CN1753585B - 制造有机发光显示器的方法 - Google Patents

制造有机发光显示器的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1753585B
CN1753585B CN2004100997558A CN200410099755A CN1753585B CN 1753585 B CN1753585 B CN 1753585B CN 2004100997558 A CN2004100997558 A CN 2004100997558A CN 200410099755 A CN200410099755 A CN 200410099755A CN 1753585 B CN1753585 B CN 1753585B
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
spatial light
light modulator
organic layer
layer pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2004100997558A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1753585A (zh
Inventor
李在濠
姜泰旻
金镇洙
李城宅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Mobile Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Mobile Display Co Ltd filed Critical Samsung Mobile Display Co Ltd
Publication of CN1753585A publication Critical patent/CN1753585A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1753585B publication Critical patent/CN1753585B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/048—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

提供一种制造有机发光显示器的方法。该方法包括：通过使用激光辐射装置用激光束辐射供体基板的预定区域而在基板上形成有机层图案，所述激光辐射装置具有空间光调制器(SLM)。所述空间光调制器用于使用LITI方法来形成有机层图案。于是有可能调节各种类型的入射光使之均匀化并具有期望的波形。因此，提供了一种制造有机发光显示器的方法，该方法不使用掩模就可形成有机层图案。

Description

制造有机发光显示器的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2004年9月23日提交的韩国专利申请No.2004-0076668的优先权和权益，该申请的公开全文在此引作参考。
技术领域
本发明涉及一种制造有机发光显示器的方法，并尤其涉及一种当使用激光诱致热成像(LITI)方法来形成有机层图案时使用带有空间光调制器的激光辐射装置形成有机层图案的方法。
背景技术
一般而言，有机发光显示器，作为一种平板显示器，包括阳极电极、阴极电极和阳极电极与阴极电极之间的有机层。所述有机层至少包括发光层。所述有机层除了包括所述发光层之外，还可以包括空穴注入层、空穴输运层、电子输运层和电子注入层。根据所述有机层，尤其是形成所述发光层的材料，所述有机发光显示器可分为聚合物有机发光显示器和小分子有机发光显示器。
为了在有机发光显示器中实现全色，需要构图所述发光层。构图发光层的方法包括在所述小分子有机发光显示器中使用荫罩的方法，以及在所述聚合物有机发光显示器中的喷墨印刷法或激光诱致热成像(在下文中称为LITI)方法。凭借LITI方法，可以精细地构图有机层。所述LITI方法可用于大尺寸显示器并在高分辨率方面有优势。有利的是，所述LITI方法是干法工艺，不像所述喷墨印刷法，其为湿法工艺。
使用这种LITI方法形成有机层图案的方法至少需要激光发生器、有机发光显示器基板和供体基板。来自所述激光发生器的激光束被所述供体基板的光热转换层所吸收并被转换为热能，其可将形成转印层的材料转印到基板上，从而在基板上构图有机层。这在韩国专利申请No.1998-51844和美国专利No.5998085、No.6214520和No.6114088中进行过公开。
