CN1791560B - 光纤及预制件和它们的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及制造光纤的方法,所述方法包括以下步骤:i)提供中空的基管,ii)使活性的玻璃生成气体穿过中空的基管内部,iii)在中空的基管内部创造这种条件:使中空的基管内侧上发生玻璃层的淀积,其中非等温等离子体在两个反向点之间沿中空的基管往返移动,其中等离子体的移动速度在每个反向点处减小至零,iv)塌缩如此获得的基管以制成实心的预制件,和v)从所述实心的预制件抽制光纤。此外,本发明涉及用于制造光纤的预制件以及光纤。

Description

光纤及预制件和它们的制造方法
技术领域
本发明涉及制造光纤的方法,所述方法包括以下步骤:
i)提供中空的基管,
ii)使掺杂的或未掺杂的活性的玻璃生成气体穿过中空的基管的内部,
iii)在中空的基管的内部创造这种条件:使中空的基管内侧上发生玻璃层的淀积,其中非等温等离子体沿基管在两个反向点之间往返移动,其中等离子体的移动速度从每个减速点向每个反向点减小至零,
iv)对如此获得的基管进行塌缩处理,以制成实心的预制件,和
v)从实心的预制件抽制光纤。
除此之外,本发明还涉及用于制造光纤的预制件,以及涉及光纤。
背景技术
应用本发明,通过内部的化学汽相淀积技术(CVD)来生产光纤的预制件,其工艺涉及掺杂的或未掺杂的活性的玻璃生成气体在中空的基管内侧上的淀积。从基管的一个侧面,即进口侧面供应这种活性的气体,在特定的工艺条件的影响下在基管的内侧上玻璃生成层。能源沿基管往返移动以玻璃生成层。所述能源,特别是等离子体发生器,供应高频能量,其结果是在基管的内部产生了等离子体,在这个等离子体的条件下,活性的玻璃生成气体将起反应(等离子体CVD技术)。然而,还可能通过加热,特别是在基管的外侧面使用燃烧器或经过环绕基管的炉子来供应能量。上述技术的共同特点是:所述能源相对于基管往返移动。
以上描述的技术的缺点是:能源的往返移动可导致把缺陷引入各返向点处的淀积层中。这种缺陷称为“锥度”,在这方面更进一步造成了几何锥度与光学锥度之间的差异。术语“几何锥度”可理解为是指:总淀积厚度,即所有的玻璃层,在基管的全长上不一致。术语“光学锥度”可理解为是指光学性能在该预制件的全长上不一致,这个性能主要取决于最终抽制出的光纤。光学锥度在一定程度上由层厚度的变化引起,但主要取决于折射率的变化或沿预制件长度的折射率曲线。为实现对要生产的光纤的光学性能的合适控制,需要对几何锥度合适控制,但除此之外,在预制件的最大可能长度上,折射率对比度Δ应尽可能小。
锥度具有使预制件的有用长度被限制的缺点,这意味着能从一个预制件获得的光纤数量较少。除此之外,由于所述锥度,在光纤全长上,光纤性能不一致。还可更进一步指出:在这方面,如果由于出现锥度,巨大长度的光纤的光学性能不能达到足够地恒定,就所颁发的产品证书而言制造商将不得不给予某些保证;原则上光纤的每个单独部分必须一直符合所规定的规格,特别是如果例如由用户测量所述光学性能。
美国专利NO.4,741,747涉及制造光纤的一种方法,其中通过在反向点区域中使等离子体以时间函数方式非线性地移动,和/或通过改变沿玻璃管长度的等离子体密度,减小所谓的端部锥度。
美国专利NO.4,857,091涉及制造光纤的一种方法,其中提及若干参数,这些参数影响局部淀积区相对于等离子体发生器的轴向位置,这些参数包括:
i)周期地改变微波功率,
ii)周期地改变基管中的压力,和
iii)周期地改变往返移过基管的谐振器的行程速度。缺乏有关i)-iii)的一切更详细的资料。
欧洲专利申请NO.0 038 982涉及制造光纤的一种方法,其中等离子体发生器沿基管移动,这个等离子体发生器产生热区域,使得所述热区域可被看作所谓的“串列的热区域”,这个“串列的热区域”包含至少两个区域,即区域I和区域II。虽然在所述文件中指出了淀积率或淀积成分可能改变以防止所谓的锥度端部的出现,但在所述文件中没有指出这种处理涉及的是何种专门操作。
