刻，所以优选通过使用填充材料28的蚀刻率高于覆盖材料35的蚀刻率的蚀刻法，从而可以提高使覆盖材料35以及填充材料28中用覆盖材料35未覆盖的部分的上表面的粗糙度变大的效果。如上所述，使用了Ar气体的离子束蚀刻，由于SiO₂的蚀刻率高于Mo的蚀刻率，所以如果使用SiO₂作为填充材料28，使用Mo作为覆盖材料35，则满足该条件。另外，在停止膜34露出之前，即使在停止膜34之上的填充材料28的上表面有一定的凹凸，通过使用停止膜34的蚀刻率低于填充材料28的蚀刻率的蚀刻法，也可以基于填充材料28的上表面的凹凸，将在停止膜34的上表面形成的凹凸抑制得小到蚀刻率之差。在使用了Ar气体的离子束蚀刻中，由于Ta的蚀刻率低于O₂的蚀刻率，所以如果使用Ta作为停止膜34的材料，使用SiO₂作为填充材料28，则满足该条件。

接着，通过CVD法，在(记录要素25之上的)停止膜34以及填充材料28的上表面形成约2nm厚度的DLC的保护层36(S118)，进而，通过浸渍法在保护层36之上涂布1～2nm厚度的PFPE的润滑层38(S120)。保护层36、润滑层38模仿(记录要素25之上的)停止膜34、覆盖材料35以及填充材料28中的未被覆盖材料35覆盖的部分的上表面的形状而被成膜，如上述图3以及图4所示，润滑层38的上表面即表面32的填充材料28之上的部分的表面粗糙度大于记录要素25之上的部分的表面粗糙度。

这样，在记录层24之上成膜填充材料28来填充凹部26，利用进行平坦化处理的工序，可以使表面32中的填充材料28之上的部分的表面粗糙度大于记录要素25之上的部分的表面粗糙度，所以比起对基板实施纹理加工，在表面形成纹理图案的方法，生产性良好。另外，将比基板的上表面更接近表面32的覆盖材料35以及填充材料28中未被覆盖材料35覆盖的部分的上表面加工成表面粗糙度较大的形状，通过模仿该形状形成保护层36、润滑层38，可以将表面32中的填充材料28之上的部分尽可能成形为接近所希望的形状的凹凸形状。

另外，在本第一实施方式中，磁记录介质12，在填充材料28之上设置有部分覆盖填充材料28的上表面28A的覆盖材料35，由此，表面32中的填充材料28之上的部分的表面粗糙度大于记录要素25之上的部分的表面粗糙度，但如图10所示的本发明第二实施方式，上表面的表面粗糙度大于记录要素25之上的停止膜34的上表面的表面粗糙度的覆盖材料35完全覆盖填充材料28的上表面28A，由此，可以做成表面32中的填充材料28之上的部分的表面粗糙度大于记录要素25之上的部分的表面粗糙度的结构。这样，在覆盖材料35完全覆盖填充材料28的上表面28A时，填充材料28的上表面28A的表面粗糙度即使较小，通过使覆盖材料35的上表面的粗糙度大于填充材料28的上表面28A的表面粗糙度，也可以使表面32中的填充材料28之上的部分的表面粗糙度大于记录要素25之上的部分的表面粗糙度。

另外，在制造这种结构的磁记录介质时，在平坦化工序(S116)中，可以在填充凹部26的填充材料28的上表面28A露出之前停止蚀刻。此时，通过使用停止膜34的蚀刻率低于填充材料28的蚀刻率的蚀刻法，从而在停止膜34露出之前，即使在停止膜34之上的填充材料28的上表面有一定的凹凸，也可以将基于填充材料28的上表面的凹凸在停止膜34的上表面形成的凹凸抑制得小至蚀刻率之差的程度，所以可以使覆盖材料35上表面的表面粗糙度大于记录要素25之上的停止膜34的上表面的表面粗糙度。如上所述，在使用了Ar气体的离子束蚀刻中，由于Ta的蚀刻率低于SiO₂的蚀刻率，所以如果使用Ta作为停止膜34的材料，使用SiO₂作为填充材料28，则满足该条件。另外，为了使覆盖材料35的上表面的表面粗糙度较大，优选使用像Cu、Cr那样通过蚀刻沿着晶粒界面，表面容易变粗糙的材料作为覆盖材料35的材料。

