CN1770972A - 电磁波屏蔽滤波器及其制造方法和包括滤波器的pdp设备 - Google Patents

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Abstract

提出了一种具有低导电性、高可见光透射率和较好耐久性的电磁波屏蔽滤波器、制造该电磁波屏蔽滤波器的方法、以及包括该电磁波屏蔽滤波器的PDP设备。该电磁波屏蔽滤波器包括层叠结构，包括多重叠层，所述多重叠层每一个均由氧化铌层、以ZnO作为主要成分的第一保护层、以及金属层顺序地依次层叠构成，通过将各层重复层叠至少三次来形成所述多重叠层；以及在层叠结构上形成的氧化铌层。

Description

电磁波屏蔽滤波器及其制造方法和包括滤波器的PDP设备
本申请要求在2004年10月18日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2004-0083184的优选权，其公开全文包括在此作为参考。
技术领域
本发明涉及电磁波屏蔽滤波器、制造其的方法和包括其的等离子体显示板(“PDP”)设备。更具体地，本发明涉及一种具有低导电性、高可见光透射率和较好耐久性的电磁波屏蔽滤波器、制造其的方法和包括其的PDP设备。
背景技术
由于现代社会变得更加面向信息，光电设备和器件正在进步且正在变得更加普遍。特别地，图像显示设备正在广泛地用于各种应用，包括TV屏幕、个人计算机的监视器等。随着高性能图像显示设备的进步，宽屏幕和薄型结构已经成为主流技术。
作为新一代显示设备，等离子体显示板(PDP)正在得到普及以替代CRT，因为PDP较薄且容易制造具有多个单元的大屏幕。PDP设备包括在其上利用气体放电现象来显示图像的等离子体显示板，并且表现出优越的显示能力，包括高显示能力、高亮度、高对比度、清楚的潜像、宽视角等。
在PDP设备中，当将直流(DC)或交流(AC)电压施加到电极上时，产生了气体等离子体的放电，导致了紫外(UV)光的发射。UV发射激发相邻的磷光体材料，引起了可见光的电磁发射。
尽管具有以上优点，但是PDP面对着与驱动特性相关的多个挑战，包括电磁波辐射的增加、近红外发射和磷光体表面反射、以及由于从用作密封气体的氦(He)或氙(Xe)发出的橙光造成的模糊色纯度。
在PDP中所产生的电磁波和近红外射线可能对人体造成不利的影响，并且引起诸如无线电话或遥控器等精密机械的故障。因此，为了利用这样的PDP，需要将从PDP发出的电磁波和近红外射线减小到预定的水平或更低。在这一点上，已经提出了各种PDP滤波器来屏蔽从PDP发出的电磁波或近红外射线，减小光反射和/或提高色纯度。所提出的PDP滤波器还需要满足透射率的要求，这是因为滤波器被安装在每一个PDP的前表面上。
为了将从等离子体显示板发出的电磁波和近红外射线(NIR)减小到预定的水平或更小，各种PDP滤波器已经用于诸如屏蔽从PDP发出的电磁波或NIR，减小光反射和/或提高色纯度。这样的滤波器需要较高的透射率，这是因为其通常被应用到PDP的前表面上。将满足这样的要求和特性的典型的电磁波屏蔽滤波器分类为金属网眼图案滤波器和透明导电膜滤波器。尽管金属网眼图案滤波器表现出较好的电磁波屏蔽效果，但是其具有多个缺点，包括较差的透射率、图像失真和由于成本较高的网眼而导致的制造成本的增加。
由于这样的缺点，使用透明导电膜(例如铟锡氧化物(ITO))的电磁波屏蔽滤波器正在取代金属网眼图案滤波器得到广泛地应用。该透明导电膜通常由多层薄膜结构形成，其中金属膜和高折射率透明薄层夹在中间。银和基于银的合金可以用作金属膜。