欧洲专利申请NO.0 333 580涉及制造光纤预制件的一种装置,其中使用了可变功率的微波发生器,但是,其中没有使用沿基管在两个反向点之间往返移动的非等温等离子体。
较早申请但较晚公布的国际申请WO 03/054245涉及生产预制件的专门PCVD技术;在所述文件中没有提供关于改变等离子体沿中空的基管移动的速度的信息。
从英国专利公布GB 2 118 165得知了制造光纤的一种方法,其中沿基管轴向移动的热源的速度遵守特定的数学方程式,其中所述热源沿基管的(移动)速度是所述热源沿基管的位置的函数,所以玻璃层的总淀积厚度在基管全长上基本是恒定的。
从美国专利NO.5,118,648至本申请得知了制造光纤的一种方法,其中等离子体的移动,在等离子体到达反向点的每一时刻被中断,所述反向点靠近基管的气体进入点,同时玻璃淀积继续进行,其中等离子体移动被中断的间隔时间至少是0.1秒。
发明内容
因此本发明的目的是提供制造预制件的一种方法,从所述预制件可抽制出光纤,这个预制件呈现小的几何锥度及光学锥度。
本发明的另一个方面是提供一种预制件,从所述预制件可抽制出光纤,这个预制件呈现的光学性能在最大的可能长度上是恒定的。
本发明的另一个方面是提供一种光纤,在此光纤中曲线形状参数α平均值的偏差量保持在精确确定的范围内,该偏差是在特定的纵向光纤上测得的。
如前序部分所论及的本发明,其特征在于:等离子体沿中空的基管移动的速度,在步骤iii)中在与反向点邻接的第一端区域中发生变化,在淀积过程中作为时间的函数和在第一端区域中作为位置的函数,这个变化标志着第一端区域的起始点,其中第一端区域的端点与反向点重合,而其中所述起始点的位置比减速点更远离所述反向点,所述第一端区域的长度足够用于减小预制件中的锥度。
可通过应用上述方法实现本发明的一个或更多个目的。更准确地说,根据本发明,为减小光学锥度不仅可实现沿基管长度的或某些位置处的特定工艺参数的特定变化(如上面讨论的,这个特点在先有技术中已被广泛描述),而且除此之外,必须实现在时间上所述调整的变化,在这方面,时间可理解为发生玻璃层淀积的期间。可被利用来实现这样一种减小光学锥度的工艺参数是:i)等离子体发生器相对于基管移动的速度,ii)供给等离子体发生器的功率,iii)供应至中空的基管内部的掺杂的或未掺杂的活性的玻璃生成气体的量及成分,和iv)在基管中的压力。
因此在步骤iii)的初始,等离子体沿中空的基管在第一端区域中移动的速度,最好是在所有位置上低于等离子体沿中空的基管在端区域外移动的速度;而在步骤iii)的末尾,速度值达到高于等离子体沿中空的基管在第一端区域外移动的速度,在这方面,特别是在第一端区域中等离子体的速度随时间线性地增大。上述第一端区域位于该中空基管的端部,根据步骤ii)在所述端部处供应活性的玻璃生成气体。在各附图的讨论中将更详细解释特定的实施例。
为生产具有最大可能的有用长度的预制件,希望在预制件的两端部减小锥度,在这方面,最好是在步骤iii)期间,在第二端区域中作为时间的函数和作为位置的函数改变等离子体沿中空的基管在邻接反向点的第二端区域中移动的速度,这个改变是所述第二端区域的起始点的标志,而第二端区域的端点与反向点重合,而所述起始点的位置比减速点更远离所述反向点,这个第二端区域足够长,以减小预制件的锥度。
为在第二端区域中减小锥度,在步骤iii)的初始,最好是等离子体沿中空的基管在第二端区域中移动的速度在所有位置中都低于等离子体沿中空的基管在所述端区域外移动的速度,这个速度在步骤iii)的末尾被进一步减小,这个第二端区域特别位于中空的基管的端部,根据步骤ii)活性的玻璃生成气体在所述端部处排出。
为了在特定位置,从基管的轴向看在淀积过程的初始淀积大量玻璃和在淀积过程的末尾淀积少量的玻璃,在步骤iii)中速度作为时间的函数最好在第二端区域中是线性地减小。如果第一端区域在两个反向点之间的长度包括中空的基管总长度的5-35%,同时第二端区域包括1-10%的长度,这是特别有利的。
