CN1779919A - 晶片分割方法 - Google Patents

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Abstract

一种沿着晶片正面上形成为格子状图案的多条分割线将晶片分割成独立芯片的方法，在被多条分割线划分成的多个区域上形成有功能元件，包括：变质层形成步骤，沿着分割线施加能穿过晶片的激光束，沿着分割线在晶片内部形成变质层；晶片支承步骤，在变质层形成步骤前或后，将晶片一侧放置在一被安装在一环形支架上并通过外部触发而收缩的支承带的表面上；晶片分割步骤，向已经过变质层形成步骤并放置在支承带上的晶片施加外力，将晶片沿着已形成变质层的分割线分割成独立芯片；芯片间隙形成步骤，通过向在环形支架的内周边和支承带上的贴附到已经经过晶片分割步骤的晶片上的区域之间的一收缩区域施加外部触发而使其收缩，扩大相邻芯片之间的间隙。

Description

晶片分割方法
技术领域
本发明涉及一种沿着晶片正面上形成为格子状图案的多条分割线将晶片分割成独立芯片的方法，在被多条分割线划分成的多个区域上形成有功能元件。
背景技术
在半导体器件的制造过程中，通过被称为“道”的分割线划分多个区域，分割线布置在大致盘形半导体晶片的前表面上的格子状图案中，电路例如IC或LSI被形成在每个划分区域中。通过沿着分割线切割半导体晶片将其分割成上面形成有电路的区域而生产独立的半导体芯片。包括层压在蓝宝石基板(sapphire substrate)前表面上的氮化镓化合物半导体的光学器件晶片也沿着预置的分割线切割成独立的光学器件，例如发光二极管或激光二极管，它们广泛用于电子设备中。
沿着分割线切割上述半导体晶片或光学器件晶片通常是利用被称为“割片机(dicer)”的切割机进行的。这种切割机包括用于支承工件例如半导体晶片或光学器件晶片的大块工作台，用于切割被支承在大块工作台上的工件的切割装置，以及用于使大块工作台和工件彼此相对运动的切割进给装置。该切割装置包括旋转芯轴，安装在所述芯轴上的切割刀片以及旋转驱动该旋转芯轴的驱动机构。该切割刀片包括盘形基座和安装在该基座的侧壁外周部上的环形切割刃，所述环形切割刃通过将直径大约为3μm的金刚石磨粒利用电成型(electroforming)固定到该基座上而形成大约为20μm的厚度。
由于蓝宝石基板、碳化硅基板等具有高的莫氏硬度，因此利用上述切割刀片切割不是很容易。另外，由于切割刀片厚度大约为20μm，划分器件的分割线必须具有大约50μm的宽度。因此，在尺寸为300μm×300μm的装置中，这些“道”占晶片的面积比率为14％，这样就存在生产率降低的问题。
同时，作为分割片状工件，例如半导体晶片的一种手段，目前希望使用一种激光加工方法，该方法施加能够穿过工件的脉冲激光束，其焦点设置在将要被分割的区域内部，其在日本专利3408805中被公开。在利用这种激光加工技术的分割方法中，通过施加能穿过工件的红外区域的脉冲激光束，其焦点设置在内部，从工件的一侧沿分割线在工件的内部连续形成变质层，并沿分割线施加外力(其强度已经由于形成变质层而减小)而将工件分割。
作为通过沿着晶片的分割线施加外力而将具有沿着分割线连续形成有变质层的晶片分割成独立芯片的一种装置，本申请的申请人在JP-A2005-129607中提出了一种沿着已形成变质层的分割线将晶片分割成独立芯片的技术，其是通过拉伸晶片被贴附在其上的支承带而给予晶片拉伸力而实现的。