另外，在上述第一以及第二实施方式中，使覆盖材料35残存在填充凹部26的填充材料28之上，由此，使表面32中的填充材料28之上的部分的表面粗糙度大于记录要素25之上的部分的表面粗糙度，但是如图11所示的本发明第三实施方式，完全除去填充凹部26的填充材料28之上的覆盖材料35，使填充凹部26的填充材料28的上表面28A的表面粗糙度大于记录要素25之上的停止膜34的上表面的表面粗糙度，从而可以使表面32中的填充材料28之上的部分的表面粗糙度大于记录要素25之上的部分的表面粗糙度。

此时，在平坦化工序(S116)中，暂时从覆盖材料35部分地露出的填充材料28以覆盖材料35为掩模被蚀刻，所以通过使用填充材料28的蚀刻率高于覆盖材料35的蚀刻率的蚀刻法，即使完全除去填充材料28之上的覆盖材料35，也可以使填充凹部26的填充材料28的上表面28A的表面粗糙度大于记录要素25之上的停止膜34的上表面的表面粗糙度。如上所述，使用了Ar气体的离子束蚀刻，由于SiO₂的蚀刻率高于Mo的蚀刻率，所以如果使用SiO₂作为填充材料28，使用Mo作为覆盖材料35，则满足该条件。另外，此时在平坦化工序中(S116)，通过使用停止膜34的蚀刻率低于填充材料28的蚀刻率的蚀刻法，即使在停止膜34露出之前，在停止膜34之上的填充材料28的上表面有一定的凹凸，也可以基于填充材料28的上表面的凹凸将在停止膜34的上表面形成的凹凸抑制得小至蚀刻率之差的程度。

另外，省略覆盖材料成膜工序(S114)，通过使用如Cu、Cr那样的通过蚀刻沿着晶粒界面表面容易变粗糙的材料作为填充材料28的材料，可以使填充凹部26的填充材料28的上表面28A的表面粗糙度大于记录要素25之上的停止膜34的上表面的表面粗糙度，由此，可以使表面32中的填充材料28之上的部分的表面粗糙度大于记录要素25之上的部分的表面粗糙度。

另外，在上述第一～第三实施方式中，磁记录介质12，记录要素25之上的停止膜34不仅形成在记录要素25之上，而且也形成在记录要素25的侧面以及凹部26的底面，但是如图12所示的本发明的第四实施方式、图13所示的本发明的第五实施方式以及图14所示的本发明第六实施方式，可以仅在记录要素25之上形成停止膜34。

另外，要仅在记录要素25之上形成停止膜34，预先在连续记录层和第一掩模层之间形成停止膜，可以和连续记录层一起进行加工分割停止膜34。此时，在凹部26的侧面和底面难以形成间隙，向记录要素25的侧面的粘合性变好，在这一点上，优选使用具有非晶结构的材料以及微结晶状态的材料中的任意一种作为填充材料28。这样，在使用具有非晶结构的材料以及微结晶状态的材料中的任意一种作为填充材料28时，为了提高使表面中的填充材料28之上的部分的表面粗糙度变大的效果，如上述第四以及第五实施方式，优选做成覆盖材料35部分或者完全地覆盖填充材料28的上表面28A的结构。

