NL1034058C2

NL1034058C2 - Werkwijze voor het vervaardigen van een voorvorm alsmede werkwijze voor het uit een dergelijke voorvorm vervaardigen van optische vezels.

Info

Publication number: NL1034058C2
Application number: NL1034058A
Authority: NL
Inventors: Johannes Antoon Hartsuiker; Igor Milicevic; Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen; Rob Hubertus Matheus Deckers; Marco Korsten
Original assignee: Draka Comteq Bv
Priority date: 2007-06-29
Filing date: 2007-06-29
Publication date: 2008-12-30
Also published as: US20090003787A1; EP2008979B1; CN101333068B; DE602008002482D1; EP2008979A1; ATE481366T1; CN101333068A

Description

Korte aanduiding: Werkwijze voor het vervaardigen van een voorvorm alsmede werkwijze voor het uit een dergelijke voorvorm vervaardigen van optische vezels.

5 BESCHRIJVING

De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van een voorvorm voor optische vezels onder toepassing van een dampdepositieproces, welke werkwijze de volgende stappen omvat: i) het verschaffen van een holle glazen substraatbuis voorzien van 10 een toevoerzijde en een afvoerzijde, ii) het aan het inwendige van de holle substraatbuis, via de toevoerzijde daarvan, toevoeren van al of niet gedoteerde, glasvormende gassen, iii) het in het inwendige van de holle substraatbuis creëren van temperatuur- en plasma-omstandlgheden om depositie van glaslagen aan de 15 binnenzijde van de holle substraatbuis tot stand te brengen, welke depositie is te beschouwen als een aantal afzonderlijke fases, waarbij elke fase een begin- en eindbrekingsindexwaarde bezit en de depositie van een aantal glaslagen omvat, waarbij het plasma over de longitudinale as van de holle substraatbuis heen en weer wordt bewogen tussen een omkeerpunt nabij de toevoerzijde en een omkeerpunt 20 nabij de afvoerzijde van de holle substraatbuis, en eventueel iv) het consolideren van de substraatbuis verkregen na stap iii) tot de voorvorm.

Verder heeft de onderhavige uitvinding betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van optische vezels waarbij een voorvorm aan een uiteinde 25 wordt verhit en waaruit vervolgens de optische vezel wordt getrokken, alsmede betrekking op een voorvorm.

Een dergelijke werkwijze is op zich bekend uit het Nederlands octrooi NL 1 023 438 ten name van de onderhavige aanvrager.

Uit de Britse octrooipublicatie GB 2 118 165 is een methode voor 30 het vervaardigen van een voorvorm voor een optische vezel bekend, waarbij de snelheid van de axiaal langs de substraatbuis verplaatsende warmtebron voldoet aan een bepaalde wiskundige vergelijking, waarbij de snelheid een functie van de positie van de warmtebron langs de substraatbuis is zodat de totale depositiedikte van de glaslagen over de lengte van de buis nagenoeg constant zou zijn.

1034058 2

Uit het ten name van de onderhavige aanvragers verleende Amerikaanse octrooischrift 5.188.648 is een werkwijze ter vervaardiging van een voorvorm van optische vezels bekend, waarbij iedere keer wanneer het plasma het omkeerpunt in de buurt van het gasinlaatpunt van de substraatbuis bereikt, de 5 beweging van het plasma wordt onderbroken terwijl de glasdepositie zich voortzet, waarbij de periode waarin de plasmabeweging wordt onderbroken ten minste 0,1 seconde bedraagt.