但是，在通过拉伸被贴附在晶片上的支承带而给予晶片拉伸力的方法中，其中晶片沿着分割线的强度已经减弱，当通过拉伸支承带而将晶片分割成独立芯片之后拉伸力被释放时，会产生这样的问题，即被拉伸的支承带收缩，使得芯片在传送过程中彼此接触，这样会损坏芯片。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种沿着晶片正面上形成为格子状图案的多条分割线将晶片分割成独立芯片的方法，所述被独立分割的芯片彼此之间保持一预定间隙。
为实现上述目的，本发明提供一种沿着晶片正面上形成为格子状图案的多条分割线将晶片分割成独立芯片的方法，在被多条分割线划分成的多个区域上形成有功能元件，所述方法包括：
变质层形成步骤，用于沿着分割线施加能够穿过晶片的激光束，从而沿着分割线在晶片内部形成变质层；
晶片支承步骤，用于在所述变质层形成步骤之前或之后，将晶片的一侧放置在一个被安装在一环形支架上并通过外部触发而收缩的支承带的表面上；
晶片分割步骤，用于向已经经过变质层形成步骤并被放置在所述支承带上的晶片施加外力，从而将晶片沿着已经形成变质层的分割线分割成独立的芯片；以及
芯片间隙形成步骤，通过向一收缩区域施加外部触发而使所述收缩区域收缩，从而扩大相邻芯片之间的间隙，所述收缩区域在所述环形支架的内周边和所述支承带上的贴附到已经经过所述晶片分割步骤的所述晶片上的区域之间。
由于根据本发明的晶片分割方法包括芯片间隙形成步骤，其通过向所述支承带的一收缩区域施加外部触发而使所述收缩区域收缩，从而扩大相邻芯片之间的间隙，所述收缩区域在所述环形支架的内周边和所述支承带上的贴附到所述晶片上的区域之间，所述晶片已经被沿着已形成变质层的分割线分割。因此，独立分割的半导体芯片不会彼此接触，从而可以避免在输送等过程中由于接触而损坏半导体芯片。
附图说明
图1是将要通过本发明的晶片分割方法分割的半导体晶片的透视图；
图2是在本发明的晶片分割方法中执行变质层形成步骤的激光束加工机的主要部分的透视图；
图3是一方框图，示出图2所示的激光束加工机中的激光束施加装置的构成；
图4是说明脉冲激光束的焦点直径的示意图；
图5(a)和图5(b)是在本发明的晶片分割方法中的变质层形成步骤的示意图；
图6是在图5(a)和图5(b)所示的变质层形成步骤中在晶片内部形成多个变质层的状态的示意图；
图7是显示已经经过变质层形成步骤的半导体晶片被放置在一个被贴附于一环形支架上的支承带的表面上的状态的透视图；
图8是在本发明的晶片分割方法中执行晶片分割步骤的分割装置的透视图；
图9是图8所示的分割装置的剖视图；
图10(a)和图10(b)是显示本发明的晶片分割方法中的晶片分割步骤的示意图；
图11(a)和图11(b)是显示本发明的晶片分割方法中的芯片间隔形成步骤的示意图；
图12是显示本发明的晶片分割方法中的晶片分割步骤的另一实施例的示意图；
图13是显示本发明的晶片分割方法中的芯片间隔形成步骤的另一实施例的示意图；
图14是显示本发明的晶片分割方法中的晶片分割步骤的又一
实施例的示意图；
图15是显示本发明的晶片分割方法中的芯片间隔形成步骤的又一实施例的示意图。
具体实施方式
下面参照附图描述本发明的晶片分割方法的优选实施例。
图1是根据本发明将要被分割成独立芯片的半导体晶片的透视图。图1所示的半导体晶片10例如是厚度为300μm的硅晶片，在其正面10a上的格子状图案中形成多条分割线101。电路102作为功能件形成在由硅晶片10的正面10a上的多条分割线101划分的多个区域中。下面将描述将该半导体晶片10分割成独立的半导体芯片的方法。