另外，在上述第一～第六实施方式中，磁记录介质12，在记录要素25之上形成停止膜34，但是在由平坦化工序(S116)的蚀刻导致的记录要素25的损伤不成为问题时，如图15所示的本发明的第七实施方式、图16所示的本发明的第八实施方式以及图17所示的本发明的第九实施方式，可以省略停止膜34。此时，在凹部26的侧面或底面难以形成间隙，向记录要素25的侧面的粘合性好，在这一点，优选使用具有非晶结构的材料以及微结晶状态的材料中的任意一种作为填充材料28。另外，此时，为了提高使表面中的填充材料28之上的部分的表面粗糙度变大的效果，如上述第七以及第八实施方式，优选做成覆盖材料35部分或者完全地覆盖填充材料28的上表面28A的结构。

另外，此时在平坦化工序(S116)中，即使在记录要素25露出之前，在记录要素25之上的填充材料28的上表面有一定的凹凸，通过使用记录要素25的蚀刻率低于填充材料28的蚀刻率的蚀刻法，也可以将基于填充材料28的上表面的凹凸在记录要素25的上表面形成的凹凸抑制得小至蚀刻率之差的程度。使用了Ar气体的离子束蚀刻，由于CoCr类合金或FePt类合金的蚀刻率低于SiO₂的蚀刻率，所以如果使用CoCr类合金或FePt类合金作为记录层24的材料，使用SiO₂作为填充材料28，则满足该条件。

另外，在上述第一～第九实施方式中，表面32中的记录要素25之上的部分的高度和填充材料28之上的部分的(最高部位的)高度大致相等，但是如果在和磁头14之间能保持足够的空气膜刚性，则可以做成在表面32中的记录要素25之上的部分和填充材料28之上的部分之间具有例如2.5nm以下的微小的段差的结构。另外，此时可以提高防止磁头14的吸附的效果，进而，从和磁头14的接触可以保护记录要素25，在这一点上，优选做成填充材料28之上的部分高于表面32中的记录要素25之上的部分的结构。另一方面，在保持小的磁头14和记录要素25之间的磁性空间的点上，优选做成记录要素25之上的部分高于填充材料28之上的部分的结构。此时，通过使表面32中的填充材料28之上的部分的表面粗糙度大于记录要素25之上的部分的表面粗糙度，可以得到抑制由吸附导致的磁头的碰撞的发生的一定效果。

另外，在上述第一～第六实施方式中，在(记录要素25)之上的停止膜34以及填充材料28之上形成有保护层36、润滑层38，但是也可以做成停止膜34以及填充材料28的上表面露出的结构。同样，在上述第七～第九实施方式中，在记录要素25以及填充材料28之上形成有保护层36、润滑层38，但是也可以做成记录要素25以及填充材料28的上表面露出的结构。

另外，在上述第一～第九实施方式中，在基板22和记录层24之间形成有基底层40、铁磁性层42、软磁性层44、取向层46，但是基板22和记录层24之间的层的结构可以根据磁记录介质的种类或需要进行适当变更。另外，可以省略基底层40、铁磁性层42、软磁性层44、取向层46，在基板22上直接形成记录层24。

另外，在上述第一实施方式中，在连续记录层之上形成第一掩模层、第二掩模层、抗蚀层，用3级的干式蚀刻分割连续记录层，但是如果能高精度地分割连续记录层，则抗蚀层、掩模层的材料、层叠数、厚度、干式蚀刻的种类等并不特别地限定。

另外，在上述第一～第九实施方式中，作为平坦化工序(S116)的蚀刻法，例示使用了Ar气体的离子束蚀刻，但是如果以表面中的(填充凹部26的)填充材料28之上的部分的表面粗糙度大于记录要素25之上的部分的表面粗糙度的方式使表面平坦化，则平坦化工序(S116)的蚀刻法并不特别地限定。将平坦化工序的蚀刻法、填充材料、覆盖材料的材料的优选组合表示在表1。

