CN1769514A - 加热熔罐和包括该加热熔罐的沉积装置 - Google Patents

加热熔罐和包括该加热熔罐的沉积装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种加热熔罐和一种沉积装置，加热熔罐具有均匀的沉积速率和优良的可重复性。该沉积装置的加热熔罐包括：钛主体，具有内腔和开口，内腔用于容纳要被沉积的材料，开口用于喷射要被沉积的材料；导线，用于加热主体；绝缘体，用于使主体与导线绝缘。

Description

加热熔罐和包括该加热熔罐的沉积装置
                          技术领域
本发明涉及一种加热熔罐，该加热熔罐的沉积速率均匀、沉积重复率高。本发明也涉及一种在沉积工艺中采用该加热熔罐的沉积装置。
                          背景技术
由于场致发光显示装置视角广、对比度高且响应速度快，所以预计其将成为下一代的发射显示装置。
根据形成场致发光显示装置中的发射层(EML)的材料，场致发光显示装置分为有机发光显示装置或无机发光显示装置。与无机发光显示装置相比，有机发光显示装置更亮，且具有更高的驱动电压和更快的响应速度。有机发光显示装置也可以显示彩色图像。
有机发光二极管(OLED)是有机发光显示装置。OLED包括位于彼此面对的两个电极之间的内层。该内层可以是空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、EML、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)，但不限于此。这些层被认为是有机薄膜。
可在沉积装置中采用沉积法来在衬底上形成有机薄膜比如HIL、HTL、EML、ETL、EIL等以制造OLED。在典型的沉积法中，将容器的内部压力减小到10-6至10-7托之间。该容器包括面对衬底的加热熔罐。将有机材料注入到该加热熔罐，随后，有机材料被蒸发或升华从而沉积到衬底上。
有机材料必须具有均匀的沉积速率和优良的可重复性，使其能被均匀地沉积在衬底上，从而使有机发光显示装置能够在整个屏幕上再现均匀的图像。由陶瓷制成的加热熔罐不具有均匀的沉积速率和优良的可重复性。
                          发明内容
本发明提供了一种具有均匀的沉积速率和优良的可重复性的加热熔罐。本发明也涉及一种在沉积工艺中采用该加热熔罐的沉积装置。
将在以下的描述中提出本发明的另外的方面，且部分从描述中将是明显的，或者可以从本发明的实施中得知。
本发明公开了一种沉积装置的加热熔罐，包括：主体，由钛制成，具有内腔和开口，内腔用于容纳要被沉积的材料，开口用于喷射所述要被沉积的材料；导线，用于加热主体；绝缘体，用于使主体与导线绝缘。
本发明还公开了一种沉积装置，包括：支撑件，支撑其上形成有沉积膜的衬底；加热熔罐，面对衬底，用于喷射要被沉积的材料。所述加热熔罐包括：钛主体，具有内腔和开口，内腔用于容纳要被沉积的材料，开口用于喷射所述要被沉积的材料；导线，用于加热主体；绝缘体，用于使主体与导线绝缘。
应该理解，上面的总体描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，其意在提供对如权利要求的本发明提供进一步的解释。
                          附图说明
附图提供了对本发明的进一步解释且并入本说明书中构成说明书的一部分，其示出了本发明的实施例，和描述一起用来解释本发明的原理。
图1是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的沉积装置的加热熔罐的分解透视图。
图2是示意性地示出图1的沉积装置的加热熔罐的透视图。
图3是示意性地示出包括在根据本发明的示例性实施例的沉积装置的加热熔罐中的主体的更改。
图4是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的沉积装置的加热熔罐的更改的透视图。