为了形成所述有机层图案，需要均匀调节所述激光束，即入射光并将所述有机层构图成所希望的形状。因为这些理由，使用了光束均化器，例如菲涅耳透镜。然而，在这种情况下，所述光束均化器仅对指定类型的入射光有效，对于其它各种类型的入射光不起作用。
发明内容
因此，本发明通过提供一种制造有机发光显示器的方法解决了与传统装置相关联的前述问题，当使用激光诱致热成像(LITI，laser induced thermalimaging)方法来形成有机层图案时，该方法能够通过使用空间光调制器(SLM，spatial light modulator)调节各种类型的入射光使之均匀化并具有期望的波形从而形成有机层图案。
在根据本发明的典型示例中，制造有机发光显示器的方法包括：提供具其上形成有像素电极的基板；在所述基板的整个表面上层压供体基板；并在所述基板上通过使用激光辐射装置用激光束辐射所述供体基板的预定区域形成有机层图案，所述激光辐射装置具有空间光调制器(SLM)。因此，有可能通过调节各种类型的入射光使之均匀并具有期望的波形以形成有机层图案。
所述空间光调制器可以是至少两个空间光调制器的阵列。
可选择地，所述空间光调制器可以是数字微镜装置(DMD，digitalmicromirror device)类型的空间光调制器或至少两个DMD类型的空间光调制器的阵列。
所述激光辐射装置可包括激光发生器；位于激光发生器之下的用于调制该激光发生器产生的入射激光束的空间光调制器；以及位于所述空间光调制器之下的投影透镜。所述激光发生器可以是至少两个激光发生器的阵列。
所述激光发生器产生的入射激光束可以是高斯光束波形。
所述激光发生器可以是激光二极管或至少两个激光二极管的阵列。
在所述像素电极上形成所述有机层图案可以在氮气(N2)或真空气氛下执行。
所形成的有机层图案可以是单层或者多层，所述多层是选自发光层、空穴注入层、空穴输运层、电子输运层和电子注入层所构成的组中的至少两层。
附图说明
参照附图结合其中的某些典型示例来描述本发明的上述和其他特征，其中：
图1是图解制造根据本发明的有机发光显示器的方法的示意图；
图2是图解根据本发明在空间光调制器中调制的示意图；
图3是图解根据本发明在空间光调制器中调制而获得激光束均化的示意图；
图4是图解根据本发明在数字微镜装置(DMD)类型的空间光调制器中调制而获得的激光束波形的示意图；
图5是图解根据本发明由数字微镜装置类型的空间光调制器对激光二极管中产生的激光束进行调制而获得的激光束波形的示意图。
具体实施方式
以下，将参照附图描述根据本发明的优选实施例。然而，本发明不限于所述实施例，可以其他形式进行实施。
图1是图解制造根据本发明的有机发光显示器的方法的示意图。
参照图1，提供其上形成有像素电极的基板110。接着，具有有机层130的供体基板120层压在具有像素电极的基板110上。具有有机层130的供体基板120通过抽真空、压制滚筒(pressing roller)等方法层压在基板110上。
接着，具有空间光调制器的激光辐射装置100用激光束150辐射供体基板120以在具有像素电极的基板110上形成有机层图案。
所述有机层图案的形成可以在氮气(N2)气氛下完成。将被转印的有机层图案可能会因空气中的氧气成分而氧化。为此，转印所述有机层图案的工序可以在没有氧气成分的氮气气氛下执行。可选择地，所述转印工序可以在真空气氛下执行，由此抑制在前述层压工序时在所述供体基板和基板之间产生气泡。
在所述转印工序中形成的有机层图案可以是单层或多层，所述多层是选自发光层、空穴注入层、空穴输运层、电子输运层和电子注入层所构成的组中的至少两层。
激光辐射装置100包括激光发生器140、空间光调制器160和投影透镜170。空间光调制器160位于激光发生器140之下。空间光调制器160调制来自于所述激光发生器的激光束以将所述激光束调节为均匀的并具有期望的波形。被空间光调制器160调制的激光束150在形成于空间光调制器160之下的投影透镜170处折射，并辐射到供体基板110上，由此在基板110上形成所述有机层图案。
特别地，空间光调制器160以不同方式应用于光学信息处理、投影显示器、视频和图形监视器、电视以及电子照片图形打印的领域中。空间光调制器160是用于将入射光调制成空间图案以形成相应于电或光输入的均匀光线的装置。可以对入射光的相位、强度、偏振或方向进行调制。通过呈现出各种电光或磁光转换效应的多种材料或者利用表面变形来调制光的材料来完成光调制。
目前，空间光调制器160主要以液晶、光折射、磁光、可变形镜装置等形式被使用。