表1

干式蚀刻的种类		填充材料	覆盖材料
干式蚀刻的种类				加工用气体	照射角
Ar、Xe、其他惰性气体	-10°或其以上90°或其以下(全角度)			加工用气体	照射角	SiO₂、	Mo、Cr、Zr、Nb、W、C、Ta、TiN、TaSi
		Si	C			SiO₂、	Mo、Cr、Zr、Nb、W、C、Ta、TiN、TaSi
		Si	C	Al	C
		Au	Al	Al	C
			Al	C
			抗蚀剂AZ	C	C
		45°以上、90°以下	抗蚀剂AZ	Al	C	SiO₂
	Si					SiO₂
	Si		40°以上、90°以下		Al	抗蚀剂AZ
	30°以上、90°以下	SiO₂	40°以上、90°以下	抗蚀剂AZ	Al	抗蚀剂AZ
		SiO₂	Si	抗蚀剂AZ	抗蚀剂AZ
		Au	Si	抗蚀剂AZ	抗蚀剂AZ
			Si	抗蚀剂AZ
			Si	SiO₂
			-10°以上、45°以下	SiO₂	SiO₂	Si
	Si	Al			SiO₂	Si
	Si	Al		-10°以上、40°以下	SiO₂	Si
	抗蚀剂AZ	Al			SiO₂	Si
	抗蚀剂AZ	Al	-10°以上30°以下		SiO₂	Au
	抗蚀剂AZ	Au			SiO₂	Au
		Au		Si
		SiO₂		Si
		SiO₂		包括F、Cl等的卤素类气体	-10°以上、90°以下(全角度)	SiO₂、Si、TaSi、TiN、Ta、ITO、MgO、Al₂O₃	Al、Ni、Au
O₂氧气	-10°以上、90°以下(全角度)	C、抗蚀剂AZ	Mo、Cr、Zr、Nb、W、TiN、Ta、ITO、MgO、Al₂O₃、Al、Ni、Au	包括F、Cl等的卤素类气体	-10°以上、90°以下(全角度)	SiO₂、Si、TaSi、TiN、Ta、ITO、MgO、Al₂O₃	Al、Ni、Au

抗蚀剂AZ：(クラリアント公司AZ类抗蚀材料)

ITO：氧化铟锡

另外，在上述第一～第九实施方式中，磁记录介质12是垂直记录型的磁盘，但本发明也能适用于面内记录型的磁盘。

另外，在上述第一～第九实施方式中，在磁记录介质12的基板22的单面形成有记录层24等，但对在基板的两面形成记录层等的双面记录式的磁记录介质，本发明也能适用。

另外，在上述第一～第九实施方式中，磁记录介质12是离散轨道介质，但对例如晶格介质或轨道做成螺旋形状的磁盘，本发明当然也能适用。另外，对MO等的光磁盘、兼用磁和热的热备用型的磁盘、还有磁带等除圆盘形状以外的具有凹凸图案的记录层的其他记录介质，本发明也能适用。

实施例1

制作了具有和上述第一实施方式(参照图2～图4)同样的结构的10张磁记录介质12。制作了的磁记录介质12的主要的结构在以下表示。

基板22的直径约为65mm，材料是玻璃。记录层24的厚度约为20nm，材料是CoCrPt合金。填充材料28的材料是SiO₂。停止层34的厚度约为3nm，材料是Ta。保护层36的厚度约为2nm，材料是DLC。润滑层38的厚度约为1nm，材料为PFPE。另外，数据区域中的轨道间距(记录要素25彼此之间的轨道宽度方向的间距)约200nm，记录要素25上表面的宽度(轨道宽度)约为100nm。

另外，在停止膜成膜工序(S110)中，作为溅射的条件，将成膜功率(施加在靶上的功率)设定为500W，将真空腔室内压力设定为0.3Pa。

另外，在填充材料成膜工序(S112)中，作为偏压溅射的条件，将成膜功率设定为500W，将施加在被加工体50上的偏压功率设定为290W，将真空腔室内压力设定为0.3Pa。另外，填充材料28的成膜厚度做成比凹部26的深度20nm薄1nm的19nm厚，以凹部26内的填充材料28的上表面低于记录要素25之上的停止膜34的上表面1nm的方式形成填充材料28。