为了将半导体晶片10分割成独立的半导体芯片，通过沿着分割线101施加波长能够穿过半导体晶片10的脉冲激光束，执行变质层形成步骤，用于沿着分割线101在半导体晶片10的内部形成变质层，以减小半导体晶片10沿着分割线101的强度。该变质层形成步骤利用图2-4所示的激光束加工机1执行。图2-4所示的激光束加工机1包括用于保持工件的夹具工作台11，用于给被保持在夹具工作台11上的工件施加激光束的激光束施加装置12，以及图像采集装置13，该图像采集装置13用于采集被保持在夹具工作台11上的工件的图像。该夹具工作台11被构造成能够吸附保持工件，并被设计成通过运动机构(未示出)沿着在图2中.由箭头X表示的加工进给方向和由箭头Y表示的分度进给(indexing-feed)方向运动。
上述激光束施加装置12具有一大致水平布置的圆柱形壳体121。在该壳体121中安装有脉冲激光束振荡装置122和传送光学系统123，如图3所示。脉冲激光束振荡装置122包括由YAG激光振荡器或YVO4激光振荡器构成的脉冲激光束振荡器122a，以及连接到该脉冲激光束振荡器122a的重复频率设定装置122b。传送光学系统123包括适当的光学元件，例如光束分散器等。容纳有由一组公知透镜组合构成的集光透镜(未示出)的集光器124被附装到上述壳体121的末端。从上述脉冲激光束振荡装置122开始振荡的激光束通过传送光学系统123到达集光器124，并由集光器124施加给在预定焦点直径D处的上述夹具工作台11处的工件。当表现为高斯分布的脉冲激光束通过集光器124的物镜124a施加时，如图4所示，该焦点直径D由公式D(μm)＝4×λ×f/(π×W)限定(其中，λ是脉冲激光束的波长(μm)，W是施加给物镜124a的脉冲激光束的直径(mm)，f是物镜124a的焦距(mm))。
附装到壳体121末端的构成上述激光束施加装置的图像采集装置13除了包括普通的图像采集装置以采集所述实施例中的可见光线的图像外，还包括用于向工件施加红外线的红外线照射装置，用于俘获由所述红外线照射装置施加的红外线的光学系统，以及用于输出与被所述光学系统俘获的红外线相对应的电信号的图像采集器件(红外CCD)。图像信号被传送到一未示出的控制装置。
下面参照图2，图5(a)和5(b)以及图6描述利用上述激光束加工机1执行的变质层形成步骤。
在该变质层形成步骤中，首先将半导体晶片10放置在激光束加工机1的夹具工作台11上，如图2所示，使其背面10b朝上并吸附保持在夹具工作台上。吸附保持半导体晶片10的夹具工作台11通过一个运动机构(未示出)而定位在图像采集装置13的正下方。
在夹具工作台11被定位在图像采集装置13的正下方后，利用图像采集装置13和控制装置(未示出)执行对准工作，以探测半导体晶片10的将要被处理的区域。也就是说，图像采集装置13和控制装置(未示出)进行图像处理，例如图案匹配，以便将形成在半导体晶片10的预定方向上的分割线101与沿着分割线101施加激光束的激光束施加装置12的集光器124对准，从而执行一个激光束施加位置的对准。另外，还执行在半导体晶片10上与预定方向垂直的方向上形成的分割线101上的激光束施加位置的对准。尽管半导体晶片10的正面10a(上面已形成有分割线101)在该位置处朝下，由于图像采集装置13包括如上所述的红外线照射装置，用于俘获红外线的光学系统以及用于输出对应于红外线的电信号的图像采集器件(红外CCD)，因此通过背面10b可采集分割线101的图像。