Onder toepassing van de onderhavige uitvinding worden voorvormen voor optische vezels onder toepassing van een inwendige chemische 10 dampdepositietechniek (CVD) gevormd, in het bijzonder plasma chemische dampdepositie (PCVD) waarbij aan de binnenzijde van een holle substraatbuis al of niet van doteringen voorziene, reactieve glasvormende gassen in reactie worden gebracht waardoor op de binnenzijde van de holle substraatbuis een of meer glaslagen worden afgezet. Dergelijke reactieve gassen worden aan één zijde, te 15 weten de toevoerzijde, van de substraatbuis toegevoerd en vormen ten gevolge van bijzondere procesomstandigheden glaslagen op het inwendige van de substraatbuis. Voor de vorming van de glaslagen wordt een energiebron over de lengte van de substraatbuis heen en weer bewogen. De energiebron, in het bijzonder een piasmagenerator, voert hoogfrequente energie toe waardoor een 20 plasma in het inwendige van de substraatbuis wordt opgewekt, onder welke plasma-omstandigheden de reactieve glasvormende gassen zullen reageren (de plasma-CVD-techniek). Het is echter ook mogelijk dat de energie door middel van warmte, in het bijzonder door branders, aan de buitenzijde van de substraatbuis of via een oven, die de substraatbuis omringt, wordt toegevoerd. Deze hiervoor genoemde 25 technieken hebben als overeenkomst dat de energiebron ten opzichte van de substraatbuis heen en weer wordt bewogen.

Tijdens het hiervoor genoemde depositieproces, waarbij aan de binnenzijde van een holle substraatbuis een of meer glaslagen worden afgezet, zullen dergelijke glaslagen in het algemeen verschillende eigenschappen bezitten. 30 In het bijzonder kan het verschil tussen de depositie van de ene fase en de depositie van de andere fase worden waargenomen door een verschil van de brekingsindexwaarde tussen beide fases. Echter, er hoeft niet in alle situaties sprake te zijn van een verschil in brekingsindexwaarde. Het is namelijk ook mogelijk gebleken om een aantal verschillende glassoorten op het inwendige van de 3 substraatbuis af te zetten, waarbij een variërend mengsel van germanium en fluor wordt toegepast, welke verschillende glaslagen toch exact dezelfde brekingsindex-waarden kunnen bezitten.

Nadat de depositie is voltooid, wordt een aldus verkregen holle 5 substraatbuis geconsolideerd om een voorvorm te verkrijgen. Een primaire voorvorm, die gebruikelijk een uitwendige diameter van zo’n 2 tot 4 cm bezit, wordt in een extra processtap nog van een aanvullende laag glas voorzien. Voor single mode voorvormen bedraagt de uitwendige diameter uiteindelijk ongeveer 8-12 cm, voor multimode voorvormen ongeveer 3-6 cm, waarna uit een dergelijke voorvorm 10 een glasvezel wordt verkregen. De onderhavige uitvinders hebben gevonden dat tijdens een dergelijk contractieproces gasbellen op het grensvlak kunnen worden gevormd, welk grensvlak zich bevindt tussen twee verschillende depositiefases. Dergelijke gasbellen bezitten een nadelige invloed op de kwaliteit van de aldus verkregen massieve voorvorm, waarbij met name moet worden gedacht aan 15 lagensprong en propagatie van scheuren over de longitudinale as van de voorvorm tijdens het consolideren. Een massieve voorvorm waarin zich gasbellen bevinden is in principe niet geschikt voor het daaruit vervaardigen van optische vezels.

Voornoemde problemen worden door de onderhavige uitvinders met name waargenomen wanneer in de voorvorm de verandering van de 20 glassamenstelling tussen twee aangrenzende gebieden significant is, in het bijzonder wanneer het gehalte dotering ten minste 5 gew.%, in het bijzonder ten minste 10 gew.% verschilt. Met name worden bij germanium spanningen in de aangrenzende gebieden opgebouwd.

Het doel van de onderhavige uitvinding is aldus het verschaffen van 25 een werkwijze voor het vervaardigen van een voorvorm voor optische vezels waarbij de vorming van gasbellen tussen de verschillende fases op het inwendige van de substraatbuis zoveel mogelijk wordt voorkomen.

Een ander doel van de onderhavige uitvinding is het verschaffen van een holle substraatbuis, voorzien van een of meer depositielagen, welke holle 30 substraatbuis tijdens het consolidatieproces het vormen van bellen tussen de afzonderlijke depositiefases tot een minimum beperkt.