另外，在覆盖材料成膜工序(S114)中，作为溅射的条件，将成膜功率设定为500W，将真空腔室内压力设定为0.3Pa，成膜了3nm的Mo作为覆盖材料35。

另外，在平坦化工序(S116)中，作为离子束蚀刻的条件，将电子束电压设定为700V，将电子束电流设定为1100mA，将真空腔室内压力设定为0.04Pa、将Ar气体的照射角相对被加工体50的表面设定为大约2°，填充凹部26的填充材料28之上的覆盖材料35部分地被除去，该覆盖材料35的上表面以及未被该覆盖材料35覆盖的填充材料28的上表面和记录要素25之上的停止膜34的上表面大致一致，就停止蚀刻。接着，通过CVD法形成保护层36，进而通过浸渍法在保护层36之上形成润滑层38。

将这样得到的磁记录介质12的表面32中的填充材料28之上的部分的算术平均粗糙度(表面粗糙度)、表面32中的记录要素25之上的部分的算术平均粗糙度、整个表面32的算术平均粗糙度使用AFM(Atomic ForceMicroscope：原子力显微镜)进行测定的结果，是表2所示那样的结果。另外，表2所记载的算术平均粗糙度的值都是10张磁记录介质12的平均值。

图18是这些磁记录介质12中的1张磁记录介质12的AFM像，颜色的浓淡表示表面的凹凸的程度。具体而言，表示这种情况：颜色越淡越向厚度方向突出，颜色越浓越凹陷。在图18中，浓淡不同的部分混在一起且表面粗糙度较大的直线状的区域、以及浓淡大致恒定且表面粗糙度较小的直线状的区域交互排列，但是前者是填充凹部26的填充材料28之上的部分，后者是记录要素25之上的部分。

另外，对于这10张磁记录介质12，在从中心沿半径方向18～20mm的2mm的宽度区域，进行10万次的磁头14的搜索试验。此时，磁头14以悬浮高度为10nm的方式调节悬吊负荷。另外，平均搜索时间为12ms。搜索试验之后，调查磁头14的擦痕。将擦痕的测定结果作为使磁头14产生了擦痕的磁记录介质12的张数表示在表2中。

进而，在从磁记录介质12的中心沿半径方向20mm的位置保持磁头14的滑动触点的悬浮位置，使用LDV(Laser Doppler Vibrometer：激光测振仪)测定磁头14的悬浮高度的变动量。图19是表示这些磁记录介质12中的1张磁记录介质12的磁头14的悬浮高度的变动的图表。另外，图19中的纵轴的一个刻度是2.5nm。另外，在图19中，表示磁头14的悬浮高度的变动的曲线的上方的两根纵线是表示它们之间的范围的数据是磁记录介质12的一周所对应的数据的情况。

实施例2

制作了具有和上述第三实施方式(参照图11)同样的结构的10张磁记录介质12。具体而言，相对上述实施例1，在填充材料成膜工序(S112)中，以比凹部26的深度20nm厚1nm的21nm的厚度形成填充材料28。即，以凹部26内的填充材料28的上表面高于记录要素25之上的停止膜34的上表面1nm的方式形成填充材料28。

另外，在覆盖材料成膜工序(S114)中，和实施例1同样，形成3nm的Mo作为覆盖材料35。

另外，在平坦化工序(S116)中，完全除去了覆盖材料35。其他条件都和上述实施例1相同。

针对这些磁记录介质12，和实施例1相同，将表面32中的填充材料28之上的部分的算术平均粗糙度、表面32中的记录要素25之上的部分的算术平均粗糙度、整个表面32的算术平均粗糙度使用AFM进行测定的结果，是表2所示那样的结果。

另外，对于这些磁记录介质12，和实施例1同样，进行磁头14的搜索试验，搜索试验后，调查了磁头14的擦痕。将擦痕的测定结果作为使磁头14产生了擦痕的磁记录介质12的张数表示在表2中。