根据本发明的方法,其特征还在于:在步骤iii)中,等离子体的功率和等离子体沿中空的基管在两个反向点之间移动的速度基本保持恒定值,在邻接反向点的端区域中的等离子体功率作为时间的函数而变化,这个变化是所述端区域的起始点的标志,在步骤iii)的初始,这个等离子体功率最好是比在端区域外的等离子体功率低至少2%,特别是至少5%;并且作为时间的函数逐渐增大至一个等离子体功率值,这个等离子体功率值在步骤iii)的末尾,最好是比端区域外的区域中的等离子体功率高至少2%,特别是至少5%,在这方面,特别希望端区域设置在中空的基管的端部处,根据步骤ii),在所述端部处供应活性的玻璃生成气体。
本发明的特征还在于:根据步骤iii)所供应的活性的玻璃生成气体的量,在沿着位于两个反向点之间的中空基管的长度基本保持恒定值,同时活性的玻璃生成气体的成分作为时间的函数在邻接反向点的端区域内被改变,这个改变标志着所述端区域的起始点。
在一个特定的实施例中,等离子体沿中空的基管在两个反向点之间的移动速度基本保持恒定值,同时中空的基管中的压力在邻接反向点的端区域中作为时间的函数而变化,这个变化标志着所述端区域的起始点。
应用本方法可制出光纤,这个渐变折射率类型的光纤具有导光的光纤芯,它的折射率最好遵循以下方程式:
n(r)=n1[1-2Δ(r/a)α]1/2
其中:
n1=光纤芯的折射率值,
r=光纤的径向位置(μm),
Δ=光纤的折射率比差[=(n1 2-nc1 2)/2n1 2],
nc1=环绕光纤芯的包覆层的折射率,
α=曲线形状参数,和
a=分级的折射率光纤芯的半径(μm)。
曲线参数α决定斜曲线的曲率;在α值为1的情况下曲线是三角形的,而在α值无穷大的情况下曲线是矩形的。上述α值对被传输通过光纤的光脉冲的脉冲扩宽有巨大影响,因此也对这种多模的光纤的传输容量有影响。为了防止在光纤传输容量方面的主要变化,相对曲线形状参数α的平均值的偏差量最好在至少10km的长度上最大为±0.03或更小。更好的是,对于具有长度至少为10km的光纤,相对曲线形状参数α的平均值的偏差量最大为±0.015。
本发明还涉及用于制造光纤的预制件,其特征在于对具有至少60cm长度的预制件测得的折射率对比度上的变化量不超过绝对值2%。尤其是,对具有至少60cm长度的预制件测得的折射率比差不超过绝对值1.5%。
本发明还涉及用于制造光纤的预制件,其中对具有至少80cm长度的预制件测得的曲线参数α的平均值的偏差量不超过绝对值0.03;尤其是,对具有至少80cm长度的预制件测得的曲线参数α的平均值的偏差量不超过绝对值0.015。
一种制造光纤的方法,所述方法包括以下步骤:
i)提供中空的基管,
ii)使掺杂的或未掺杂的活性的玻璃生成气体穿过中空的基管的内部,
iii)在中空的基管的内部创造这样的条件:使在中空的基管的内部上发生玻璃层的淀积,其中非等温等离子体沿基管在两个反向点之间往返移动,其中等离子体的移动速度从每个减速点向每个反向点减小至零,
iv)塌缩如此获得的基管以制成实心的预制件,和
v)从所述实心的预制件抽制光纤;其中:
在步骤iii)中,等离子体沿中空的基管移动的速度在邻接反向点的第一端区域中,作为淀积过程的时间的函数和作为在第一端区域中的位置的函数发生变化,这个变化标志着第一端区域的起始点,其中第一端区域的端点与反向点重合,起始点的位置比减速点更远离反向点,所述第一端区域的长度足够用来减小预制件的锥度,和
对于每个连续的玻璃层改变速度曲线,在该速度曲线上,等离子体沿中空的基管移动。
根据权利要求1的方法,其特征在于:在步骤iii)开始处,等离子体在第一端区域中沿中空的基管移动的速度在所有位置上比等离子体在所述端区域外沿中空的基管移动的速度低;在步骤iii)的末尾,速度值达到高于等离子体在第一端区域外沿中空的基管移动的速度。