在传统电磁波屏蔽滤波器中所使用的多层薄膜结构的一个示例公开于1997年5月27日递交的韩国专利申请No.1997-20914，标题为“Transparent Laminate and Optical Filter for Display UsingSame”。
所公开的技术具有顺序和交替层叠结构，具有由银或银合金构成的三个薄层、以及三个高折射率透明薄层。这里，高折射率透明薄层由氧化铟构成，而金属薄层由银或银合金构成。
在使用层叠结构的传统电磁波屏蔽滤波器中，通过增加层叠结构中的金属薄层的数量来实现薄膜电阻的减小。然而，存在以下问题：金属薄层数量的增加在提高薄膜电阻的同时引起了较低的可见光透射率、制造成本的增加和较低的可制造性。
另外，因为通常由银构成的金属薄层易于受到化学品的损坏且容易腐蚀，传统的电磁波屏蔽滤波器具有缺陷。已经进行了各种尝试来防止金属薄膜的腐蚀。然而，由于一些环境因素，还未提出成功的解决方案。
发明内容
本发明提出了一种具有低导电性、高可见光透射率射线和极佳耐久性的电磁波屏蔽滤波器。
本发明还提出了一种制造该电磁波屏蔽滤波器的方法。
本发明还提出了一种包括该电磁波屏蔽滤波器的PDP设备。
根据本发明的一个方案，提出了一种电磁波屏蔽滤波器，包括：层叠结构，包括多重叠层(multiple stacks)，所述多重叠层每一个均由氧化铌层、以ZnO作为主要成分的第一保护层、以及金属层顺序地依次层叠构成，通过将各层重复层叠至少三次来形成所述多重叠层；以及在层叠结构上形成的氧化铌层。
根据本发明的另一方案，提出了一种电磁波屏蔽滤波器，包括：层叠结构，包括多重叠层，所述多重叠层每一个均由顺序地依次层叠在衬底上的氧化铌层、以ZnO作为主要成分的第一保护层、以及第二保护层构成，通过将各层重复层叠至少三次来形成所述多重叠层；以及在层叠结构上形成的氧化铌层。
根据本发明的另一方案，提出了一种制造电磁波屏蔽滤波器的方法，所述方法包括以下步骤：准备层叠结构，所述层叠结构包括多重叠层，所述多重叠层每一个均由顺序地依次层叠在衬底上的氧化铌层、以ZnO作为主要成分的第一保护层、以及金属层构成，通过将各层重复层叠至少三次来形成所述多重叠层；以及在层叠结构上形成氧化铌层。
根据本发明的另一方案，提出了一种包括该电磁波屏蔽滤波器的PDP设备。
附图说明
通过参考附图更详细地描述其典型实施例，本发明的上述和其他特征和优点将变得更加明显：
图1和2是示出了根据本发明实施例的电磁波屏蔽滤波器的截面图；
图3是示出了根据本发明实施例的制造电磁波屏蔽滤波器的方法的流程图；
图4是示出了根据试验示例1和2和比较示例的样本的光谱透射率的曲线图；
图5是示出了根据本发明实施例的PDP设备的分解透视图；以及
图6是示出了包括根据本发明的电磁波屏蔽滤波器的PDP设备的透视图。
具体实施方式
参考以下对优选实施例的详细描述和附图，本发明的特征和优点以及实现其的方法将得到更好地理解。然而，本发明可以按照许多不同的形式来具体实现，而不应理解为局限于这里所阐明的实施例。提出了这些实施例以使其公开将会更为彻底和完整且将本发明的概念全部传达给本领域的技术人员，而且，本发明将仅由所附权利要求来限定。在整个说明书中，相同的参考符号表示相同的组件。
下面将参考图1和图2来描述根据本发明实施例的电磁波屏蔽滤波器。
图1是示出了根据本发明一个实施例的电磁波屏蔽滤波器的截面图。
参考图1，根据本发明第一实施例的电磁波屏蔽滤波器100包括衬底110、层叠结构120和氧化铌层130。