如上所述，在被保持在夹具工作台11上的半导体晶片10上形成的分割线101被探测并且执行了激光束施加位置的对准后，夹具工作台11运动到一个安置用于施加激光束的激光束施加装置12的集光器124的激光束施加区域，以便将预定的分割线101的一端(图5(a)中的左端)置于激光束施加装置12的集光器124的正下方的位置。然后，夹具工作台11，也可以说半导体晶片10沿图5(a)中箭头X1表示的方向以预定的加工进给速度运动，同时，由集光器124施加波长能够穿过半导体晶片10的脉冲激光束。当激光束施加装置12的集光器124的施加位置到达如图5(b)所示的分割线101的另一端时，脉冲激光束的施加中止，夹具工作台11或者说半导体晶片10的运动停止。在该变质层形成步骤中，脉冲激光束的焦点P被设置在靠近半导体晶片10的正面10a(底面)的位置处。结果，一变质层110暴露于正面10a(底面)，并且由正面10a向内部形成。该变质层110形成为熔化一再固化层(即，当变质层熔化后随即再次固化)。
上述变质层形成步骤中的加工条件如下设置，例如：
光源：LD激励Q开关Nd：YVO4激光
波长：波长为1064nm的脉冲激光束
脉冲输出：10μJ
焦点直径：1μm
重复频率：100kHz
加工进给速度：100mm/秒
当半导体晶片10较厚时，如图6所示，通过逐步改变焦点P以执行多次上述变质层形成步骤，以便形成多个变质层110。例如，由于在上述加工条件下每次形成的变质层的厚度大约是50μm，上述变质层形成步骤被执行3次则形成总厚度为150μm的变质层110。在晶片10的厚度为300μm时，沿着分割线101从正面10a到背面10b在半导体晶片10的内部形成6个变质层。
在通过上述变质层形成步骤在半导体晶片10的内部沿着所有的分割线101形成变质层110之后，执行晶片支承步骤，用于将晶片的一侧面放置在一支承带的表面上，该支承带被安装在一环形支架上并且在被外部触发时收缩。即，如图7所示，半导体晶片10的背面10b被置于周边部分被安装在环形支架2上的支承带3的表面上，以覆盖其内部开口。在所述实施例中，在由聚氯乙稀(PVC)制成的70μm厚的片状背衬的表面上涂覆大约5μm厚的丙烯酸树脂类的粘接剂而制备成上述支承带3。支承带3的片状背衬最好是由合成树脂例如聚氯乙稀，聚丙烯，聚乙烯或聚烯烃制成的片材，其在常温下可收缩并且在加热到预定温度(例如70℃)或更高时收缩。上述支承带可以使用例如在JP-A2004-119992中公开的片材。
上述晶片支承步骤可在上述变质层形成步骤之前执行。在该情况下，半导体晶片10的正面10a被放置在上述被安装在环形支架2上的支承带3的表面上(因此，半导体晶片10的背面10b朝上)。然后，在半导体晶片10被放置在上述被安装在环形支架2上的支承带3上的状态下执行上述变质层形成步骤。
在上述变质层形成步骤和晶片支承步骤之后，紧接着是晶片分割步骤，通过对被放置在上述被安装在环形支架2上的支承带3上的半导体晶片10施加外力，将半导体晶片10沿着已形成变质层110的分割线101分割成独立的芯片。利用图8和9所示的分割装置4执行上述晶片分割步骤。
图8是分割装置4的透视图，图9是图8所示的分割装置4的剖视图。所述实施例中的分割装置4具有一用于保持上述环形支架2的支架保持装置5，以及一个拉力施加装置6，该拉力施加装置6用于扩展被安装在上述环形支架2上的支承带3。支架保持装置5包括一环形支架保持件51以及围绕支架保持件51布置的作为固定装置的四个夹持件52，如图8和9所示。支架保持件51的顶面形成一用于放置环形支架2的放置面511，并且环形支架2被放置在该放置面511上。放置在支架保持件51的放置面511上的环形支架2通过夹持件52固定在支架保持件51上。
