CN1773660A - 包括滤光器的等离子体显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种等离子显示设备，更具体地，涉及一种包括滤光器的等离子显示设备。根据本发明的等离子显示设备包括等离子显示面板和包括EMI涂膜的滤光器，该涂膜具有透明导电层和形成于该透明导电层上且其中形成有大量的孔的屏蔽导电层，其中该滤光器是设置在该等离子显示面板上的。根据本发明，由于屏蔽导电层形成于透明导电层上，能够提高等离子显示设备的对比度，能够容易地控制EMI涂膜的偏角，并且EMI涂膜的制造成本降低。

Description

包括滤光器的等离子体显示设备
本申请要求于2004年11月11日在韩国提交的专利申请10-2004-0092150的优先权，这里将其全部内容引入作为参考。
技术领域
本发明涉及一种等离子显示设备，更具体地，涉及一种包括滤光器的等离子显示设备。
背景技术
现有等离子显示面板包括由钠钙玻璃制成的前基片和后基片。在前基片和后基片之间形成的阻挡条将放电单元分隔开。注入到放电单内的惰性气体例如氦气-氙气(He-Xe)或者氦气-氖气(He-Ne)在高频电压作用下激发而产生放电。当产生放电的时候，产生真空紫外线。真空紫外线激发形成于阻挡条之间的磷光体，因而显示图象。
图1是示意性地示出现有技术中的等离子显示面板结构的透视图。如图1所示，现有技术中的等离子体显示面板包括前面板和后面板。前面板包括前玻璃基片10。后基片包括后玻璃基片20。前面板和后面板彼此平行，其间隔开一个预定的距离。
在前玻璃基片10上形成维持电极对11和12，其通过互相放电来维持单元发射。该维持电极对包括扫描电极11和维持电极12。扫描电极11包括由透明ITO材料形成的透明电极11a和由金属材料形成的总线电极11b。维持电极12包括由透明ITO形成的透明电极12a和由金属材料形成的总线电极12b。
扫描电极11接收用于扫描面板的扫描信号和用于维持放电的维持信号。维持电极12接收维持信号。在维持电极对11和12上形成介质层13a，其起到限制放电流和提供电极对之间的绝缘的作用。在介质层13a的顶表面上形成保护层14，其由氧化镁(MgO)形成以利于放电条件。
在后玻璃基片20上设有与维持电极对11和12交叉的寻址电极22。在寻址电极22上形成介质层13b，其起到提供寻址电极22之间的绝缘的作用。在介质层13b上形成阻挡条21，其将放电单元分隔开。在阻挡条21之间涂覆有R、G和B磷光层23，其辐射用于显示图象的可见光。
在每个阻挡条上布置有黑色矩阵21a，其具有通过吸收产生于前玻璃10外部的外部光而减少反射的光屏蔽功能和提高前玻璃10的色纯度和对比度的功能。
如上构造的等离子体显示面板通过施加用于等离子体放电的高电压和高频实现图像。因此，会产生问题，因为在玻璃基片的整个表面上产生很多的电磁干扰(EMI)。
现有技术中的等离子显示面板辐射由惰性气体例如Ne或者Xe引起的近红外线(NIR)。NIR波长的问题在于其引起家用电器的故障，因为其与一般的家用电器的遥控器的波长类似。为了解决现有技术的等离子显示面板中的几个问题，在现有技术的等离子显示面板的前面设置了玻璃滤光器或者膜型滤光器。
在现有技术的玻璃滤光器中形成的EMI涂膜(coating film)如图2a和2b所示形成。
图2a示出现有技术中包括EMI涂膜的玻璃滤光器。图2b是现有技术中EMI涂膜的平面图。
如图2a所示，现有技术中包括EMI涂膜的玻璃滤光器200包括用于减少紫外线和外部反射光的抗反射(AR)涂膜210、用于NIR屏蔽的NIR涂膜230、和用于EMI屏蔽的EMI涂膜250。玻璃滤光器200具有形成于AR涂膜210和NIR涂膜230及EMI涂膜250之间的玻璃220。AR涂膜210、NIR涂膜230和EMI涂膜250分别附着到基涂膜240a、240b和240c上。该基涂膜240a和240b结合有粘合膜270a和270b。在附着到玻璃220的粘合膜270b中形成了黑框260。
如图2b所示，现有技术中的EMI涂膜250包括用于屏蔽EMI的导电网格203、和在EMI涂膜250周围形成的用以将导电网格203接地的接地部分201。
在现有技术的EMI涂膜中，由于网格间距对于屏蔽EMI是小的，因此透光率低。因为等离子显示面板的对比度降低而产生了问题。