De uitvinding zoals vermeld in de aanhef wordt gekenmerkt doordat in stap iii) tussen de depositie van de ene fase en de andere fase een overgangsdepositie wordt uitgevoerd, welke overgangsdepositie omvat het 4 geleidelijk veranderen van de procesparameters van de ene fase in de procesparameters van de andere fase.

Onder toepassing van een dergelijke maatregel wordt aan een of meer doelstellingen van de onderhavige uitvinding voldaan. De onderhavige 5 uitvinders hebben aldus geconstateerd dat het introduceren van zogenaamde overgangsdepositiegebieden of transitieregio’s tussen twee opeenvolgende depositiefases tot gevolg heeft dat de vorming van de gasbellen, tijdens de consolidatiestap iv), tot een minimum is beperkt. Onder de term "depositiefase” dient de afzetting van een aantal glaslagen te worden verstaan, waarbij, in de 10 uitvoeringsvorm van een single mode voorvorm, de brekingsindexwaarde van een dergelijke fase aan het begin en het einde daarvan nagenoeg constant is.

Het verdient met name de voorkeur dat voornoemde overgangs-depositie wordt toegepast bij twee opeenvolgende, naast elkaar in de holle substraatbuis, gerangschikte depositiefases, in het bijzonder wanneer de 15 aangrenzende glaslagen significant verschillende brekingsindexwaarden bezitten.

Aldus is de onderhavige uitvinding niet beperkt tot de uitvoeringsvorm waarbij tussen elke fase van stap iii) een overgangsdepositie moet worden ingelast, maar dat ook een dergelijke overgangsdepositie tussen een bepaalde depositiefase kan worden weggelaten.

20 In de fase van de overgangsdepositie, waarbij volgens de onderhavige uitvinding de procesparameters van de ene fase geleidelijk worden veranderd in de procesparameters van de andere fase, vindt het aanpassen van de procesparameters plaats gedurende een bepaald tijdsinterval, welk tijdsinterval relatief kort is ten opzichte van de fases waarbij glaslagen worden afgezet die een 25 bepaalde brekingsindexwaarde bezitten.

Tot voornoemde procesparameters behoren de hoeveelheid glasvormende gassen, de hoeveelheid doteermiddelen, de samenstelling van de glasvormende gassen, de samenstelling van de doteermiddelen, de snelheid waarmee het plasma over de longitudinale as van de holle substraatbuis tussen het 30 omkeerpunt nabij de toevoerzijde en het omkeerpunt nabij de afvoerzijde wordt bewogen, het toegepaste plasmavermogen, de druk in de holle substraatbuis en het temperatuurprofiel over de holle substraatbuis.

In de onderhavige uitvinding is het met name gewenst dat in de overgangsdepositiefase de procesparameters van de ene fase volgens een lineair 5 patroon worden veranderd in de procesparameters van de andere fase.

In een bijzondere uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding omvat het in de overgangsdepositie veranderen van de procesparameters van de ene fase in de procesparameters van de andere fase met name het variëren van het 5 gehalte doteermiddelen in de aan de toevoerzijde van de holle substraatbuis toegevoerde, glasvormende gassen. De overige, hiervoor genoemde procesparameters kunnen voor de fase voorafgaand aan de overgangsdepositie gelijk zijn aan de fase die aansluit aan de desbetreffende overgangsdepositie.

De onderhavige uitvinding ziet er met name op toe dat gedurende 10 stap iii) een overgangsdepositie wordt ingelast tussen de ene depositiefase en de andere depositiefase, waarbij de tijdsduur waarin de overgangsdepositie plaatsvindt aanzienlijk geringer is dan de tijdsduur van voornoemde ene en andere depositiefase. In het bijzonder wordt de overgangsdepositie toegepast voor het afzetten van ten minste 10 en ten hoogste 200 lagen, bij voorkeur ten minste 30 en 15 ten hoogste 150 lagen, in het bijzonder ten minste 40 en ten hoogste 120 lagen. In het bijzonder wordt de overgangsdepositie gedurende een zodanige tijdsperiode uitgevoerd dat het uiteindelijke brekingsindexprofiel slechts zodanig is aangepast dat de uiteindelijke optische eigenschappen van de optische vezel, verkregen uit een aldus vervaardigde voorvorm, niet door een dergelijk, enigszins aangepast 20 brekingsindexprofiel, welk profiel wordt gekarakteriseerd door de aanwezigheid van een of meer overgangsgebieden tussen de afzonderlijke depositiefases, negatief worden beïnvloed.

