CN1783442A - 软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程 - Google Patents
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Abstract
本发明是关于一种软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,适用于一卷带自动接合(Tape Automated Bonding,TAB)封装体的制程技术,并包含下列数个步骤。首先,提供一薄膜。接着,藉由一雷射加工于薄膜的表面上,以形成多个开口,其中这些开口包括至少一晶片接触窗口、至少一接合垫开口以及多数个传动孔。之后,形成一金属层于薄膜上,并图案化金属层,以形成多数个引脚而延伸于晶片接触窗口上,以及形成多数个接合垫对应地位于接合垫开口上,以作为供应后续的晶片封装制程所需的承载器。
Description
技术领域
本发明涉及一种承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,特别是涉及一种可折弯(Flexible)的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程。
背景技术
随着科技的进步与生活品质的持续提升,加上3C产业的整合与持续成长,使得集成电路(Integrated circuit,IC)的应用领域越来越广。为了使结构脆弱的集成电路裸晶片(die)能受到有效的保护,并同时使集成电路裸晶片能与外界相互传递讯号,才发展出晶片封装(package)技术。目前已经研发出的晶片封装技术众多,以晶片接合技术来说,常见的晶片接合技术为打线(Wire Bonding,W/B)、覆晶(Flip Chip,F/C)及卷带式自动接合(Tape Automatic Bonding,TAB)等,其中卷带式自动接合技术是将晶片接合于一软片式承载器上,而封装完成后的封装体不但体积小、重量轻,且由于软片本身具有可折弯的特性,故可使得封装体在后续组装上更具有弹性。
请参阅图1A~1F所示,是现有习知的一种软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程。请参阅图1A,首先,先提供一薄膜110与一粘着层120,其中粘着层120是配置于薄膜110上。请参阅图1B,接着,使用一冲压模具(图中未示)对薄膜110与粘着层120进行冲孔(Punch),而产生一晶片接触窗口130、多个预定的接合垫开口132与多个传动孔134。薄膜110及粘着层120是藉由这些传动孔134而配置于一输送带(图中未示)上,并藉由此输送带而带动薄膜110及粘着层120前进。
请参阅图1C,接着,将一金属层140配置于粘着层120上,并藉由粘着层120的粘着性而将金属层140接合于薄膜110上,其中这些预定的接合垫开口132是暴露出局部的金属层140。请参阅图1D,之后,形成多个软性胶材(Flex Coat)150于这些预定的接合垫开口132内,其中这些软性胶材150是用以增加此软片式承载器的折合性。请参阅图1E,然后,蚀刻并图案化金属层140,使得这些预定的接合垫开口132所暴露的金属层140可作为多个接合垫142。请参阅图1F,接着,形成一金属保护层160于裸露的金属层140上,以防止裸露的金属层140接触到外界空气而氧化。之后,进行一成品检测步骤,以确保薄膜110与金属层140的图案的外观良好,而完成现有习知软片式承载器的晶片接触窗口130及接合垫开口132与传动孔134的制作。
值得注意的是,由于现有习知每一批软片式承载器,必须针对不同晶片的尺寸规格与不同的接点位置(皆图中未示)而设计出对应的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔位置,而这些晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔是利用冲压模具对薄膜及粘着层进行冲孔而形成。因此,对于不同晶片的尺寸规格与不同的接点位置设计,则必须特别订做并使用不同规格的冲压模具,然而,制作模具所需耗费的时间、成本却相当地高,如此,在生产少量多样的软片式承载器时,将明显大幅地增加了软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔的制造成本。
由此可见,上述现有的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程仍存在有诸多的缺陷,而亟待加以进一步改进。为了解决软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程存在的问题,相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来一直未见适用的设计被发展完成,而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题,此显然是相关业者急欲解决的问题。
有鉴于上述现有的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程存在的缺陷,本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识,积极加以研究创新,以期创设一种新型的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,能够改进一般现有的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,使其更具有实用性。经过不断的研究、设计,并经反复试作样品及改进后,终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的目的在于,克服现有的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程存在的缺陷,而提供一种新的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,所要解决的技术问题是使其可有效地节省软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔的制造成本,从而更加适于实用,且具有产业上的利用价值。