在现有技术的EMI涂膜中，必须控制偏角(θ)以防止因网格203而产生的莫尔现象。在现有技术的EMI涂膜中，由于接地部分201必须与等离子体显示面板对准，因此控制偏角(θ)是困难的。
在现有技术的EMI涂膜中，网格间距小，并且难于控制偏角。因此，因为用于形成网格的掩模的成本增加而产生问题。
如上所述，现有技术的EMI涂膜具有掩模成本增加和EMI涂膜的制造成本增加的问题。
可以在等离子显示面板的整个表面贴附膜型滤光器。在该膜滤光器以与玻璃滤光器相同的方式包括如图2b所示的EMI涂膜的情况下，会出现与前述相同的问题。
发明内容
因而，本发明是基于现有技术中所出现的上述问题而提出的，并且本发明的一个目的是提供一种EMI涂膜，其中透光率高，能够容易地控制偏角，并且制造成本低。
本发明的另一个目的是通过一种包括EMI涂膜的滤光器，其中透光率高，能够容易地控制偏角，并且制造成本低。
本发明的另一个目的是提供一种包括EMI涂膜的等离子显示设备，其中透光率高，能够容易地控制偏角，并且制造成本低。
为了实现上述目的，根据本发明的等离子显示设备包括等离子显示面板、以及包括EMI涂膜的滤光器，该EMI涂膜包括透明导电层和形成于该透明导电层上且其中形成有大量孔的屏蔽导电层，其中该滤光器设置在该等离子显示面板上。
滤光器包括透明导电层、以及包括屏蔽导电层的EMI涂膜，该屏蔽导电层形成于该透明导电层上并且其中形成有大量的孔。
根据本发明的EMI涂膜包括透明导电层和包括屏蔽导电层的EMI涂膜，该屏蔽导电层形成于该透明导电层上并且其中形成有大量的孔。
根据本发明，由于屏蔽导电层形成于该透明导电层上，因此提高了等离子显示设备的对比度。
根据本发明，由于屏蔽导电层形成于该透明导电层上，因此易于控制EMI涂膜的偏角。
根据本发明，由于屏蔽导电层形成于该透明导电层上，因此掩模的成本降低了，并且EMI涂膜的制造成本降低了。
附图说明
从下面结合附图的详细描述中可以更充分地理解本发明的其他目的和优点，在附图中：
图1是示意性地示出现有技术中等离子显示面板结构的透视图；
图2a示出现有技术中包括EMI涂膜的玻璃滤光器；
图2b是现有技术中EMI涂膜的平面图；
图3a示出包括根据本发明实施例所述的EMI涂膜的玻璃滤光器；
图3b是根据本发明实施例所述的EMI涂膜的平面图；以及
图4示出包括根据本发明实施例所述的EMI涂膜的膜滤光器。
具体实施方式
将参照附图更具体地描述本发明的优选实施例。
本发明的等离子显示设备包括等离子显示面板、和包括EMI涂膜的滤光器，其包括透明导电层和形成于透明导电层上并且其中形成有许多孔的屏蔽导电层，其中该滤光器设置在等离子显示面板上。
该滤光器是玻璃滤光器或者膜滤光器。
该屏蔽导电层是网格型屏蔽导电层。
该屏蔽导电层的网格间距是500μm到1000μm。
该透明导电层包括ITO、ZnO和ATO中任一种。
该屏蔽导电层包括Cu、Ag、Ni、Ti、Zn、Cr、Al或者Au的各氧化物材料中任一种。
该屏蔽导电层是通过溅射法、丝网印刷法、湿涂法、薄膜片结合法(thin film sheet junction method)或者光刻法中任一种形成的。
滤光器包括透明导电层、包括屏蔽导电层的EMI涂膜，该屏蔽导电层形成在该透明导电层上并且其中形成有大量的孔。
该滤光器是玻璃滤光器或者膜滤光器。
该屏蔽导电层是网格型屏蔽导电层。
该屏蔽导电层的网格间距是500μm到1000μm。
该透明导电层包括ITO、ZnO和ATO中任一种。
该屏蔽导电层包括Cu、Ag、Ni、Ti、Zn、Cr、Al或者Au的各氧化物材料中任一种。
该屏蔽导电层是通过溅射法、丝网印刷法、湿涂法、薄膜片结合法或者光刻法中任一种形成的。
本发明的EMI涂膜包括透明导电层和包括屏蔽导电层的EMI涂膜，该屏蔽导电层形成于该透明导电层上并且其中形成有大量的孔。
该屏蔽导电层是网格型屏蔽导电层。
该屏蔽导电层的网格间距是500μm到1000μm。
该透明导电层包括ITO、ZnO和ATO中任一种。
该屏蔽导电层包括Cu、Ag、Ni、Ti、Zn、Cr、Al、或者Au的各氧化物材料中任一种。
该屏蔽导电层是通过溅射法、丝网印刷法、湿涂法、薄膜片结合法或者光刻法中任一种形成的。