De onderhavige uitvinding heeft verder betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van optische vezel, waarbij een optische voorvorm aan een 25 uiteinde wordt verhit en waarbij uit het aldus verwarmde uiteinde een optische vezel wordt getrokken, gekenmerkt doordat een voorvorm, zoals hiervoor beschreven, wordt toegepast.

De onderhavige uitvinding heeft verder betrekking op een voorvorm voor het vervaardigen van optische vezels door een uiteinde van de voorvorm te 30 verhitten en uit het aldus verwarmde uiteinde een optische vezel te trekken, welke voorvorm over de radiale as daarvan een brekingsindexprofiel bezit, waarbij de voorvorm wordt gekenmerkt doordat het brekingsindexprofiel een aantal afzonderlijke fases omvat, waarbij elke fase een begin- en een eindbrekings-indexwaarde bezit en een aantal glaslagen omvat, waarbij zich tussen de ene fase 6 en de andere, opvolgende fase, waarbij de brekingsindexwaarde van de ene fase verschilt van de brekingsindexwaarde van de andere fase, een overgangsdepositielaag bevindt, welke overgangsdepositielaag een geleidelijke verandering van de brekingsindexwaarde van de ene fase in de brekingsindex-5 waarde van de andere fase vertoont.

Het is met name gewenst dat in een voorvorm volgens de onderhavige uitvinding de dikte van de een of meer overgangsdepositielagen ligt in het gebied van 0,15-3,5 pm per millimeter, op basis van de uitwendige diameter van de massieve voorvorm. De hierin toegepaste term “massieve voorvorm” is op te 10 vatten als de uiteindelijke voorvorm waaruit de optische vezel wordt getrokken, zoals bijvoorbeeld een voorvorm verkregen na het op het uitwendig oppervlak van een glazen staaf aanbrengen van een aanvullende hoeveelheid glas, bijvoorbeeld via een overcladproces, of een voorvorm verkregen door het plaatsen van een kernstaaf in een mantelbuis.

15 De overgangsdepositielaag volgens de onderhavige uitvinding is op te vatten als een samengestelde laag of schil die een hoeveelheid van ongeveer 10-200 lagen omvat. Voor een single mode voorvorm bedraagt de uitwendige diameter, na eventueel overcladden, ongeveer 120 mm, terwijl een multimode voorvorm een uitwendige diameter van ongeveer 50 mm bezit. De aanwezigheid van een 20 dergelijke overgangsdepositielaag tussen twee glaslagen van verschillende samenstelling zorgt ervoor dat tijdens het contractieproces geen gasbellen op het grensvlak tussen voornoemde glaslagen zullen ontstaan.

De onderhavige uitvinding zal hierna aan de hand van een aantal voorbeelden worden toegelicht, waarbij echter dient te worden opgemerkt dat de 25 onderhavige uitvinding in geen geval tot dergelijke bijzondere voorbeelden is beperkt.

Figuur 1 geeft schematisch het brekingsindexprofiel van een massieve voorvorm weer.

Figuur 2 geeft schematisch het brekingsindexprofiel van een 30 massieve voorvorm volgens de onderhavige uitvinding weer.

Figuur 3 geeft schematisch een brekingsindexprofiel volgens een trapeziumvorm weer.