本发明的另一目的在于,提供一种雷射成孔方法,所要解决的技术问题是使其可有效地节省软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔的制造成本,从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,适用于一卷带自动接合封装体的制程技术,其至少包括如下步骤:提供一薄膜;藉由一雷射而于该薄膜的一表面上形成多数个开口,其中该些开口的至少其中的一是适于暴露出一晶片,并作为该晶片的至少一晶片接触窗口,且部分的该些开口是作为至少一传动孔;以及形成一金属层于该薄膜上,而其他的该些开口是暴露出局部的金属层,并作为该金属层的预定的多数个接合垫的开口。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,在其中所述的提供该薄膜之后,更包括形成一粘着层于该薄膜上,使得该金属层藉由该粘着层而接合于该薄膜上。
前述的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,在其中所述的将该金属层配置于该薄膜上的方法包括一压合制程。
前述的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,在其中所述的形成该金属层于该薄膜上之后,更包括图案化该金属层,其中延伸于该晶片接触窗口上的部分的该金属层是多个引脚,且该些开口所暴露出局部的该金属层为多个接合垫。
前述的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,在其中所述的形成该金属层于该薄膜上之后,更包括形成多数个软性胶材于预定的该些接合垫的开口内。
前述的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,在其中所述的提供一薄膜之后,更包括形成多数个成孔记号于该薄膜上。
前述的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,在其中所述的开口是藉由该雷射贯穿该些成孔记号与该薄膜而形成。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本发明提出的一种雷射成孔方法,适用于将一薄膜穿孔,其至少包括如下步骤:藉由一雷射而于该薄膜的一表面上形成多数个开口,其中该些开口的至少其中的一是适于暴露出一晶片,并作为该晶片的至少一晶片接触窗口,而部分的该些开口是适于暴露出局部的一金属层,并作为该金属层的预定的至少一接合垫开口,且其他的该些开口是作为至少一传动孔。
前述的雷射成孔方法,在其中所述的形成该些开口之前,更包括形成多数个成孔记号于该薄膜上。
前述的雷射成孔方法,在其中所述的开口是藉由该雷射贯穿该些成孔记号与该薄膜而形成。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知,为了达到前述发明目的,本发明的主要技术内容如下:
本发明提出一种软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,适用于一卷带自动接合(Tape Automated Bonding,TAB)封装体的制程技术,此软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程至少包含下列数个步骤。首先,提供一薄膜。接着,藉由一雷射而于此薄膜的表面上形成多个开口,其中这些开口的一是适于暴露出一晶片,并作为此晶片的一晶片接触窗口,且部分的这些开口是作为至少一传动孔。之后,形成一金属层于此薄膜上,而其他的这些开口是暴露出局部的金属层,并作为此金属层的预定的多个接合垫的开口。
依照本发明的较佳实施例所述的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,其中在提供薄膜之后,更包括形成一粘着层于薄膜上,使得金属层可藉由粘着层而接合于薄膜上。
依照本发明的较佳实施例所述的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,其中将金属层配置于薄膜上的方法包括一压合制程。
依照本发明的较佳实施例所述的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,其中在形成金属层于薄膜上之后,更包括图案化金属层,其中延伸于晶片接触窗口上的部分的金属层是多个引脚,且这些开口所暴露出局部的该金属层为多个接合垫。
依照本发明的较佳实施例所述的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,其中在形成金属层于薄膜上之后,更包括形成多个软性胶材于预定的这些接合垫的开口内。
依照本发明的较佳实施例所述的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,其中在提供薄膜之后,更包括形成多个成孔记号于薄膜上,且这些开口是藉由雷射贯穿这些成孔记号与薄膜而形成。
为达本发明的上述目的,本发明另提出一种雷射成孔方法,适用于将一薄膜穿孔,而此雷射成孔方法包括以下的步骤:藉由一雷射而于薄膜的表面上形成多个开口,其中这些开口的一是适于暴露出一晶片,并作为此晶片的一接触窗口,而部分的这些开口是适于暴露出局部的预定的一金属层,并作为金属层的预定的多个接合垫开口,且其他的这些开口是作为多个传动孔。