图5是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的沉积装置的加热熔罐的分解透视图。
图6是示意性地示出图5的沉积装置的加热熔罐的透视图。
图7是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的沉积装置的加热熔罐的分解透视图。
图8是示意性地示出图7的沉积装置的加热熔罐的透视图。
图9是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的沉积装置的透视图。
                     具体实施方式
沉积装置的加热熔罐包括：钛主体，具有内腔和开口，内腔用于容纳要被沉积的材料，开口用于喷射要被沉积的材料；导线，用于加热该主体；绝缘体，用于使主体与导线绝缘。本发明也涉及一种在沉积工艺中采用该加热熔罐的沉积装置。
加热熔罐和沉积装置允许有机膜或金属膜以均匀的沉积速率沉积并且沉积的重复率高。此外，有机膜或金属膜以均匀的沉积速率和优良可重复性沉积，从而使得显示装置能够在整个屏幕上再现均匀的图像。
以下参照示出了本发明实施例的附图来对本发明进行更全面地描述。然而，本发明可在许多不同的形式来实施，并不应该被理解为受限于这里提出的实施例。提供这些实施例使得本公开更彻底，这些实施例将本发明的范围全面地传达给本领域的技术人员。在附图中，为了描述清楚，会把层和区域的尺寸及相对尺寸夸大。
应该理解，当称组件比如层、膜、区域或衬底在另一个组件之上时，该组件可以直接在其他组件上或者可存在插入组件。对比地，当称一个组件直接在另一个组件上时，就不存在插入组件。
图1是示意性地示出根据本发明实施例的沉积装置的加热熔罐的分解透视图。图2是示意性地示出图1的沉积装置的加热熔罐的透视图。图3是示意性地示出包括在根据本发明实施例的沉积装置的加热熔罐中的主体的更改的透视图。图4是示意性地示出根据本发明实施例的沉积装置的加热熔罐的更改的透视图。
参照图1和图2，加热熔罐包括：主体110，由钛制成，具有内腔和开口110c，内腔用于容纳要被沉积的材料，开口用于喷射要被沉积的材料；导线120，用于加热主体110；绝缘体130，用于使主体110和导线120绝缘。主体110可包括温度传感器比如热电偶，用于测量在主体110底部的材料的温度。
加热熔罐还包括圆柱形支撑件140。该支撑件140可具有各种其他的形状。
主体110还包括突出150，该突出150用于将主体110支撑在支撑件140的上部。如图1中或图3中所示的突出150可为任意形状，可为复数或单数。包括在加热熔罐中的导线120沿着支撑件140的内壁和外壁从支撑件140的顶部向下延伸形成多个“U”形。可选择地，导线可布置为任意形状或构造。
因为加热功率的变化引起的钛主体的内部温度变化小于引起的传统陶瓷主体内部温度变化，所以主体110由钛代替陶瓷来制成。
下面的表1表示当沉积装置将施加到主体的加热功率从15％提高到20％时，由陶瓷制成的主体的内壁和外壁的温度变化。
                        表1
  加热功率              由陶瓷制成的主体
  内壁的温度(℃)   外壁的温度(℃)
  15％   132   205
  20％   233   295
表1示出当加热功率提高5％时，陶瓷主体的内壁和外壁的温度都升高大约100℃。
下面的表2表示当沉积装置将施加到主体的功率从19％提高到29％时，由钛制成的主体110的内壁和外壁的温度变化。
                          表2
  加热功率               由钛制成的主体
  内壁的温度(℃)   外壁的温度(℃)
  19％   192   201
  29％   279   280
表2示出了当加热功率提高10％时，钛主体110的内壁和外壁的温度都升高大约80～90℃。