现在参照附图结合优选实施例详细地描述本发明。
图3a示出包括根据本发明实施例所述的EMI涂膜的玻璃滤光器。
如图3a所示，该玻璃滤光器300包括玻璃320、用于屏蔽紫外线和减少外部反射光的AR涂膜310、用于屏蔽NIR的NIR涂膜310、用于屏蔽EMI的EMI涂膜350和用于屏蔽氖(Ne)的彩色染料层330。
彩色染料层330屏蔽特定颜色的光，所述光是在驱动该等离子显示面板的时候因Ne而产生的。该彩色染料层330的一侧与玻璃320的一侧接触。彩色染料层330和玻璃320通过表面接触结合。
第一基涂膜340a是由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或者三聚氰酸三烯丙酯(TAC)构成的。第一基涂膜340a的一侧与彩色染料层330的另一侧接触。
AR涂膜和NIR涂膜整体地形成一层膜310，以屏蔽紫外线，减少外部反射光并且屏蔽NIR。该AR涂膜和该NIR涂膜的一侧与该基涂膜340a的另一侧接触。
第二基涂膜340b是由例如PET或者TAC这样的材料组成，并且与玻璃320的另一侧接触。
根据本发明实施例的EMI涂膜350是为了屏蔽EMI而形成的，并且与第二基涂膜340b的另一侧接触。如图3b所示，根据本发明实施例的EMI涂膜350包括由例如锡铟氧化物(ITO)、ZnO或者ATO这样的材料形成的透明导电层350a，和形成于该透明导电层350a上并且其中形成有大量孔的屏蔽导电层350b。根据本发明实施例的EMI涂膜的该屏蔽导电层350b是网格型屏蔽导电层。
在根据本发明实施例的EMI涂膜350中，该透明导电层350a连接到地，以使该屏蔽导电层350b接地，代替了如图2b所示的现有技术中EMI涂膜250所包括的接地部分201。根据如上所述，由于透明导电层350a连接到地并且屏蔽导电层350b是接地的，因此该屏蔽导电层350b的网格间距比现有技术中的网格间距要大。
也即，网格间距越小，EMI屏蔽能力越大。在现有技术的EMI涂膜中，由于仅仅是图2b中的导电网格203起屏蔽EMI的作用，因此网格间距小。然而，在根据本发明实施例所述的EMI涂膜中，不仅屏蔽导电层350b而且透明导电层350a都起到屏蔽EMI的作用。因此，网格间距能够变大。尽管现有技术的网格间距是300μm，本发明中的网格间距却可以设置为500μm到1000μm。
因此，在根据本发明实施例所述的EMI涂膜中，由于透光率增加了，因此等离子显示面板的对比度提高了。在根据本发明实施例所述的EMI涂膜中，通过旋转根据本发明实施例的EMI涂膜来控制偏角(θ)而无需考虑现有技术中的接地部分。在根据本发明实施例所述的EMI涂膜中，由于网格间距大而且偏角(θ)易于控制，因此屏蔽导电层350b利用廉价的掩模来形成。
屏蔽导电层350b是利用导电氧化物例如Cu、Ag、Ni、Ti、Zn、Cr、Al或者Au，通过溅射法、丝网印刷法、湿涂法、薄膜片结合法或者光刻法中任一种形成的。在薄膜片结合法中，该屏蔽导电层350b是利用薄膜片而形成于透明导电层350a上的，在其中提前形成该屏蔽导电层350b。
根据本发明实施例所述的包括EMI涂膜的该玻璃滤光器是设置在等离子显示面板上的，从而形成等离子显示设备。
图4示出包括根据本发明实施例所述的EMI涂膜的膜滤光器。
如图4所示，该膜滤光器400包括用于屏蔽紫外线和减少外部反射光的AR涂膜、用于屏蔽NIR的NIR涂膜、用于屏蔽EMI的EMI涂膜450和用于屏蔽氖(Ne)的彩色染料层430。各层膜的功能与第一实施例的相同。省去对其的描述。
AR涂膜和NIR涂膜整体地形成一层膜410。在AR涂膜和NIR涂膜与彩色染料层430之间形成第三基涂膜440a。根据本发明实施例所述的EMI涂膜450形成于透明处理树脂460和第四基涂膜440b之间。
在根据本发明实施例所述的膜滤光器400中所包括的EMI涂膜450，包括由例如ITO、ZnO或者ATO这样的材料形成的透明导电层450a，和形成于该透明导电层450a上并且其中形成有大量孔的屏蔽导电层450b。根据本发明实施例所述的EMI涂膜的该屏蔽导电层450b是网格型屏蔽导电层。