在淀积步骤iii)期间,等离子体在第一端区域中的速度线性地增大。
在淀积步骤iii)期间,等离子体在第一端区域中的速度增大至在所有位置上都大于等离子体在所述端区域外沿中空的基管移动的速度。
所述第一端区域位于中空的基管的端部,根据步骤ii)在所述端部处供应活性的玻璃生成气体。
在步骤iii)期间,等离子体在邻接反向点的第二端区域中沿中空的基管移动的速度,作为淀积过程的时间的函数和作为在第二端区域中的位置的函数发生变化,这个变化标志着第二端区域的起始点,同时第二端区域的端点与反向点重合,而起始点的位置比减速点更远离反向点,为了减小预制件的端部锥度,这个第二端区域足够长。
等离子体在第二端区域中沿中空的基管移动的速度在步骤iii)初始的所有位置上低于等离子体在所述端区域外沿中空的基管移动的速度,这个速度在步骤iii)末尾被进一步减小。
第二端区域位于中空的基管的端部,根据步骤ii)活性的玻璃生成气体在所述端部处排出。
等离子体的速度在步骤iii)期间在第二端区域中随时间线性地减小。
位于两个反向点之间的第一端区域的长度为中空的基管总长度的5-35%
第二端区域的长度包括在两个反向点之间的中空的基管总长度的1-10%
一种制造光纤的方法,所述方法包括以下步骤:
i)提供中空的基管,
ii)使掺杂的或未掺杂的活性的玻璃生成气体穿过中空的基管的内部,
iii)在中空的基管的内部进行玻璃层的淀积,其中非等温等离子体沿基管在两个反向点之间往返移动,等离子体的移动速度从减速点向每个反向点减小至零,
iv)塌缩如此获得的基管以制成实心的预制件,和
v)从所述实心的预制件抽制光纤;其特征在于:
在步骤iii)中,等离子体的功率和等离子体在两个反向点之间沿中空的基管移动的速度基本保持恒定值,同时等离子体功率作为时间的函数在邻接反向点的端区域中发生变化,所述变化标志着端区域的起始点,所述等离子体功率低于步骤iii)初始处所述端区域外的等离子体功率,并且在淀积过程期间作为时间的函数逐渐增大至具有一数值的等离子体功率,在步骤iii)末尾处,在端区域中所述数值高于在所述端区域外的区域中的等离子体功率,和
对于每个连续的玻璃层改变速度曲线,在该速度曲线上,等离子体沿中空的基管移动。
在端区域中的等离子体功率比在步骤iii)初始处,在所述端区域外的等离子体功率低至少2%,比在步骤iii)末尾,在所述端区域外的区域中的等离子体功率高至少2%。
根据权利要求12的方法,其特征在于:所述端区域位于中空的基管的端部,根据步骤ii)在所述端部处供应活性的玻璃生成气体。
一种制造光纤的方法,所述方法包括以下步骤:
i)提供中空的基管,
ii)使掺杂的或未掺杂的活性的玻璃生成气体穿过中空的基管的内部,
iii)在中空的基管的内部上进行玻璃层的淀积,其中非等温等离子体在两个反向点之间沿基管往返移动,等离子体的移动速度从每个减速点向每个反向点减小至零,
iv)塌缩如此获得的基管以制成实心的预制件,和
v)从所述实心的预制件抽制光纤;其特征在于:
根据步骤iii),所供应量的活性的玻璃生成气体在等离子体通过两个反向点之间的期间基本保持恒定值,同时在淀积过程期间活性的玻璃生成气体的成分在邻接反向点的端区域中作为时间的函数而变化,这个变化是所述端区域起始点的标志,和
对于每个连续的玻璃层改变速度曲线,在该速度曲线上,等离子体沿中空的基管移动。
一种制造光纤的方法,所述方法包括以下步骤:
i)提供中空的基管,
ii)使掺杂的或未掺杂的活性的玻璃生成气体穿过中空的基管的内部,
iii)在中空的基管的内部上进行玻璃层的淀积,其中非等温等离子体在两个反向点之间沿基管往返移动,其中等离子体的移动速度从每个减速点向每个反向点减小至零,
iv)塌缩如此获得的基管以制成实心的预制件,和
v)从所述实心的预制件抽制光纤;其特征在于:
在两个反向点之间沿中空基管移动的等离子体的速度基本保持恒定值,同时在中空的基管中的压力作为时间的函数在邻接反向点的端区域中发生变化,这个变化标志着所述端区域的起始点,和
对于每个连续的玻璃层改变速度曲线,在该速度曲线上,等离子体沿中空的基管移动。
用于制造光纤的预制件,其特征在于:测量至少60cm长的预制件,折射率对比度的变化量不超过绝对值2%。
测量至少60cm长的预制件,折射率对比度的变化量不超过绝对值1.5%。
用于制造光纤的预制件,其特征在于:测量至少80cm长的预制件,对曲线参数α平均值的偏差量不超过绝对值0.03。
测量至少80cm长的预制件,对曲线参数α平均值的偏差量不超过绝对值0.015。
一种光纤,其特征在于:曲线形状参数α平均值的偏差量最大为0.03。
对于长度至少为10km的光纤,曲线形状参数α平均值的偏差量最大为0.015。
附图说明
现在将通过一些实例更详细的解释本发明,然而,在这方面应该指出,本发明决不局限于这些特殊实例。
图1显示PCVD过程的速度曲线,在整个淀积期间所述曲线保持恒定值;
图2显示等离子体发生器沿基管轴向移动时遵循的速度曲线;
图3-5显示折射率曲线,其中光纤芯直径的变化用图3中的预制件的长度表示;
图6显示的仅是基管端部的速度曲线,气体离开基管的内部;
图7及8显示最大的Δ及曲线形状参数α的变化;
图9显示所供应的微波能量的功率,所述微波能量是等离子体发生器位置的函数;和
图10显示在淀积工艺期间PCVD过程中的气体成分的变化。
具体实施方式
比较实例
应用PCVD技术生产出预制件,从所述预制件抽制出具有折射率对比度约为0.02的渐变折射率类型的光纤。通过在一个侧面上使活性的玻璃生成气体流入基管中并从而引致所述气体起反应,应用产生于基管内部的等离子体来在基管内侧上淀积玻璃层。围绕基管的等离子体发生器或谐振器被用来把所需要的高频能量耦合入等离子体中。所述等离子体发生器以恒定速度沿基管往返移动,从减速点X至反向点Y,其速度线性地减小至0。在淀积过程期间保持恒定值的这个速度曲线显示于图1中。淀积过程之后,基管以通常方式被塌缩成实心的预制件。应用Photon Kinetics model 2600式的所谓折射率曲线仪,沿着如此制成的预制件在多个位置测出折射率曲线。芯子直径的变化、最大的Δ值和曲线参数α被分别简略地显示于附图3-5中。图4清楚地显示:折射率对比度变化不超过±1%数值的最大预制件长度约为60cm。折射率对比度变化不超过±0.5%数值的最大预制件长度约为40cm。
实例1
应用在比较实例1中描述的PCVD技术生产出预制件,从所述预制件抽制出具有折射率对比度约为0.02的渐变折射率类型的光纤,其中,根据本发明,等离子体发生器沿基管轴向移动时遵循的速度曲线随时间而变化。等离子体发生器沿基管轴向移动时遵循的速度曲线简略示于图2中,即淀积过程的初始和淀积过程末尾时的情况。从图2可明显看出:根据本发明的方法已被应用于基管的端部,从所述端部处供应活性的玻璃生成气体,在整个淀积过程中,等离子体发生器的速度曲线朝B点下降。在图2中标出了一些特征点,具有点A,即第一端区域的起始点,标志了这样的位置:在该位置等离子体发生器的速度曲线不再保持恒定值并朝B点(图中的左侧)下降以减小预计的光学锥度。因此所述点B位于第一端区域中并标志减速点或这样的位置:在所述位置处等离子体发生器被减速直至所述速度在反向点处被减至零。点C,即第一端区域的端点,标志等离子体发生器在基管端部处的反向点(速度=0),在此处,活性的玻璃生成气体流入基管,同时点D(速度=0)标志位于基管的另一端部的反向点。标志为A-C的端区域长度,等于标志为C-D的两个反向点之间距离的24%。明显的是:减速点位于第一端区域中,而起始点A的位置比减速点B更远离反向点。从图2看是遵照以下规律:从淀积过程的初始,即靠近点A的速度曲线已经呈现出偏离如图1所示的比较实例1的速度曲线。换句话说,在淀积过程的初始,在端区域A-C中的谐振器速度低于根据图1的速度曲线,而在淀积过程中所述谐振器速度将沿B-A部分逐渐增大至一个值,该值高于整个淀积过程中应用在起始点A右侧的区域中的谐振器速度。位于端点C与起始点A之间的区域也称为端区域。因此明显的是端区域A-C的长度大于如图1所示的X-Y区域。通过在第一端区域,特别是在B-A区域中,在淀积过程的初始选择较低的速度并使所述速度在淀积中线性增大,从而获得具有在芯直径及偏差量方面较好的结果的光纤预制件。