上述拉力施加装置6包括一布置在上述环形支架保持件51内的扩展筒61。该扩展筒61的内径小于环形支架2的内径，外径大于被安装在环形支架2上的支承带3上的半导体晶片10的外径。扩展筒61在其下端具有支承凸缘611。所述实施例中的拉力施加装置6包括支承装置62，其能使上述环形支架保持件51沿竖直方向(轴向)运动。支承装置62包括多个(所述实施例中为4个)被安装在上述支承凸缘611上的气缸621，并且它们的活塞杆622连接到上述环形支架保持件51的底面。包括多个气缸621的支承装置62使环形支架保持件51沿上下方向在一基准位置和一扩展位置之间运动，在该基准位置，放置面511与扩展筒61的上端大致高度相等，在该扩展位置，放置面511被定位在扩展筒61的上端以下一预定距离。
所述分割装置4包括一个被安装在上述扩展筒61的上部外周面上的环形红外线加热器7作为外部触发施加装置。该红外线加热器7加热环形支架2的内周边和支承带3中的半导体晶片10之间的区域，所述支承带3被安装在环形支架2上，该环形支架2被保持在上述支架保持装置5上。
下面参照图10(a)和(b)描述利用上面构成的分割装置4执行的晶片分割步骤。即，如图7所示通过支承带3支承半导体晶片10(其中沿分割线101形成变质层110)的环形支架2被放置在构成支架保持装置5的支架保持件51的放置面511上，并通过夹持件52固定在支架保持件51上，如图10(a)所示。此时，支架保持件51位于图10(a)所示的基准位置。
因此，通过致动作为构成所述拉力施加装置6的支承装置62的多个气缸621，环形支架保持件51被下降到图10(a)所示的扩展位置。因此，固定到支架保持件51的放置面511上的环形支架2也降低，从而使被安装到环形支架2上的支承带3与扩展筒61的上边缘相接触而被扩展，如图10(a)所示。结果，拉力径向作用于被放置在支承带3上的半导体晶片10上，从而将半导体晶片10沿着由于形成变质层110而强度降低的分割线101被分割成独立的半导体芯片100。由于支承带3在上述带扩展步骤中被扩展，当半导体晶片10被分割成独立的半导体芯片100时，在相邻芯片之间形成间隙S。在上述带扩展步骤中，支承带3的扩展量或延长量可通过支架保持件51的向下运动量进行调整。根据本发明的发明人所进行的试验，当支承带3被拉伸为大约20mm时，半导体晶片10可以沿着形成变质层110的分割线101被分割。相邻半导体芯片100之间的间隙S大约为1mm。
当在上述晶片分割步骤之后，支承带3在拉力施加装置6作用下的扩展被取消时，支承带3收缩，并返回到图7所示的施加拉力以前的状态，并且半导体芯片100之间的间隙变为基本为0。
因此，在本发明中，执行芯片间隙形成步骤以扩大相邻芯片之间的间隙，所述芯片间隙形成步骤用于通过在环形支架的内周边和支承带上贴附到晶片上的区域之间施加外部触发以收缩支承带的收缩区域，其中所述支承带被贴附于已经经过晶片分割步骤的晶片上。在该芯片间隙形成步骤中，在已经执行了上述晶片分割步骤的状态下将红外线加热器7打开，如图11(a)所示。结果，通过由红外线加热器7施加的红外线加热而使在环形支架2的内周边和支承带3上贴附到半导体晶片10上的区域3a之间的收缩区域3b收缩。随着该收缩作用，通过致动作为构成拉力施加装置6之支承装置62的多个气缸621，环形支架保持件51向上运动到图11(b)所示的基准位置。由上述红外线加热器7加热支承带3的温度适于在70-100℃，加热时间为5-10秒。通过收缩上述在环形支架2的内周边和支承带3上贴附到半导体晶片10上的区域3a之间的收缩区域3b，在上述晶片分割步骤中已经被彼此分开的半导体芯片100之间的间隙S得以保持。因此，所得到的半导体芯片100不会彼此接触，从而可以避免在输送等过程中由于接触而损坏半导体芯片100。