加热功率的变化导致了主体的内壁和外壁的温度变化。因为主体的内壁和外壁的温度变化使沉积速率变化很大，所以，所不期望的是，较小的加热功率的变化引起主体的内壁和外壁的温度的大变化。沉积速率的变化使得不能沉积厚度均匀的薄膜。
如表1和表2中所示，当加热功率提高5％时，陶瓷主体的内壁和外壁的温度都升高大约100℃，而当加热功率提高10％时，钛主体110的内壁和外壁的温度身高大约80～90℃。与陶瓷主体相比，钛主体对加热功率的变化比较不敏感。因此，包括钛主体110的加热熔罐与包括陶瓷主体的加热熔罐相比具有更均匀的沉积速率，沉积的薄膜厚度均匀。
导线120由高电阻的导电材料制成，该导线中有电流流过并相应地产生热来加热主体110。因为钛和陶瓷不同，它是导电材料，所以导线120和钛主体110必须绝缘。因此，为了使主体110与导线120绝缘，如图1和图2中所示，在支撑件140和主体110的突出150之间或在突出150和导线120之间设置绝缘体130。绝缘体130可由任意绝缘材料制成。在示例性实施例中，具有优良耐热性的陶瓷可用来形成绝缘体130。
因为熔罐对加热功率的变化比较不敏感，所以本示例性实施例中的钛主体110和绝缘体130使沉积装置的熔罐具有均匀的沉积速率和优良的可重复性。
图5示意性地示出根据本发明实施例的沉积装置的加热熔罐的分解透视图。图6示意性地示出图5中的沉积装置的加热熔罐的透视图。
参照图5和图6，加热熔罐包括：主体210，由钛制成，具有内腔和开口210c，内腔用于容纳要被沉积的材料，开口用于喷射要被沉积的材料；导线220，用于加热主体210；绝缘体230，用于使得主体210与导线220绝缘。主体210可包括温度传感器比如热电偶，用于测量在主体210底部的材料的温度。
加热熔罐还包括圆柱形支撑件240。该支撑件可具有各种其他形状。主体210还包括突出250，用于将主体210支撑在支撑件240的上部。如图5中所示的突出250可为任意形状，可为复数或单数。
在示例性实施例中，导线220在支撑件240中为线图形。如图5中所示，导线220部分地连接到支撑件240的外部，并必须与主体210绝缘。在沉积工艺过程中，必须防止主体210和导线220的接触。
为了使导电的钛主体210与导线220绝缘，绝缘体230必须设置在支撑件240和主体210的突出250之间，或在突出250和导线220之间。
本示例性实施例的钛主体210和绝缘体230使得沉积装置的熔罐具有均匀的沉积速率和优良的可重复性。
图7是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的沉积装置的加热熔罐的分解透视图。图8是示意性地示出图7的沉积装置的加热熔罐的透视图。
参照图7，加热熔罐包括：钛主体310，具有内腔和开口310c，内腔用于容纳要被沉积的材料，开口用于喷射要被沉积的材料；导线320，用于加热主体310；绝缘体330，用于使主体310与导线320绝缘。主体310可包括温度传感器比如热电偶，用于测量在主体310底部的材料的温度。
加热熔罐还包括支撑件340。主体310还包括突出350，用于将主体310支撑在支撑件340的上部。包括在加热熔罐中的导线320沿着支撑件340的内壁和外壁从支撑件340的顶部向下延伸形成多个“U”形。
主体310包括有开口310c的盖310b和有内腔的主体单元310a。盖310b可包括辅助导线(未示出)，用于防止材料沉积在开口310c周围。盖310b和开口310c提高了主体310内部的材料的压力。
用于利用支撑件340来支撑主体310的突出350可包含在主体310的主体单元310a中，或如图8中所示包含在盖310b中。
因为加热功率的变化引起的钛主体的内部温度的变化比在传统的陶瓷主体中发生的内部温度的变化小，所以主体310由钛代替陶瓷来制成。
钛主体310、绝缘体330、主体单元310a和盖310b使得制造的沉积装置的加热熔罐可具有均匀的沉积速率、优良的可重复性且要被沉积的材料的喷射压力提高。
图9是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的沉积装置的透视图。