衬底110并未局限于此，而可以包括诸如聚乙烯对苯二酸盐(PET)等塑料膜、诸如丙烯树脂等塑料片等。该衬底110可以是在显示器中使用的玻璃衬底、塑料膜、塑料片等。特别地，衬底110可以是透明的。将层叠结构120设置在衬底110的表面上，并且包括多重叠层，每一个由氧化铌层121、保护层122和金属层123顺序地依次层叠构成，所述多重叠层通过将各个层层叠至少三次形成。
层叠结构120的氧化铌层121可以仅为氧化铌(Nb2O5)、或者氧化铌(Nb2O5)加上微量元素。该微量元素可以是Ti、Cr或Zr。
层叠结构120的氧化铌层121的成分可以与另一氧化铌层121的成分相同或不同。
氧化铌层121具有范围为15到80nm的厚度。特别地，在与衬底110相邻地形成的氧化铌层121的情况下，优选地，氧化铌层121具有范围为15到40nm的厚度。从增加实现了可见光透射率减小和低反射率的波长范围的观点来看，优选地，与衬底110相邻的氧化铌层121大约为另一氧化铌层12的厚度的一半。
将包含氧化锌(ZnO)作为主要成分的保护层122形成在氧化铌层121上。保护层122用于保护在其上形成的金属层123，从而提高滤波器的耐久性。此外，保护层122增加了金属层123的导电性，从而提高了滤波器的电磁波屏蔽效果。保护层122由铝锌氧化物(AZO)(包含氧化锌(ZnO)作为主要成分和Al或Al2O3作为微量元素)构成。ZnO∶Al2O3的比率处于大约90∶10到99.9∶0.1的范围内，但是并不局限于此。
层叠结构120的保护层122的成分可以是另一保护层122相同或不同。
此外，保护层122防止了在氧化铟层121和金属层123之间的分界表面处产生表面等离子体振子(plasmon)，从而减小了由于表面等离子体振子的光吸收而导致了层叠结构120中的可见光损耗。另外，保护层122增加了减小可见光透射率且实现低反射率的波长范围。在这一点上，优选地，保护层122具有范围为1到10nm的厚度。
金属层123形成在保护层122上。金属层123由包含银或大约90wt％Ag的银合金构成。银具有较高的柔性和导电性，且在薄膜形成过程期间保持其导电性。银还具有以下优点：与其他金属相比其相对不太昂贵且具有较低的可见光吸收率。因为其较高的可成形性，银也是有优势的。尽管具有上述优点，但是银在用于电磁波屏蔽滤波器的金属层中时存在限制，因为其易于受到化学品的损坏。然而，根据本发明的第一实施例，通过在金属层123的一层上形成保护层122，将银用作电磁波屏蔽滤波器100的金属层123，而不会使电磁波屏蔽滤波器的耐久性恶化。
层叠结构120的金属层123的成分可以与另一金属层123相同或不同。
可以形成厚度在7到20nm的范围内的金属层123。从增加实现了可见光透射率减小和较低反射率的波长范围的观点来看，可以将最接近衬底110的金属层123和最远离衬底110的金属层123形成得更薄，大约另一金属层123的厚度的0.5到1.0倍。
将氧化铌层130形成在上述层叠结构120上。该氧化铌层130可以仅由氧化铌构成、或由氧化铌加上微量元素构成。该微量元素可以是Ti、Cr、Zr、Bi、Al或B。
在层叠结构120上形成的氧化铌层130的适当厚度在15到40nm的范围内，以便增加减小可见光透射率且实现低反射率所需的波长范围。
图2是根据本发明另一实施例的电磁波屏蔽滤波器100’的截面图。
参考图2，根据本发明第二实施例的电磁波屏蔽滤波器100’包括衬底110、层叠结构120’和氧化铌层121。