应用在比较实例1中使用的相同折射率曲线仪,在多个位置测出如此获得的预制件的折射率曲线,同时芯直径的变化在图3中表示为预制件的长度,偏差量Δ(%)被表示为图4中的预制件长度的函数,而最终对于平均的α值的偏差量在图5中表示为预制件长度的函数。从所述图3-5明显看出:根据实例1的预制件比根据比较实例1的预制件提供了明显更好的结果。
实例2
应用比较实例1及实例1中描述的PCVD技术生产了预制件,从所述预制件抽制出了具有折射率对比度约为0.02的渐变折射率类型的光纤。在淀积过程中,等离子体发生器的速度曲线作为时间及位置的函数而变化;然而,在实例2中,在基管的左端部,即玻璃生成气体进入的端部,和在基管的右端部,即玻璃生成成分排出的端部,所述曲线都发生了变化。作为淀积过程中的时间和在末端的位置的函数的偏差量与图2所示的速度曲线相对应,在该末端的位置中活性的玻璃生成气体进入中空的基管内部。在图6中简略显示的仅是所述气体离开基管的基管端部处的速度曲线。因此图6显示了淀积过程初始处的速度曲线和淀积过程末尾处的速度曲线,从所述图明显看出:在淀积过程的末尾处速度曲线明显慢于初始处。从标志第二端区域起始点的点E起,谐振器速度作为位置的函数降低,这个变化明显地与图1所示已知的谐振器速度曲线不相同。在位置F,即谐振器的减速点,谐振器的速度在反向点D减至零,这个点D标志第二端区域的端点。因此,在淀积过程的另一个阶段期间,谐振器的速度在第二端区域E-D中甚至进一步降低。在标E-D的右侧反向点处端区域长度等于标示C-D的两个反向点之间距离的1.5%,其中C是左侧反向点(未图示)。应当理解:减速点F位于所述第二端区域E-D中,这个第二端区域大于图1中所示的X-Y区域;换句话说,根据图6所示的曲线,在位置E处,谐振器速度低于根据图1所示的谐振器速度。对如此生产出的预制件进行了数次测量,其中应用与实例1及比较实例1相同的折射率曲线仪沿预制件在不同位置测量了折射率曲线。图7及8简略表示了最大Δ的偏差量及曲线形状参数α,这些图清楚地显示:根据实例2的预制件比根据比较实例1的预制件提供了显著地更好的结果。
实例3
应用上面讨论的PCVD技术生产了预制件,其中所供应的微波能量的功率在掺杂的或非掺杂的活性的玻璃生成气体被引入的基管的端部位置处发生了变化。所使用的等离子体发生器的速度曲线和图1显示的速度曲线相对应。图9简略地显示所供应的微波能量的功率,所述功率是等离子体发生器位置的函数;在淀积过程的初始,所供应的功率在位置A左侧区域中被减至比位置A右侧区域中的名义值低5%的数值。在淀积过程中,所供应的微波能量的功率值被调节,同时根据等离子体发生器的位置,所述功率逐渐增大至比淀积过程末尾处的名义值大5%的数值。很明显,当应用了这样一种方法时,与比较实例1即其中既没有作为时间函数也没有作为位置函数对等离子体功率实施调节的实施例所描述的方法相比可减小光学锥度。
实例4
应用以上描述的PCVD技术生产出了具有约0.02折射率对比度的渐变折射率类型的光纤的预制件,其中,取代实例3中的功率值,在淀积工艺过程中改变的是:各活性的玻璃生成气体之间的比例,特别是GeCl4与SiCl4的供应量之间的比例。所述两种气体之间比例方面的变化简略地显示于图10中。在所述图10中,显示了5条线,它们代表:淀积过程初始,t=0时的气体成分;在20%淀积周期之后,t=0.2时的气体成分;在40%淀积周期之后,t=0.4时的气体成分;至淀积周期末尾,t=1时的气体成分。在玻璃层的淀积期间,等离子体所在位置处的气体成分在基管的大部分上被保持在恒定的水平上。在端区域中,等离子体位置处的气体成分与基管其余部分处的不同。在端区域中,气体成分的差异不会发生在淀积过程初始,t=0或淀积过程末尾,t=1之时。在这些所述时刻之间,在端区域中的气体成分有变化,致使所述端区域中α值的变化被减至最小。