参照图9，本发明的沉积装置包括：容器411，具有用于支撑衬底400的衬底支撑件412；沉积掩模413，在衬底400上，用于使沉积在衬底400上的材料形成狭缝的图案；加热熔罐420，面对衬底400，沉积掩模413位于衬底400和加热熔罐420之间。
衬底支撑件412支撑衬底400的角，但不限于此。衬底支撑件412还可包括防止衬底400由于自身的重量而偏斜的工具，且包括使沉积掩模413紧靠衬底400的工具。
加热熔罐的数量可为单数或复数。多个加热熔罐420可线形排列或轮转排列。加热熔罐420的排列不限于图9中示出的示例性实施例。
本领域的技术人员应该清楚，在不脱离本发明的精神和范围的情况下可对本发明进行各种更改和变形。因此，本发明意在覆盖落入权利要求及其等同物的范围内的本发明的更改和变形。
本申请要求2004年11月5日提交的第10-2004-0089650号韩国专利申请的优先权和利益，其通过各种目的的引用包含于此，好像完全在这里提出一样。

Claims (18)

1、一种加热熔罐，包括：
主体，由钛制成；
导线，能够加热所述主体；
绝缘体，能够使所述主体与所述导线绝缘，
其中，所述主体还包括内腔和开口，所述内腔能够容纳要被沉积的材料，所述开口能够喷射所述要被沉积的材料。
2、如权利要求1所述的加热熔罐，
其中，所述绝缘体由陶瓷制成。
3、如权利要求1所述的加热熔罐，
还包括能够支撑所述主体的支撑件。
4、如权利要求3所述的加热熔罐，
其中，所述支撑件为圆柱形，
其中，所述导线在所述支撑件中，
其中，所述导线沿着所述支撑件的内壁和外壁从所述支撑件的顶部向下延伸形成多个“U”形。
5、如权利要求3所述的加热熔罐，
其中，所述支撑件为圆柱形，
其中，所述导线在所述支撑件中，
其中，所述导线沿着所述支撑件的内壁从所述支撑件的顶部延伸。
6、如权利要求3所述的加热熔罐，
其中，所述支撑件为圆柱形，
其中，所述导线在所述支撑件中，
其中，所述导线为线圈形。
7、如权利要求3所述的加热熔罐，
其中，所述主体还包括能够支撑所述主体的突出，
其中，所述突出通过接触所述支撑件的上部来支撑所述主体。
8、如权利要求7所述的加热熔罐，
其中，所述绝缘体位于所述突出和所述支撑件之间，或位于所述突出和所述导线之间。
9、如权利要求1所述的加热熔罐，
其中，所述主体还包括具有开口的盖。
10、一种沉积装置，包括：
支撑件，支撑其上形成有沉积膜的衬底；
加热熔罐，面对所述衬底，所述加热熔罐能够将要被沉积的材料喷射到所述衬底上，
其中，所述加热熔罐包括：
主体，由钛制成；
导线，能够加热所述主体；
绝缘体，能够使所述主体与所述导线绝缘，
其中，所述主体还包括内腔和开口，所述内腔能够容纳要被沉积的材料，所述开口能够喷射所述要被沉积的材料。
11、如权利要求10所述的沉积装置，
其中，所述绝缘体由陶瓷制成。
12、如权利要求10所述的沉积装置，
还包括能够支撑所述主体的支撑件。
13、如权利要求12所述的沉积装置，
其中，所述支撑件为圆柱形，
其中，所述导线在所述支撑件中，
其中，所述导线沿着所述支撑件的内壁和外壁从所述支撑件的顶部向下延伸形成多个“U”形。
14、如权利要求12所述的沉积装置，
其中，所述支撑件为圆柱形，
其中，所述导线在所述支撑件中，
其中，所述导线沿着所述支撑件的内壁从所述支撑件的顶部延伸。
15、如权利要求12所述的沉积装置，
其中，所述支撑件为圆柱形，
其中，所述导线在所述支撑件中，
其中，所述导线为线圈形。
16、如权利要求12所述的沉积装置，
其中，所述主体还包括能够支撑所述主体的突出，
其中，所述突出通过接触所述支撑件的上部来支撑所述主体。
17、如权利要求16所述的沉积装置，
其中，所述绝缘体位于所述突出和所述支撑件之间，或位于所述突出和所述导线之间。
18、如权利要求10所述的沉积装置，
其中，所述主体还包括具有开口的盖。
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