下面参照附图12和13描述在本发明的晶片分割方法的另一实施例中的晶片分割步骤和芯片间隙形成步骤。
在该实施例中使用了一种超声波分割装置20。超声波分割装置20包括圆柱形支架保持件21，第一超声波振荡器22以及第二超声波振荡器23。构成该超声波分割装置20的圆柱形支架保持件21具有一顶面作为放置上述环形支架的放置面211，并且上述环形支架2被放置在放置面211上并通过夹持件24固定。该支架保持件21被构造成可以通过一个运动装置(未示出)在水平方向和与图12的纸面垂直的方向运动，并且可以转动。构成该超声波分割装置20的第一超声波振荡器22和第二超声波振荡器23被布置成以下述方式彼此相对，即，在它们之间夹有通过支承带3而被支承在环形支架2上的半导体晶片2，环形支架2放置在圆柱形支架保持件21的放置面211上，并产生预定频率的纵波(疏密波)。在所述实施例中的超声波分割装置20包括一环形红外线加热器25，其作为被安装在支架保持件21的上部内周面上的外部触发施加装置。该红外线加热器25加热在环形支架2的内周边和支承带3上贴附到半导体晶片10上的区域3a之间的收缩区域3b，其中支承带3被安装到所述被保持在上述支架保持件21上的环形支架2上。
为了使用这样构成的超声波分割装置20执行晶片分割步骤，通过支承带3支承半导体晶片10(其中沿分割线101形成变质层110)的环形支架2被以如下方式放置在圆柱形支架保持件21的放置面211上并由夹持件24固定，即，支承带3上安装半导体晶片10的一侧朝下(因此半导体晶片10的正面10a朝上)。随后，通过运动装置(未示出)，支架保持件21运动，从而将形成在半导体晶片10上的预定分割线101的一端(图12中的左端)置于一个位置处，在该位置处，来自第一超声波振荡器22和第二超声波振荡器23的超声波作用于其上。然后，第一超声波振荡器22和第二超声波振荡器23被触发以产生频率为例如28kHz的纵波(疏密波)，并且同时，支架保持件21沿着箭头所示方向以50-100mm/秒的进给速度运动。结果，由第一超声波振荡器22和第二超声波振荡器23产生的超声波沿着分割线101作用在半导体晶片10的正面10a和背面10b上，从而沿着由于形成变质层110而使强度减弱的分割线101分割半导体晶片10。在如上所述沿着预定分割线101执行了晶片分割步骤后，支架保持件21被沿着垂直于纸面的方向分度进给一定距离以执行上述晶片分割步骤，该距离对应于分割线101之间的间隔。在沿着所有的分割线101执行了上述晶片分割步骤后，支架保持件21被转动90度，以便沿着在与预定方向相垂直的方向上形成的分割线101执行上述晶片分割步骤，从而沿着形成格子状图案的分割线101将半导体晶片10分割成独立的芯片。由于被分割后的独立芯片的背面粘贴在支承带3上，因此它们不会分裂，使得晶片的状态得以保持。
在上述晶片分割步骤之后，紧接着是芯片间隙形成步骤。也就是说，如图13所示，红外线加热器25打开。结果，通过被红外线加热器25施加的红外线加热，使得在环形支架2的内周边和支承带3上贴附到半导体晶片10上的区域3a之间的收缩区域3b收缩。这样，在环形支架2的内周边和支承带3上贴附到半导体晶片10上的区域3a之间的收缩区域3b收缩从而扩大相邻的独立分割的半导体芯片之间的间隙，因此保持了间隙S。因此，独立分割的半导体芯片100不会彼此接触，从而可以避免在输送等过程中由于接触而损坏半导体芯片。
下面参照附图14和15描述在本发明的晶片分割方法的又一实施例中的晶片分割步骤和芯片间隙形成步骤。