根据各图,通过应用本发明可减小几何锥度。此外,明显的是,可生产出长度100cm的对于曲线形状参数α平均值的偏差量保持不超过±0.02的预制件。除此之外,折射率对比度的偏差量在大于100cm长度上被减至不超过±1.5%。如此制出的预制件随后被抽制成光纤,所述光纤的芯直径约为62.5μm和折射率对比度约为0.02,这之后可制出长度至少10km的光纤,其中在光纤全长上,α值的偏差量不超过±0.01。这个结果表明:获得了在光纤全长上接近恒定的带宽。相应的结果是获得了具有芯直径约为50μm及折射率比差约为0.01的渐变折射率类型的预制件及光纤。

Claims (22)

1.一种制造光纤的方法,所述方法包括以下步骤:
i)提供中空的基管,
ii)使掺杂的或未掺杂的活性的玻璃生成气体穿过中空的基管的内部,
iii)在中空的基管的内部创造这样的条件:使在中空的基管的内部上发生玻璃层的淀积,其中非等温等离子体沿基管在两个反向点之间往返移动,其中等离子体的移动速度从每个减速点向每个反向点减小至零,
iv)塌缩如此获得的基管以制成实心的预制件,和
v)从所述实心的预制件抽制光纤;其中:
在步骤iii)中,等离子体沿中空的基管移动的速度在邻接反向点的第一端区域中,作为淀积过程的时间的函数和作为在第一端区域中的位置的函数发生变化,这个变化标志着第一端区域的起始点,其中第一端区域的端点与反向点重合,起始点的位置比减速点更远离反向点,所述第一端区域的长度足够用来减小预制件的锥度,和
对于每个连续的玻璃层改变速度曲线,在该速度曲线上,等离子体沿中空的基管移动。
2.根据权利要求1的方法,其特征在于:在步骤iii)开始处,等离子体在第一端区域中沿中空的基管移动的速度在所有位置上比等离子体在所述端区域外沿中空的基管移动的速度低;在步骤iii)的末尾,速度值达到高于等离子体在第一端区域外沿中空的基管移动的速度。
3.根据权利要求2的方法,其特征在于:在淀积步骤iii)期间,等离子体在第一端区域中的速度线性地增大。
4.根据权利要求3的方法,其特征在于:在淀积步骤iii)期间,等离子体在第一端区域中的速度增大至在所有位置上都大于等离子体在所述端区域外沿中空的基管移动的速度。
5.根据前述各权利要求1-4中任一项的方法,其特征在于:所述第一端区域位于中空的基管的端部,根据步骤ii)在所述端部处供应活性的玻璃生成气体。
6.根据权利要求1的方法,其特征在于:在步骤iii)期间,等离子体在邻接反向点的第二端区域中沿中空的基管移动的速度,作为淀积过程的时间的函数和作为在第二端区域中的位置的函数发生变化,这个变化标志着第二端区域的起始点,同时第二端区域的端点与反向点重合,而起始点的位置比减速点更远离反向点,为了减小预制件的端部锥度,这个第二端区域足够长。
7.根据权利要求6的方法,其特征在于:等离子体在第二端区域中沿中空的基管移动的速度在步骤iii)初始的所有位置上低于等离子体在所述端区域外沿中空的基管移动的速度,这个速度在步骤iii)末尾被进一步减小。
8.根据权利要求7的方法,其特征在于:第二端区域位于中空的基管的端部,根据步骤ii)活性的玻璃生成气体在所述端部处排出。
9.根据权利要求6-8中任一项的方法,其特征在于:等离子体的速度在步骤iii)期间在第二端区域中随时间线性地减小。
10.根据权利要求1的方法,其特征在于:位于两个反向点之间的第一端区域的长度为中空的基管总长度的5-35%
11.根据权利要求6的方法,其特征在于:第二端区域的长度包括在两个反向点之间的中空的基管总长度的1-10%