在根据本发明第二实施例的电磁波屏蔽滤波器100’中的衬底110和氧化铌层121与根据本发明第一实施例的电磁波屏蔽滤波器100的相应组件相同。然而，根据本发明第二实施例的电磁波屏蔽滤波器100’与根据本发明第一实施例的电磁波屏蔽滤波器100的不同在于：层叠结构120’包括多重叠层，每一个由氧化铌层121、保护层122、金属层123和附加保护层124顺序地依次层叠构成，通过将各个层重复层叠至少三次来形成所述多重叠层。即，还可以将保护层124设置在金属层123上。保护层124充当阻挡层，用于防止由于在后续步骤中形成氧化铌层121期间所创建的氧气等离子体而造成的金属层123的导电性的消失。即，氧气等离子体可能造成对先前所形成的金属层、为了在形成金属层123之后利用直流(DC)溅射方法形成氧化铌层121而采用的氧气等离子体的损坏。因此，需要由AZO或ITO构成的保护层124来防止对先前所形成的金属层造成的损坏。
层叠结构120’的保护层124的成分可以与另一保护层124相同或不同。
此外，保护层124防止了在金属层123和氧化铌层121之间的分界表面处产生表面等离子体振子，从而减小了由于表面等离子体振子的光吸收而造成的层叠结构120’的可见光损耗。另外，保护层124增加了其中减小可见光透射率和实现低反射率的波长范围。在这一点上，优选地，保护层124具有范围为1到10nm的厚度。
将参考附图3来描述根据本发明第一和第二实施例的制造电磁波屏蔽滤波器100和100’的方法。
图3是示出了根据本发明的制造电磁波屏蔽滤波器100的方法的流程图。
参考图1和3，在步骤S1，在衬底110上形成层叠结构100。这里，层叠结构100包括多重叠层，每一个由氧化铌层121、保护层122和金属层123顺序地依次层叠构成，通过将各层重复层叠至少三次来形成多重叠层。
首先参考图1，为了形成层叠结构100，首先将氧化铌层121形成在衬底110上。氧化铌层121可以由以下方法形成：利用具有极佳导电性的氧化铌靶的DC溅射方法、反应溅射方法、离子电镀方法、物理蒸气沉积方法或化学蒸气沉积方法。特别地，由于可以在实现大面积上的厚度均匀的同时快速沉积氧化铌层121，最好使用DC溅射方法。
氧化铌靶是通过相对于氧化铌的化学计量成分使氧气不足或通过将其他材料添加到靶上而准备的靶，从而该靶具有高到足以使用DC溅射方法的导电性。在前一情况下，优选地，将包含0.1到10vol％的氧化气体的惰性气体用作溅射气体。当将包含具有上述范围内的浓度的氧化气体的惰性气体用作溅射气体时，可以有效地防止由于在形成氧化铌层121期间所产生的氧化等离子体造成的金属层123的氧化。另外，可以有效地准备具有低发射率和高导电性的层叠结构120。特别地，最好将包含0.1到5vol％的氧化气体的惰性气体用作溅射气体。
氧气通常可以用作该氧化气体。可用的氧化气体的示例包括：一氧化二氮、二氧化氮、一氧化碳、二氧化碳、臭氧等。在这种情况下，可以形成厚度为15到40nm的氧化铌层121。
接下来，将由包含ZnO作为主要成分的AZO构成的保护层122形成在氧化铌层121上。通过根据要形成的可能层的化学计量成分而适当选择的方法来形成该保护层122。例如，该方法包括溅射方法、CVD方法和蒸气沉积方法。
在通过利用包含ZnO作为主要成分和Al2O3作为微量元素的靶来溅射而形成由AZO构成的保护层122的情况下，不需要另外的氧化气体供应。即，仅利用该靶来形成保护层122。即使没有另外的氧化气体，AZO也不会减小保护层122的透射率。即，可以形成保护层122，而不使用诸如氧气(O2)等氧化气体。因此，不会出现在形成金属层123期间由于氧化气体而引起的金属层123的氧化。
这里，保护层122的厚度可以在1到10nm的范围内。