Ter vergelijking dienend voorbeeld

Een uit kwarts vervaardigde holle substraatbuis werd door middel 7 van een standaard PCVD-proces, zoals bekend is uit het Nederlands octrooi NL 1 023 438, vervaardigd. Een aldus verkregen substraatbuis, waarvan het inwendige is voorzien van een aantal glaslagen, werd aan een consolidatieproces onderworpen ter verkrijging van een massieve voorvorm. In Figuur 1 is schematisch 5 het brekingsindexprofiel van een aldus verkregen voorvorm weergegeven, onder toepassing van een zogenaamde preformanalyzer (PK 2600). De temperatuur van de oven, die de substraatbuis tijdens het depositieproces omringt, in welke oven zich tevens een resonator bevindt, bedroeg 1000 °C. Tijdens het depositieproces werd de resonator over de lengte van de holle substraatbuis heen en weer bewogen 10 tussen een omkeerpunt nabij de toevoerzijde en een omkeerpunt nabij de afvoerzijde van de holle substraatbuis. Het plasmavermogen was constant, waarbij de depositie werd uitgevoerd onder toepassing van een depositiesnelheid van ongeveer 3 g/min, op basis van SiOz. De druk in de holle substraatbuis bedroeg gedurende het depositieproces ongeveer 10 mbar, waarbij de snelheid van de 15 resonator werd ingesteld op een waarde tussen 10 en 30 m/min. De aldus uitgevoerde depositie is op te vatten als een viertal afzonderlijke depositiefases.

Voorbeeld

Eenzelfde substraatbuis als toegepast in het ter vergelijkend dienend voorbeeld werd aan eenzelfde depositieproces onderworpen, behalve dat 20 tussen alle depositiefases steeds een overgangsdepositie werd ingelast. Deze overgangsdeposities worden gekarakteriseerd door het lineair variëren van de procesparameters van de ene fase in de procesparameters van de andere fase. Deze overgangsdeposities omvatten elk ongeveer 100 lagen. De aldus uitgevoerde depositie is op te vatten als een viertal afzonderlijke depositiefases (Fase 1, Fase 3, 25 Fase 5 en Fase 7), elk gescheiden door een overgangsfase (Fase 2, Fase 4 en Fase 6). In de bijgevoegde Tabel is het totale depositieproces schematisch weergegeven, waarbij een viertal depositiefases steeds wordt gescheiden door een overgangsfase. In depositiefase 1 werden gedurende een periode van ongeveer 147 minuten 2090 lagen afgezet, welke Fase 1 werd opgevolgd door een overgangsfase, 30 in het bijzonder Fase 2, waarbij het debiet van GeCI4 gedurende 7 minuten werd verhoogd van 0 naar 5, terwijl in dezelfde periode de hoeveelheid C2F6 werd verlaagd van 74 naar 28. De overige gassnelheden, te weten SiCI4 en 02, werden gedurende de overgangsfase op een constante waarde gehandhaafd. Na voornoemde overgangsfase werd een depositiefase 3 aangevangen, waarbij 8 gedurende een periode van ongeveer 149 minuten een hoeveelheid van 2000 lagen werd afgezet. Na het voltooien van Fase 3 werd een overgangsfase, in het bijzonder Fase 4, aangevangen, waarbij alleen het zuurstofdebiet constant werd gehouden en de overige gassen gedurende 7 minuten werden aangepast. Na het beëindigen van 5 Fase 4 werd depositiefase 5 aangevangen, gedurende welke Fase 5 in een periode van ongeveer 182 minuten 2520 lagen werden afgezet. Aansluitend aan depositiefase 5 werd een overgangsfase, in het bijzonder Fase 6, aangevangen, waarbij ditmaal alle gassnelheden werden aangepast, welke overgangsfase een periode van 4 minuten in beslag nam. Tenslotte werd een afsluitende depositiefase 10 7 uitgevoerd, waarbij gedurende ongeveer 49 minuten 790 lagen werden afgezet, gedurende welke periode ook de oventemperatuur werd verlaagd. Het verdient met name de voorkeur dat de in de overgangsfase toegepaste wijziging van procesomstandigheden lineair plaatsvindt. Na het uitvoeren van voornoemd PCVD-proces werd de aldus verkregen substraatbuis geconsolideerd tot een massieve 15 voorvorm. In Figuur 2 is volgens schematische wijze het brekingsindexprofiel van de aldus vervaardigde voorvorm (single mode) weergegeven, onder toepassing van een zogenaamde preformanalyzer (PK 2600). De procesdruk en het plasmavermogen waren gedurende het gehele depositieproces constant.