图2是图解在空间光调制器中调制的示意图，而图3是图解根据本发明在空间光调制器中调制而获得激光束均化的示意图。
参照图2，空间光调制器260中的衍射栅格210以柱形形成，并施以电压。T表示所述衍射栅格之间的距离，a表示每个衍射栅格的宽度，而d表示反射表面的深度。
将所述电压施加于衍射栅格210使形成反射表面220的材料产生变形。所述反射表面的变形形状和深度(d)决定了所述入射光的反射效率。即，将高电压施加于衍射栅格210增加了所述反射表面的深度(d)，由此降低了所述入射光的反射效率。相反，施加低电压则减小了所述反射表面的深度(d)，由此提高了所述入射光的反射效率。衍射栅格210上不加电压会引起全反射。
因此，有可能通过调节施加于衍射栅格210上的电压大小来控制所述入射光的反射效率以均匀调制所述入射光。
而且，有可能通过调节所述衍射栅格的栅距(T)和衍射栅格的宽度(a)之差(T-a)来控制所述入射光的反射效率。即，如果所述衍射栅格的栅距(T)和衍射栅格的宽度(a)之差(T-a)增大，则所述反射表面的深度(d)减小，反之，如果所述衍射栅格的栅距(T)和衍射栅格的宽度(a)之差(T-a)减小，则所述反射表面的深度(d)增大，利用这样的事实来控制所述入射光的反射效率是可能的。
所述空间光调制器可以是至少两个空间光调制器的阵列，由此更有效地调制所述入射光。
同样，所述激光发生器可以是至少两个激光发生器的阵列，由此调制更多的入射光。
尽管所述波形的反射表面220在图2中已作图解，它不限于所述波形而可以采取各种变形的形状。
参考图3，作为入射光的高斯激光束辐射到空间光调制器360上。所述高斯激光束是在其中心部分具有高能量而朝着周围部分能量逐渐降低的激光束。
当所述高斯激光束辐射到空间光调制器360上时，它由图2中描述的原理来进行调制。从图3中，可以看到所述调制光是均匀的。
图4是图解根据本发明在数字微镜装置(DMD)类型空间光调制器中调制而获得激光束波形的示意图。
参考图4，数字微镜装置460是一种空间光调制器。它是由可移动微镜(未示出)的高密度阵列所组成的一种空间光调制器。数字微镜装置460可以是至少两个数字微镜装置型空间光调制器(在下文中称之为DMD)的阵列，由此高效地调制所述入射光。
所述入射光是均匀的激光束并进入所述DMD而被调制成具有球面波形的激光束。
特别地，每个微镜在所述DMD阵列中形成一个单元(cell)并且是双稳态的。换句话说，所述微镜在两个位置之一均是稳定的。所述入射光辐射到所述微镜的阵列上，并在两个方向之一被所述微镜反射。进入所述微镜的光在任何稳定的“开”(on)镜面位置被反射到所述投影透镜，并聚焦于所述供体基板上。辐射到所述微镜上的入射光在另一“关”(off)镜面位置被反射到光吸收器(未示出)。在阵列中的相应镜面被分别控制以直接将所述入射光辐射到所述投影透镜上或所述光吸收器上。
可以看出，所述入射光在“开”镜面位置被相长干涉所调制而具有脉冲波形，而所述入射光在“关”镜面位置因相消干涉而消失，从而获得具有基本上具有球面波形的调制激光束。
尽管在本实施例中已阐明，所述入射光被调制成具有球面波形的激光束，但是也可以通过调节形成反射表面的材料变形后的形状、调节反射表面的深度等等将入射光调制成具有所期望的波形，如图1中所示。
图5是图解根据本发明由数字微镜装置类型空间光调制器对激光二极管中产生的激光束进行调制而获得激光束波形的示意图。
参考图5，在该实施例中，激光二极管(未示出)被用作所述激光发生器。所述激光二极管可以是至少两个激光二极管的阵列。从图5中可以看到，由所述激光二极管阵列产生的所述入射光是非均匀激光束。所述光辐射到DMD 560上并被调制成具有球面波形。
除了上述内容之外，其他描述与结合图4所阐示的相同。
如上所述，所述有机层图案在所述基板上形成，所述基板具有形成在其上的像素电极，该像素电极是通过使用具有所述空间光调制器的激光辐射装置将所述调制激光束辐射到所述供体基板上形成的。
阴极在形成所述有机层图案的转印工序之后形成于所述有机层图案上，从而完成有机发光显示器。
如上所述，根据本发明，所述空间光调制器用于使用所述LITI方法来形成有机层图案。因此，有可能调节各种类型的入射光使之均匀化并形成具有期望波形的激光束。因此，提供了一种制造有机发光显示器的方法，该方法不使用掩模就可形成有机层图案。
尽管已参照其优选实施例描述了本发明，但本领域的技术人员可以理解，在不偏离附加的权利要求和其等效物中所定义的本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明作出各种修改和变形。