依照本发明的较佳实施例所述的雷射成孔方法,在形成这些开口之前,更包括形成多个成孔记号于薄膜上,且这些开口是藉由雷射贯穿这些成孔记号与薄膜而形成。
借由上述技术方案,本发明至少具有下列优点:
本发明的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程及其雷射成孔方法因仅藉由雷射就可贯穿薄膜而形成晶片接触窗口、预定的接合垫开口与传动孔。因此,相较于现有习知制程,本发明软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程将毋须制作模具,故可有效地节省制作软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔的成本。
综上所述,本发明特殊结构的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,其具有上述诸多的优点及实用价值,并在同类产品中未见有类似的结构设计公开发表或使用而确属创新,其不论在结构上或功能上皆有较大的改进,在技术上有较大的进步,并产生了好用及实用的效果,且较现有的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程具有增进的多项功效,从而更加适于实用,而具有产业的广泛利用价值,诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1A~1F是现有习知的一种软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程。
图2A~2E是本发明较佳实施例的一种软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程。
图2F是图2E的软片式承载器,其金属保护层形成于图案化的金属层的结构示意图。
图2G是图2F的软片式承载器,其焊罩层(solder mask)形成于部分的金属保护层上的结构示意图。
图2H是图2G的软片式承载器,其金属保护层形成于未被焊罩层覆盖的金属保护层上的结构示意图。
图3是本发明较佳实施例的一种软片式承载器,其具有多个成孔记号于薄膜上的示意图。
110:薄膜 120:粘着层
130:接触窗口 132:接合垫开口
134:传动孔 140:金属层
142:接合垫 150:软性胶材
160:金属保护层 210:薄膜
212:成孔记号 220:粘着层
230:晶片接触窗口 232:接合垫开口
234:传动孔 240:金属层
242:接合垫 244:引脚
250:软性胶材 260:金属保护层
270:焊罩层 280:金属保护层
具体实施方式
以下结合附图及较佳实施例,对依据本发明提出的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程其具体实施方式、结构、特征及其功效,详细说明如后。
请参阅图2A~2E所示,是本发明较佳实施例的一种软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程。本发明软片式承载器是适用于一卷带自动接合(Tape Automated Bonding,TAB)封装体的制程技术。请参阅图2A,首先,先提供一薄膜210,此薄膜210的材质例如为聚乙酰胺(polyimide)等。请继续参阅图2A,接着,将一粘着层220配置于薄膜210上。请参阅图2B,之后,例如使用一雷射而于薄膜210与粘着层220内形成多个开口,其中这些开口是贯穿薄膜210与粘着层220而形成一晶片接触窗口230、多数个预定的接合垫开口232以及多数个传动孔234。晶片接触窗口230是适于暴露出一晶片(图中未示)。这些预定的接合垫开口232是适于暴露出局部的预定的一金属层(图中未示)。薄膜210及粘着层220是可藉由这些传动孔234而配置于一输送带(图中未示)上,并藉由此输送带而带动薄膜210及粘着层220前进。
请参阅图2C所示,然后,形成一金属层240于薄膜210上,此金属层240乃是例如藉由粘着层220而压合(laminate)于薄膜210上,其中金属层240的材质例如为铜箔或其他金属等。请参阅图2D,接着,形成多个软性胶材(Flex Coat)250于这些预定的接合垫开口232内,其中这些软性胶材250的材质包括聚乙酰胺(polyimide),而这些软性胶材250是用以增加此软片式承载器的折合性。请参阅图2E,之后,蚀刻金属层240,使得这些预定的接合垫开口232所暴露的金属层240可作为多个接合垫242。至于蚀刻金属层240的制程步骤例如包括先以一化学研磨(chemical polish)制程而平坦化金属层240的表面,之后,涂布光阻于金属层240上、光阻曝光、显影、涂布胶体并底面覆盖(back coat)于薄膜210上、以浸渍法将金属层240浸泡于蚀刻液中而图案化金属层240及去光阻等多道步骤(皆图中未示),在此便不再赘述。值得一提的是,延伸于晶片接触窗口230上的部分的金属层240为多个引脚244,这些引脚244可与一晶片的多数个凸块(bonding pad)电性连接(图中未示)。然后,例如进行一成品检测步骤,以确保薄膜210与金属层240的图案外观良好,以完成本发明软片式承载器的晶片接触窗口230及接合垫开口232与传动孔234的制作。
至于在制作完成本发明软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔之后之后续制程,更包括下列的步骤。图2F是图2E的软片式承载器,其金属保护层形成于图案化金属层的结构示意图。请参阅图2F,接着,例如以一电镀(plating)制程而形成一金属保护层260于金属层240的图案上,以防止裸露的金属层240接触到外界空气而氧化,其中金属保护层260的材质例如为锡等。图2G是图2F的软片式承载器,其焊罩层(solder mask)形成于部分的金属保护层上的结构示意图。请参阅图2G,接着,例如以一印刷(plating)制程而形成一焊罩层(solder mask)270于部分的金属保护层260上。图2H是图2G的软片式承载器,其金属保护层形成于未被焊罩层覆盖的金属保护层上的结构示意图。请参阅图2H,接着,使用例如一电镀(plating)制程而形成一金属保护层280于未被焊罩层270覆盖的金属保护层260上,其中金属保护层280的材质例如为锡等。之后,进行一成品检测步骤,以确保薄膜210与金属层240的图案外观良好。