De voorvorm, vervaardigd volgens het ter vergelijking dienend 20 voorbeeld, vertoonde tijdens de consolidatiehandeling de vorming van gasbellen tussen een aantal depositiefases, terwijl de voorvorm, vervaardigd volgens het onderhavige voorbeeld, tijdens het consolidatieproces geen vorming van gasbellen op de grensvlakken tussen de verschillende depositiefases vertoonde, welk resultaat volgens de onderhavige uitvinders wordt toegeschreven aan de 25 aanwezigheid van een zogenaamde overgangsdepositie tussen de ene fase en de andere fase.

Opgemerkt dient te worden dat de onderhavige overgangsdepositie niet mag worden verward met een brekingsindexprofiel zoals weergegeven in Figuur 3, waarbij het centrumdeel 1 een zogenaamde trapeziumvorm bezit, welke 30 trapeziumvorm is beoogd om bijzondere propagatiekarakteristieken te verkrijgen en een aantal glaslagen omvat in de ordegrootte van de hoeveelheid glaslagen toegepast voor het verkrijgen van het claddingdeel, aangeduid met verwijzingscijfer 2. De substraatbuis zelf is aangeduid met verwijzingscijfer 3. De hoeveelheid glaslagen die tijdens de onderhavige overgangsdepositie op het inwendige van de g holle substraatbuis wordt afgezet, is substantieel geringer dan de hoeveelheid glaslagen die tijdens de gehele depositie volgens stap iii) zelf wordt afgezet. Met andere woorden, de tijdsperiode waarin de overgangdepositie wordt uitgevoerd, is substantieel geringer dan de tijdsperiode waarin de depositie zelf geschiedt.

5 10 h- (/) o u;

CO 0)0) T-r-OOOO'-- CD

u_ c co co co cm σ> o co _ C S Έ !£ r-·

3 cn .Et-t-COOO - CD

cn (dccocococmt- cn c ________ CO 5.

U) p· cd r-— w ¥ οι 1^- fC > Ο J) CM N (3) 0 0

Li- O CO'CfjQ CCOTf-T-CO-r- T- in ω 0 h- ., n «Λ CNJ CNJ t'- 1U co m co cnj cnj -r- 0 0 0 LL· CNJ t- C CO -Ίί T- CD T- t- <d cn res Ό

W £ (M CM >- O) O Oc C

CD QCC0tJ--<-cOt- -'-CO TO

C ----------" ~ ^ & c c

CD tf c Ο O

ω o cn Ο O

res > O (Dcoco-r- 00 O

Ί5 u.O T-r^-xjcco-^-incMT- τ- ro — (DO n- s ; cn 0 <D h- girej 0 nj- co cot- co 0 ro,u_ cnj t c co in cni τ- τα» .

w Ό CD c- >*- .Ξ co co τ- co 0 20 ο, ω c co nj- in cnj t- <- c -------- CNJ J5, UJ (~ ω )- .£ h- cn a; 0 cn h- cd> 0 cd-u-co·»- 0 U-Ο N- -Q C CO Nj- O -r- τ ι ω o η- cn cn h- t*- nr. res 0 nj- co T- 0 25 ll. cnj t— cco^or^-r- ·>- /J) 13