在根据本发明实施例的EMI涂膜450中，该透明导电层450a连接到地，以使该屏蔽导电层450b接地，代替了如图2b所示的现有技术中EMI涂膜250所包括的接地部分201。根据如上所述，由于透明导电层450a连接到地并且屏蔽导电层450b是接地的，因此该屏蔽导电层450b的网格间距比现有技术中的网格间距要大。
在现有技术的EMI涂膜中，由于仅仅图2b中的导电网格203起屏蔽EMI的作用，因此网格间距小。然而，在根据本发明实施例所述的EMI涂膜中，不仅屏蔽导电层450b而且透明导电层450a也起到屏蔽EMI的作用。因此，网格间距能够变大。尽管现有技术中的网格间距是300μm，本发明中的网格间距却可以设置为500μm到1000μm。
因此，根据本发明实施例所述的EMI涂膜能够提高等离子显示面板的对比度。在根据本发明实施例所述的EMI涂膜中，偏角(θ)是仅通过旋转根据本发明一个实施例所述的EMI涂膜来控制的。此外，在根据本发明实施例所述的EMI涂膜中，屏蔽导电层450b是利用不昂贵的掩模形成的。
屏蔽导电层450b是利用导电性氧化物例如Cu、Ag、Ni、Ti、Zn、Cr、Al或者Au，通过溅射法、丝网印刷法、湿涂法、薄膜片结合法或者光刻法中任一种形成的。在薄膜片结合法中，该屏蔽导电层450b是利用薄膜片而形成于透明导电层450a上的，在其中提前形成该屏蔽导电层450b。
根据本发明实施例所述的包括EMI涂膜的该玻璃滤光器是设置在等离子显示面板上的，从而形成等离子显示设备。
尽管本发明是参照特定的说明性实施例来描述的，但是其不受这些实施例限制，而仅由所附权利要求限制。应该理解，本领域普通技术人员可以在不脱离本发明的范畴和精神的情况下对这些实施例进行改变和修改。

Claims (20)

1.一种等离子显示设备，包括：
等离子显示面板；和
包括EMI涂膜的滤光器，该EMI涂膜包括透明导电层和形成于该透明导电层上且其中形成有大量孔的屏蔽导电层，其中该滤光器设置在该等离子显示面板上。
2.如权利要求1所述的等离子显示设备，其中该滤光器是玻璃滤光器或者膜滤光器。
3.如权利要求1所述的等离子显示设备，其中该屏蔽导电层是网格型屏蔽导电层。
4.如权利要求3所述的等离子显示设备，其中该屏蔽导电层的网格间距是500μm到1000μm。
5.如权利要求1所述的等离子显示设备，其中该透明导电层包括ITO、ZnO或者ATO中任一种。
6.如权利要求1所述的等离子显示设备，其中该屏蔽导电层包括Cu、Ag、Ni、Ti、Zn、Cr、Al或者Au的各氧化物中任一种。
7.如权利要求1所述的等离子显示设备，其中该屏蔽导电层是通过溅射法、丝网印刷法、湿涂法、薄膜片结合法或者光刻法中任一种方法形成的。
8.一种设置在等离子显示面板上的滤光器，包括：
透明导电层；和
包括屏蔽导电层的EMI涂膜，该屏蔽导电层形成于该透明导电层上并且其中形成有大量的孔。
9.如权利要求8所述的滤光器，其中该滤光器是玻璃滤光器或者膜滤光器。
10.如权利要求8所述的滤光器，其中该屏蔽导电层是网格型屏蔽导电层。
11.如权利要求10所述的滤光器，其中该屏蔽导电层的网格间距是500μm到1000μm。
12.如权利要求8所述的滤光器，其中该透明导电层包括ITO、ZnO或者ATO中任一种。
13.如权利要求8所述的滤光器，其中该屏蔽导电层包括Cu、Ag、Ni、Ti、Zn、Cr、Al或者Au的各氧化物中任一种。
14.如权利要求8所述的滤光器，其中该屏蔽导电层是通过溅射法、丝网印刷法、湿涂法、薄膜片结合法或者光刻法中任一种方法形成的。
15.一种EMI涂膜，包括：
允许光通过的透明导电层；和
形成于该透明导电层上并且其中形成有大量的孔的屏蔽导电层。
16.如权利要求15所述的EMI涂膜，其中该屏蔽导电层是网格型屏蔽导电层。
17.如权利要求16所述的EMI涂膜，其中该屏蔽导电层的网格间距是500μm到1000μm。
18.如权利要求15所述的EMI涂膜，其中该透明导电层包括ITO、ZnO或者ATO中任一种。
19.如权利要求15所述的EMI涂膜，其中该屏蔽导电层包括Cu、Ag、Ni、Ti、Zn、Cr、Al或者Au的各氧化物中任一种。
20.如权利要求15所述的EMI涂膜，其中该屏蔽导电层是通过溅射法、丝网印刷法、湿涂法、薄膜片结合法或者光刻法中任一种方法形成的。
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