实施例3

对于上述实施例1，在表面32中的填充材料28之上的部分和记录要素25之上的部分设置了约2.5nm的段差。具体而言，在填充材料成膜工序(S112)中，以比凹部26的深度20nm薄3nm的17nm的厚度形成填充材料28。即，以凹部26内的填充材料28的上表面低于记录要素25之上的停止膜34的上表面3nm的方式形成填充材料28。

另外，在平坦化工序(S116)中，覆盖材料35部分地被除去，该覆盖材料35的上表面以及未被该覆盖材料35覆盖的填充材料28的上表面和记录要素25之上的停止膜34的上表面的段差约为2.5nm，就停止蚀刻。其他条件都和上述实施例1相同，制作了具有和上述第一实施方式同样的结构的10张的磁记录介质12。

对于这些磁记录介质12，和实施例1同样，将表面32中的填充材料28之上的部分的算术平均粗糙度、表面32中的记录要素25之上的部分的算术平均粗糙度、整个表面32的算术平均粗糙度使用AFM进行测定的结果，是表2所示那样的结果。

进而，针对这些磁记录介质12，和实施例1同样，测定了磁头14的悬浮高度的变动量。图20是表示这些磁记录介质12中1张磁记录介质12中的磁头14的悬浮高度的变动的图表。

[比较例]

对于上述实施例1，准备镜面研磨了的10张基板，在这些基板之上形成保护层36、润滑层38。另外，保护层36、润滑层38的材料、厚度和实施例1相同。对于这些基板，使用AFM测定了整个表面的算术平均粗糙度的结果，是在图2所示那样的结果。另外，针对这些结果，和实施例1同样，进行磁头14的搜索试验，搜索试验后，调查了磁头14的擦痕。将擦痕的测定结果作为使磁头14产生了擦痕的基板的张数来表示。

进而，针对这些基板，和实施例1同样，测定了磁头14的悬浮高度的变动量。图21是表示这些基板中1张基板中的磁头14的悬浮高度的变动的图表。

表2

	记录要素之上的部分的算术平均粗糙度(nm)	填充材料之上的部分的算术平均粗糙度(nm)	整个表面的算术平均粗糙度(nm)	填充材料的成膜厚度(nm)	覆盖材料的成膜厚度(nm)	碰撞发生张数
	记录要素之上的部分的算术平均粗糙度(nm)	填充材料之上的部分的算术平均粗糙度(nm)	整个表面的算术平均粗糙度(nm)	填充材料的成膜厚度(nm)	覆盖材料的成膜厚度(nm)	碰撞发生张数	实施例1	0.31	0.73	0.54	19.0	3.0	0
实施例2	0.29	0.53	0.42	21.0	3.0	0	实施例1	0.31	0.73	0.54	19.0	3.0	0
实施例2	0.29	0.53	0.42	21.0	3.0	0	实施例3	0.33	0.78	0.89	17.0	3.0	0
比较例	-	-	0.15	-	-	6	实施例3	0.33	0.78	0.89	17.0	3.0	0

如表2所示，在比较例中，在10张基板中有6张基板产生碰撞的情况，相对于此，在实施例1、实施例2以及实施例3中，在10张所有的磁记录介质12中，碰撞完全没有发生。即，可以确认实施例1、实施例2以及实施例3相对于比较例抑制碰撞发生的效果显著变高。在比较例中因为在镜面研磨了的基板上形成有保护层36、润滑层38，所以由吸附导致的磁头的碰撞容易产生，相对于此，实施例1、实施例2以及实施例3中，因为表面32中的填充材料28之上的部分的表面粗糙度较大，所以可以抑制由磁头14的吸附导致的碰撞。