接下来，将金属层123形成在保护层122上。金属层123可以由银或银合金构成，通过溅射方法、CVD方法或蒸气沉积方法。特别地，金属层123最好由DC溅射方法形成以便确保较高的沉积率和实现在大面积上的厚度的均匀性。
在这种情况下，优选地，金属层123的厚度处于7到20nm的范围内。
通过相同的方法按照如上所述的次序将氧化铌层121、保护层122和金属层123至少重复层叠三次，从而形成层叠结构120。这里，除了与层叠结构120中的衬底110相邻的氧化铌层121之外的其他层的厚度可以处于30到80nm的范围内。
接下来，在步骤S2中，在层叠结构120上形成氧化铌层130。氧化铌层130可以由以下方法形成：利用还原性氧化铌靶的DC溅射方法、反应溅射方法、离子电镀方法、蒸气沉积方法或CVD方法。具体地，因为在大面积上实现较好的厚度均匀性的同时能够以较高的沉积率来形成氧化铌层130，因此最好使用利用还原性氧化铌靶的DC溅射方法。由于防止了金属层123的氧化，可以提高电磁波屏蔽滤波器100的可见光透射率并能够减小其反射率。在这种情况下，可以形成厚度为15到40nm的氧化铌层130。
下面将参考图2和3来描述根据本发明第二实施例的制造电磁波屏蔽滤波器100’的方法。
在步骤S1，在衬底110上形成层叠结构120’。这里，层叠结构120’包括多重叠层，每一个由氧化铌层121、保护层122、金属层123和保护层124顺序地依次层叠构成，通过将各层重复层叠至少三次来形成多重叠层。
再次参考图2，为了形成层叠结构120’，首先将氧化铌层121形成在衬底110上。氧化铌层121可以由DC溅射方法形成。特别地，最好使用DC溅射方法。
这里，可以形成厚度为15到40nm的氧化铌层121。
接下来，将保护层122形成在氧化铌层121上。该保护层122可以由包含氧化锌(ZnO)作为主要成分的铝锌氧化物(AZO)构成。通过根据要形成的可能层的化学计量成分而适当选择的方法来形成该保护层122。例如，该方法包括溅射方法、CVD方法和PVD方法等。
在通过利用包含ZnO作为主要成分和Al2O3作为微量元素的靶来溅射而形成由AZO构成的保护层122的情况下，不需要另外的氧化气体供应。即，仅利用该靶来形成保护层122。即使没有另外的氧化气体，AZO也不会减小保护层122的透射率。即，可以形成保护层122，而不使用诸如氧气(O2)等氧化气体。因此，不会出现由于在形成金属层123期间氧化气体的存在而引起的金属层123的氧化。
这里，保护层122的厚度可以处于1到10nm的范围内。
接下来，将金属层123形成在保护层122上。金属层123可以由银或银合金构成。可以通过溅射方法、CVD方法或PVD方法来形成金属层123。特别地，金属层123最好由DC溅射方法形成以便确保较高的沉积率和实现在大面积上的厚度的均匀性。
在这种情况下，优选地，金属层123的厚度处于7到20nm的范围内。
接下来，还在金属层123上形成保护层124。保护层124由根据要形成的可能层的化学计量成分而适当选择的AZO或ITO构成。例如，该方法包括溅射方法、CVD方法和PVD方法等。
在这种情况下，可以形成厚度范围为10到20nm的保护层124。
通过相同的方法按照如上所述的次序将氧化铌层121、保护层122、金属层123和保护层124至少重复层叠三次，从而形成层叠结构120’。这里，除了与层叠结构120’中的衬底110相邻的氧化铌层121之外的其他层的厚度可以处于30到80nm的范围内。