12.一种制造光纤的方法,所述方法包括以下步骤:
i)提供中空的基管,
ii)使掺杂的或未掺杂的活性的玻璃生成气体穿过中空的基管的内部,
iii)在中空的基管的内部进行玻璃层的淀积,其中非等温等离子体沿基管在两个反向点之间往返移动,等离子体的移动速度从减速点向每个反向点减小至零,
iv)塌缩如此获得的基管以制成实心的预制件,和
v)从所述实心的预制件抽制光纤;其特征在于:
在步骤iii)中,等离子体的功率和等离子体在两个反向点之间沿中空的基管移动的速度基本保持恒定值,同时等离子体功率作为时间的函数在邻接反向点的端区域中发生变化,所述变化标志着端区域的起始点,所述等离子体功率低于步骤iii)初始处所述端区域外的等离子体功率,并且在淀积过程期间作为时间的函数逐渐增大至具有一数值的等离子体功率,在步骤iii)末尾处,在端区域中所述数值高于在所述端区域外的区域中的等离子体功率,和
对于每个连续的玻璃层改变速度曲线,在该速度曲线上,等离子体沿中空的基管移动。
13.根据权利要求12的方法,其特征在于:在端区域中的等离子体功率比在步骤iii)初始处,在所述端区域外的等离子体功率低至少2%,比在步骤iii)末尾,在所述端区域外的区域中的等离子体功率高至少2%。
14.根据权利要求12的方法,其特征在于:所述端区域位于中空的基管的端部,根据步骤ii)在所述端部处供应活性的玻璃生成气体。
15.一种制造光纤的方法,所述方法包括以下步骤:
i)提供中空的基管,
ii)使掺杂的或未掺杂的活性的玻璃生成气体穿过中空的基管的内部,
iii)在中空的基管的内部上进行玻璃层的淀积,其中非等温等离子体在两个反向点之间沿基管往返移动,等离子体的移动速度从每个减速点向每个反向点减小至零,
iv)塌缩如此获得的基管以制成实心的预制件,和
v)从所述实心的预制件抽制光纤;其特征在于:
根据步骤iii),所供应量的活性的玻璃生成气体在等离子体通过两个反向点之间的期间基本保持恒定值,同时在淀积过程期间活性的玻璃生成气体的成分在邻接反向点的端区域中作为时间的函数而变化,这个变化是所述端区域起始点的标志,和
对于每个连续的玻璃层改变速度曲线,在该速度曲线上,等离子体沿中空的基管移动。
16.一种制造光纤的方法,所述方法包括以下步骤:
i)提供中空的基管,
ii)使掺杂的或未掺杂的活性的玻璃生成气体穿过中空的基管的内部,
iii)在中空的基管的内部上进行玻璃层的淀积,其中非等温等离子体在两个反向点之间沿基管往返移动,其中等离子体的移动速度从每个减速点向每个反向点减小至零,
iv)塌缩如此获得的基管以制成实心的预制件,和
v)从所述实心的预制件抽制光纤;其特征在于:
在两个反向点之间沿中空基管移动的等离子体的速度基本保持恒定值,同时在中空的基管中的压力作为时间的函数在邻接反向点的端区域中发生变化,这个变化标志着所述端区域的起始点,和
对于每个连续的玻璃层改变速度曲线,在该速度曲线上,等离子体沿中空的基管移动。
17.用于制造光纤的预制件,其特征在于:测量至少60cm长的预制件,折射率对比度的变化量不超过绝对值2%。
18.根据权利要求17的用于制造光纤的预制件,其特征在于:测量至少60cm长的预制件,折射率对比度的变化量不超过绝对值1.5%。
19.用于制造光纤的预制件,其特征在于:测量至少80cm长的预制件,对曲线参数α平均值的偏差量不超过绝对值0.03。
20.根据权利要求19的用于制造光纤的预制件,其特征在于:测量至少80cm长的预制件,对曲线参数α平均值的偏差量不超过绝对值0.015。
21.一种光纤,其特征在于:曲线形状参数α平均值的偏差量最大为0.03。
22.根据权利要求21的光纤,其特征在于:对于长度至少为10km的光纤,曲线形状参数α平均值的偏差量最大为0.015。
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