请参阅图3所示,是本发明较佳实施例的一种软片式承载器,其具有多个成孔记号于薄膜上的示意图。请参阅图3,值得注意的是,本发明的另一软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,亦可以在提供薄膜210之后,再于薄膜210上形成多个成孔记号212。接着,请参阅图2B,藉由雷射贯穿这些成孔记号212、薄膜210及粘着层220而形成这些开口230、232及234,至于其他步骤则与图2C、2D、2E、2F、2G及2H所代表的步骤相同,故在此便不再赘述。此外,本实施例软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程亦可以一雷射而围绕着这些成孔记号212的周围而于薄膜210上烧灼出这些开口230、232及234,亦包含在本发明的保护的范围内。
值得注意的是,上述的雷射于薄膜210上烧灼出多个开口230、232及234的步骤(如图2B所示),未必要在提供薄膜210(如图2A所示)之后执行,亦可以在图2C、2E、2F、2G或2H的步骤之后才进行,亦包含在本发明的保护的范围内。此外,本发明的软片式承载器未必要藉由粘着层220才可将金属层240接合于薄膜210上。
因此,相较于现有习知软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,本发明软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程及其雷射成孔方法将以一雷射制程就可弹性地于薄膜210上烧灼出接触窗口230及接合垫开口232与传动孔234,而毋须制作多种不同规格的模具,故可大幅地减少制作这些不同规格的模具所需的成本,进而有效地节省制作软片式承载器的晶片接触窗口230及接合垫开口232与传动孔234的成本。
综上所述,由于本发明的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔及其雷射成孔方法因仅藉由一雷射制程就可于薄膜上烧灼出接触窗口、接合垫开口与传动孔,故可符合少量、多样地、弹性地制作软片式承载器的需求,并可大幅地节省现有习知制作软片式承载器的晶片接触窗口、接合垫开口与传动孔所需的模具的成本。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员;在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (10)
1、一种软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,适用于一卷带自动接合封装体的制程技术,其特征在于其至少包括如下步骤:
提供一薄膜;
藉由一雷射而于该薄膜的一表面上形成多数个开口,其中该些开口的至少其中的一是适于暴露出一晶片,并作为该晶片的至少一晶片接触窗口,且部分的该些开口是作为至少一传动孔;以及
形成一金属层于该薄膜上,而其他的该些开口是暴露出局部的金属层,并作为该金属层的预定的多数个接合垫的开口。
2、根据权利要求1所述的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,其特征在于在其中所述的提供该薄膜之后,更包括形成一粘着层于该薄膜上,使得该金属层藉由该粘着层而接合于该薄膜上。
3、根据权利要求1所述的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,其特征在于在其中所述的将该金属层配置于该薄膜上的方法包括一压合制程。
4、根据权利要求1所述的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,其特征在于在其中所述的形成该金属层于该薄膜上之后,更包括图案化该金属层,其中延伸于该晶片接触窗口上的部分的该金属层是多个引脚,且该些开口所暴露出局部的该金属层为多个接合垫。
5、根据权利要求1所述的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,其特征在于在其中所述的形成该金属层于该薄膜上之后,更包括形成多数个软性胶材于预定的该些接合垫的开口内。
6、根据权利要求1所述的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,其特征在于在其中所述的提供一薄膜之后,更包括形成多数个成孔记号于该薄膜上。
7、根据权利要求6所述的软片式承载器的晶片接触窗口及接合垫开口与传动孔制程,其特征在于在其中所述的开口是藉由该雷射贯穿该些成孔记号与该薄膜而形成。
8、一种雷射成孔方法,适用于将一薄膜穿孔,其特征在于其至少包括如下步骤:
藉由一雷射而于该薄膜的一表面上形成多数个开口,其中该些开口的至少其中的一是适于暴露出一晶片,并作为该晶片的至少一晶片接触窗口,而部分的该些开口是适于暴露出局部的一金属层,并作为该金属层的预定的至少一接合垫开口,且其他的该些开口是作为至少一传动孔。
9、根据权利要求8所述的雷射成孔方法,其特征在于在其中所述的形成该些开口之前,更包括形成多数个成孔记号于该薄膜上。
10、根据权利要求9所述的雷射成孔方法,其特征在于在其中所述的开口是藉由该雷射贯穿该些成孔记号与该薄膜而形成。
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CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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