Claims (12)

1.一种制造有机发光显示器的方法，包括：
提供其上形成有像素电极的基板；
在所述基板的整个表面上层压供体基板；
用激光辐射装置的空间光调制器使激光发生器产生的各种入射激光束均匀化；以及
通过使用该激光辐射装置用所述被均匀化的激光束辐射所述供体基板的预定区域而在所述基板上形成有机层图案，
其中，该空间光调制器包括衍射栅格和设置在所述衍射栅格之间的反射表面，且通过借助变形的反射表面控制所述入射激光束的反射效率来使所述入射激光束均匀化，所述变形的反射表面通过调节施加于所述衍射栅格上的电压的大小来形成。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述空间光调制器是至少两个空间光调制器的阵列。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述空间光调制器是数字微镜装置类型的空间光调制器。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述数字微镜装置类型的空间光调制器是至少两个数字微镜装置类型的空间光调制器的阵列。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述激光辐射装置包括：
激光发生器；
位于所述激光发生器之下的用于调制该激光发生器产生的入射激光束的空间光调制器；以及
位于所述空间光调制器之下的投影透镜。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述激光发生器是至少两个激光发生器的阵列。
7.如权利要求5所述的方法，其中由所述激光发生器产生的所述入射激光束具有高斯光束波形。
8.如权利要求5所述的方法，其中所述激光发生器是激光二极管。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述激光二极管是至少两个激光二极管的阵列。
10.如权利要求1所述的方法，其中在所述像素电极上形成所述有机层图案是在N2气氛下进行的。
11.如权利要求1所述的方法，其中在所述像素电极上形成所述有机层图案是在真空气氛下进行的。
12.如权利要求1所述的方法，其中所述有机层图案是单层或者多层，所述多层是选自发光层、空穴注入层、空穴输运层、电子输运层和电子注入层所构成的组中的至少两层。
CN2004100997558A 2004-09-23 2004-12-31 制造有机发光显示器的方法 Active CN1753585B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR76668/04 2004-09-23
KR20040076668A KR100731729B1 (ko) 2004-09-23 2004-09-23 유기 전계 발광 소자의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1753585A CN1753585A (zh) 2006-03-29
CN1753585B true CN1753585B (zh) 2010-11-10

Family

ID=36072676

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2004100997558A Active CN1753585B (zh) 2004-09-23 2004-12-31 制造有机发光显示器的方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8617329B2 (zh)
EP (1) EP1640107B1 (zh)
JP (1) JP4414330B2 (zh)
KR (1) KR100731729B1 (zh)
CN (1) CN1753585B (zh)
DE (1) DE602004013007T2 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2014137B1 (en) 2006-05-04 2017-08-09 LG Display Co., Ltd. Organic light-emitting device having light-emitting pattern and method for preparing the same
KR101008843B1 (ko) * 2006-10-17 2011-01-19 주식회사 엘지화학 발광 패턴을 갖는 유기발광소자의 제조방법 및 이 방법에의하여 제조된 유기발광소자
US20080222725A1 (en) * 2007-03-05 2008-09-11 Microsoft Corporation Graph structures and web spam detection
EP2520233B1 (en) 2009-04-02 2017-11-01 Endoshape, Inc. Vascular occlusion devices
KR101310452B1 (ko) * 2011-08-25 2013-09-24 삼성전기주식회사 어레이 타입 공간변조기를 이용한 레이저가공방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1434523A (zh) * 2002-01-23 2003-08-06 伊斯曼柯达公司 采用多路线性激光束通过热转移制造发光二极管器件