接下来，在步骤S2中，在层叠结构120’上形成氧化铌层130。优选地，氧化铌层130由以下方法形成：利用还原性氧化铌靶的DC溅射方法、反应溅射方法、离子电镀方法、PVD方法或CVD方法。这里，优选地，可以形成厚度范围为15到40nm的氧化铌层130。
下面将通过具体的试验示例来详细描述本发明。然而，这些试验示例仅是说明性的而并非对本发明范围的限定。
试验示例1
首先，将Ar(200sccm)和O2(80sccm)用作溅射气体并将25kW的DC功率施加到其上，在衬底上形成5nm厚的Nb2O5层，例如，透明玻璃衬底。
接下来，在将1kW的DC功率施加到靶上的同时，利用铝锌氧化物(AZO)靶，在Nb2O5层上形成AZO层，厚度约为5nm，铝锌氧化物包含氧化锌(ZnO)作为主要成分且包含大约1％的Al2O3和Ar(200sccm)作为溅射气体。
然后，将Ar(150sccm)用作溅射气体并将1.6kW的DC功率施加到其上，在AZO层上形成约12nm厚的Ag层。
接下来，将包含大约10％的SnO2的InO3的ITO靶用作靶，并且将Ar(200sccm)和O2(80sccm)用作溅射气体，在Ag层形成厚度约为5nm的ITO层。
随后，顺序地形成56nm厚的Nb2O5层、5nm厚的AZO层、14nm厚的Ag层和5nm厚的ITO层。然后，准备了由56nm厚的Nb2O5层、5nm厚的AZO层、12nm厚的Ag层和5nm厚的ITO层构成的层叠结构。最后，在层叠结构上形成了具有28nm厚的Nb2O5层，从而完成了电磁波屏蔽滤波器。
试验示例2
除了在Ag层形成的保护层由AZO构成之外，按照与试验示例1相同的方式来制造电磁波屏蔽滤波器。即，在该示例中所准备的电磁波屏蔽滤波器的结构如下：衬底/Nb2O5层/AZO层/Ag层/AZO层/Nb2O5层/AZO层/Ag层/AZO层/Nb2O5层/AZO层/Ag层/AZO层/Nb2O5层/。
比较示例
除了在Ag层形成的保护层由ITO构成之外，按照与试验示例1相同的方式来制造电磁波屏蔽滤波器。即，在该示例中所准备的电磁波屏蔽滤波器的结构如下：衬底/Nb2O5层/ITO层/Ag层/ITO层/Nb2O5层/ITO层/Ag层/ITO层/Nb2O5层/ITO层/Ag层/ITO层/Nb2O5层/。
光谱透射率的测量
根据日本工业标准(JIS)R3106(参见图4)，在380到930的波长区域内测量根据试验示例1和2和比较示例制造的电磁波屏蔽滤波器的光谱透射率。通过JIS Z8720中所指定的CIE标准光源D65的CIE色度适配的相对辐射效率来获得可见光透射率(380到780nm)。
薄膜电阻的测量
利用4点证明方法来测量该薄膜电阻。结果如表1所示。
湿度电阻的测量
在试验示例1和2和比较示例中准备的具有600×1000(mm)尺寸的每两个样本放置在60℃的温度下、95％的相对湿度下预定的时间，然后可视地观察对这些样本件所引起的点缺陷的数量。结果如表1所示。
表1
 试验示例1  试验示例2  比较示例
 可见光透射率   75   77   72
 薄膜电阻(Ω/sq)   1.2   1.1   1.5
 缺陷数量   0   0   2
如表1所示，与比较示例相比，在试验示例1和2中所准备的样本具有更好的可见光透射率、薄膜电阻和湿度电阻。
参考图4，与比较示例中所准备的样本相比，在试验示例1和2中所准备的样本在蓝色区域中(图4的区域A)具有更高的可见光透射率，这是因为样本的光吸收在蓝色区域中较低。从测量结果中，可以看到，根据本发明的电磁波屏蔽滤波器在较宽的波长范围上具有较高的可见光透射率，从而增加了开发色彩控制膜的自由度。