在该实施例中使用了弯曲分割装置30，其包括圆柱形支架保持件31和作为弯曲载荷施加装置的施压件32。支架保持件31被构造成可以通过一个运动装置(未示出)在水平方向和与图14的纸面垂直的方向运动，并且可以转动。在所述实施例中的弯曲分割装置30包括一环形红外线加热器33，其作为被安装在支架保持件31的上部内周面上的外部触发施加装置。该红外线加热器33加热在环形支架2的内周边和支承带3上贴附到半导体晶片10上的区域3a之间的收缩区域3b，其中支承带3被安装到所述被保持在上述支架保持件31上的环形支架2上。
为了使用这样构成的弯曲分割装置30执行晶片分割步骤，通过支承带3支承半导体晶片10(其中沿分割线101形成变质层110)的环形支架2被以如下方式放置在圆柱形支架保持件31的放置面311上并由夹持件24固定，即，支承带3上安装半导体晶片10的一侧朝下(因此半导体晶片10的正面10a朝上)。随后，通过运动装置(未示出)，支架保持件31运动，从而将形成在半导体晶片10上的预定分割线101的一端(图14中的左端)置于一个位置处，在该位置处，其与施压件32相对，并且施压件32向上运动以便对贴附在半导体晶片10上的支承带3施压，如图14所示。然后，支架保持件31沿着箭头所示方向运动。结果，由施压件32施压的弯曲载荷沿分割线101作用在半导体晶片10上，从而在正面10a上产生拉伸应力，使得半导体晶片10被沿着由于形成变质层110而强度减弱的分割线101分割。在沿着预定分割线101执行了上述分割步骤后，支架保持件31被沿着垂直于纸面的方向分度进给一定距离以执行上述晶片分割步骤，该距离对应于分割线101之间的间隔。在沿着所有的分割线101执行了上述晶片分割步骤后，支架保持件31被转动90度，以便沿着在与预定方向相垂直的方向上形成的分割线101执行上述晶片分割步骤，从而沿着形成格子状图案的分割线101将半导体晶片10分割成独立的芯片。由于被分割后的独立芯片的背面粘贴在支承带3上，因此它们不会分裂，使得晶片的状态得以保持。
在上述晶片分割步骤之后，紧接着是芯片间隙形成步骤。也就是说，如图15所示，红外线加热器33打开。结果，通过被红外线加热器33施加的红外线加热，使得在环形支架2的内周边和支承带3上贴附到半导体晶片10上的区域3a之间的收缩区域3b收缩。这样，通过在环形支架2的内周边和支承带3上贴附到半导体晶片10上的区域3a之间的收缩区域3b收缩，从而扩大相邻的独立分割的半导体芯片之间的间隙，因此保持了间隙S。因此，独立分割的半导体芯片100不会彼此接触，从而可以避免在输送等过程中由于接触而损坏半导体芯片100。

Claims (1)

1.一种沿着晶片正面上形成为格子状图案的多条分割线将晶片分割成独立芯片的方法，在被多条分割线划分成的多个区域上形成有功能元件，所述方法包括：
变质层形成步骤，用于沿着分割线施加能够穿过晶片的激光束，从而沿着分割线在晶片内部形成变质层；
晶片支承步骤，用于在所述变质层形成步骤之前或之后，将晶片的一侧放置在一个被安装在一环形支架上并通过外部触发而收缩的支承带的表面上；
晶片分割步骤，用于向已经经过变质层形成步骤并被放置在所述支承带上的晶片施加外力，从而将晶片沿着已经形成变质层的分割线分割成独立的芯片；以及
芯片间隙形成步骤，通过向一收缩区域施加外部触发而使所述收缩区域收缩，从而扩大相邻芯片之间的间隙，所述收缩区域在所述环形支架的内周边和所述支承带上的贴附到已经经过所述晶片分割步骤的所述晶片上的区域之间。
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