JO

KJ CO .— in 5 <-> CO c 30 ^ ΊΞ

„ r—1 CD 3 CD

IE v ^ c =! cn X 2 ro n be ro 0

a5 E

fc g5- ω

ωΕ rö I ,Ξ E ί ^ ! 1 § ? K E

eg gs. ! 0 ^ I h o ! ^

CL o. <1- COCOOüOQrwJo-OCL^Q-zE

1034058

Claims

1. Werkwijze voor het vervaardigen van een voorvorm voor optische vezels onder toepassing van een dampdepositieproces, welke werkwijze de 5 volgende stappen omvat: i) het verschaffen van een holle glazen substraatbuis voorzien van een toevoerzijde en een afvoerzijde, ii) het aan het inwendige van de holle substraatbuis, via de toevoerzijde daarvan, toevoeren van al of niet gedoteerde, glasvormende gassen, 10 iii) het in het inwendige van de holle substraatbuis creëren van temperatuur- en plasma-omstandigheden om depositie van glaslagen aan de binnenzijde van de holle substraatbuis onder dergelijke procesparameters tot stand te brengen, welke depositie is te beschouwen als een aantal afzonderlijke fases, waarbij elke fase een begin- en eindbrekingsindexwaarde bezit en aan de 15 binnenzijde van de holle substraatbuis het afzetten van een aantal glaslagen omvat, waarbij het plasma over de longitudinale as van de holle substraatbuis heen en weer wordt bewogen tussen een omkeerpunt nabij de toevoerzijde en een omkeerpunt nabij de afvoerzijde van de holle substraatbuis, en eventueel iv) het consolideren van de substraatbuis verkregen na stap iii) tot 20 de voorvorm, met het kenmerk, dat in stap iii) tussen de depositie van de ene fase en de andere fase een overgangsdepositie wordt uitgevoerd, welke overgangsdepositie omvat het geleidelijk veranderen van de procesparameters van de ene fase in de procesparameters van de andere fase.

2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de 25 overgangsdepositie twee opvolgende, naast elkaar in het inwendige van de holle substraatbuis gerangschikte, depositiefases omvat.

3. Werkwijze volgens een of meer van de voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat de procesparameters worden gekozen uit de groep van toegevoerde hoeveelheid al of niet gedoteerde, glasvormende gassen, 30 samenstelling van al of niet gedoteerde, glasvormende gassen, verplaatsings-snelheid van het plasma, toegepast plasmavermogen, heersende druk in het inwendige van de holle substraatbuis en temperatuurprofiel over de holle substraatbuis.

4. Werkwijze volgens een of meer van de voorafgaande conclusies, 1034058 met het kenmerk, dat gedurende de overgangsdepositie de procesparameters van de ene fase lineair in de procesparameters van de andere fase worden veranderd.

5. Werkwijze volgens een of meer van de voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat gedurende de overgangsdepositie ten minste 10 lagen en ten 5 hoogste 200 lagen op het inwendige van de holle substraatbuis worden afgezet.

6. Werkwijze volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat gedurende de overgangsfase ten minste 30 lagen en ten hoogste 150 lagen op het inwendige van de holle substraatbuis worden afgezet.

7. Werkwijze volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat gedurende de 10 overgangsfase ten minste 40 lagen en ten hoogste 120 lagen op het inwendige van de substraatbuis worden afgezet.

8. Werkwijze voor het vervaardigen van een optische vezel waarbij een optische voorvorm aan een uiteinde wordt verhit en waaruit vervolgens een optische vezel wordt getrokken, met het kenmerk, dat een voorvorm verkregen 15 volgens een of meer van de conclusies 1 -7 wordt toegepast.

9. Voorvorm voor het vervaardigen van optische vezels door een uiteinde van de voorvorm te verhitten en uit het verwarmde uiteinde een optische vezel te trekken, welke voorvorm over de radiale as daarvan een brekings-indexprofiel bezit, met het kenmerk, dat het brekingsindexprofiel een aantal 20 afzonderlijke fases omvat, waarbij elke fase een begin- en een eindbrekings-indexwaarde bezit en een aantal glaslagen omvat, waarbij zich tussen de ene fase en de opvolgende fase, waarbij de brekingsindexwaarde van de ene fase verschilt van de brekingsindexwaarde van de andere fase, een overgangsdepositielaag bevindt, welke overgangsdepositielaag een geleidelijke verandering van de 25 brekingsindexwaarde van de ene fase in de brekingsindexwaarde van de andere fase vertoont.

10. Voorvorm volgens conclusies 9, met het kenmerk, dat de dikte van de overgangsdepositielaag ligt in het gebied van 0,15-3,5 pm per millimeter, op basis van de uitwendige diameter van de massieve voorvorm.

11. Voorvorm volgens een of meer van de conclusies 9-10, met het kenmerk, dat de overgangsdepositielaag vrij van gasbellen is. 1034058