另一方面，如图19～图21所示，实施例1以及实施例3与在进行了镜面研磨的基板之上形成了保护层36、润滑层38的比较例比较，磁头14的悬浮高度的变动大致相同。在实施例1以及实施例3中，因为磁记录介质12的表面32中的记录要素25之上的部分的表面粗糙度较小，所以磁头14的悬浮高度的变动和比较例比较，大致相同地被抑制。另外可知：实施例3不局限于在表面32中的填充材料28之上的部分和记录要素25之上的部分设置有约2.5nm的段差，和在进行了镜面研磨的基板之上形成了保护层36、润滑层38的比较例比较，磁头14的悬浮高度的变动大致相同，所以即使在表面32中的填充材料28之上的部分和记录要素25之上的部分有段差，如果段差的大小在2.5nm以下，可以得到磁头14的良好的悬浮特性。另外，在图19～图21中，有磁头14的悬浮高度突发性地显著变大的部位，但这是由尘埃等异物引起的，并不是磁记录介质12的表面32的形状引起的。

以上的实施例1、实施例2、实施例3以及比较例表示在磁记录介质的表面中的填充材料之上的部分的算术平均值大于记录要素之上的部分的算术平均值时，得到抑制由磁头的吸附导致的碰撞的效果，但是，在例如平均高度Rc、最大山高度Rp、均方根高度Rq、最大谷深度Rv、最大高度Ry、十点平均粗糙度Rz等其他表面粗糙度值在表面中的填充材料之上的部分中大于记录要素之上的部分时，得到抑制由磁头的吸附导致的碰撞的效果。

产业上的可利用性

本发明可利用于例如离散轨道介质、晶格介质等的、以规定的凹凸图案形成了记录层的磁记录介质。

Claims

1.一种磁记录介质，其特征在于，包括：记录要素，其作为在基板上以规定的凹凸图案形成的记录层的凸部而形成；填充材料，其填充在该记录要素之间的凹部，

表面中的上述填充材料之上的部分的表面粗糙度大于上述记录要素之上的部分的表面粗糙度。

2.如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，上述表面中的上述填充材料之上的部分的算术平均粗糙度大于上述记录要素之上的部分的算术平均粗糙度。

3.如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，上述记录要素的上表面的表面粗糙度小于上述表面中的上述填充材料之上的部分的表面粗糙度。

4.如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，在上述填充材料之上设置了部分覆盖该填充材料的上表面的覆盖材料。

5.如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，在上述填充材料之上设置有覆盖该填充材料的上表面的覆盖材料，在该覆盖材料以及上述记录要素之上形成了保护层。

6.如权利要求4所述的磁记录介质，其特征在于，上述填充材料是具有非晶结构的材料以及微结晶状态的材料中的任意一种。

7.一种磁记录再现装置，其特征在于，具有：权利要求1至6中任意一项所述的磁记录介质和磁头，该磁头为了对该磁记录介质进行数据的记录/再现，而以能接近悬浮在该磁记录介质的表面的方式设置。

8.一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括：

填充材料成膜工序，在以规定的凹凸图案形成在基板之上、且作为该凹凸图案的凸部而形成了记录要素的记录层之上成膜填充材料，并用上述填充材料填充上述记录要素之间的凹部；覆盖材料成膜工序，在上述填充材料之上成膜与该填充材料的材料不同的覆盖材料；平坦化工序，通过蚀刻法除去上述填充材料以及上述覆盖材料中上述记录要素的上表面之上的多余部分，并且以表面中的上述凹部之上的部分的表面粗糙度大于上述记录要素之上的部分的表面粗糙度的方式对上述表面进行平坦化处理。

9.如权利要求8所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在上述平坦化工序中，使用上述填充材料的蚀刻率高于上述覆盖材料的蚀刻率的蚀刻法。

10.如权利要求8所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在上述平坦化工序中，使用上述记录层的蚀刻率低于上述填充材料的蚀刻率的蚀刻法。

11.如权利要求8所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在上述填充材料成膜工序之前，设置有在上述记录层之上成膜停止膜的停止膜成膜工序，在上述平坦化工序中，使用上述停止膜的蚀刻率低于上述填充材料的蚀刻率的蚀刻法。

12.如权利要求8至11中任意一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在上述平坦化工序中，以在填充上述凹部的上述填充材料之上部分残存上述覆盖材料的方式除去上述填充材料以及上述覆盖材料的多余部分。