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5872026A (ja) * 1981-10-26 1983-04-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光フアイバ損失波長特性測定器
US5061049A (en) * 1984-08-31 1991-10-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
FR2664712B1 (fr) * 1991-10-30 1994-04-15 Thomson Csf Dispositif de modulation optique a cellules deformables.
US5998085A (en) * 1996-07-23 1999-12-07 3M Innovative Properties Process for preparing high resolution emissive arrays and corresponding articles
KR200172946Y1 (ko) 1998-03-02 2000-05-01 배길성 진공청소기의 흡입장치용 에지테이터조립체의 에지테이터설치구조
JP2000075406A (ja) 1998-08-27 2000-03-14 Futaba Corp プロジェクタ用光源及びプロジェクタ
US6002826A (en) * 1998-08-28 1999-12-14 Brookhaven Science Associates Thin display optical projector
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
US6211997B1 (en) * 1999-03-31 2001-04-03 Eastman Kodak Company Modulator for optical printing
US6169565B1 (en) 1999-03-31 2001-01-02 Eastman Kodak Company Laser printer utilizing a spatial light modulator
US6458504B2 (en) * 2000-04-28 2002-10-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for forming an image
US6605796B2 (en) * 2000-05-25 2003-08-12 Westar Photonics Laser beam shaping device and apparatus for material machining
GB0112611D0 (en) * 2001-05-23 2001-07-18 Plastic Logic Ltd Patterning of devices
TW582062B (en) * 2001-09-14 2004-04-01 Sony Corp Laser irradiation apparatus and method of treating semiconductor thin film
US6695029B2 (en) 2001-12-12 2004-02-24 Eastman Kodak Company Apparatus for permitting transfer of organic material from a donor to form a layer in an OLED device
AU2002347164A1 (en) * 2001-12-21 2003-07-15 Ifire Technology Inc. Method of laser ablation for patterning thin film layers for electroluminescent displays
KR20030095313A (ko) * 2002-06-07 2003-12-18 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 레이저 어닐링장치 및 레이저 박막형성장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1434523A (zh) * 2002-01-23 2003-08-06 伊斯曼柯达公司 采用多路线性激光束通过热转移制造发光二极管器件

Also Published As

Publication number Publication date
EP1640107A1 (en) 2006-03-29
KR100731729B1 (ko) 2007-06-22
KR20060027744A (ko) 2006-03-28
DE602004013007D1 (de) 2008-05-21
CN1753585A (zh) 2006-03-29
JP2006093081A (ja) 2006-04-06
DE602004013007T2 (de) 2009-05-28
EP1640107B1 (en) 2008-04-09
US8617329B2 (en) 2013-12-31
US20060060297A1 (en) 2006-03-23
JP4414330B2 (ja) 2010-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7744770B2 (en) Device transfer method
TW202036838A (zh) 發光二極體(led)巨量轉移裝置及製造方法
US11721786B2 (en) Micro light-emitting diode displays having color correction films applied thereto
US8842144B2 (en) Laser induced thermal imaging apparatus and method for manufacturing organic light emitting diode (OLED) display device using the same
JP4400888B2 (ja) レーザ照射装置及びレーザ熱転写法
CN100521841C (zh) 制造有机电致发光显示器的方法
KR100770264B1 (ko) 레이저 조사 장치 및 이를 이용한 유기전계발광소자의제조방법
JP2006093127A (ja) 有機電界発光素子の製造方法
CN1753585B (zh) 制造有机发光显示器的方法
KR20070004551A (ko) 색필터를 포함하는 전자발광소자의 제조 방법
CN102259471B (zh) 一种无掩模激光热转印系统
US10137717B2 (en) Laser printing apparatus and method for colour dynamic image
KR100989130B1 (ko) 레이저 조사 장치 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조 방법
KR20140070725A (ko) 레이저 조사장치 및 이를 이용한 유기발광소자 제조방법
KR20120042521A (ko) 레이저 열전사 장치, 레이저 열전사 방법, 및 그를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR100848340B1 (ko) 레이저 조사 장치 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의제조 방법
KR100666567B1 (ko) 레이저 열전사 장치, 레이저 열전사 방법, 및 그를 이용한유기전계발광표시장치의 제조방법
KR20070097181A (ko) 레이저 조사 장치 및 이를 이용한 유기전계발광소자의제조방법
US20220190192A1 (en) Method of manufacturing micro-led display
CN114019763A (zh) 一种基于万束独立可控激光点阵产生的并行直写装置
US20150028299A1 (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
KR100590263B1 (ko) 레이저 열전사 장치와 그를 이용한유기전계발광표시장치의 제조방법
KR102000044B1 (ko) 레이저 열 전사 필름 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법
KR100793363B1 (ko) 레이저 조사장치 및 그를 이용한 유기전계발광소자의제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20090109

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant after: Samsung Mobile Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant before: Samsung SDI Co., Ltd.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG SDI CO., LTD.

Effective date: 20090109

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Effective date: 20121017

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20121017

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: Samsung Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: Samsung Mobile Display Co., Ltd.