下面将描述根据本发明实施例的电磁波屏蔽滤波器的PDP。
图5是根据本发明一个实施例的PDP设备的分解透视图。参考图5，PDP设备500包括壳体510、覆盖壳体510的上表面的盖540、在壳体510中所容纳的驱动电路板520、包括其中出现气体放电的放电单元的板组件530、以及根据本发明实施例的电磁波屏蔽滤波器100或100’。
电磁波屏蔽滤波器100或100’包括由衬底上的高导电性材料构成的导电层。该导电层通过盖150接地到壳体110上。即，在其到达观众之前，从板组件530中产生的电磁波通过电磁波屏蔽滤波器100或100’的导电层接地到盖540和壳体510。
图6是示出了根据本发明实施例的PDP设备500的透视图。
参考图6，该PDP设备500包括电磁波屏蔽滤波器100或100’和板组件530。该电磁波屏蔽滤波器100或100’包括层叠结构和在层叠结构上形成的氧化铌层。该层叠结构具有多重叠层，每一个由氧化铌层、保护层和金属层或氧化铌层、保护层、金属层和保护层顺序地依次层叠构成，通过将各层重复地层叠至少三次来形成所述多重叠层，并且该多重叠层具有三个或更多个多层叠层的顺序层叠结构，其中多层的每一个叠层可以包括氧化铌层、保护和金属层，或者包括氧化铌层、保护层、金属层和保护层。尽管未示出，电磁波屏蔽滤波器100或100’还可以包括氖光屏蔽层、NIR屏蔽层和抗反射层、以及具有氖光屏蔽功能、NIR屏蔽功能和/或抗反射功能的组合层。
下面将详细描述板组件530。
参考图6，多个保持电极612以带状图案设置在前衬底611的表面上。多个保持电极612的每一个包括总线电极613，用于减小信号延迟。介电层614覆盖了多个保持电极612的整个表面。将节点保护层615形成在介电层614上。即，通过溅射等而使用由MgO构成的薄膜来覆盖介电层614的表面，形成了介电保护层615。
同时，将多个寻址电极622以带状图案排列在与前衬底611相反和相对的后电极621的衬底上。当前衬底611和后衬底612彼此面对时，形成的寻址电极622与保持电极对612彼此相交。寻址电极622完全覆盖有介电层623。将多个隔板肋624形成在介电层623上以便与寻址电极622平行，并向前衬底611凸起。将隔板肋624设置在各个相邻寻址电极622的每一个之间。
将磷光体层625形成在由隔板肋624和介电层623限定的沟槽的侧表面上。磷光体625包括红色磷光体层625R、绿色磷光体层625G和蓝色磷光体层625B，由隔板肋624分隔。通过厚膜形成方法(例如，丝网印刷方法、喷墨方法或光刻胶膜方法)，利用红色、绿色和蓝色磷光体颗粒分别形成红色磷光体层625R、绿色磷光体层625G和蓝色磷光体层625B。红色磷光体层625R、绿色磷光体层625G和蓝色磷光体层625B可以由(Y，Gd)BO3:Eu、Zn2SiO4:Mn和BaMgAl10O17分别构成。
当前衬底611和后衬底612彼此耦合且面对时，在设置在前衬底611和后衬底612之间的寻址电极622和扫描电极612的交点处产生放电单元626。然后，将放电气体注入到由沟槽和介电保护层615限定的放电单元626中。可以将He-Xe气或He-Xe气用作放电气体。
板组件530按照与荧光灯相同的原理发光。通过放电单元626的放电从放电气体中发出的UV光激发磷光体层725，从而发出可见光。
磷光体层625R、625G和625B由对可见光的不同转换系数的磷光体材料构成。因此，通常通过调节红色磷光体层625R、绿色磷光体层625G和蓝色磷光体层625B的亮度来执行对板组件130中的图像显示的色彩平衡调节。详细地，根据具有最低亮度的磷光体层，按照预定的比值来降低其他磷光体层的亮度。
板组件530的驱动主要由寻址放电和保持放电来执行。寻址放电出现在寻址电极622和保持电极对612之一之间，其中产生了围壁电荷(wall charge)。在该保持放电期间，由从放电气体发出的UV光来激发其中产生了围壁电荷的放电单元626的磷光体层625，从而发出可见光。通过前衬底611来发出可见光，从而形成视觉可识别图像。
根据本发明的电磁波屏蔽滤波器、制造电磁波屏蔽滤波器的方法和包括该电磁波屏蔽滤波器的PDP设备至少提供了以下优点。
首先，电磁波屏蔽滤波器具有由AZO构成的保护层，从而通过使金属层不受化学品和潮湿的损坏，提高了耐久性。
其次，与传统的ITO保护层相比，AZO保护层具有较高的可见光透射率。
第三，电磁波屏蔽滤波器具有较低的薄膜电阻，提高了电磁波屏蔽或干扰效率。
第四，该电磁波屏蔽滤波器对可见光的蓝色区域具有较高的透射率，从而增加了开发色彩调节膜的自由度。
作为该详细描述的结论，本领域的技术人员将会意识到，在并未实质上脱离本发明的原理的情况下，可以对这些优选实施例进行许多变化和修改。因此，所公开的本发明的优选实施例仅用于一般性和描述的目的，而并非限定性的。

Claims (14)

1、一种电磁波屏蔽滤波器，包括：
层叠结构，包括多重叠层，所述多重叠层每一个均由氧化铌层、以ZnO作为主要成分的第一保护层、以及金属层顺序地依次层叠构成，通过将各层重复层叠至少三次来形成所述多重叠层；以及
在层叠结构上形成的氧化铌层。
2、根据权利要求1所述的电磁波屏蔽滤波器，其特征在于第一保护层由铝锌氧化物(AZO)构成。
3、根据权利要求1所述的电磁波屏蔽滤波器，其特征在于所述金属层由银或银合金构成。
4、根据权利要求1所述的电磁波屏蔽滤波器，其特征在于所述氧化铌层具有范围为15到80nm的厚度，第一保护层具有范围为1到10nm的厚度，而金属层具有范围为7到20nm的厚度。
5、根据权利要求1所述的电磁波屏蔽滤波器，其特征在于衬底上的氧化铌层和层叠结构的氧化铌层均具有范围为15到40nm的厚度。
6、根据权利要求1所述的电磁波屏蔽滤波器，还包括金属层之上的第二保护层。
7、根据权利要求6所述的电磁波屏蔽滤波器，其特征在于所述第二保护层由铟锡氧化物(ITO)或铝锌氧化物(AZO)构成。
8、根据权利要求6所述的电磁波屏蔽滤波器，其特征在于所述第二保护层具有范围为1到10nm的厚度。
9、根据权利要求1所述的电磁波屏蔽滤波器，其特征在于具有1.4或更小的薄膜电阻。
10、根据权利要求1所述的电磁波屏蔽滤波器，其特征在于具有65％或更大的可见光透射率。
11、一种电磁波屏蔽滤波器，包括：
层叠结构，包括多重叠层，所述多重叠层每一个均由顺序地依次层叠在衬底上的氧化铌层、以ZnO作为主要成分的第一保护层、以及第二保护层构成，通过将各层重复层叠至少三次来形成所述多重叠层；以及
在层叠结构上形成的氧化铌层。
12、一种制造电磁波屏蔽滤波器的方法，包括以下步骤：
准备层叠结构，所述层叠结构包括多重叠层，所述多重叠层每一个均由顺序地依次层叠在衬底上的氧化铌层、以ZnO作为主要成分的第一保护层、以及金属层构成，通过将各层重复层叠至少三次来形成所述多重叠层；以及
在层叠结构上形成氧化铌层。
13、根据权利要求12所述的方法，还包括在金属层上形成第二保护层。
14、一种包括根据权利要求1所述的电磁波屏蔽滤波器的等离子体显示板(PDP)设备。
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